6.2.2 Las relaciones de Einstein.

Antes de discutir la acción del láser en los semiconductores, es útil considerar la

óptica Amplificación en el sistema atómico de dos niveles que se muestra en la Figura
6.1. En 1917 Einstein [Árbitro. 2] demostró que las tasas de los tres procesos de
transición de absorción, espontáneos La emisión y la emisión estimulada se
relacionaron matemáticamente. El logro de esto Al considerar que el sistema atómico
está en equilibrio térmico, de modo que la tasa de Las transiciones ascendentes
deben ser iguales a la velocidad de las transiciones descendentes. La poblacion de
Los dos niveles de energía de dicho sistema están descritos por las estadísticas de
Boltzmann que dan:

donde N1 y N2 representan la densidad de los átomos en los niveles de energía E1 y

E2, respectivamente, siendo g1 y g2 las correspondientes degeneraciones † de los
niveles, K es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta. Como la
densidad de los átomos en el estado de energía inferior o fundamental E1 es N1, la
tasa de ascenso La transición o absorción es proporcional tanto a N1 como a la
densidad espectral ρf de la radiación Energía a la frecuencia de transición f. Por lo
tanto, la tasa de transición ascendente R12 (que indica una transición de electrones
del nivel 1 al nivel 2) se puede escribir como:

donde la constante de proporcionalidad B12 se conoce como el coeficiente de absorción de Einstein.

Por el contrario, los átomos en el estado de energía superior o excitada pueden sufrir transiciones de
electrones.
desde el nivel 2 hasta el nivel 1, ya sea espontáneamente o mediante estimulación por el campo de
radiación.
g1
g2
g1
g2
g1 exp (−E1 / KT)
g2 exp (−E2 / KT)
N1
N2
* Un fotón con energía hf no necesariamente estimulará siempre otro fotón con energía hf.
Los fotones pueden ser estimulados en un pequeño rango de energías alrededor de hf proporcionando
una emisión que
tiene una frecuencia finita o una extensión de longitud de onda (ancho de línea).
† En muchos casos, el átomo tiene varios subniveles de energía igual dentro de un nivel de energía que
es entonces
Se dice que es degenerado. Los parámetros de degeneración g1 y g2 indican el número de subniveles
dentro de
Los niveles de energía E1 y E2 respectivamente. Si el sistema no está degenerado, entonces g1 y g2
pueden configurarse para

De ahí la tasa de emisión estimulada viene dada por N2ρfB21, donde B21 es el
coeficiente de Einstein de estimulado emisión. La tasa de transición total del nivel 2 al
nivel 1, R21, es la suma de lo espontáneo y contribuciones estimuladas. Por lo tanto
unidad [ref. 1]

Sustituyendo la ec. (6.2) en la ec. (6.6) da:

Comparando la ec. (6.8) con la ec. (6.7) obtenemos las relaciones de Einstein

Se puede observar desde la ec. (6.9) que cuando las degeneraciones de los dos
niveles son iguales (g1 = g2), entonces las probabilidades de absorción y emisión
estimulada son iguales. Además, La relación entre la tasa de emisión estimulada y la
tasa de emisión espontánea está dada por

Ejemplo 6.1
Calcular la relación entre la tasa de emisión estimulada y la tasa de emisión espontánea.
para una lámpara incandescente que funciona a una temperatura de 1000 K. Puede suponerse
que la longitud de onda de operación promedio es de 0.5 μm.
Solución: La frecuencia media de funcionamiento está dada por

El resultado obtenido en el Ejemplo 6.1 indica que para sistemas en equilibrio térmico
La emisión espontánea es, con mucho, el mecanismo dominante. Además, ilustra que
La radiación emitida por fuentes ópticas ordinarias en el espectro visible ocurre en una
De manera aleatoria, demostrando que estas fuentes son incoherentes.
Es evidente que para producir una fuente óptica coherente y la amplificación de un
haz de luz, la tasa de emisión estimulada debe aumentarse muy por encima del nivel indicado
por el ejemplo 6.1. De la consideración de la ec. (6.5) cabe señalar que para la emisión estimulada
dominar la absorción excesiva y la emisión espontánea en un sistema de dos niveles, ambos
La densidad de radiación y la densidad de población del nivel de energía superior N2 deben ser
Incrementado en relación a la densidad poblacional del nivel energético inferior N1.

Figura 6.2 Poblaciones en un sistema de dos niveles de energía: (a) Distribución de Boltzmann para un
sistema en equilibrio térmico; (b) una distribución no equilibrada que muestra la población
inversión
6.2.4 Realimentación óptica y oscilación
láser.
La amplificación de la luz en el láser ocurre cuando un fotón choca con un átomo en el
excitado. El estado de energía provoca la emisión estimulada de un segundo fotón y
luego estos dos fotones Suelte dos más. La continuación de este proceso crea
efectivamente la multiplicación de avalanchas, y cuando las ondas electromagnéticas
asociadas a estos fotones están en fase, amplificadas. Se obtiene emision coherente.
Para lograr esta acción láser es necesario contener fotones

