Informe laboratorio Electrónica II: TRANSISTOR

DE EFECTO DE CAMPO
Marlon Emilio Medina Ramírez, Luis Gonzalo Rey León.
Unidades Tecnológicas de Santander – Eletrónica Industrial

Lg77@misena.edu.co
Marmed0417@hotmail.com
 ¿Pero cómo funcionan 2. MARCO Figura 1. Símbolos
dichos dispositivos?, TEORICO transistor MOSFET de
RESUMEN: En este ¿Cómo identificar la canal n y canal p. Tomado
informe se da a conocer manera correcta de de
al lector las practicas A.TRANSISTOR DE
realizadas en el utilizarlos?, ¿Cómo http://panamahitek.com/qu
EFECTO DE CAMPO DE
laboratorio de emplearlos en los e-es-y-como-funciona-un-
electrónica II, usando el METAL-OXIDO-
diferentes montajes que mosfet/
Transistor de Efecto de SEMICONDUCTOR
tengamos que realizar?,
Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (Metal ¿Cómo saber el tipo de
Oxide Semiconductor transistor que Un MOSFET es un
Field Effect Transistor, necesitamos? A todos dispositivo semiconductor
MOSFET), y otros estos interrogantes se les utilizado para la
elementos de uso
electrónico con el fin de tratara de buscar repuesta conmutación y 2.1 TIPOS DE
comprobar el a medida que avancemos amplificación de señales. MOSFET
funcionamiento de dicho en el curso y mediante las El nombre completo,
transistor y comprender realizaciones de Transistor de Efecto de Existen diferentes tipos de
su comportamiento en un laboratorios e informes
circuito amplificador. Campo de Metal-Óxido- MOSFET, dependiendo de
como este. Semiconductor (Metal
la forma cómo están
PALABRAS CLAVE: Oxide Semiconductor
Transistor, MOSFET. 1.1 Justificación Field Effect Transistor, construidos internamente.
En el aprendizaje y MOSFET) se debe a la
ABSTRACT: In this formación de un Así, tenemos MOSFET de
constitución del propio
report the reader is made profesional con transistor. enriquecimiento y
aware of the practical conocimientos de
MOSFET de
practices in the electrónica es necesario
electronics laboratory II, que sea capaz de Existen diferentes tipos de empobrecimiento, cada
using the Metal-Oxide- comprender, analizar y MOSFET, dependiendo de
la forma cómo están uno con su símbolo
Semiconductor Field saber operar el Transistor
Effect Transistor (Metal de Efecto de Campo construidos internamente. característico. Sin
Oxide Semiconductor de Metal-Óxido- Así, tenemos MOSFET de
enriquecimiento y embargo, para efectos de
Field Effect Transistor, Semiconductor (Metal
MOSFET), and other Oxide Semiconductor MOSFET de este artículo simplemente
elements of electronic use Field Effect Transistor, empobrecimiento, cada
consideraremos que los
in order to verify the MOSFET) para realizar uno con su símbolo
operation of said funciones específicas de característico. Sin MOSFET de los que
transistor and su campo laboral. embargo, para efectos de
vamos a hablar son de
understand its behavior este artículo simplemente
in an amplifier circuit. 1.2 Objetivo consideraremos que los enriquecimiento, utilizando
general MOSFET de los que la simbología antes
Identificar las partes vamos a hablar son de
KEY WORDS: del transistor MOSFET enriquecimiento, utilizando presentada.
Transistor, MOSFET. para aprender a realizar la simbología antes
montajes utilizando presentada. [1]
1. INTRODUCCIÓN transistores MOSFET y Ahora que conocemos la
Es sorprenderte como analizar su simbología, tanto del BJT
los avances de la funcionamiento en un
circuito amplificador. como del MOSFET
tecnología nos ofrecen
múltiples mejoras, a la podemos establecer lo
hora de realizar montajes siguiente:
electrónicos cada vez más
complejos y mucho más
útiles. Gracias al
descubrimiento del  Ambos
transistor la industria dispositivos
electrónica ha tenido son
múltiples avances desde
sus inicios hasta nuestros transistores
días.
  Ambos cuando VGS > Vt y VDS >
dispositivos ( VGS – Vt).
tienen 3
terminales O sea, estaremos en la
región de saturación
 Ambos cuando el canal se
dispositivos interrumpe o estrangula,
pueden lo que sucede cuando:
funcionar
como VDS ≥
VGS - VT →
interruptores
Región de
(o Figura 3. Montaje del
Figura 2. Circuito circuito de la practica 1. saturación
conmutadores) empleado en la primera Foto tomada por Luis Rey
práctica. Foto tomada por en el laboratorio de
y como
Luis Rey en el laboratorio electrónica II.
amplificadores de electrónica II.
de señales.
3.1.2 Materiales
El transistor MOSFET
2.2 RESISTENCIA -Protoboard. entra en esta zona de 3.1.4 Cálculos
S -Resistencias de funcionamiento cuando
(1M,1K,10K) Ω
la tensión entre el
Es toda oposición que -Transistor MOSFET
encuentra la corriente a su 2N7000 canal n. Drenador y el Surtidor
paso por un circuito -condensadores 10μF. (VDS) supera un valor
eléctrico cerrado, -Puntas de fuente. fijo denominado tensión
atenuando o frenando el -Puntas de osciloscopio.
-Multímetro. de saturación (Vds
libre flujo de circulación
de las cargas eléctricas -Puntas de generador de sat) Drenador-Surtidor;

