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ELECTRÓNICA GRAL. II – Prof. A. Iamarino

DISPOSITIVOS DE CONTROL
TIRISTORES
Se denomina así, a distintos componentes de estado sólido cuya conducción estará controlada por un
circuito, como por ejemplo, algún circuito de disparo.

Rectificador Controlado de Silicio (SCR)

Es un dispositivo semiconductor con cuatro capas de estructura pnpn, con tres junturas pn. Tiene tres
terminales: ánodo, cátodo y compuerta (gate).

Ánodo
A

N
Compuerta
P G
K
N

Símbolo
Cátodo

Construcción interna

El SCR conduce la corriente principal entre ánodo y cátodo en forma unidireccional (debe polarizarse
en directa), al igual que un diodo de juntura, diferenciándose de este último en que solo comienza a
conducir al recibir un pulso de tensión que se aplica en el terminal de puerta (G). Una vez iniciada la
conducción la misma se detiene cuando la corriente que circula entre A y K disminuya casi a cero. A
partir de este momento, para que el componente vuelva a conducir habrá que aplicar un nuevo pulso en
la compuerta.
Para comprender mejor el funcionamiento de este dispositivo recurriremos a un circuito equivalente
formado por transistores bipolares, como lo indica la siguiente figura:
A A A

P P
T1
N N
N
G G G
P P T2
P

N
N

K K
K

Unidad 2: "Tiristores"
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Al aplicarle un pulso en el terminal de puerta aumenta la corriente de base de T2 y por lo tanto la de

colector de T2, esto provoca un aumento en la corriente de base de T1 y por lo tanto un aumento de la
corriente de colector de T1; esto provoca una mayor excitación de la base de T2. Este aumento y
realimentación en las corrientes continúa hasta que ambos transistores se saturan, entonces, en esta
condición, el circuito permite la conducción de corriente de ánodo a cátodo. Aunque se quite el
estímulo en el gate, la conducción continuará. Así, el SCR está en conducción.
Al reducirse la corriente entre ánodo y cátodo, se reduce la corriente en el colector de T1 y de T2, por
lo que también lo hacen las correspondientes corrientes de base. Esta realimentación positiva continúa
hasta que ambos transistores entran en corte. Así, el SCR se bloquea.
Para iniciar nuevamente la conducción se requiere la polarización directa entre ánodo y cátodo y un
pulso en la compuerta para comenzar nuevamente el proceso.
El circuito es estable en cualquiera de los dos estados, es decir, permanecerá en conducción ó
bloqueado hasta que algo haga aumentar ó reducir las corrientes.
Debemos tener en cuenta, que si la tensión entre ánodo y cátodo aumenta excesivamente, también lo
hará la corriente de portadores minoritarios; esta corriente puede excitar las bases de los transistores y
comenzar el proceso de conducción. Es decir, la conducción puede iniciarse también, con un elevado
valor de tensión entre ánodo y cátodo, aunque no exista impulso en el terminal de compuerta.

Curva característica
El dispositivo tiene dos zonas de funcionamiento: bloqueo ó conducción.
Cuando está bloqueado, la corriente entre ánodo y cátodo (I) es cero.
Si existe una tensión entre ánodo y cátodo (VAK), al aplicarle una corriente a la compuerta (IG), el
SCR entrará rápidamente en conducción, haciendo que aumente la corriente I.
Al aumentar la corriente de compuerta IG, disminuye la tensión VAK de bloqueo.
Cuando el SCR entra en conducción, el punto de funcionamiento se desplaza rápidamente por la línea
de trazos hasta la zona de conducción.
Si la corriente I es mayor a la “corriente de mantenimiento” (IH), el dispositivo permanece
conduciendo. Si la corriente I es inferior a IH, el dispositivo entra en la zona de bloqueo.

V3>V2>V1
IG1>IG2>IG3

IG1 IG2 IG3 IG=0

IH

VH V1 VAK
V2 V3 VB0

Unidad 2: "Tiristores"
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Se observa que para cada corriente de compuerta IG se obtiene el disparo del SCR.
Si la tensión VAK alcanza el valor VB0 (“tensión de ruptura”), se produce la conducción aunque IG=0,
por las razones ya explicadas anteriormente.