Figura 6.4 La estructura láser básica que incorpora espejos planos

Dentro del medio láser y mantener las condiciones de coherencia. Esto se cumple
colocando o formando espejos (planos o curvados) en cada extremo del medio de
amplificación, como ilustrado en la figura 6.4. La cavidad óptica formada es más
análoga a un oscilador que un amplificador, ya que proporciona retroalimentación
positiva de los fotones por reflexión en los espejos en Cualquier extremo de la
cavidad. Por lo tanto, la señal óptica se retroalimenta muchas veces mientras se
recibe Amplificación a medida que pasa por el medio. La estructura por lo tanto actúa
como un Fabry– Pérot resonador. Aunque la amplificación de la señal de un solo paso
a través de la El medio es bastante pequeño, después de varios pases, la ganancia
neta puede ser grande. Además, si uno El espejo se hace parcialmente transmitiendo,
la radiación útil puede escapar de la cavidad. Se obtiene una salida estable a la
saturación cuando la ganancia óptica coincide exactamente con la Pérdidas incurridas
en el medio amplificador. Las mayores pérdidas resultan de factores tales como
Absorción y dispersión en el medio de amplificación, absorción, dispersión y
difracción. en los espejos y la transmisión no útil a través de los espejos. Las
oscilaciones ocurren en la cavidad del láser en un pequeño rango de frecuencias
donde la cavidad la ganancia es suficiente para superar las pérdidas anteriores. De
ahí que el dispositivo no sea perfectamente monocromático. Fuente pero emite sobre
una banda espectral estrecha. La frecuencia central de este La banda espectral está
determinada por la diferencia de nivel de energía media de la emisión estimulada
transición. Otras frecuencias de oscilación dentro de la banda espectral resultan de la
frecuencia Variaciones debidas al movimiento térmico de los átomos dentro del medio
amplificador. (conocido como ensanchamiento Doppler) * y por colisiones atómicas. †
De ahí la amplificación dentro del láser, el resultado es una transición láser ampliada o
una curva de ganancia sobre un finito ancho espectral, como se ilustra en la Figura
6.5. La emisión espectral del dispositivo por lo tanto se encuentra dentro del rango de
frecuencia dictada por esta curva de ganancia. Dado que la estructura forma una
cavidad resonante, cuando existe suficiente inversión de población en el medio
amplificador, la radiación se acumula y se establece como permanente Ondas entre
los espejos. Estas ondas estacionarias existen solo en frecuencias para las cuales La
distancia entre los espejos es un número integral de medias longitudes de onda. Así,
cuando el el espaciado óptico entre los espejos es L, la condición de resonancia a lo
largo del eje de la cavidad viene dada por [ref. 4]:

* La ampliación de Doppler se conoce como un mecanismo de ampliación

no homogéneo ya que los individuos Los grupos de átomos en la colección
tienen diferentes frecuencias de resonancia aparentes. † Las colisiones
atómicas proporcionan una ampliación homogénea ya que todos los
átomos de la colección tienen el mismo Frecuencia de resonancia y
dispersión espectral.

Figura 6.5 La amplificación relativa en el medio de amplificación láser que

muestra la Línea de transición láser ampliada o curva de ganancia

donde λ es la longitud de onda de emisión, n es el índice de refracción del

medio de amplificación y q es un número entero. Alternativamente, las
frecuencias de emisión discretas f se definen por

donde c es la velocidad de la luz. Las diferentes frecuencias de oscilación

dentro del láser. la cavidad está determinada por los diversos valores
enteros de q y cada uno constituye una resonancia o modo Dado que las
ecs (6.12) y (6.13) se aplican para el caso cuando L está a lo largo de la
longitud eje de la estructura (Figura 6.4) las frecuencias dadas por la ec.
(6.13) se conocen como Modos longitudinales o axiales. Además, a partir
de la ec. (6.13) se puede observar que estos los modos están separados
por un intervalo de frecuencia δf donde

La separación de modo en términos de la longitud de onda del espacio

libre, asumiendo δf f y como f = c / λ, viene dado por

Por lo tanto, sustituyendo δf de la ec. (6.14) da:

Además, cabe señalar que la ec. (6.15) se puede utilizar para determinar el
dispositivo espectral ancho de línea en función de la longitud de onda
cuando se cita en hercios, o viceversa Problema 6.4)

Ejemplo 6.2 Un láser de rubí contiene un cristal de 4 cm de longitud con un

índice de refracción de 1,78. La longitud de onda de emisión máxima del
dispositivo es de 0,55 μm. Determine el número de Modos longitudinales y
su separación de frecuencias. Solución: El número de modos longitudinales
soportados dentro de la estructura puede ser obtenido de la ec. (6.12)
donde:
Aunque el resultado del Ejemplo 6.2 indica que se puede generar una gran
cantidad de modos dentro de la cavidad del láser, la salida espectral del
dispositivo se define por la ganancia curva. Por lo tanto, la emisión de láser
solo incluirá los modos longitudinales contenidos dentro de El ancho
espectral de la curva de ganancia. Esta situación se ilustra en la Figura 6.6
donde varias Se muestra que los modos están presentes en la salida del
láser. Dicho dispositivo se dice que es multimodo.
Figura 6.6 (a) Los modos en la cavidad del láser. (b) Los modos longitudinales en el láser.
salida

Figura 6.7 Los modos transversales de orden inferior de un láser

La oscilación del láser también puede ocurrir en una dirección que es transversal al eje de la cavidad.
Esto da lugar a modos resonantes que son transversales a la dirección de propagación.
Estos modos electromagnéticos transversales están designados de manera similar a los transversales.
modos en las guías de onda (Sección 2.3.2) por TEMlm donde los enteros l y m indican la
Número de modos transversales (ver figura 6.7). A diferencia de los modos longitudinales que aportan.
solo un punto de luz para la salida del láser, los modos transversales pueden dar lugar a una
Patrón de manchas en la salida. Esto se puede observar desde el modo transversal de orden bajo.
Los patrones que se muestran en la Figura 6.7 en los que también se indica la dirección del campo
eléctrico.
En el caso del modo TEM00, todas las partes del frente de onda de propagación están en fase. Esto es
no así, sin embargo, con modos de orden superior (TEM10, TEM11, etc.) donde las inversiones de fase
producen
Los distintos patrones de modo. Así, el mayor grado de coherencia, junto con el
el nivel más alto de pureza espectral, puede obtenerse de un láser que opera solo en el
Modo TEM00. Los modos transversales de orden superior solo se producen cuando el ancho de la
cavidad es
Suficientes para que oscilen. En consecuencia, pueden eliminarse mediante un estrechamiento
adecuado.
de la cavidad láser

