Velandia COJ

Supervisada por:
Dr. Eugen A. Kuzin

Investigador Titular del INAOE
Estudio y desarrollo de celdas solares basadas
en estructuras de silicio cristalino / silicio amorfo
dopado.
por
Oscar Javier Velandia Caballero
Tesis sometida como requisito parcial para obtener

el grado de
MAESTRO EN CIENCIAS EN LA
ESPECIALIDAD DE ELECTRÓNICA
en el
Instituto Nacional de Astrofísica,

Óptica y Electrónica
Septiembre del 2018
Tonantzintla, Puebla.
Supervisada por:
Dr. Mario Moreno Moreno
Dr. Pedro Rosales Quintero
©INAOE 2018
Derechos Reservados
El autor otorga al INAOE el permiso de reproducir y distribuir
copias de esta tesis en su totalidad o en partes
mencionando la fuente.
Supervisada por:
Dr. Eugen A. Kuzin

Investigador Titular del INAOE
Agradecimientos.
Le doy gracias a mi padre el señor Raimundo Velandia (Q.E.P.D) y mi
señora madre Amparo Caballero como a mis hermanos Omar Velandia y Olga
Velandia, por el apoyo incondicional brindado, a mi esposa Andrea Castañeda
que siempre fue mi motor de búsqueda de lo inalcanzable, a mis hermosas
hijas quienes son el impulso diario para cumplir cualquier meta.
Agradezco a mis asesores el Dr. Mario Moreno y el Dr. Pedro Rosales, por
darme la oportunidad de ser parte de este proyecto, por su tiempo, disposición
y dedicación en este trabajo de investigación.
Agradezco a todo el personal del laboratorio de Microelectrónica. Ya que gran

parte de los resultados obtenidos, se debió al conocimiento y tiempo brindado
a la hora de realizar los diferentes procesos de fabricación. En especial
agradezco a los técnicos Armando Hernández, Victor Aca, Adrián Itzmóyotl,
Ignacio Juárez y Oscar Aponte. Quienes fueron grandes amigos dentro y fuera
del laboratorio.
A los amigos y compañeros que siempre estuvieron acompañándome,

Joaquín Salvador Córdova, Sandra Báez, Jesús Martínez y Hiram Martínez,
Quienes también hicieron parte en la orientación y apoyo de este trabajo.
A los doctores Alfonso Torres, Javier de la Hidalga y Carlos Zúñiga, por haber
conformado el jurado calificador del examen de grado.
I
II
Resumen.
En este trabajo se desarrolló un proceso de fabricación de celdas
solares de heterounión con película intrínseca (HIT). Dichas celdas están
constituidas de un sustrato de silicio cristalino tipo n, una película de silicio
amorfo hidrogenado (a-Si:H) dopado tipo p, que funciona como emisor y entre
ellas una capa delgada de a-Si:H intrínseco que funciona como capa pasivante
de defectos. Adicionalmente para recolectar los pares electrón hueco
foto-generados y como película anti reflejante, sobre la película de a-Si:H
dopado se deposita una película de óxido transparente conductor (óxido de
estaño dopado con indio, ITO). Finalmente, los contactos metálicos superior e
inferior de la celda son de aluminio.
La unión entre el silicio cristalino y el silicio amorfo dopado presentan centros

de recombinación, los cuales se ven reflejados en la disminución de la
corriente de corto circuito (Isc) y, principalmente, el voltaje de circuito abierto
(Voc). En esta tesis con el fin de mejorar esta unión, se depositó una capa
intermedia de silicio amorfo intrínseco con espesor de 8±2nm. Esta estructura
entregó una Isc de 43±2mA y un Voc de 0.44±0.02V. Notamos que, al aumentar
el espesor de esta película intrínseca, aumenta el Voc, pero disminuye la Isc.
Por lo que se analizó y estudiaron otros métodos para lograr aumentar este
Voc sin disminuir la Isc.
El texturizado del sustrato de silicio cristalino favorece la absorción de energía

solar lo cual incrementa la corriente Isc, pero puede provocar defectos de nano
rugosidad en la superficie de las pirámides aumentando la recombinación de
portadores en la unión de silicio cristalino con la película de a-Si:H intrínseco.
Por lo que se usó un método húmedo de pasivación que consistió en ciclos de
oxidación de la superficie con ácido nítrico (HNO₃) y luego grabado de ese
oxido con ácido fluorhídrico (HF) hasta lograr eliminar estos defectos en la
III
superficie de las pirámides, logrando mantener la Isc en 43±2mA y mejorando
el Voc a 0.5V. Finalmente para obtener una última mejora en el Voc sin
perjudicar la Isc, se texturizó el sustrato dejando el área donde se depositan
los contactos de aluminio sin texturizar, logrando obtener un Voc de 0.54V y la
Isc en43±2mA.
Con respecto a los resultados obtenidos en este trabajo se lograron eficiencias

de 10.5% en celdas de 1 cm², bajo radiación AM 1.5. Adicional a esto se obtuvo
una densidad de corriente de corto circuito (Jsc) de hasta 45mA/cm2, la cual
es comparable a la Jsc de celdas solares HIT con eficiencias record (de hasta
26.6 %) reportados por PANASONIC y KANEKA.
IV
Abstract.
In this work, a process of manufacturing of HIT solar cells were
developed, known as heterojunction cells between crystalline silicon N type
substrate with a P-doped amorphous silicon as emitter and a thin Passivation
layer of intrinsic amorphous silicon. They also have a n-doped amorphous
silicon layer as back surface field.
The junction between crystalline silicon and doped amorphous silicon presents
recombination centers, which impact in the decrease of the short circuit current
(Isc) and open circuit voltage (Voc). To improve this junction, a thin layer of
intrinsic amorphous silicon was deposited (i a-Si:H) with a thickness of 8 ± 2nm.
This structure gets an Isc of 43 ± 2mA and a Voc of 0.44 ± 0.02 V. Increasing
the thickness of this intrinsic film increases the Voc but decreases the Isc. Other
methods have been analyzed and studied to improve this Voc without
diminishing Isc.
The crystalline silicon substrate texturing improves the absorption of solar

energy, which increases the Isc, but creates additional crystalline defects in the
surface of the pyramids, then a wet passivation method was used, which
consists on oxidation and etching cycles until eliminating these defects in the
surface of the pyramids, keeping the Isc in 43 ± 2mA and improving the Voc at
0.5V. Finally, for a Voc improvement, without reducing the Isc, the substrate
was texturized leaving the aluminum contacts area without texturing, obtaining
a Voc of 0.54 V and the Isc at 43 ± 2mA.
To protect the amorphous films from environment, for collecting the generated
hole-electron pairs, to improve the filling factor (F.F) and as anti-reflecting film,
a transparent conductive oxide (TCO) film was deposited (Indium Tin Oxide,
ITO) on both sides and finally aluminum contacts were evaporated.
V
The results obtained in this work, compared with previous works made at
INAOE, in the manufacture of heterojunction cells was possible to increase the
efficiency from 5.8% to 10.5%. In addition, a superior short circuit current of
45mA was obtained even more than the records reported by PANASONIC and
KANEKA.
VI
Índice general.
Agradecimientos. ............................................................................................. I
Resumen. ...................................................................................................... III
Abstract. .......................................................................................................... V
Índice general. .............................................................................................. VII
Índice de tablas. .............................................................................................. X
Índice de figuras............................................................................................ XII
Capítulo 1 ....................................................................................................... 1
Introducción. ................................................................................................ 1
1.1. Historia de las celdas solares. .......................................................... 1
1.2. La tecnología del silicio cristalino. ..................................................... 3
1.3. Motivación......................................................................................... 5
1.4. Objetivos. .......................................................................................... 5
Capítulo 2 ....................................................................................................... 7
Fundamentos teóricos celdas solares HIT. ................................................. 7
2.1. La radiación solar. ............................................................................ 7
2.2. Efecto fotoeléctrico. .......................................................................... 8
2.3. Materiales cristalinos y amorfos. ....................................................... 9
2.4. Parámetros eléctricos y de desempeño. ........................................... 9
2.5. Celdas solares HIT. ........................................................................ 13
2.6. Etapas de fabricación usadas en este trabajo. ............................... 16
Capítulo 3 ..................................................................................................... 19
Metodología de la investigación. ............................................................... 19
3.1. Medición tiempos de vida. ............................................................... 19
3.2. Simulador solar. .............................................................................. 20
3.3. Sistema utilizado en el depósito de películas (a-Si:H) dopadas. ..... 22
VII
3.4. SPUTTERING ................................................................................. 24
Capítulo 4 ..................................................................................................... 27
Proceso de fabricación, resultados y análisis ............................................ 27
4.1 Elección del sustrato con la obtención de tiempos de vida altos. .... 27
4.2 Estudio de 5 niveles de dopado de la película de silicio amorfo