Polarización
Como la puerta de un SCR está conectada a la base de un transistor interno, se necesitan al menos
0,7V para dispararlo. Este valor aparece en las hojas de datos del dispositivo como “tensión de
disparo” (VGT). También el fabricante proporciona el valor de la mínima corriente para que el
dispositivo entre en conducción; esta corriente se denomina “corriente de disparo” (IGT).
Analizaremos el siguiente circuito sencillo para determinar valores de corte y de disparo:

+VCC

IL RL

+
Vo
RG
-

IG

VG
Vi

Cuando la tensión de puerta VG es mayor a VGT, el SCR entra en conducción y la tensión Vo baja de
+VCC a un valor muy bajo.
La resistencia RG se utiliza para limitar la corriente de puerta a un valor seguro.
Si queremos hallar la Vi mínima necesaria para disparar al SCR, debemos tener en cuenta:
Vi = VGT + IG ⋅ RG
Como ya se mencionó, los valores de VGT y de IGT se encuentran en las hojas de datos del dispositivo.
La RG también puede representar la resistencia equivalente de Thevenin del circuito de disparo.

Si queremos resetear el SCR, es decir, llevarlo al bloqueo, la corriente que por el circula debe reducirse
a un valor inferior a la corriente de mantenimiento IH, reduciendo el valor de VCC.
Analizando el circuito, podemos hallar la VCC mínima que bloquea al SCR como:
VCC = 0,7V + I H ⋅ RL

Si la VCC es inferior a este valor calculado, el SCR se bloquea.

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Control de fase con SCR

Mediante el control de fase se puede controlar el valor medio de la tensión sobre una carga; esto se
logra variando el instante en el que se dispara el SCR (variando el ángulo de retardo), así, una vez
disparado, el dispositivo conduce hasta que la corriente entre ánodo y cátodo sea inferior a la IH. Para
que vuelva a conducir será necesario un nuevo pulso en la compuerta.
De esta manera el SCR funciona como un rectificador de media onda, solo que conduce a partir de que
se le aplica el disparo correspondiente.
RC

VCA
RG T

I1

VCA

V(V1:+)
Time
I1

V(V2:+)
Time

VRC

V(R1:1,R1:2)
Time

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En los gráficos puede observarse como la tensión sobre la carga RC, aparece solo en los semiciclos
positivos y a partir de que se le aplica un pulso de disparo en la compuerta. La conducción continúa
hasta que la corriente en la carga se anula.
Veamos a continuación otro caso: partiendo del mismo circuito, se le aplican a la compuerta, pulsos
con una menor frecuencia, es decir, se retrasa el ángulo de disparo:

VCA

V(V1:+)
Time
I1

V(V2:+)
Time
VRC

V(R1:1,R1:2)
Time

Recordando que el valor medio resulta del promedio de los valores instantáneos, podemos observar
que en este último gráfico, en el que se retrasó el ángulo de disparo, el valor medio de la tensión sobre
la carga disminuye.

En conclusión, el control de fase con SCR sirve para variar el valor medio de una señal continua sobre
una carga. Dicha variación se lleva a cabo variando el ángulo de disparo del circuito de compuerta.

Ahora bien, se dijo anteriormente que el SCR se bloqueaba cuando la corriente entre ánodo y cátodo se
reducía por debajo de la de mantenimiento; esto se observó en los gráficos anteriores. En el circuito
examinado, al ser la carga resistiva pura, la corriente y la tensión están en fase, por lo tanto, cuando la
corriente pasa por cero lo hace también la tensión (como se observa en los gráficos), pero ¿qué
sucedería si la carga tuviese contenido inductivo (carga RL -que se da en la mayoría de las
aplicaciones industriales-)? En este tipo de circuito, la tensión adelanta a la corriente un cierto ángulo
que depende de la proporción inductiva de la carga. Por lo tanto, las dos magnitudes ya no están en
fase.
Como el SCR se bloquea cuando se anula la corriente, al realizar un control de fase con una carga RL
sucederá lo siguiente:

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VCA

V(V1:+)
Time
I1

V(V2:+)
Time
VZC

V(R1:1,L1:2)
Time

IZC

I(R1)
Time

Se observa que al existir un adelanto de la tensión con respecto a la corriente, la tensión sobre la carga
(VZC) se anula cuando la corriente (IZC) pasa por cero, que resulta ser unos instantes después de que
la VCA pasa por cero. Resulta así entonces, que al realizar un control de fase sobre cargas con
contenido inductivo, pueden obtenerse valores instantáneos de tensión negativos sobre la carga, lo cual
reduce el valor medio de la señal sobre ella. Debe tenerse en cuenta que a mayor desfasaje, se tomarán
más valores negativos, existiendo el caso particular que se tenga sobre la carga un valor medio nulo.