6.3 Emisión óptica de semiconductores

6.3.3 Recombinación de portadores

6.3.4 Emisión estimulada y láser.
El concepto general de emisión estimulada a través de la inversión de la población se indicó en
Sección 6.2.3. La inversión de la población portadora se logra en un semiconductor intrínseco (sin
dopar)
Por la inyección de electrones en la banda de conducción del material. Esto se ilustra
en la Figura 6.15, donde la energía electrónica y los estados de llenado correspondientes son
mostrado. La Figura 6.15 (a) muestra la situación en cero absoluto cuando la banda de conducción
contiene
sin electrones Los electrones inyectados en el material llenan los estados de menor energía en el
Banda de conducción hasta la energía de inyección o el nivel cuasi-Fermi para electrones. Ya que
la neutralidad de carga se conserva dentro del material, se crea una densidad igual de agujeros en
la parte superior de la banda de valencia por la ausencia de electrones, como se muestra en la Figura
6.15 (b) [Ref. 6].
Fotones de incidentes con energía, por ejemplo, pero menos que la energía de separación de los cuasi-
Fermi.
los niveles Eq = EFc - EFv no se pueden absorber porque los estados de banda de conducción
necesarios son
ocupado. Sin embargo, estos fotones pueden inducir una transición descendente de un electrón desde
los estados de la banda de conducción llena en los estados de la banda de valencia vacía, estimulando
así la
Emisión de otro fotón. La condición básica para la emisión estimulada es por lo tanto
depende de la energía de separación de nivel cuasi-Fermi, así como de la energía de intervalo de banda
y
puede definirse como

Sin embargo, hay que señalar que hemos descrito una situación ideal
mientras que en condiciones normales temperaturas de funcionamiento, la
distribución de electrones y agujeros está menos definida, pero la La
condición para la emisión estimulada se mantiene en gran medida. La
inversión de la población se puede obtener en una unión p – n por dopaje
intenso (degenerativo dopaje) del material de tipo p y n. Dopaje pesado tipo
p con impurezas aceptoras. provoca una disminución del nivel o límite de
Fermi entre los estados lleno y vacío en

Figura 6.16 La unión p – n degenerada: (a) sin sesgo aplicado; (b) con fuerte sesgo
hacia adelante de tal manera que la separación de los niveles de casi Fermi es más
alta que la Energía de recombinación de electrón-agujero hf en la región activa
estrecha. Por lo tanto estimulado La emisión se obtiene en esta región

la banda de valencia Del mismo modo, el dopaje degenerativo tipo n hace que el nivel
de Fermi entre en el Banda de conducción del material. Los diagramas de bandas de
energía de una unión p – n degenerada son mostrado en la Figura 6.16. La posición
del nivel de Fermi y la ocupación de electrones (sombreado) sin sesgo aplicado se
muestran en la Figura 6.16 (a). Dado que en este caso la unión está en En equilibrio
térmico, la energía de Fermi tiene el mismo valor en todo el material. Figura 6.16 (b)
muestra la unión p – n cuando una desviación directa casi igual a la tensión de
intervalo de banda es Aplicado y por lo tanto hay conducción directa. A alta densidad
del portador de inyección * en tal unión existe una región activa cerca de la capa de
agotamiento que contiene simultáneamente Poblaciones degeneradas de electrones y
huecos (a veces denominadas doblemente degeneradas). por esta región la condición
para la emisión estimulada de la ec. (6.22) se satisface por electromagnetismo
Radiación de frecuencia Eg / h <f <(EFc - EFv) / h. Por lo tanto, cualquier radiación de
este La frecuencia que se limita a la región activa será amplificada. En general, el
degenerativo. el dopaje distingue una unión p – n que proporciona una emisión
estimulada desde Una que solo da emisión espontánea como en el caso del LED.
Finalmente, hay que señalar que una alta concentración de impurezas dentro de un
semiconductor causa diferencias en las bandas de energía en comparación con un
semiconductor intrínseco. Estas diferencias son particularmente evidentes en las
uniones p – n dopadas degenerativamente usadas
* Esto puede considerarse en gran parte como electrones inyectados en la región p – n debido a su
mayor movilidad

6.3.5 Heterojunciones Las secciones anteriores han considerado las propiedades

fotoemisoras de un solo p – n Unión fabricada a partir de un material semiconductor
de cristal único. Esto se conoce como homojunction Sin embargo, las propiedades de
radiación de un diodo de unión pueden mejorarse El uso de heterojunciones. Una
heterounión es una interfaz entre dos cristales unidos. Semiconductores con
diferentes energías de banda. Dispositivos que son fabricados con heterojunctions se
dice que tienen heteroestructura. Las heteroyunciones se clasifican en un isotipo (n –
n o p – p) o un anisotipo (p – n). El isotipo de heterounión proporciona una barrera
potencial dentro de la estructura que es útil para el confinamiento de portadores
minoritarios en una pequeña región activa (confinamiento de portador). Reduce
efectivamente la longitud de difusión del portador y, por lo tanto, el volumen dentro de
la estructura. donde puede tener lugar la recombinación radiactiva. Esta técnica es
ampliamente utilizada para la Fabricación de láseres de inyección y LED de alta
luminosidad. Las heterojunciones de isotipos también son ampliamente utilizado en los
LED para proporcionar una capa transparente cerca de la región activa que Reduce
sustancialmente la absorción de luz emitida desde la estructura. Alternativamente, las
heterojunciones de anisotipo con diferencias de banda suficientemente grandes
mejorar la eficiencia de inyección de electrones o agujeros. Ambos tipos de
heterounión proporcionar un paso dieléctrico debido a los diferentes índices de
refracción a cada lado de la unión. Esto se puede usar para proporcionar
confinamiento de radiación a la región activa (es decir, las paredes de un guia de onda
optica). La eficiencia de la contención depende de la magnitud de la paso que es
dictado por la diferencia en las energías de intervalo de banda y la longitud de onda de
la radiación