hidrogenado tipo p que actúa como emisor. .......................................... 31
4.3 Fabricación de una celda solar HIT variando los contactos metálicos
con aluminio (Al) y plata (Ag). ................................................................ 39
4.4 Fabricación celda solar HIT desde estructura básica hasta estructura
más completa fabricada y reportada por la empresa Panasonic. .......... 42
4.5 Caracterización de un proceso de limpieza para estandarizar la

fabricación de una celda solar HIT completa. ........................................ 48
4.6 Fabricación de una celda solar HIT completa con limpieza de (HNO₃ +
HF(0.55%) + DI), con superficies totalmente texturizadas y superficies con
contacto no texturizado. ......................................................................... 52
Conclusiones. ............................................................................................... 57
Trabajo a futuro............................................................................................. 59
Apéndice A ................................................................................................... 60
Fabricación de celdas solares HIT en sustratos de área circular con diámetro
de 2 y 4 pulgadas. ..................................................................................... 60
1. Diseño de las mascarillas .................................................................. 60
2. Proceso de fabricación, resultados y análisis de celdas solares HIT en

sustratos de área circular con diámetro de 2 y 4 pulgadas. ................... 62
Apéndice B ................................................................................................... 67
Diseño de Mascarillas para fabricación de celdas solares HIT en sustratos
de área circular con diámetro de 2 y 4 pulgadas. ...................................... 67
1. Diseño Contactos Metálicos para celdas solares de 2 y 4 pulgadas. 67
VIII
Bibliografía .................................................................................................... 82
IX
Índice de tablas.
Tabla 2.1 Posible Pasivación (Húmeda o Seca) para sustrato de cSi. [12] .. 15
Tabla 4.1. Condiciones de depósito con película de carburo de silicio amorfo
(a-SiC:H) y silicio amorfo (a-Si:H) intrínseco: (a) superficie plana. (b) Superficie
texturizada. ................................................................................................... 29
Tabla 4.2 Datos introducidos en el software del equipo WCT-120 (Sinton) para
sustratos con dopado tipo n. ......................................................................... 29
Tabla 4.3 Datos introducidos en el software del equipo WCT-120 (Sinton) para
sustratos con dopado tipo p. ......................................................................... 30
Tabla 4.4. Resultados tiempos de vida medidos en las 8 muestras. ............ 31
Tabla 4.5. Condiciones de depósito película ITO ......................................... 32
Tabla 4.6. Mediciones con método cuatro puntas y cálculo de la R□. .......... 33
Tabla 4.7. Condiciones de depósito películas (a) pasivante con superficies
Planas, (b) pasivante con superficies texturizadas y (c) 5 diferentes dopados
película a-Si:H dopado tipo p que cumple la función de emisor.................... 35
Tabla 4.8. Resultados eléctricos de 5 diferentes procesos de celdas solares
HIT con 5 diferentes Niveles de dopado de (B₂H₆/SiH₄) de la película de a-Si:H
tipo p. (a) 5E-04, (b) 1.5E-03, (c) 2.5E-02, (d) 5E-02 y (e) 1E-01................. 37
Tabla 4.9 Condiciones de depósito películas pasivantes y de a-Si:H dopada
tipo p ((p) a-Si:H). (a) Superficie plana y (b) superficie texturizada .............. 40
Tabla 4.10. Resultados obtenidos proceso No.3 con contactos metálicos de
(a) aluminio (Al) y (b) Plata (Ag). .................................................................. 41
Tabla 4.11. Condiciones de depósito películas, (a) intrínseca ((i) a-Si:H),
(b) dopada tipo p ((p) a-Si:H), y (c) dopada tipo n ((n) a-Si:H) [27]............... 43
Tabla 4.12. Condiciones de depósito de las películas de ITO. (a) 80nm parte
superior y (b) 50nm parte posterior. [22]....................................................... 44
Tabla 4.13. Mediciones obtenidas en simulador solar proceso No.4............ 46
Tabla 4.14 Diferentes condiciones para formar una limpieza. ...................... 48
Tabla 4.15 Tipos de limpiezas realizadas y definidas en el proceso No. 5... 49
X
Tabla 4.16. Datos medidos con el simulador solar proceso No.5 con 8
limpiezas. ...................................................................................................... 50
Tabla 4.17 Condiciones de depósito películas, (a) intrínseca ((i) a-Si:H),
Tabla 4.18 Condiciones de depósito de las películas de ITO. (a) 80nm parte
superior y (b) 50nm parte posterior [22]........................................................ 54
Tabla 4.19 Resultados obtenidos en el simulador solar, proceso No.6
sustratos con superficies texturizadas y superficies con contacto plano. ..... 55
Tabla A.1 Condiciones de depósito películas, (a) intrínseca ((i) a-Si:H),
Tabla A.2 Condiciones de depósito de las películas de ITO. (a) 80nm parte
superior y (b) 50nm parte posterior [22]........................................................ 63
Tabla A.3 Condiciones depósito de AZO Celdas de área grande (4”) [30]. . 64
Tabla A.4 Resultados obtenidos en simulador solar para celdas áreas de: (a)
15.48cm² (sustrato de 2”) y (b) 67.357 cm² (sustrato de 4”), ........................ 65
Tabla B.1 Datos actuales obtenidos en el INAOE con mascarilla de 1cm². . 71
XI
Índice de figuras.
Figura 1.1 Mejores eficiencias en investigación [6]. ....................................... 2
Figura 1.2. Distribución de tecnologías en el mercado a nivel mundial [8].... 4
Figura 2.1. Irradiancia en todo el espectro solar [2]. ...................................... 7
Figura 2.2 Circuito eléctrico equivalente de una celda solar [10]. ................ 10
Figura 2.3 Gráfica de la corriente eléctrica como función del voltaje aplicado
para una celda solar ideal. ............................................................................ 11
Figura 2.4 Efecto de la resistencia serie en la curva corriente vs voltaje. .... 12
Figura 2.5 Efectos de la resistencia paralela o shunt en la curva corriente
voltaje. .......................................................................................................... 12
Figura 2.6 (a) Diagrama de bandas películas usadas en la fabricación del
dispositivo de este trabajo, (b) Diagrama de bandas dispositivo fabricado en
este trabajo y en equilibrio térmico [11]. ....................................................... 14
Figura 2.7. Estructura celdas HIT. Estudiada en este trabajo. ..................... 16
Figura 2.8 Aspecto de la superficie de silicio cristalino texturizado [13]. ...... 17
Figura 2.9. Patrón usado en litografía, para el contacto superior. ................ 18
Figura 3.1. Siton instrumen WCT120, equipo para medir tiempos de vida. . 19
Figura 3.2 Esquema de los equipos utilizados para la caracterización eléctrica
de las celdas solares [19]. ............................................................................ 21
Figura 3.3. INAOE PECVD MVSystems. ..................................................... 22
Figura 3.4. MVSystem cluster software. ....................................................... 23
Figura 3.5 Esquema de un sistema de PECVD con RF [20]. ....................... 24
Figura 3.6. Sistema de sputtering ATC Orion de AJA international, para el
depósito de las películas de ITO. .................................................................. 25
Figura 3.7. Diagrama simple del sputtering con fuente de RF. .................... 26
Figura 4.1. Estructuras depósito de películas pasivantes en los 8 sustratos a
analizar (a) Con superficie plana y (b) Con superficie texturizada. ............... 28
Figura 4.2. Resultados entregados por el software para la medición de tiempos
de vida en la muestra FZ tipo n con superficie texturizada. .......................... 30
XII
Figura 4.3 Estructura celda solar HIT básica fabricada en este proceso 2. . 32
Figura 4.4. Transmitancia 82.2%, película de ITO con espesor de 80nm. ... 34
Figura 4.5. Curvas corriente vs Voltaje de 5 diferentes proceso de celdas
solares HIT con 5 diferentes niveles de dopado de la película de a-Si:H tipo p
(emisor). (a) B₂H₆/SiH₄ = 5E-04, (b) B₂H₆/SiH₄ = 1.5E-03, (c) B₂H₆/SiH₄ = 2.5E-
02, (d) B₂H₆/SiH₄ = 5E-02 y (e) B₂H₆/SiH₄ = 1E-01. ....................................... 38
Figura 4.6. Celda solar HIT básica fabricada en el proceso No.3 con contactos
en aluminio o plata, en superficie plana y superficie texturizada. ................. 40
Figura 4.7. Curvas corriente vs Voltaje proceso No.3 (a) Contactos en aluminio
(Al) (b) Contactos en plata (Ag). ................................................................... 42
Figura 4.8 Estructuras celdas HIT fabricadas en el proceso No.4 (a) Estructura
No.1 celda solar HIT básica, (b) Estructura No.2 celda solar HIT con campo
posterior, (c) Estructura No.3 celda solar HIT con campo posterior y película
pasivante y (d) Estructura No.4 celda solar HIT completa. ........................... 44
Figura 4.9. Curvas corriente Vs voltaje proceso No.4 (a) Estructura No.1, (b)
Estructura No.2, (c) Estructura No.3 y (d) Estructura No.4. .......................... 47
Figura 4.10 Estructura celda solar HIT completa, (a) Superficies totalmente
texturizadas y (b) Contacto superior y posterior con superficie plana. .......... 49
Figura 4.11. Curvas corriente vs voltaje (a) HNO₃+HF(0.55%)+N,
(b) HNO₃+HF(0.55%)+DI, (c) HNO₃+HF(buffer)+N₂, (d) HNO₃+HF(buffer)+DI,
(e) HF(0.55%)+N₂ y HF(0.55%)+DI, (f) HF(buffer)+N₂ y HF(buffer)+DI. ...... 51
texturizadas y (b) Contacto superior y posterior con superficie plana........... 53
Figura 4.13 Fotografía Celda solar HIT de 1cm² fabricada en este trabajo. . 54
Figura 4.14 curvas corriente vs voltaje celdas solares HIT completa
(a) Superficies texturizadas y (b) Contacto de superficies planas. ............... 55
Figura A.1 Diseño Mascarilla para contacto superior en sustratos circulares
con diámetro de 2 pulgadas. ......................................................................... 61
Figura A.2 Diseño Mascarilla para contacto superior en sustratos circulares
con diámetro de 4 pulgadas. ......................................................................... 61
XIII
Figura A.3 Estructura celda solar HIT completa en sustratos de área circulas
con: (a) Diámetro de 2 pulgadas y (b) Diámetro de 4 pulgadas. .................. 63
Figura A.4 Fotografía Celdas solares HIT fabricadas: (a) celdas de área de 2
pulgadas con 20 dedos entre los buses, (b) celdas de área de 2 pulgadas con
13 dedos entre los buses y (a) celdas de área de 4 pulgadas. ..................... 64
Figura A.5 curvas corriente vs voltaje celdas solares HIT completa
(a) Superficies texturizadas y (b) Contacto de superficies planas. ............... 65
Figura B.1 Área útil de la Oblea después de ser depositado el aluminio. .... 67
Figura B.2 Área Máxima ocupada por un rectángulo dentro de la
circunferencia de diámetro útil. ..................................................................... 68
Figura B.3 Diseño y Área Máxima ocupada por un octágono dentro de la
circunferencia de diámetro útil. ..................................................................... 69
Figura B.4 Contacto superior. (Diseño actual en el INAOE). ....................... 71
Figura B.5 Dirección asumida por la corriente colectada. ............................ 72
Figura B.6 Ubicación de los buses y cálculo de 𝐿𝑓. ..................................... 74
Figura B.7 Diseño para determinar la distribución de dedos. ...................... 76
Figura B.8 Primer diseño oblea de 2” con dos buses y 40 dedos por bus. El
círculo azul es el área útil de la oblea y el círculo punteado negro es la oblea
de 2”.............................................................................................................. 78
Figura B.9 Segundo Diseño oblea de 2” con dos buses y 28 dedos por bus. El
círculo azul es el área útil de la oblea y el círculo punteado negro es la oblea
de 2”.............................................................................................................. 79
Figura B.10 Diseño oblea de 4” con 4 buses y 58 dedos por bus. ............... 81
XIV
XV
1. Capítulo 1
Introducción.
Actualmente, el impacto ambiental al generar energía y el incremento