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Diodos de disparo bidireccional (DIAC)

Se conforma con tres zonas en la configuración pnp, existiendo dos junturas. Presenta al exterior dos
terminales sin ninguna polaridad:

Símbolo
Construcción interna

Para interpretar el funcionamiento de este dispositivo recurriremos a un circuito equivalente:

P
P
N
N
N
P
P

Observando el circuito equivalente se puede apreciar que cualquier tensión entre los terminales
producirá la polarización directa de una juntura y la polarización inversa de la otra.
Los niveles de contaminación de los semiconductores utilizados permiten que, superado un cierto valor
de tensión inversa, la juntura comience a conducir, alcanzando la avalancha no destructiva.
Es decir, el diac permite la conducción entre sus terminales a partir de que se supere un determinado
valor de tensión (según el componente) entre ellos. Si la tensión entre terminales no alcanza el valor
dado por el fabricante, el diac no permite circulación de corriente.

TRIAC
A diferencia del SCR, el triac permite la conducción de corriente en ambos sentidos entre sus
terminales principales. De todas formas, la conducción comienza a partir de que recibe un pulso en su
terminal de compuerta.
Su circuito equivalente puede implementarse con dos SCR conectados en antiparalelo (cabe mencionar
que en aplicaciones de alta potencia no se utiliza el triac y así es reemplazado por dos SCR conectados
como se indica en el circuito equivalente).

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Terminal principal 1
MT1
MT1

Compuerta
G
G
MT2

Terminal principal 2
Símbolo
MT2

Circuito equivalente

Curva característica

IG1>IG2

IG1 IG2 IG=0

IH
VH

VH
VMT1MT2
IH

IG=0 IG2 IG1

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En el gráfico se observa que la curva característica depende nuevamente de la corriente de puerta IG.
A diferencia de la curva característica del SCR, existen puntos de funcionamiento en el 3º cuadrante
con características similares a las del 1º.
Se puede sacar como conclusión que el dispositivo permitirá la conducción de corriente en ambos
sentidos, lo que lo hace apropiado en el control de corriente alterna.

Control de fase con TRIAC

En este caso, aparecerá sobre la carga una tensión alterna, de la cual podrá regularse su valor eficaz,
regulando el ángulo de disparo del circuito aplicado a la compuerta:

RC

RG

VG VCA
S

VCA

V(VCA:+)
Time

VG

V(VG:+)
VRC Time

V(RC:1,RC:2)
Time

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Si el ángulo de disparo se retrasa con respecto al anterior, el valor eficaz en la carga será menor:

V(VCA:+)
Time

V(VG:+)
Time

V(RC:1,RC:2)
Time

En el siguiente circuito se observa un control de fase muy sencillo utilizando DIAC y TRIAC.
La resistencia variable R carga el capacitor C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC,
produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y lo pone en
conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El
momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de
conducción del TRIAC y, por lo tanto, el valor de la tensión eficaz aplicada a la carga, obteniéndose
un simple pero eficaz control de potencia. Este circuito suele implementarse como regulador de
intensidad de luz en lámparas incandescentes.
Es una forma muy simple de crear un circuito de disparo para la compuerta del triac.