Es útil considerar la aplicación de heterounciones en la fabricación de un determinado

dispositivo. Se utilizaron por primera vez para proporcionar barreras potenciales en los
láseres de inyección. Cuando un Se implementó la estructura de doble heterounión
(DH), el portador resultante y la óptica. el confinamiento redujo las corrientes de
umbral necesarias para el láser en un factor de alrededor de 100. De este modo se
obtuvo una emisión estimulada con corrientes de umbral relativamente pequeñas (50
a 200 mA). La estructura de capas y un diagrama de banda de energía para un láser
de inyección DH son ilustrado en la figura 6.18. Se muestra una heterounión a ambos
lados de la capa activa para láser oscilación. La polarización directa se suministra
conectando un electrodo positivo de un suministro a El lado p de la estructura y un
electrodo negativo en el lado n. Cuando un voltaje que corresponde a la banda de
energía de la capa activa que se aplica, una gran cantidad de electrones (o agujeros)
se inyectan en la capa activa y comienza la oscilación del láser. Estas los portadores
están confinados a la capa activa por las barreras de energía proporcionadas por las
heterounciones que se colocan dentro de la longitud de difusión de los portadores
inyectados. También puede Se observará en la Figura 6.18 (c) que un paso de índice
de refracción (generalmente una diferencia de 5 a 10%) en las heteroyunciones
proporciona contención de radiación a la capa activa. En efecto

Figura 6.18 El láser de inyección de doble heterounión: (a) la estructura de

la capa, que se muestra con un sesgo adelantado aplicado; (b) diagrama de
banda de energía que indica una heterounión p – p a la izquierda y una p -
n de heterounión a la derecha; (c) La refractiva correspondiente. Diagrama
de índice y distribución de campo eléctrico

6.4 El láser de inyección de semiconductores.

Las propiedades electroluminiscentes del diodo de unión p – n polarizado
en avance han sido Considerado en los apartados anteriores. Emisión
estimulada por la recombinación de la los portadores inyectados se
recomiendan en el láser de inyección de semiconductores (también llamado
inyección diodo láser (ILD) o simplemente el láser de inyección) mediante la
provisión de una cavidad óptica en La estructura cristalina con el fin de
proporcionar la retroalimentación de los fotones. Esto da la inyección. El
láser presenta varias ventajas importantes sobre otras fuentes de
semiconductores (por ejemplo, LED) que pueden ser Utilizado para
comunicaciones ópticas. Estos son los siguientes: 1. Alto resplandor debido
al efecto amplificador de la emisión estimulada. Láseres de inyección En
general, suministrará milivatios de potencia de salida óptica. 2.
Ancho de línea estrecho del orden de 1 nm (10 Å) o menos, lo que es útil
para minimizar Los efectos de la dispersión de materiales. 3. Las
capacidades de modulación que en la actualidad se extienden hasta el
rango de gigahertz y Sin duda será mejorado. 4. Coherencia temporal
relativa que se considera esencial para permitir heterodinas. Detección
(coherente) en sistemas de alta capacidad, pero en la actualidad es
principalmente de uso en Sistemas monomodo. 5. Buena coherencia
espacial que permite enfocar la salida por una lente en un punto que tiene
una mayor intensidad que la emisión desenfocada dispersa. Esto permite
Acoplamiento eficiente de la potencia de salida óptica en la fibra incluso
para fibras con bajo apertura numérica. El pliegue espacial que coincide
con la fibra óptica que puede ser obtenido con la fuente de láser no es
posible con un emisor incoherente y, en consecuencia, Las eficiencias de
acoplamiento son muy reducidas

Figura 6.19 Diagrama esquemático de un láser de inyección de

homojunción GaAs con una Cavidad de Fabry-Pérot
Estas ventajas, junto con la compatibilidad del láser de inyección con las fibras ópticas.
(por ejemplo, el tamaño), llevó a los primeros desarrollos del dispositivo en la década de 1960. Láseres
de inyección temprana
tenía la forma de una cavidad de Fabry-Pérot a menudo fabricada en arseniuro de galio, que era la
compuesto semiconductor principal III – V con propiedades electroluminiscentes en el nivel apropiado
Longitud de onda para sistemas de primera generación. La estructura básica de esta homojunción.
El dispositivo se muestra en la Figura 6.19, donde los extremos escindidos del cristal actúan como
espejos parciales.
para estimular la emisión estimulada en la cavidad cuando se inyectan electrones en la cavidad.
región tipo p Sin embargo, como se mencionó anteriormente, estos dispositivos tenían un umbral alto
de corriente
densidad (mayor que 104 A cm − 2
) Debido a su falta de contención del portador y probada
Fuentes de luz ineficientes. Las altas densidades de corriente requeridas dictaron que estos dispositivos
cuando se operaron a 300 K se utilizaron en gran parte en modo pulsado para minimizar el
Temperatura de unión y así evitar daños.
Contención del portador mejorada y, por lo tanto, menores densidades de corriente de umbral
(alrededor de 103 A
cm − 2
) se lograron utilizando estructuras de heterounión (ver Sección 6.3.5). La inyección de DH
fabricado con láser a partir de aleaciones III – V de celosía adaptada, tanto portador como óptico
confinamiento en ambos lados de la unión p – n, dando al láser de inyección una gran ventaja
rendimiento mejorado. Esto permitió que estos dispositivos con el disipador de calor apropiado fueran
operado en modo CW a 300 K con obvias ventajas para las comunicaciones ópticas
(por ejemplo, transmisión analógica). Sin embargo, con el fin de proporcionar un funcionamiento fiable
CW de la DH
láser de inyección era necesario proporcionar un transportador adicional y confinamiento óptico que
Condujo a la introducción de la geometría de banda DH configuraciones de láser. Antes de la discusión
de
esta estructura, sin embargo, es útil considerar la eficiencia de la inyección de semiconductores
El láser como fuente óptica