de la demanda que existe con las fuentes de energía disponibles, está dejando
ver un escenario de crisis energética global. Por lo cual el uso de la energía
solar se ha convertido en una alternativa de energía limpia y renovable.
Obtenida a partir del aprovechamiento de la radiación electromagnética y, por
efectos fotovoltaicos, las celdas solares transforman ésta en energía eléctrica.
El objetivo que se promueve en el presente trabajo, es lograr que las celdas

solares lleguen a ser utilizadas en todos los hogares, por lo que es de vital
importancia disminuir el costo, enfocando en reducir el tiempo de fabricación,
así como la temperatura del proceso <200 grados centígrados y manteniendo
eficiencias mayores al 10 %, que motiven el uso de las celdas solares.
1.1. Historia de las celdas solares.

El efecto fotovoltaico fue reconocido por primera vez en 1839 por el
físico francés Alexandre Edmund Becquerel. Sus estudios sobre el espectro
solar, magnetismo, electricidad y óptica son el pilar científico de la energía
fotovoltaica. La celda de Silicio que hoy en día se utiliza, proviene de la patente
del inventor norteamericano Russell Ohl y fue construida en 1940 y patentada
en 1946. Posteriormente en 1954 se fabricó la primera celda solar sobre silicio
cristalino en los laboratorios Bell, la cual tenía una eficiencia del 6%. [1], [2].
William Shockley y Hans Queisser en 1961 determinaron que teóricamente, se

puede convertir un máximo de 33.7% la energía solar en electricidad. Calculo
basado en una unión p-n fabricada con un material semiconductor y con un
1
ancho de banda prohibida de 1.34eV, usando un espectro de AM 1.5 [3]. Con
respecto a las celdas solares de heterounión se sabe que en 1992 se fabricó
la primera por el grupo dirigido por Makoto Tanaka en la empresa Sanyo
(actualmente Panasonic), obteniendo eficiencias del orden de 18.1% usando
como base silicio amorfo y carburo de silicio [4].
En la figura 1.1 se muestran los valores de las eficiencias de conversión más

altas confirmadas para las celdas solares de investigación desde 1976 hasta
el presente y para una gama de tecnologías fotovoltaicas que incluyen las
celdas de heterounión. Los dispositivos incluidos en la figura 1.1 tiene
eficiencias que son confirmadas por laboratorios reconocidos como: NREL,
AIST y Fraunhofer [5].
Figura 1.1 Mejores eficiencias en investigación [6].
2
Históricamente las celdas de silicio cristalino con silicio amorfo han presentado
mejores desempeños comparadas con otras celdas, por ejemplo, la tecnología
de heterounión presenta una alta eficiencia de conversión superando a las
celdas PERL (solo de silicio cristalino) cuya eficiencia máxima es de 25.3%.
Kaneka comenzó a tener la mayor eficiencia en celdas solares de
"heterounión" desde el 2015 hasta la actualidad, desplazando a la empresa
Panasonic quien lidero el mercado por varios años con una eficiencia máxima
reportada por Kaneka de 26.6%.
1.2. La tecnología del silicio cristalino.

El material más usado en celdas fotovoltaicas es el silicio cristalino que
tiene un ancho de banda prohibida de (Eg=1.12eV) a 300K menor a la
teóricamente usada por William Shockley y Hans Queisser [3], lo que
disminuye él máximo de eficiencia para una celda solar al 29%. Eso supone
que solo el espectro visible generará electricidad, mientras que el infrarrojo,
las ondas de radio o las microondas no son aprovechables. Además cuando
la energía del fotón incidente es superior a la energía necesaria para generar
el par electrón-hueco, el exceso de esta energía no es aprovechado por la
unión p-n, sino que se convierte en calor.
Aunque el silicio es muy abundante (por ejemplo, se encuentra en la arena),

obtener silicio de alta pureza (99.9999%) es costoso. Una escasez de silicio
de alta pureza, anunciada en 2005, fue evitada con nuevos descubrimientos y
mejores procesos de fabricación. Provocando que varias empresas que
invirtieron fuertemente en tecnologías alternativas hoy se encuentran en serios
problemas para competir con los paneles de silicio tradicionales, cada vez más
asequibles, altamente eficientes y con tiempos de vida de más de 20 años [7].
Hay dos tipos principales de tecnologías fotovoltaicas (PV): silicio cristalino y

de película delgada (Thin Film). Dentro de las de película delgada, en la
3
actualidad hay cinco tecnologías que han alcanzado o está próximas a llegar
a la comercialización:
 Teluro de cadmio (CdTe).
 Silicio amorfo (a-Si:H).
 Seleniuro de galio, indio y cobre (CIGS).
 La fotovoltaica orgánica (OPV).
 Celdas solares de tintes sensibilizados (DSSC).
Las celdas de arseniuro de galio (GaAs), también se encuentran en
producción. Son muy eficientes, pero actualmente muy caras de fabricar y se
utilizan casi exclusivamente en los satélites.
Desde el 2010, la tecnología fotovoltaica (PV) de silicio cristalino cubrió el 87%