CARGA

VAC

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Tiristores apagados por compuerta (GTO)

Al igual que un SCR, un GTO se puede encender aplicando una señal positiva a la compuerta. Sin
embargo, el GTO puede cortarse con una señal negativa de compuerta. Un GTO se puede construir con
especificaciones de corriente y de tensión parecidas a las de un SCR. Un GTO se enciende aplicando
un pulso positivo corto, y se apaga con un pulso negativo corto en su compuerta.
Los GTO tienen las siguientes ventajas frente a los SCR:

eliminación de componentes de conmutación, en la conmutación forzada, que dan como
resultado una reducción de costo, peso y volumen;

reducción de ruido acústico y electromagnético, por la eliminación de reactores de
conmutación;

apagado más rápido que permite altas frecuencias de conmutación;

mejor eficiencia de convertidores;
En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transistores
bipolares:

mayor especificación de la tensión de bloqueo;

alta relación de corriente pico controlable a corriente promedio;

alta relación de pico de corriente de sobrecarga entre corriente promedio (normalmente 10 a 1);

alta ganancia en estado encendido (corriente de ánodo y corriente de compuerta), típicamente
600;

una señal pulsada de compuerta de corta duración

G
K

Símbolo

En cuanto a su construcción, en comparación con un tiristor convencional, tiene una pequeña capa N
muy impurificada adicional cerca del ánodo, que forma un circuito de apagado entre la compuerta y el
cátodo, en paralelo con la compuerta de encendido. El circuito equivalente se ve igual al ya estudiado
con transistores, excepto por su mecanismo interno de apagado. Si pasa un gran pulso de corriente del
cátodo a la compuerta, para apartar del cátodo suficientes portadores de carga, esto es del emisor al
transistor NPN, el transistor PNP se puede sacar de la acción regenerativa. Al cortarse el NPN, el PNP
queda con una base abierta y el GTO regresa al estado no conductor.

Una vez que el GTO se activa por un impulso en la puerta, debe continuar la corriente en sentido
directo de la compuerta durante todo el período de conducción, para asegurar que el dispositivo
permanezca en conducción. En caso contrario, no puede permanecer en conducción durante el período
en estado de encendido. La corriente de estado de encendido en la compuerta debe ser, como mínimo,
1% del pulso de activación, para asegurar que la compuerta mantenga la retención. Esta es otra
diferencia frente al SCR, el GTO una vez disparado, no retiene su estado si no se mantiene una
pequeña corriente positiva en la puerta.
El funcionamiento de un GTO en el apagado está influido por las características del circuito de
apagado de compuerta. En consecuencia, estas últimas características deben coincidir con los
requisitos de apagado. El proceso de apagado implica extracción de la carga de la compuerta, el
período de avalancha en la compuerta y la disminución de la corriente de ánodo.
La corriente pico inicial de apagado y el tiempo de apagado, parámetros importantes del proceso de
apagado, dependen de los componentes del circuito externo. En las hojas de datos se encuentran los
valores típicos de la corriente pico de apagado (IGQ).

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El GTO mantiene una corriente durante el apagado, al final del apagado, y el siguiente encendido debe
esperar hasta que se haya disipado la carga residual del ánodo, por el proceso de recombinación.
Como un GTO requiere una gran corriente de apagado, en el caso normal se usa un capacitor C con
carga para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para el apagado. La bobina L limita la
tasa de derivada de corriente de apagado en la compuerta, por el circuito formado por R1, R2, S1 y L.
Se debe seleccionar la tensión de suministro al circuito de la compuerta VG, para alcanzar el valor
requerido.
Durante el período de apagado, en el caso ideal la compuerta debería permanecer con polarización
inversa, asegurando la máxima especificación de bloqueo. La polarización en sentido inverso se puede
mantener, ya sea manteniendo cerrado S1 durante todo el período de no conducción ó usando un
circuito de mayor impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista una tensión negativa mínima.
El GTO tiene poca ganancia, normalmente seis, durante su apagado, y requiere un pulso de corriente
relativamente grande para apagarlo. Tiene mayor tensión en estado de encendido que un SCR (en un
GTO de 1200V y 550A, esta tensión suele ser de 3,4V).

VG

Transistor unijuntura (UJT)

Está compuesto por dos cristales, uno P y uno N. Presenta al exterior tres terminales: Base1, Base2 y
Emisor. Al cristal P se lo contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura
un número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se lo dopa con muy pocas impurezas, por lo
que existen muy pocos electrones libres en su estructura.

Base 2

B2
N
Emisor E
P

B1

Base 1 Símbolo

Estructura interna

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La diferencia en las concentraciones de portadores indicada anteriormente, hace que la resistencia

entre las dos bases (RBB) sea muy alta cuando la juntura emisora (juntura Emisor-Base1) está en
inversa.