6.4.2 Geometría de rayas

La estructura del láser DH proporciona confinamiento óptico en la dirección

vertical a través de El paso del índice de refracción en las interfaces de
heterounión, pero el láser se lleva a cabo a través de Todo el ancho del
dispositivo. Esta situación se ilustra en la Figura 6.20 que muestra la Láser
DH de área amplia donde los lados de la cavidad están formados

simplemente por un desbaste del

Figura 6.20 Un láser de inyección de GaAs / AlGaAs DH de área amplia

Figura 6.21 Representación esquemática de un láser de inyección de óxido

de banda AlGaAs DH

bordes del dispositivo para reducir las emisiones no deseadas en estas

direcciones y limitar el Número de modos transversales horizontales. Sin
embargo, la amplia área de emisión crea varias problemas que incluyen el
difícil disipador de calor, el láser desde múltiples filamentos en el Área
activa amplia y geometría de salida de luz inadecuada para un
acoplamiento eficiente a la cilíndrica fibras Para superar estos problemas al
tiempo que reduce la corriente de umbral requerida, láser Se desarrollaron
estructuras en las que la región activa no se extiende hasta los bordes del
dispositivo. Una técnica común involucró la introducción de la geometría de
rayas en la estructura para Proporcionar contención óptica en el plano
horizontal. La estructura de un contacto franja DH el láser se muestra en la
Figura 6.21 donde la corriente principal fluye a través del dispositivo y por lo
tanto La región activa está dentro de la franja. En general, la franja está
formada por la creación de Áreas de alta resistencia en ambos lados
mediante técnicas como el bombardeo de protones [Ref. 11] o aislamiento
de óxido [Ref. 12]. Por lo tanto, la franja actúa como un mecanismo de guía
que supera Los principales problemas del dispositivo de área amplia. Sin
embargo, aunque el área activa el ancho se reduce, la salida de luz todavía
no está especialmente bien colimada debido a la acción isotrópica Emisión
desde una pequeña región activa y difracción dentro de la estructura. La
salida óptica y el patrón de emisión de campo lejano también se ilustra en
la Figura 6.21. La divergencia del haz de salida. es típicamente 45 °
perpendicular al plano de la unión y 9 ° paralelo a él. Sin embargo, esta es
una mejora sustancial en el láser de área amplia. El dispositivo de contacto
de banda también proporciona, con el equilibrio correcto de guiado, un solo
transversal. (en una dirección paralela al plano de unión) operación en
modo, mientras que el área amplia El dispositivo tiende a permitir el
funcionamiento multimodo en este plano horizontal. Raya numerosa Se han
investigado estructuras láser de geometría con anchos de banda que van
desde 2 hasta 65 μm, y la estructura de geometría de banda DH se ha
utilizado ampliamente para fibra óptica comunicaciones Tales estructuras
tienen regiones activas planas y continuas.

Figura 6.22 Espectros de salida para láseres de inyección multimodo: (a) dispositivo de área amplia con
modos multitransversos; (b) dispositivo de geometría de banda con modo transversal único

Por lo tanto, las características de emisión estimulada de estos láseres de

inyección están determinadas por la distribución de la portadora (que
proporciona ganancia óptica) a lo largo del plano de unión. La óptica Sin
embargo, la distribución del modo a lo largo del plano de unión se decide
por la ganancia óptica y por lo tanto, se dice que estos dispositivos son
estructuras de láser guiadas por ganancia (consulte la Sección 6.5.1). En
Además, diodos láser de guía de ondas de cresta (consulte la Sección
6.5.2) con anchos de franja de 5, 10 y También se informaron 20 μm y
longitudes que oscilan entre 400 y 1500 μm [Refs 19, 23].