del mercado. Las estimaciones indicaban que la tecnología cristalina
alcanzaría una cuota de mercado del 86%: 38% para el silicio monocristalino,
47% para el silicio policristalino, y 1% de cinta de silicio. El 14% restante del
mercado estaría en manos de las celdas de película delgadas: 8% teluro de
cadmio; 3% de silicio amorfo; y el 3% de seleniuro de galio, indio y cobre
figura 1.2.
Figura 1.2. Distribución de tecnologías en el mercado a nivel mundial [8].
4
1.3. Motivación.
La búsqueda en la disminución de los costos para la fabricación de
tecnologías fotovoltaicas, enfoca este trabajo en el estudio de celdas solares
fabricadas con películas delgadas sobre sustrato de silicio cristalino. Éstas
disminuyen pasos a la hora de fabricarlas en comparación con las celdas
cristalinas (PERL). Además, está el hecho de la reducción de costos en la
fabricación de obleas de silicio cristalino. Adicionalmente el depósito de
películas amorfas se hace a bajas temperaturas (<200⁰C) que comparado con
procesos de alta temperatura requiere un menor consumo energético, siendo
un factor extra para la reducción de costos.
En este trabajo se presenta el estudio, de fabricación de celdas solares de

heterounión silicio cristalino, silicio amorfo dopado ((n) cSi / (p) a-Si:H) con
película delgada intrínseca intermedia (HIT). Las cuales consisten en
heterounión n-p, fabricadas por medio de depósito de películas de a-Si:H
dopadas, sobre sustratos de silicio cristalino, usando la técnica de depósito
químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD) a temperaturas de 160°C.
Las celdas solares fabricadas en este trabajo presentan eficiencias cercanas
al 11% lo cual es deseable para posible introducción en paneles solares.
1.4. Objetivos.
El desarrollo de una tecnología de celdas solares HIT a baja
temperatura (<200°C) basada en la heterounión de silicio cristalino con silicio
amorfo dopado, dentro de las instalaciones del laboratorio de microelectrónica
del INAOE.
1.4.1. Objetivos específicos.

 Desarrollar una metodología de fabricación de celdas solares de
segunda generación, que se fabriquen en un menor tiempo y a bajas
5
temperaturas (<200⁰C).
 Estudiar los tiempos de vida en diferentes tipos de sustratos de silicio
cristalino pasivados con películas de silicio amorfo y carburo de silicio.
 Optimizar la eficiencia de las celdas solares HIT mediante un estudio
de los efectos de variaciones en el proceso de fabricación, como los
espesores de películas, nivel de dopado, etc.
 Analizar la importancia de Óxido Transparente Conductor (TCO) en el
comportamiento de las celdas solares con tecnología HIT.
 Caracterizar y mejorar variables eléctricas de las celdas tales como: la
eficiencia (ƞ), corriente de corto circuito (Isc), voltaje de circuito abierto
(Voc) y el factor de llenado (F.F).
6
2. Capítulo 2
Fundamentos teóricos celdas solares HIT.
En este capítulo se hace un breve resumen de los conceptos teóricos

necesarios para entender el funcionamiento de una celda solar a base de
silicio cristalino tipo n y silicio amorfo dopado tipo p, tales como radiación solar,
el efecto fotoeléctrico, materiales cristalinos y amorfos, parámetros eléctricos
y de desempeño como: la corriente de corto circuito, el voltaje de circuito
abierto, la eficiencia y el factor de llenado, finalmente la celda solar HIT.
2.1. La radiación solar.

Una fuente de energía es la radiación electromagnética solar. La cual
se estima es una fuente que puede suministrar miles de años de energía. El
Sol emite radiaciones a lo largo del espectro electromagnético, desde el
infrarrojo hasta el ultravioleta. Su espectro de Irradiancia solar se muestra en
la figura 2.1.
Figura 2.1. Irradiancia en todo el espectro solar [2].
7
Los diferentes tipos de estándares de Irradiancia según la NASA medidos en
masa de aire (AM) son:
AM0 La radiación extraterrestre, aplicable a los satélites en espacio.

AM1 La incidencia vertical de la luz solar en el ecuador a nivel del mar.
AM1.5 La luz del sol que irradia a través de una masa de aire 1,5 veces
mayor que el caso vertical.
Generalmente, como fuente de energía solar fotovoltaica se usa la radiación

AM1.5 y se utiliza todo el rango del espectro de la luz solar (de 280 a 4000 nm)
el valor del promedio de energía del fotón (APE) que se obtiene para el
espectro estándar es de 1.60 eV, mientras que si se realiza el cálculo con los
valores del espectro visible más el infrarrojo cercano (de 350 a 1050 nm) que
es la parte del espectro donde hay mayor contribución de energía, el APE es
de 1.88 eV. Este valor se reporta en la mayoría de las publicaciones [9].
2.2. Efecto fotoeléctrico.

La transformación de la luz solar a energía eléctrica se lleva a cabo en
las celdas solares gracias al efecto fotovoltaico, el cual consiste en la emisión
de electrones cuando a una superficie se le hace incidir una radiación
electromagnética como la luz visible. Por otra parte, el término fotovoltaico
proviene de la unión de dos palabras: la palabra “photo” cuyo origen griego
“phos” significa luz y la segunda palabra “volt” que hace referencia a la unidad
de medida del potencial eléctrico, literalmente la palabra fotovoltaico significa
electricidad desde la luz, es decir, las celdas solares realizan la conversión
solar-eléctrica sin necesidad de combustible ni partes mecánicas en
movimiento.
8
2.3. Materiales cristalinos y amorfos.
El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre
y, por lo general, se lo encuentra formando óxidos como el cuarzo o silicatos
en la arena y barro. Está constituido por átomos que tienen 4 electrones de
valencia y. Esta propiedad eléctrica es aprovechada en la construcción de
celdas fotovoltaicas donde la energía solar logra romper los enlaces
covalentes de los átomos del silicio y los electrones de valencia logran fluir con
libertad en la estructura cristalina del semiconductor.
Actualmente, los materiales monocristalinos, policristalinos y amorfos. Son

usados para fabricar los dispositivos. En los materiales monocristalinos los
átomos están ordenados y se enlazan en una misma forma, la periodicidad de
este arreglo es de largo alcance es decir que la estructura se repite en
prácticamente todo el cristal. Por lo general el silicio monocristalino tiene una
estructura tipo diamante, con un parámetro de red de 0.54nm y un ancho de
banda prohibida de 1.12eV a 300K. En la estructura policristalina los átomos
de silicio forman pequeños granos monocristalinos que son orientados
aleatoriamente. En la estructura amorfa los átomos de silicio son orientados
de manera aleatoria, pero conservando las características de los sólidos
(orden de corto alcance), el ancho de banda prohibida es de 1.7eV a 300K, y
su coeficiente de absorción es mayor al del silicio monocristalino. La alta
densidad de defectos presentes en la red hace que la longitud de difusión de
los portadores minoritarios sea muy pequeña.
2.4. Parámetros eléctricos y de desempeño.

Las celdas solares se comportan como fuentes de corriente eléctrica.
Los principales parámetros eléctricos son: corriente en el punto de potencia
máxima (Imax), corriente de corto circuito (Isc), Voltaje en el punto de potencia
máxima (Vm), Voltaje de circuito abierto (Voc) y el punto de máxima potencia
9
Pmax relacionado con Vm e Im. El desempeño se caracteriza mediante dos
figuras de mérito denominadas factor de llenado (F.F) y la eficiencia (ƞ).
El circuito eléctrico equivalente de una celda solar es mostrado en la figura 2.2

donde la región de línea continua muestra una celda ideal compuesta por un
diodo donde circula una corriente de saturación en oscuridad (𝐼𝑜1 ), adicionando
los componentes en línea punteada, éste representa una celda solar real y se
observa que aparece un segundo diodo donde circula una segunda corriente
de saturación en oscuridad (𝐼02 ) y dos elementos resistivos (una resistencia en
serie (𝑅𝑠 ) y una resistencia en paralelo (𝑅𝑝 ) explicados más adelante).
Figura 2.2 Circuito eléctrico equivalente de una celda solar [10].
La ecuación de la corriente para el caso ideal es:

𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 (2.1)
Siendo: 𝐼𝑝ℎ  La corriente fotogenerada.