o electrones. Cualquier señales. este valor viene

dispositivo o consumidor determinado en las hojas
conectado a un circuito 3.1.3 Procedimiento
características
eléctrico representa en sí
una carga, resistencia u Para el procedimiento se proporcionadas por el
obstáculo para la empezó con el montaje del fabricante. En esta zona,
circulación de la corriente circuito de la figura 2 en Figura 4. Circuito de la
el MOSFET mantiene
eléctrica. [2] base a lo aprendido en la primera practica en
clase de electrónica II con constante su corriente de análisis AC.
3. DESARROLLO DE
el fin de entender el Drenador (ID), Foto tomada por Luis Rey
LA PRACTICA
funcionamiento del independientemente del en el laboratorio de
transistor 2N7000 de canal electrónica II.
n. valor de tensión que
B. PRACTICA #1 haya entre el Drenador y Rin= 1MΩ
el Surtidor (VDS). Por lo Rout= (1/[(1/ro) +(1/1KΩ)
3.1.1 Circuito: El circuito +(1/10KΩ)])
empleado en la primera tanto, el transistor
Av= vo/vi= Vgs/vi=-
practica es el siguiente: equivale a un generador gmVgs(1/[(1/ro) +(1/1KΩ)
de corriente continua de +(1/10KΩ)])/100mVpp
valor ID.

Es decir; el MOSFET
estará en esta región,

Figura 5. Voltaje de entrada
y salida. Foto tomada por
Luis Rey en el laboratorio de
electrónica II.
Av=vo/vi=1Vpp/100mVpp=
10
Volt/Div en 50mV y para la
señal de la salida la perilla
de Volt/Div en 0.5V, lo que
nos da una ganancia de
10V/V. Véase la Figura 4.
El voltaje de salida con la
tensión de entrada que
representa la ganancia del
transistor. La pendiente de
la curva de
transconductancia en
cualquier punto a lo largo
de ella se expresa como:
gm = I D / V GS para un
valor constante de V DS .
3.1 Practica #2
3.2.1 Circuito: El circuito
empleado en la segunda
practica es el siguiente:
Figura 6. Circuito
empleado en la segunda
práctica. Foto tomada por
Luis Rey en el laboratorio
de electrónica II.
LVK
3.2.2 Materiales -5V+IDRD+VDS=0
ID=2.5mA
-Protoboard.
-Resistencias de (1K,10K)
Ω
-Transistor MOSFET
2N7000 de canal n.
-Puntas de fuente.
-Puntas de osciloscopio.
-Multímetro.
-Puntas de generador de
señales.
-Potenciómetro.
-Condensadores de 10μF.
3.2.3 Procedimiento
Figura 7. Circuito de la
segunda practica en
Para empezar con la análisis dc. Foto tomada Figura 9. Montaje del
practica se procede a por Luis Rey en el circuito de la segunda
realizar el respectivo laboratorio de electrónica práctica. Foto tomada por
montaje del circuito con II. Luis Rey en el laboratorio
los elementos que se de electrónica II.
muestran en la figura 4 y Rth=1/[(1/150KΩ)
donde se le conectara en la +(1/10KΩ)]
puerta una señal senoidal. Rth=9375Ω
3.2.4 Cálculos Vth=(5V*10KΩ)/160KΩ=
0.3125V
Cuando la tensión alcanza
el valor de umbral, VT,
han sido atraídos a esta
región los electrones
suficientes para que se
comporte como canal n
conductor. No habrá una
corriente apreciable ID Figura 10. Valor del VDS.
hasta que Vgs excede VT. Foto tomada por Luis Rey
en el laboratorio de
Se ponen en circuito electrónica II.
abierto los condensadores
y se halla resistencia y
voltaje de Thévenin por
medio de divisor de
voltaje.
Análisis DC Figura 8. Circuito de la
segunda practica en
análisis dc. Foto tomada
por Luis Rey en el
laboratorio de electrónica
II.
Figura 11. Voltaje de
Para lograr el punto de
entrada y salida. Foto
operación del transistor se
tomada por Luis Rey en el
le da un valor a voltaje
laboratorio de electrónica
drenador-surtidor(véase en
II.
la figura 10):
VDS=2.5V
Volt/Div en 50mV y para la  Se evidenció que
señal de la salida la perilla los MOSFET se
de Volt/Div en 0.5V, lo que emplean en
nos da una ganancia de
10V/V. Véase la Figura 11.
amplificadores de
potencia así como
en conmutación,
Av=vo/vi=1Vpp/100mVpp= haciendo la
10 función de
interruptor,
gracias a la baja
resistencia interna
que poseen.

II. Bibliografía

[1] A. G. González, «PANAMAHITEK,» PANAMAHITEK,

4 ENERO 2016. [En línea]. Available:
4. Conclusiones http://panamahitek.com/que-es-y-como-funciona-un-
 Se evidenció que mosfet/. [Último acceso: 2 DICIEMBRE 2015].
los transistores [2] Ecured, «Ecured,» Ecured, 2 Febrero 2015. [En línea].
FET realizan la Available: https://www.ecured.cu/Resistencia_el
función de control %C3%A9ctrica. [Último acceso: 24 Junio 2014].
de corriente,
común a todos los
transistores por
ser característica
básica, mediante
una tensión
aplicada en uno de
sus terminales.
 Se analizó que el
comportamiento
de los transistores
de efecto de
campo se
caracteriza por sus
curvas
características en
las que se
representa la
corriente que entra
o sale por el
drenador en
función de la
tensión aplicada
entre este y la
fuente.
 Se comprendió
que los MOSFET
pueden ser
empleados en los
circuitos en una
disposición similar
a los BJT, es
decir; en fuente
común.