* Los modos de transición en el plano de la unión a menudo se llaman

modos laterales, modos transversales siendo reservado para modos
perpendiculares al plano de unión.
Ancho no restringido de la región activa. La geometría de banda correcta inhibe la ocurrencia.
de los modos laterales de orden superior limitando el ancho de la cavidad óptica, dejando solo un
modo lateral único que proporciona el espectro de salida que se muestra en la Figura 6.22 (b) donde
solo
Se pueden observar los modos longitudinales. Esto representa el espectro de salida típico para un
Buena inyección multimodo con láser
6.5 Algunas estructuras láser de inyección.
6.5.1 Láseres guiados por ganancia
La fabricación de láseres de inyección multimodo con un solo o pequeño número de modos laterales es
Conseguido por el uso de la geometría de rayas. Estos dispositivos a menudo se llaman láseres de
ganancia guiada.
como se indica en la Sección 6.4.2. Se realiza la constricción del flujo de corriente a la banda.
en la estructura ya sea implantando las regiones fuera de la banda con protones (protonisolados
raya) para que sean altamente resistentes, o por aislamiento de óxido o de unión p – n. los
La estructura para un láser DH de banda aislada de óxido de arseniuro de galio y aluminio se muestra
en
Figura 6.21. Tiene una región activa de arseniuro de galio limitada por ambos lados por aluminio.
Regiones de arseniuro de galio. Esta técnica ha sido ampliamente aplicada, especialmente para
Estructuras de láser multimodo utilizadas en la región de longitud de onda más corta. La corriente está
confinada.
Grabando una banda estrecha en una película de dióxido de silicio.
Se ilustran otras dos técnicas básicas para la fabricación de estructuras de láser guiadas por ganancia.
en la Figura 6.24 (a) y (b) que muestran la franja aislada de protones y la unión p – n
Estructuras de rayas aisladas respectivamente. En la Figura 6.24 (a) la región resistiva formada por la
el bombardeo de protones da un mejor confinamiento actual que la simple banda de óxido y tiene
Propiedades térmicas superiores debido a la ausencia de la capa de dióxido de silicio; Unión PN
el aislamiento implica una difusión selectiva a través de la región de superficie de tipo n para alcanzar
las capas de tipo p, como se ilustra en la Figura 6.24 (b). Ninguna de estas estructuras limita todos los
La radiación y la corriente a la región de la banda y la propagación se produce en ambos lados de la
banda.
Con anchos de franja de 10 μm o menos, tales láseres de banda planar proporcionan una alta eficiencia
acoplamiento en fibras multimodo, pero se logra una eficiencia de acoplamiento significativamente
menor
en fibras monomodo de diámetro pequeño.
La potencia de salida óptica frente a la característica de corriente para el semiconductor ideal.
El láser fue ilustrado en la figura 6.17. Sin embargo, con ciertos diodos láser prácticos la
Figura 6.24 Representación esquemática de estructuras para inyección de
geometría de banda. láseres: (a) láser de GaAs / AlGaAs de banda aislada
de protones; (b) unión p – n aislada (banda plana difusa) GaAs / AlGaAs
láser
La característica no es lineal en la región de emisión simulada, pero presenta torceduras. Esta
El fenómeno es particularmente frecuente con los dispositivos láser de inyección guiados por ganancia.
Las torceduras
Se pueden clasificar en dos grandes categorías.
El primer tipo de torcedura resulta de cambios en el modo lateral dominante del láser
como la corriente se cambia. La característica de salida para el láser A en la Figura 6.25 (a) ilustra
este tipo de torcedura donde el láser del dispositivo cambia desde el lateral fundamental
modo a un modo lateral de orden superior (segundo orden) en una región actual correspondiente a un
cambio de pendiente. El segundo tipo de torcedura implica un "pico", como se observa para el láser B
de
Figura 6.25 (a). Se ha demostrado que estos picos están asociados con el comportamiento filamentoso.
dentro de la región activa del dispositivo [Ref. 4]. Los filamentos resultan de defectos dentro de
La estructura cristalina.
Ambos mecanismos afectan las distribuciones de intensidad de campo cercano y lejano (patrones)
Obtenido del láser. Una distribución típica de intensidad de campo cercano correspondiente a una sola
El nivel de potencia de salida óptica en el plano de la unión se muestra en la Figura 6.25 (b). Como
Esta distribución es en la dirección lateral, está determinada por la naturaleza del lateral.
guia de onda La intensidad máxima mostrada indica que el lateral fundamental.
El modo es dominante. Para mantener tal patrón de campo cercano, la geometría de banda del
dispositivo
es importante. En general, los dispositivos de banda relativamente estrechos (<10 μm) formados por un
plano
El proceso permite que domine el modo lateral fundamental. Este es especialmente el caso en baja
niveles de potencia donde se pueden obtener patrones de campo cercano similares a la Figura 6.25 (b).
Aunque los láseres de ganancia guiada están disponibles comercialmente para operar tanto en
rango de longitud de onda más corto (usando regiones activas de GaAs) y el rango de longitud de onda
más largo
(Usando regiones activas InGaAsP) exhiben varias características indeseables. Aparte
de las no linealidades en la salida de luz en comparación con las características actuales discutidas
anteriormente,
los láseres de inyección de ganancia guiada tienen corrientes de umbral relativamente altas (100 a 150
mA) como
así como baja eficiencia cuántica diferencial [Ref. 24]. Estos efectos son causados principalmente
Figura 6.25 (a) La luz emitida contra la característica de corriente de un láser de inyección
con no linealidades o una torcedura en la región de emisión estimulada. (b) Un campo cercano típico.
Distribución de intensidad (patrón) en el plano de la unión para un láser de inyección
por la pequeña reducción del índice de refracción inducida por el portador dentro de los dispositivos
que resulta en
El movimiento del modo óptico a lo largo del plano de unión. Los problemas pueden ser enormemente
reducido al introducir alguna variación del índice de refracción real en la estructura lateral de la
láser tal que el modo óptico a lo largo del plano de unión está esencialmente determinado por la
estructura del dispositivo.