Para explicar el funcionamiento de este dispositivo recurriremos a la polarización del mismo y a la

utilización de un circuito equivalente:

RB2

VBB
VBB
V V RB1

Vp

Circuito de polarización
Circuito de polarización reemplazando al
UJT por su circuito equivalente

RB1 y RB2 representan la resistencia que existe a través del cristal N comprendida entre los terminales
de las bases. El diodo representa la juntura PN formada entre el emisor y el cristal N.
Mientras la juntura emisora no conduzca (juntura polarizada en inversa), la resistencia entre las bases
RBB es:
RBB = RB1 + RB 2

Si en estas condiciones se le aplica una tensión de alimentación VBB entre las bases, la tensión que
aparece entre el emisor y la base 1 será la que corresponda en el circuito equivalente a Vp:

VBB RB1
Vp = ⋅ RB1 + Vf = ⋅ VBB + Vf
RB1 + RB 2 RBB
Vf es la tensión de la juntura emisora polarizada en directa (aprox. 0,6V a temperatura ambiente).

A la relación RB1 se la llama “relación intrínseca” (η) entre Vp y VBB.

RBB

Así entonces, resulta:

Vp = η ⋅ VBB

Al valor Vp se lo llama “tensión intrínseca”, y es la tensión que se debe aplicar para que la juntura
emisora comience a conducir.
Si se aplica entre emisor y base 1 una tensión superior a Vp, la juntura emisora quedará polarizada en
directa, y en estas condiciones el UJT se dispara.
Una vez que se consiguió que la juntura conduzca, por efecto de una tensión de polarización directa
del emisor con respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo
de cristal N comprendido entre el emisor y la base 1, que si recordamos la diferencia de contaminación

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entre el cristal P y el N, entenderemos que se produce una disminución repentina de la resistencia RB1,
y con ella una reducción de la caída de tensión en la base 1 (llegando a la denominada “tensión de
valle”) con respecto al emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente. Por
esta razón en el circuito equivalente RB1 se representa como una resistencia variable.
Mientras la corriente de emisor sea superior a la “corriente de mantenimiento” (Iv), la juntura emisora
permanecerá en directa.
Todas las tensiones y corrientes mencionadas hasta aquí, como así también la relación intrínseca, son
especificadas por el fabricante en las hojas de datos del dispositivo.

Curva característica
Vp es la tensión que se debe superar entre emisor y base 1 para provocar el encendido del UJT. Una
vez superada esta tensión, la corriente de emisor aumenta rápidamente.
Cuando dicha corriente es inferior a la de mantenimiento (Iv), el UJT entra en corte.

IE

Iv

Vv Vp V

Generador de pulsos con UJT (oscilador de relajación)

Una de las aplicaciones del UJT más comunes es como generador de pulsos en diente de sierra. Este
suele utilizarse para controlar el disparo de SCR y triac.

R4

R2
RP
VBB

Vo

C
R1

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Al aplicar una tensión VCC al circuito R-C serie, comienza a cargarse el capacitor C. Como este está
conectado al emisor, cuando la tensión en el capacitor VC supere la tensión intrínseca Vp del UJT, este
entrará en conducción. Si se coloca una R1 (cuya función es solo de limitadora, al igual que R4) de
muy bajo valor, el capacitor se descargará rápidamente y en el terminal de base 1 aparecerá un impulso
de tensión (un pico seguido por la forma de onda de la descarga rápida de un capacitor). Al disminuir
la corriente de descarga del capacitor sobre el emisor del UJT por debajo de la de mantenimiento, este
entra en corte y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga. Así se consigue que en el terminal de
base 1 aparezca una señal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los
tiempos de disparo de un SCR ó un triac.
Para regular el tiempo de disparo (período de la señal pulsante) es suficiente con modificar el valor de
RP ya que de él depende la constante de tiempo del capacitor.
R2 cumple la función de estabilizar térmicamente al circuito.