𝐼𝑜  La corriente de saturación en oscuridad.
𝑉  El voltaje aplicado entre los contactos.
𝑞  La carga del electrón.
𝑇  La temperatura absoluta.
𝐾𝐵  La constante de Boltzmann
.
10
La representación gráfica corriente (𝐼) vs voltaje (𝑉) de la ecuación (2.1) para
una celda ideal se muestra en la figura 2.3.
Figura 2.3 Gráfica de la corriente eléctrica como función del voltaje

aplicado para una celda solar ideal.
En la figura 2.3 se observan los parámetros eléctricos de una celda solar ideal,
de donde se pueden destacar dos importantes: la corriente de corto circuito
(Isc) y el voltaje de circuito abierto (Voc)
Corriente de corto circuito (Isc)  Es la corriente máxima producida por una
celda solar cuando sus terminales están cortocircuitadas y es igual a Iph en el
caso ideal.
Voltaje de circuito abierto (Voc) Es el voltaje máximo que puede alcanzar
una celda solar cuando sus terminales están abiertas. Se define por la
ecuación (2.2).
𝐾𝐵 𝑇 𝐼𝑝ℎ
𝑉𝑜𝑐 = ln( + 1) (2.2)
𝑞 𝐼𝑜
La potencia máxima (Pmax) se obtiene cuando el voltaje y la corriente toman

los valores de Vm y Im respectivamente. De donde se determina el factor de
relleno (F.F) y se define por la ecuación (2.3).
𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝑃𝑚𝑎𝑥
𝐹. 𝐹 = = (2.3)
𝑉𝑜𝑐 𝐼𝑠𝑐 𝑉𝑜𝑐 𝐼𝑠𝑐
El factor de llenado (F.F) está muy relacionado con la eficiencia de la celda

solar y esta a su vez es la relación entre la potencia máxima ( Pmax) y la
11
potencia de entrada (𝑃𝐿𝑖𝑔ℎ𝑡 ) mostrada en la ecuación (2.4).
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝐹𝐹𝑉𝑜𝑐 𝐼𝑠𝑐
ƞ= = = (2.4)
𝑃𝐿𝑖𝑔ℎ𝑡 𝑃𝐿𝑖𝑔ℎ𝑡 𝑃𝐿𝑖𝑔ℎ𝑡
Las resistencias Rp y Rs observadas en el circuito eléctrico equivalente de la

figura 2.2 equivalente a un circuito de celda más real, representan las
resistencias parásitas que afectan el factor de llenado y a su vez la eficiencia
de las celdas solares. La Rs o resistencia serie es asociadas al contacto metal
con la película de óxido transparente conductor (TCO), esta resistencia debe
tender a cero para que la celda sea lo más eficiente posible. En la figura 2.4
se observa el efecto que ejerce ésta en la curva corriente voltaje.
Figura 2.4 Efecto de la resistencia serie en la curva corriente vs voltaje.
La resistencia paralela (Rp) o resistencia Shunt (Rsh), se debe a los trayectos

de corto circuito que permiten a los portadores de carga recombinarse antes
de que puedan ser colectados en los contactos, o también es representada por
la llamada corriente de fuga. Su valor idealmente debe ser muy grande para que
la corriente de fuga sea pequeña. En la figura 2.5 se observa el efecto que ejerce.
Figura 2.5 Efectos de la resistencia paralela o shunt en la curva corriente

voltaje.
12
2.5. Celdas solares HIT.
Este nombre viene de las siglas en inglés (Heterojunction with Intrinsic
Thin Layer), es un dispositivo que consta de la unión de silicio cristalino (cSi)
dopado tipo n con una película delgada de silicio amorfo (a-Si:H) dopada tipo
p, y entre las cuales se encuentra una capa delgada intermedia de silicio
amorfo intrínseco como pasivante ((i) a-Si:H).
2.5.1. Heterounión.
Hace referencia a la unión de materiales con ancho de banda prohibida
diferente, en este caso son: el silicio cristalino el cual tiene un valor en ancho
de banda prohibida aproximado de 1.12 eV y el silicio amorfo dopado con
ancho de banda prohibida aproximado de 1.72 eV. El diagrama de bandas en
equilibrio térmico se muestra en la figura 2.6 [11].
En la figura 2.6 (a) se observan los diagramas de bandas de materiales usados

para fabricar el dispositivo de este trabajo, este dispositivo consta en sus
extremos de dos películas metálicas, una de aluminio acompañado de un
oxido transparente conductor (ITO). Como películas pasivantes en ambas
superficies del sustrato de silicio cristalino, se depositan dos películas amorfas
de silicio intrínseco fabricadas con las mismas condiciones, el nivel de Fermi
de estas películas se encuentra a la mitad de la banda prohibida. La película
de emisor es una película amorfa de silicio (a-Si:H) dopada tipo p donde su
nivel de Fermi se encuentra cercano a la banda de valencia, como campo
posterior se usa una película amorfa de silicio (a-Si:H) tipo n donde su nivel de
Fermi se encuentra cercano a la banda de conducción. En la figura 2.6 (b) se
observan el comportamiento en los diagramas de bandas al momento de
unirse, el nivel de fermi se mantiene en equilibrio y las bandas se doblan.
13
(a) (b)
Figura 2.6 (a) Diagrama de bandas películas usadas en la fabricación del
dispositivo de este trabajo, (b) Diagrama de bandas dispositivo fabricado
en este trabajo y en equilibrio térmico [11].
2.5.2. Recombinación.
El rendimiento de las celdas solares HIT es fuertemente afectado por la
recombinación de pares electrones-huecos por diferentes causas. Entre ellas
está la recombinación Shockley-Read-Hall (SRH), este tipo de recombinación
es debida a los defectos en la red cristalina los cuales introducen estados
energéticos o niveles de energía intermedio dentro de la banda prohibida del
semiconductor. De ésta recombinación (SRH) se desprende la recombinación
superficial del semiconductor, donde se introduce un gran número de estados
defectuosos dentro de la banda prohibida debido a enlaces no saturados,
residuos químicos y dislocaciones de la red cristalina. Para minimizar la
recombinación SRH en este trabajo se usaron sustratos de silicio obtenidos
bajo el método zona flotante (FZ) el cual tienen menos defectos en su red
cristalina. Para disminuir la recombinación superficial, aparte de usar la
película amorfa de silicio intrínseca, también se usaron métodos de pasivación
húmeda que se comentan a continuación.
2.5.3. Pasivación húmeda.

Esta pasivación consiste en eliminar defectos existentes en la superficie
del sustrato de silicio cristalino, además de polvo, grasas o químicos.
Adicionalmente al uso de una película amorfa de silicio intrínseca, también se
realiza un proceso de pasivación seca o húmeda en la superficie, ya sea con
14
gases en pasivación seca o con reactivos químicos en húmeda. En la
Tabla 2.1 tomada de [12] muestra una serie de posibles limpiezas para el
sustrato de silicio cristalino tanto húmedas como secas (en este trabajo se
prueban sólo algunas de ellas con métodos húmedos). Esta referencia
presenta 6 métodos de pasivación húmeda: limpieza estándar 1 y 2 de siglas
en inglés (SC1 y SC2) de RCAs, hidróxido de sodio diluido en agua (NaOH :
H₂O), oxidación de ácido nítrico y posterior grabado del óxido con ácido
fluorhídrico (HNO₃ : HF), grabado de óxido nativo con HF diluido en agua (HF
: H₂O) , limpieza de metanol (CH₃OH) con posterior grabado de óxido nativo
en ácido fluorhídrico (CH₃OH : HF) y grabado de óxido nativo con ácido
fluorhídrico diluido en peróxido de hidrogeno y agua (HF : H₂O₂ : H₂O). Como
método de pasivación seca la tabla muestra 6 diferentes plasmas: El fluoruro
de carbono y oxigeno (CF₄/O₂), trifluoruro de nitrógeno (NF₃), dihidrógeno (H₂),
dinitrógeno (N₂), oxigeno (O₂) y argón (Ar).
Tabla 2.1 Posible Pasivación (Húmeda o Seca) para sustrato de cSi. [12]
Pasivación
SC1 + SC2 (RCA Limpieza)
NaOH : H₂O
HNO₃ : HF
Húmeda
HF : H₂O
CH₃OH : HF
HF : H₂O₂ : H₂O
CF₄/O₂
NF₃
H₂
Seca
N₂
O₂
Ar
15
2.6. Etapas de fabricación usadas en este trabajo.
Para la fabricación de celdas solares HIT es importante tener claro
cuatro tópicos, los cuales son: estructura del dispositivo, texturizado,
pasivación y formación de contactos. La pasivación ya se explicó
anteriormente por lo que se hablara de los tres restantes.
2.6.1. Estructura del dispositivo.

La figura 2.7 [11], muestra la estructura de una celda HIT. Se observan
dos películas de ITO en sus extremos cuya función principal es la recolección
de electrones y huecos generados en la celda, para así transpórtalos al
contacto metálico.
Figura 2.7. Estructura celdas HIT. Estudiada en este trabajo.
2.6.2. Texturizado.
El texturizado se hace antes del depósito de cualquier película. Es un
grabado en la superficie de la oblea de silicio cristalino, para crear formas
piramidales las cuales aumentan la absorción de la luz y, por ende, aumenta
la corriente de la celda solar. La forma de las pirámides se muestra en la
figura 2.3.
16
Figura 2.8 Aspecto de la superficie de silicio cristalino texturizado [13].
Este grabado se hace por vía húmeda, se realiza a una temperatura de 70⁰C
en baño maría, por 50 minutos y concentraciones de 1-5wt% de KOH, 1.3-
3.5wt% de NaOH y 3-7wt% de IPA. Es importante mencionar que este tipo de
texturizado depende de la orientación cristalina del silicio, por ejemplo, con
orientaciones (111) la velocidad de grabado es más baja comparada con la
velocidad en orientaciones (100).
2.6.3. Formación de contactos.