6.5.2 Láseres guiados por índice

Los inconvenientes asociados con las estructuras de láser guiadas por ganancia fueron superados en
gran medida
a través del desarrollo de láseres de inyección de índice guiado. En algunas de estas estructuras con
índice de guía débil, el grosor de la guía de ondas de la región activa se varía al crecer sobre una
Canal o cresta en el sustrato. Una cresta se produce por encima de la región activa y el entorno
las áreas están grabadas cerca de él (es decir, dentro de 0.2 a 0.3 μm). Recubrimientos aislantes en
estas áreas circundantes limitan el flujo de corriente a través de la cresta y la franja activa mientras
los bordes de la cresta reflejan la luz, guiándola dentro de la capa activa y formando así una
guia de onda Por lo tanto, en el láser de guía de onda de cresta que se muestra en la Figura 6.26 (a), la
cresta no solo
proporciona la ubicación de la guía de índice débil pero también actúa como la estrecha restricción de
corriente
raya [ref. 25]. Estos dispositivos han sido fabricados para operar en varias longitudes de onda
con un solo modo lateral, y las corrientes de umbral CW a temperatura ambiente tan bajas como
Se han reportado 18 mA con potencias de salida de 25 mW [Ref. 26]. Más típicamente, el
las corrientes de umbral para tales estructuras guiadas por índice débilmente están en el rango de 40 a
60 mA,
como se ilustra en la Figura 6.26 (b) que compara una salida de luz con una característica actual
para un láser de guía de ondas de cresta con el de un dispositivo guiado por ganancia de banda de
óxido.
Alternativamente, la aplicación de una guía de onda activa planar y uniformemente gruesa puede ser
Se logra a través de variaciones laterales en el espesor de la capa de confinamiento o la refracción
Figura 6.26 Láseres guiados por índice: (a) estructuras de láser de inyección de guía de ondas de cresta;
(b) salida de luz contra característica de corriente para (a) en comparación con la de un óxido
láser de banda (guiado por ganancia); (c) costilla (plano-convexo) estructura de láser de inyección de guía de
onda
índice. El dispositivo de guía de onda de costilla invertida (a veces llamado guía de onda plano-convexa)
ilustrado en la Figura 6.26 (c) es un ejemplo de esta estructura. Sin embargo, la temperatura ambiente.
Las corrientes de umbral de CW están entre 70 y 90 mA con potencias de salida de alrededor de 20 mW
para dispositivos InGaAsP que operan a una longitud de onda de 1.3 μm [Ref. 27
Figura 6.27 Estructuras de láser de heteroestructura enterrada: (a) dispositivo GaAs / AlGaAs BH;
(b) Dispositivo BH planar de doble canal InGaAsP / InP
Un fuerte índice de guía a lo largo del plano de unión puede proporcionar un modo transversal mejorado
Control en inyección de láseres. Esto se puede lograr utilizando una heteroestructura enterrada (BH)
Dispositivo en el que el volumen activo está completamente enterrado en un material de banda más ancha y
menor índice de refracción [refs 28, 29]. La estructura de un láser BH se muestra en la Figura
6.27 (a). El campo óptico está bien confinado tanto en la dirección transversal como en la lateral.
dentro de estos láseres, proporciona una guía de índice fuerte del modo óptico junto con una buena
confinamiento del transportista. Se obtiene el confinamiento de la corriente inyectada a la región activa.
a través de las uniones de polarización inversa del material de banda superior. Se puede observar
de la Figura 6.27 que el material de confinamiento de índice de refracción más alto es el intervalo de banda más
alto
Los láseres de AlGaAs para GaAs que operan en el rango de longitud de onda de 0.8 a 0.9 μm, mientras que es
InP
en dispositivos InGaAsP que operan en el rango de longitud de onda de 1.1 a 1.6 μm.
Una amplia variedad de configuraciones de láser BH están disponibles comercialmente, ofreciendo tanto
Operación multimodo y monomodo. En general, el confinamiento de corriente lateral previsto.
por estos dispositivos conduce a corrientes de umbral más bajas (10 a 20 mA) que pueden ser
Obtenido con estructuras guiadas por índice débil o guiadas por ganancia. Una mas compleja
Se ilustra la estructura denominada láser de heteroestructura enterrada plana de doble canal (DCPBH)
en la Figura 6.27 (b) [Ref. 30]. Este dispositivo, que tiene una región activa planar de InGaAsP,
proporciona una operación de muy alta potencia con potencias de salida CW de hasta 40 mW en el largo plazo
región de longitud de onda. Las corrientes de umbral de temperatura ambiente están en el rango de 15 a 20 mA.
para dispositivos emisores de 1.3 μm y 1.55 μm [Ref. 31]. El control de modo lateral puede ser
Se logra reduciendo la dimensión de la región activa, con un área de sección transversal de
Se requieren 0.3 μm2 para la operación en modo fundamental [Ref. 24].
Capacidades parasitarias resultantes del uso del confinamiento de corriente de polarización inversa
las capas pueden reducir las capacidades de modulación de alta velocidad de los láseres BH. Sin embargo, este
El problema se ha superado mediante el recrecimiento del material semiaislante.
[Árbitro. 21] o la deposición de un material dieléctrico [Ref. 33]. Utilizando estas técnicas, la modulación.
Se han alcanzado velocidades superiores a 20 GHz que están limitadas por el activo
región en lugar de las capacidades parásitas [Ref. 29].

6.5.3 Láseres de pozo cuántico

Los láseres DH también se han fabricado con capas muy finas de espesor activo de alrededor de
10 nm en lugar del rango típico para estructuras DH convencionales de 0.1 a 0.3 μm. los
el movimiento del portador normal a la capa activa en estos dispositivos está restringido, lo que resulta en una
cuantización
de la energía cinética en niveles de energía discretos para los portadores que se mueven en ese
dirección. Este efecto es similar al bien conocido problema mecánico cuántico de un
pozo potencial [Ref. 24] y por lo tanto estos dispositivos son conocidos como Quantumwell
láseres En esta estructura, la delgada capa activa provoca cambios drásticos en la electrónica.
y propiedades ópticas en comparación con un láser DH convencional. Estos cambios se deben
a la naturaleza cuantificada de los niveles de energía discretos con una densidad escalonada de estados que
Se diferencia del continuo que normalmente se obtiene. Por lo tanto, los láseres de pozo cuántico exhiben una
Ventaja inherente sobre los dispositivos convencionales de DH, ya que permiten una alta ganancia a baja
portadora
densidad, proporcionando así la posibilidad de corrientes de umbral significativamente más bajas.
Tanto el pozo cuántico simple (SQW), que corresponde a una sola región activa, como
Multiquantum-well (MQW), correspondiente a múltiples regiones activas, se utilizan láseres
[Árbitro. 24]. En la última estructura, las capas que separan las regiones activas se llaman barrera
capas. Los diagramas de bandas de energía para las regiones activas de estas estructuras se muestran en
Figura 6.28. Se puede observar en la Figura 6.28 (c) que cuando la energía de intervalo de banda de la barrera
La capa difiere de la capa de revestimiento en un dispositivo MQW, generalmente se denomina
Láser multiquantum de pozo modificado [Ref. 34].
Se obtiene mejor confinamiento del modo óptico en los láseres MQW en comparación con
Láseres SQW, lo que resulta en una densidad de corriente de umbral inferior para estos dispositivos. Una
sustancial
La cantidad de trabajo experimental se ha llevado a cabo con láseres MQW utilizando los AlGaAs /
Sistema de materiales de GaAs. Ha demostrado las características superiores de los dispositivos MQW.
sobre los láseres DH convencionales en relación con las corrientes de umbral más bajas, anchos de línea más
estrechos,
velocidades de modulación más altas, chirrido de frecuencia más baja y menor dependencia de la temperatura
(ver
Sección 6.7.1) [Ref. 29].
6.5.4 Láseres de puntos cuánticos
Más recientemente, se han desarrollado láseres de pozo cuántico en los que el dispositivo contiene una
estructura atómica discreta única o el llamado punto cuántico (QD) [Ref. 35]. Puntos cuánticos
son pequeños elementos que contienen una pequeña gota de electrones libres que forman un pozo cuántico
estructura. Por lo tanto, un láser QD también se denomina dispositivo de punto en pozo [Ref. 36]. Son