A continuación se muestra la tensión de salida Vo y la tensión sobre el capacitor VC, para un

determinado valor de RP:

Vo

V (R1:2)
Time

VC

V (C3:2)
Time

En el siguiente gráfico repetimos la experiencia para un valor de RP superior:

Vo

V(X4:B1)
Time

VC

V(C3:2)
Time

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Se observa entonces como al aumentar el valor de RP se logra aumentar el valor de la constante de

tiempo del capacitor τ = R ⋅ C, y así aumentar el tiempo que tarda el capacitor en cargarse hasta el
valor de la tensión de disparo. Así, la frecuencia de la señal de salida disminuye.
Las formas de onda reflejan que mientras el capacitor se carga el UJT no permite la conducción,
debido a que VC no llegó a un valor superior a Vp. Cuando se alcanza este valor, puede observarse
que el UJT se dispara permitiendo la descarga del C a través del emisor por R1, que como es de muy
bajo valor, se hace rápidamente (la carga es más lenta que la descarga).
Para hallar el valor de la frecuencia de la señal de salida (fo), seguiremos el siguiente desarrollo:

Sabemos que la forma de onda de la carga de un capacitor responde a la expresión:

− tc
VC = VBB ⋅ 1 − l τ  donde llamamos tc al tiempo que tarda el capacitor en la carga
  hasta alcanzar el valor que dispara al UJT.

despejando tc resulta:
 Vp   Vp 
tc = −τ ⋅ ln 1 −  = −(RP + R 4 ) ⋅ C ⋅ ln 1 − 
 VBB   VBB 

Si llamamos td al tiempo que tarda el capacitor en descargarse, por lo analizado en las explicaciones
anteriores, debemos considerar que: tc >> td

por lo que podemos considerar que el tiempo total (carga y descarga) T es: T = tc

que representa el período de la señal de salida Vo.

Así, la frecuencia de la señal de salida fo será: 1

fo =
T

Sabemos que:
Vp = VBB ⋅η + 0,6V

Si despreciamos los 0,6V por ser un valor muy pequeño en comparación con los demás, queda:
Vp = VBB ⋅η

Con todas estas consideraciones podremos llegar a una expresión conveniente de la frecuencia de
salida fo:

1 1 1 1
fo = = = = =
T tc  Vp   VBB ⋅η 
− ( R 4 + RP ) ⋅ C ⋅ ln 1 −  − ( R 4 + RP ) ⋅ C ⋅ ln 1 − 
 VBB   VBB 

1 1
fo = =
− ( R 4 + RP) ⋅ C ⋅ ln (1 − η )  1 
( R 4 + RP) ⋅ C ⋅ ln 
 1 −η 

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Transistor unijuntura programable (PUT)

Tiene la estructura de un SCR pero con la compuerta en la zona N. Su principal aplicación es la
sustitución del UJT con posibilidad de variar la relación intrínseca η y de dar impulsos de corriente
más potentes.

Ánodo
A

P1 G
Puerta
N1

P2

N2
K

Cátodo
Símbolo

Estructura interna

Polarización

R3
R2

V1
V2

R1

La tensión V1 y las resistencias R1 y R2 de varios kΩ mantienen la puerta a la tensión:

R1
VG = V 1 ⋅
R1 + R 2

Si la tensión de ánodo se mantiene inferior a la de puerta, la juntura P1-N1 queda polarizada en inversa
y circula una corriente muy pequeña por el ánodo.
Si la tensión de ánodo supera el valor:
R1
VA = 0,7V + ⋅V1
R1 + R 2
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la juntura P1-N1 quedará polarizada en directa y se dispara el PUT; así la tensión ánodo-cátodo cae a 1
ó 2V y la corriente debe limitarse con una resistencia R3.

Puede observarse que el conjunto PUT-R1-R2 equivale funcionalmente al UJT, haciendo el ánodo de
emisor, el cátodo de base 1 y el extremo exterior de R2 de base 2.

Existen ventajas evidentes del PUT frente al UJT:

• La relación intrínseca puede elegirse entre amplios márgenes dimensionando adecuadamente

R1 y R2, lo que da una gran flexibilidad a los diseños y permite una realización simple de
osciladores controlados por tensión.

• La resistencia ánodo-cátodo es muy baja una vez disparado el PUT, mucho menor que la
resistencia emisor-base 1 (RB1) del UJT. Como muchos circuitos de disparo de tiristores
descargan un capacitor a través de un semiconductor auxiliar, el impulso de corriente puede ser
más potente empleando un PUT en lugar de un UJT.

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