La formación de contactos metálicos se realizó por litografía, en este
proceso se usó una mascarilla con celdas de 1cm², con las forma y medidas
mostradas en la figura 2.5. En esta figura se describe 𝐿𝑏 = 1𝑐𝑚 que es la
longitud del bus y a su vez el ancho de la celda, 𝑆 = 1.9𝑚𝑚 es la distancia
entre dedos o área libre de contacto metálico por donde entra la energía solar,
𝑁𝑓 = 14 dedos repartidos de 7 por cada lado del bus, 𝐿𝑓 = 4.85 𝑚𝑚 es la
longitud de los dedos, 𝑊𝑓 = 100µ𝑚 es el ancho de los dedos, 𝑁𝑏 = 1 es el
número de buses ubicado en el centro de la celda, 𝑊𝑏 = 300µ𝑚 es el ancho
del bus. Los patrones se transfieren primero a una capa de resina
(photoresist), en este trabajo se usó la resina positiva maP1275.
17
𝑵𝒇 = 𝑁𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠.
𝑳𝒇 = 𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠.
𝑾𝒇 = 𝐴𝑛𝑐ℎ𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠.
𝑵𝒃 = 𝑁𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑏𝑢𝑠𝑒𝑠.
𝑳𝒃 = 𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑏𝑢𝑠.
𝑾𝒃 = 𝐴𝑛𝑐ℎ𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝐵𝑢𝑠.
Figura 2.9. Patrón usado en litografía, para el contacto superior.
Posteriormente se deposita el metal en este caso aluminio o plata por medio

de la técnica de evaporación. Normalmente en este trabajo se utilizaron
espesores de 0.8µm de aluminio.
18
3. Capítulo 3
Metodología de la investigación.
En este capítulo se describe la metodología para el depósito de películas

necesarias usadas en este trabajo, además de los equipos de medición para
caracterizar el comportamiento de la celda solar.
3.1. Medición tiempos de vida.

Para evaluar la pasivación en las superficies de los sustratos del silicio
cristalino, ya sea en superficies planas o texturizadas con películas pasivantes
de silicio amorfo intrínseco depositado en ambas caras, se mide el tiempo de
vida de los portadores minoritarios mediante la técnica de decaimiento de
fotoconductancia [14].
El equipo utilizado para la medición y caracterización es un Sinton Life Time

Tester modelo WTC-120, fabricado por la empresa Sinton Consulting. Una
fotografía del instrumento se observa en la figura 3.1 [15].
Figura 3.1. Siton instrumen WCT120, equipo para medir tiempos de vida.
19
El equipo realiza la medición utilizando dos modos de análisis: primer modo
de medición en estado cuasi-estacionario QSSPC (Quasi-Steady State
Photo-Conductance), el cual un flash de luz decae lo suficientemente lento
como para que se equilibren la fotogeneración y recombinación de portadores
a la vez que varía el nivel de iluminación [16]. Segundo modo de medición en
transiente PCD (Photo-Conductance Decay), en este caso el flash de luz es
muy corto, de manera que los portadores fotogenerados se recombinan ya sin
iluminación de la muestra. En este trabajo la técnica que se utiliza para medir
el tiempo de vida efectivo, en función del nivel de inyección, es la llamada
“Quasi-Steady State Photo-Conductance” (QSSPC).
3.2. Simulador solar.

Los simuladores solares son equipos de medición que emulan la radiación
solar y proveen un espectro muy cercano al espectro del sol, el cual abarca
desde longitudes de onda de luz ultravioleta (UV) hasta el infrarrojo (IR). Estos
dispositivos emulan al espectro solar AM1.5, cuyo estándar ha sido
establecido por la American Society for Testing and Materials en la norma
ASTM-G173-03 (ASTM 2003). El espectro AM1.5 tiene intensidad total de 100
mW/cm2 [17].
De acuerdo a la norma ASTM E927-5 [4.14] y la norma europea IEC 60904-9,

los simuladores solares están clasificados, en relación a su funcionamiento,
en tres clases denominadas A, B y C. Existen tres criterios importantes que se
toman en cuenta para la clasificación: La coincidencia espectral
(spectralmatch), la uniformidad espacial de irradiancia y (Spatialuniformity) y
la estabilidad temporal de la luz (TemporalStability) [18].
El simulador solar usado en el laboratorio de microelectronica del INAOE es el

Newport Oriel Sol 2A. Utilizado para la caracterización electrica de las celdas
solares en este trabajo de investigación. La lámpara de xenón es el centro del
20
simulador, a una temperatura de 5800 K, emite un espectro similar a la de un
cuerpo negro. La potencia de la lámpara de xenón del simulador solar es
controlada por una fuente de alimentación Newport model 69922. Esta fuente
establece que la lámpara opere a una potencia y corriente constantes.
Las variaciones de la corriente y voltaje, bajo luz proveniente de la lampara del

simulador, son leidas por un electrómetro y a su vez transferidas a un
computador el cual tiene un sofware desarrollado en labview por el INAOE. En
la figura 3.3 se muestra un esquema del equipo utilizado para la
caracterización eléctrica de las celdas solares. Por medio de la fuente de
alimentación (Newport model 69922) se garantizó que la intensidad de la
lámpara de xenón del simulador solar, estuviera a una intensidad estándar
AM1.5 100 mW/cm2 [19].
Figura 3.2 Esquema de los equipos utilizados para la caracterización

eléctrica de las celdas solares [19].
21
3.3. Sistema utilizado en el depósito de películas (a-Si:H)
dopadas.
La técnica más usada para el depósito de las películas delgadas de
semiconductores amorfos es el depósito químico en fase vapor asistido por
plasma (PECVD) Siglas del inglés (Plasma-Enhanced Chemical Vapor
Deposition). Esta técnica trabaja con una fuente de RF de 13.56Mhz. La
capacidad de depósito a baja temperatura de películas de alta calidad en
grandes áreas es la mejor característica de la técnica PECVD. El equipo usado
para este trabajo es el PECVD MVSystems figura 3.3.
Figura 3.3. INAOE PECVD MVSystems.
Este equipo cuenta con un brazo robótico que opera 5 cámaras de 17 cm x

17 cm, La PL1 es la cámara de carga de las obleas, la PL2 es para el depositó
de películas de silicio amorfo dopado tipo p, la PL3 es un SPUTTERING con
blancos de plata y AZO, la PL4 es una cámara para películas amorfas
intrínseca y la PL7 es una cámara para películas amorfas tipo n. Este equipo
utiliza un software para el control de un brazo robótico llamado "MVSystem,
Inc." También controla los parámetros para el depósito de todas las películas.
El esquema se muestra en la figura 3.4. Las herramientas del sistema reducen
la contaminación cruzada y ambiental en estructuras de película delgada
multicapa debido a la zona de aislamiento y transporte.
22
Figura 3.4. MVSystem cluster software.
En la figura 3.5 se muestra un esquema básico del sistema PECVD donde se

observa: Un sistema de entrada de gas, una cámara de depósito que contiene
los electrodos, calentador de sustratos y una fuente de poder de Radio
Frecuencia (RF) de 13.56Mhz, un sistema de vacío formado por una bomba
turbo-molecular y una bomba mecánica, un sistema para el control de los flujos
y presión de los gases, La presión del depósito debe estar en un rango de 0.05 -
1 mTorr esto para garantizar un depósito uniforme, la temperatura de la cámara
se trabajó a 160 °C.
23
Figura 3.5 Esquema de un sistema de PECVD con RF [20].
3.4. SPUTTERING
La pulverización catódica o SPUTTERING fue la técnica usada para el

depósito de la película transparente conductora de óxido de estaño dopada
con indio (ITO). El equipo utilizado es el ATC Orion Sputtering System of AJA
International Inc. Figura 3.6. Este equipo usa una fuente RF o DC, cuenta con
el controlador de temperatura OGDEN ETR-9300 el cual es estable de 150-
300°C. Consta de dos cámaras de vacío independientes: cámara de carga y
cámara de depósito. La cámara de depósito utiliza los gases Ar y Ar+O2, la
cantidad de flujo requerida se puede configurar con el controlador de flujos
MKS (modelo M100B00421CS1BV).
24
Figura 3.6. Sistema de sputtering ATC Orion de AJA international, para el
depósito de las películas de ITO.
Los depósitos se hicieron en vacío a 1mTorr de presión y 175⁰C en el

controlador de temperatura. A toda muestra se aplicó un precalentamiento de
10 minutos. Se usó la fuente de RF. El porta muestras que usa este equipo es
para un máximo de muestra de 3”. El blanco utilizado es de ITO con diámetro
de 2”, espesor de 0.125” y pureza de 99.99%.
Un diagrama simple del sputtering con fuente de RF se muestra en la figura