Figura 6.28 Diagramas de bandas de energía que muestran varios tipos de estructura
de pozo cuántico: (a) pozo cuántico único; (b) pozo multiquantum; (c) pozo
multiquantum modificado

fabricados con materiales cristalinos semiconductores y tienen dimensiones típicas

entre Nanómetros y unos pocos micrones. El tamaño y la forma de estas estructuras y
por lo tanto la La cantidad de electrones que contienen puede ser controlada de
manera precisa, de modo que un QD pueda tener cualquier cosa, desde un solo
electrón hasta varios miles de electrones. Tratamiento teórico de Los QD indican que
no sufren ampliación térmica y su umbral de corriente. También es insensible a la
temperatura [Ref. 37]. Si el diodo láser de inyección convencional es considerado
como tridimensional y un pozo cuántico (es decir, un SQW donde una serie de SQWs
forma una estructura MQW) se limita a dos dimensiones, entonces la estructura QD
puede ser considerado como cero dimensional. Cabe señalar, sin embargo, que la
dimensión única La estructura forma un alambre cuántico o guión. La jerarquía
anterior se ilustra en la Figura 6.29 que identifica cuatro posibles diferentes
Estructuras para el láser semiconductor con sus correspondientes respuestas de
energía con respecto a las densidades de portadores mostradas debajo. La estructura
tridimensional de la

Figura 6.29 Ilustración esquemática y estados de densidad para láseres semiconductores.

De izquierda a derecha: diodo láser de inyección convencional; pozos cuánticos múltiples; formación
de alambres cuánticos; una matriz de puntos cuánticos. Se muestra debajo de cada uno de estos
Las ilustraciones son la densidad de estados correspondiente para cada tipo de estructura láser.

diodo láser de inyección convencional a la izquierda muestra una variación exponencial en el

Densidad de estados para los portadores de carga. Una estructura SQW exhibe dos dimensiones (es decir,
longitud y altura) donde la representación de energía correspondiente se muestra en la Figura 6.29
Por una respuesta de escalera en la densidad portadora de estados. Sin embargo, cuando esta estructura es
reducido a una dimensión (es decir, solo la longitud) muestra un aumento brusco y una caída exponencial
En la variación de la densidad del portador. Dado que esta estructura de pozo cuántico unidimensional es
confinado solo a la longitud del dispositivo, entonces, en general, aparece como un cable largo y por lo tanto es
conocido como un alambre cuántico. La estructura de dimensión cero (es decir, un solo punto) mostrada en la
a la derecha de la figura 6.29, sin embargo, corresponde a un solo QD que resulta en un impulso
respuesta a la variación en la densidad del portador de carga al aumentar el número de portadores.
El tamaño y la forma de la estructura para un láser QD se pueden modificar según sea necesario durante el
proceso de fabricación [ref. 38]. Por ejemplo, en matrices de fabricación de QDs se pueden formar en
Se produce un sustrato de GaAs con diferentes formas. Formas como el cubo, circular.
Disco, cilindro, pirámide o pirámide truncada se puede crear a partir de cristalinos autoorganizados
crecimiento del material de InGaAs en el sustrato de GaAs [Ref. 39]. Cada uno de estos cristal
las formas poseen diferentes características materiales (es decir, elasticidad, tensión, distribución de
deformación,
etc.) y, por lo tanto, sus diferentes formas y tamaños producen un impacto variable en la operación
del láser QD (es decir, longitud de onda de emisión, polarización y temperatura de funcionamiento)
[Árbitro. 40]. Por el contrario, la regularidad del tamaño y la forma en una matriz mejora el control de la
Dispositivo QD de frecuencia e intensidad láser.
Una de las características importantes del láser QD es su densidad de corriente de umbral muy bajo.
Por ejemplo, se han obtenido densidades de corriente de umbral bajo entre 6 y 20 A cm − 2
con láseres InAs / InGaAs QD que emiten a longitudes de onda de 1.3 μm y 1.5 μm [Refs 37,
41, 42]. Estos valores bajos de densidad de corriente de umbral hacen posible crear apilados o
Las estructuras QD en cascada proporcionan una alta ganancia óptica adecuada para los transmisores de cavidad
corta
y láseres de emisión de superficie de cavidad vertical (consulte la Sección 6.6.2). A pesar del potencial
beneficios de la tecnología QD, los problemas permanecen en relación con la tecnología de materiales y en el
Técnicas de diseño y fabricación para facilitar la producción a gran escala de dispositivos QD.
[Refs 38, 43]