3.7. El cual es un reactor de placas paralelas en cámara de vacío. Donde en
la placa superior se encuentran las obleas y en la inferior el blanco u objetivo
de ITO que en este caso es nuestro material a depositar, en plasma de argón.
Dicho plasma está arreglado para que la alta densidad de iones golpee el
blanco y de esta forma, el material levantado, se deposite en las obleas. Posee
además un imán (magnetrón sputtering) debajo del objetivo sobre la malla de
cobre para mejorar el bombardeo iónico.
25
Figura 3.7. Diagrama simple del sputtering con fuente de RF.
26
4. Capítulo 4
Proceso de fabricación, resultados y análisis
En este capítulo se describe la metodología de la fabricación y la

caracterización de las celdas solares HIT. Así mismo se presentan los
resultados obtenidos.
4.1 Elección del sustrato con la obtención de tiempos de vida

altos.
Proceso No.1.
En la fabricación de celdas solares HIT es importante la elección del
sustrato y de las películas pasivantes, para reducir al máximo la recombinación
de portadores en la superficie o dentro del sustrato. Como películas pasivantes
se usaron algunas ya estudiadas previamente en el INAOE [13], estas
películas reportaron tiempos de vida de 1.156 ms para sustratos FZ. Aunque
es conocido que los sustratos de silicio crecidos por zona flotante (FZ) tienen
una menor densidad de impurezas dentro del cuerpo, en este proceso No.1 se
usaron sustratos de Silicio Czochralski (CZ) y zona flotante (FZ): CZ tipo n y
tipo P, FZ tipo n y Tipo P, cada uno con superficie texturizada y superficie
plana. Estas películas se depositaron en ambas caras de cada sustrato como
muestra la Figura 4.1, así mismo fue usado el equipo PECVD MVS Systems
Inc trabajado a frecuencia estándar (RF=13.56 MHz) en el laboratorio de
microelectrónica del INAOE.
27
(a) (b)
Figura 4.1. Estructuras depósito de películas pasivantes en los 8 sustratos a
analizar (a) Con superficie plana y (b) Con superficie texturizada.
Sustratos estudiados;
 2 sustratos. Oblea CZ tipo n (marca Addison) 300 ± 25 µm, <100>,
3-10 Ω-cm, 2”.
 2 sustratos. Oblea CZ tipo p (marca Addison) 300 ± 25 µm, <100>,
3-10 Ω-cm, 2”.
 2 sustratos. Oblea FZ tipo n (marca Topsil) 260-300 µm, <100>,
1-5 Ω-cm de 4”.
 2 sustratos. Oblea FZ tipo p (marca Topsil) 255-305 µm, <100>,
1-5 Ω-cm de 4”.
Limpieza inicial.
Los sustratos se limpiaron usando Tricloroetileno seguido de acetona
ambos por 10 minutos en vibrador ultrasónico. Luego se realizó texturizado
húmedo con hidróxido de sodio / alcohol isopropílico / agua deionizada
(KOH/IPA/Di) [16]. Después del proceso de texturizado se grabó el óxido
nativo sumergiendo las 8 muestras en vaso con ácido fluorhídrico (HF) al 5%
durante un tiempo de 30 a 35 segundos a temperatura ambiente. Se secaron
las muestras en flujo de Nitrógeno, no se enjuagaron con agua Di.
Condiciones de depósito
En la Tabla 4.1 se especifican las condiciones de depósito de películas
pasivantes, las cuales pueden proveer tiempos de vida de 1.156 ms, éstas
fueron tomadas de un trabajo previo realizado en el INAOE [13].
28
Tabla 4.1. Condiciones de depósito con película de carburo de silicio
amorfo (a-SiC:H) y silicio amorfo (a-Si:H) intrínseco: (a) superficie plana.
(b) Superficie texturizada.
SiH₄ al
Película CH4 Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara 10% en H₂ Temp.⁰C
depositada (mTorr) (W) (s) (nm)
sccm
a-SiC:H 60 5 0.75 5 30 3
PL2 160
(i) a-Si:H 10 - 0.55 3 900 74.7
(a)
SiH₄ al 10%
Película CH4 Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara en H₂ Temp.⁰C
depositada (mTorr) (W) (s) (nm)
Sccm
a-SiC:H 60 5 0.75 5 54 3
PL2 160
(i) a-Si:H 10 - 0.55 4 1620 74.7
(b)
Resultados proceso No. 1

Existen aproximaciones para estimar los tiempos de vida dependiendo
de la forma en que el exceso de portadores (electrón-hueco) son generados
en el semiconductor. La técnica más extendida se basa en el estudio de
transitorios de fotoconductancia, método propuesto originalmente por R. A.
Sinton y A. Cuevas [21]. Esta técnica es un método de medición sin contactos,
y se realizó en el equipo comercial WCT-120 de Sinton Instruments. Durante
el proceso de medición una densidad de portadores se generó a través de la
oblea iluminándola con un pulso de luz, el cambio resultante de conductividad
se midió sin contactos con una bobina inductiva y una fuente RF contenida en
la base del equipo. Los datos introducidos en software del equipo se muestran
en la tabla 4.2.
Tabla 4.2 Datos introducidos en el software del equipo WCT-120 (Sinton)
para sustratos con dopado tipo n.
concentración
Espesor Resistividad Tipo de constante
de donadores Modo de Análisis
(cm) (Ω-cm) dopado óptica
y/o aceptores
0.028 3.0 N 0.7 1.0E+15 Generalizado 1/64
29
Los resultados arrojados por el software son mostrados en la figura 4.2. Donde
se observa el comportamiento de los tiempos de vida de los portadores
minoritarios teniendo su valor máximo en una densidad de portadores igual a
1.00E+15 cmˉ³ y un tiempo de vida de 717.53µs. Para los sustratos con
dopado tipo p los datos introducidos en el software del equipo son mostrados
en la tabla 4.3.
Figura 4.2. Resultados entregados por el software para la medición de

tiempos de vida en la muestra FZ tipo n con superficie texturizada.
Tabla 4.3 Datos introducidos en el software del equipo WCT-120 (Sinton)

para sustratos con dopado tipo p.
concentración
Espesor Resistividad Tipo de constante
de donadores Modo de Análisis
(cm) (Ω-cm) dopado óptica
y/o aceptores
0.028 3.0 P 0.7 1.0E+14 Generalizado 1/64
30
En la Tabla 4.4. Se muestran los resultados de los tiempos de vida medidos
en las 8 muestras.
Tabla 4.4. Resultados tiempos de vida medidos en las 8 muestras.

Tipo de oblea Tiempo de vida (µs) Voc (V)
A. CZ tipo n (Plana) 68.82 0.576
B. CZ tipo p (Plana) 126.98 0.605
C. FZ tipo n (Plana) 510.23 0.649
D. FZ tipo p (Plana) 427.98 0.668
E. CZ tipo n (Texturizada) 464.6 0.648
F. CZ tipo p (Texturizada) 546.46 0.665
G. FZ tipo n (Texturizada) 717.53 0.677
H. FZ tipo p (Texturizada) 497.76 0.682
Se observó que la muestra G. FZ tipo n (superficie texturizada) es la que

entregó mayor tiempo de vida (717.53µs), lo que demuestra una menor
recombinación de portadores dentro del sustrato y por esta razón se usó este
tipo de sustrato y estas películas pasivantes (a-SiC:H y (i) a-Si:H) en los dos
siguientes procesos de este trabajo.
4.2 Estudio de 5 niveles de dopado de la película de silicio

amorfo hidrogenado tipo p que actúa como emisor.
Proceso No.2.
En este proceso se fabricó una estructura básica de una celda solar HIT
(figura 4.3), en la cual se utilizó el depositó de la película pasivante de carburo
de silicio amorfo y silicio amorfo hidrogenado intrínseco usado en el proceso
No.1, éstos sobre sustratos de silicio cristalino (c-Si) FZ dopado tipo n con
superficie texturizada y con superficie plana. Se realizó un estudio del efecto
con diferente nivel de dopado de la película de silicio amorfo hidrogenado (a-
Si:H) dopada tipo p que hace la función de emisor, finalmente Se utilizó una
31
película de ITO optimizada previamente en el laboratorio de microelectrónica
del INAOE [22].
Figura 4.3 Estructura celda solar HIT básica fabricada en este proceso 2.
Antes de fabricar las celdas solares se depositó ITO en dos pilotos uno de
vidrio Corning 2947 de 25x75 y otro de silicio cristalino FZ 4”, tipo “n” (marca
Topsil) 260-300 µm, <100>, 1-5 Ω-cm y sobre ellos se midió la resistencia de
hoja y el escalón de la película depositada. Las películas de ITO fueron
depositadas en el equipo ATC Orion Sputtering System of AJA International
Inc. Las condiciones de depósito están en la tabla 4.5 [22]. Estos pilotos se
limpiaron en Tricloroetileno seguido de acetona ambos por 10 minutos en
vibrador ultrasónico, se enjuagaron con agua DI y secado en centrifugadora.
Tabla 4.5. Condiciones de depósito película ITO

Presión Potencia Temperatura Flujo (sccm) Tiempo Espesor
Fuente
(mTorr) (W) cámara (⁰C) Ar (min) (nm)
RF 6 150 175 9 16 80
Luego de ser depositado el ITO en los pilotos se midió la resistencia de hoja

con el método de cuatro puntas, los resultados se observan en la tabla 4.6.
Estos resultados son valores de voltaje que se midieron sobre la película de
ITO depositada en 15 partes diferentes de la muestra, con un valor de corriente
constante de 0.4532mA, luego se calculó el valor promedio del voltaje medido
32
y finalmente con la ecuación (4.1) se calculó la resistencia por cuadro de la
película de ITO, siendo estos valores de 66.44 Ω- por cuadro para la película
depositada en sustrato de silicio cristalino dopado tipo n y de 118.88 Ω por
cuadro para la película depositada en la muestra de Corning 2947.
𝑉
𝑅□ = 4.532 (4.1)
𝐼𝑠𝑐𝑟
La resistividad (ρ) se obtuvo usando la ecuación 4.2 donde se observa que la

resistencia por cuadro se multiplica el espesor de la película depositada (t), y
en este caso t es igual a 80 nm, obteniendo una resistividad de 0.531 mΩ-cm
para la película depositada en sustrato de silicio cristalino dopado tipo n. En
este trabajo se fabricaron y analizaron celdas con área de 1cm², usando la
ecuación 4.3 se observa que (l) es la longitud o espesor de la película de 80
nanómetros y (s) es el área transversal de la película de 1cm² donde se
demuestra que estas películas de ITO son altamente conductivas y poco
resistivas arrojando un resultado de resistencia igual a 42.5216 pΩ.
𝜌 = 𝑡 . 𝑅□ (4.2)
𝑙
𝑅=𝜌 (4.3)
𝑠
Tabla 4.6. Mediciones con método cuatro puntas y cálculo de la R□.

Iscr = 0.4532 V (mV) Promedio R□(Ω.□)
(mA)
6.4 6.3 6.7 6.5 6.6 6.9 6.3 6.6
C-Si FZ tipo n 6.644 66.44
6.8 6.9 6.3 6.7 6.8 6.9 7.0
10.6 9.9 9.9 10.2 10.5 11.8 11.6 11.8
Corning 2947 11.888 118.88
11.7 11.4 13.3 13.6 14.5 14.0 13.6
Se midió la transmitancia en comparación con un vidrio sin depósito de ITO la,

(Corning 2947) previamente limpiado de la misma forma al que lleva la película
de ITO. Ésta se ilustra en la figura 4.4 y arrojó una transmitancia de 82.2%,
33
esta medida se toma comparando el promedio del área bajo las curvas a lo
largo del espectro comprendido entre 200 y 900 nanómetros de longitud de
onda.
1.0
0.9
0.8
0.7
Transmitancia
0.6
0.5
ITO
0.4 Corning 2947
0.3 Transmitancia
82.2%
0.2
0.1
0.0
200 300 400 500 600 700 800 900
Longitud de onda (nm)
Figura 4.4. Transmitancia 82.2%, película de ITO con espesor de 80nm.
Una vez que tenemos una película de ITO con alta conductividad y una
excelente transmitancia, se fabricaron las celdas solares con estructura básica
mostrada en la figura 4.3. Las condiciones de pasivación son las mismas de la
tabla 4.1 (a) para superficie plana y (b) para superficie texturizada. En la
fabricación de estas celdas se usaron 10 sustratos de silicio FZ 4”, tipo “n”
(marca Topsil) espesor 260-300 µm, <100> y resistividad de 1-5 Ω-cm. Se
limpiaron en tricloroetileno seguido de acetona ambos por 10 minutos en
vibrador ultrasónico, no se enjuagaron en agua DI y se secaron en flujo de
nitrógeno. La mitad de estos sustratos (5) se texturizaron por vía húmeda con
hidróxido de sodio / alcohol isopropílico / agua deionizada (KOH/IPA/Di) [16].
Después del proceso de texturizado se grabó el óxido nativo sumergiendo las
10 muestras en vaso con ácido fluorhídrico (HF) al 5% durante un tiempo de
30 a 35 segundos a temperatura ambiente. Enseguida se secaron las
muestras en flujo de Nitrógeno, las muestras no se enjuagaron con agua Di.
La tabla 4.7 parte (a) se muestra las condiciones de depósito de las películas
pasivantes de: carburo de silicio amorfo hidrogenado (a-SiC:H) con tiempo de
34
depósito de 30 segundos para obtener un espesor de 3 nanómetros y las del
silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) intrínseco, este con un tiempo de depósito
de 900 segundos para obtener un espesor de 74.7 nanómetros para las
muestras con superficie plana. En la parte (b) de la tabla se muestran las
condiciones de depósito para obtener a-si:H con espesor de 3 nm y la de
74.7 nm de a-Si:H en superficie texturizada. Finalmente, en la parte (c) se
muestran las condiciones de depósito de las película de silicio amorfo
hidrogenado (a-Si:H) dopado tipo p que cumplen la función de emisor en una
celda solar, cada película fue depositada en una muestra con superficie plana
y una con superficie texturizada. Para las muestras con superficie plana la
película amorfa tipo p tiene un espesor de 30nm y para las muestras con
superficie texturizada un espesor de 17nm. Cabe hacer notar que se
estudiaron 5 razones de flujo de diborano/silano.
Tabla 4.7. Condiciones de depósito películas (a) pasivante con superficies

Planas, (b) pasivante con superficies texturizadas y (c) 5 diferentes dopados
película a-Si:H dopado tipo p que cumple la función de emisor.
SiH₄ al
Película CH4 Presión Potencia Tiempo Espesor Temp.
Cámara 10% en H₂
depositada (mTorr) (W) (s) (nm) ⁰C
sccm
a-SiC:H 60 5 750 5 30 3
PL2 160
(i) a-Si:H 10 - 550 4 900 74.7
(a)
SiH₄ al
Película CH4 Presión Potencia Tiempo Espesor Temp.
Cámara 10% en H₂
depositada (mTorr) (W) (s) (nm) ⁰C
sccm
a-SiC:H 60 5 750 5 54 3
PL2 160
(i) a-Si:H 10 - 550 4 1620 74.7
(b)
SiH₄ al B₂H₆ al
Muestra Presión Potencia Temp. Tiempo
Cámara 10 % en 1% en B₂H₆/SiH₄
No. (mTorr) (W) ⁰C (s)
H₂ H₂
1 0.1 5.00E-3
2 0.3 1.50E-2
3 PL2 550 3 180 °C 360 20 5 2.50E-1
4 10 5.00E-1
5 20 1.00
(c)
35
Se midieron las curvas corriente (I) vs voltaje (V) bajo radiación AM 1.5
de potencia 100mW/cm², en los 10 sustratos con superficie plana y superficie
texturizada con celdas solares HIT fabricadas. Estos resultados son mostrados
en la tabla 4.8, donde de cada sustrato se obtuvieron entre 3 y 4 celdas de
1cm². En esta tabla se muestran los valores de Isc, Voc, ƞ y F.F en función de
las razones de flujo de B₂H₆/SiH₄ que se usaron para depositar la película de
a-Si:H dopada tipo p y que es el emisor en la celda solar HIT. Se observó que
las celdas con condiciones de dopado No.2 de la tabla 4.8 (b)y con superficie
texturizada mostraron mejores características eléctricas, como un mayor
voltaje de circuito abierto Voc de 0.65V, mayor corriente de corto circuito Isc de
6.66mA, un factor de llenado F.F. de 45.6% y una eficiencia ƞ de 1.8%.
También se observó que a un mayor nivel de dopado la corriente de corto
circuito disminuye debido a que altos niveles de dopado generan un mayor
número de defectos.
La figura 4.5 muestra las curvas corriente vs voltaje correspondiente a 5

diferentes procesos de celdas solares HIT. En esta figura 4.5 se puede
observar variaciones de Voc y de Isc en las celdas solares de un mismo
sustrato, podemos suponer que es producto de diferentes factores. En esta
figura se observa un comportamiento de resistencia en serie muy altas y
resistencia en paralelo muy bajas.
36
Tabla 4.8. Resultados eléctricos de 5 diferentes procesos de celdas
solares HIT con 5 diferentes Niveles de dopado de (B₂H₆/SiH₄) de la película
de a-Si:H tipo p. (a) 5E-04, (b) 1.5E-03, (c) 2.5E-02, (d) 5E-02 y (e) 1E-01.
Relación de dopado No.1 (B₂H₆/SiH₄) = 5E-04
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda 2 Celda1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.20 0.15 0.10 0.10 0.05 0.10
Isc (mA) 3.32 2.80 1.99 2.04 1.14 1.61
F.F. (%) 16.7 20.8 23.9 24.8 19.4 19.4
ƞ (%) 0.11 0.09 0.05 0.05 0.01 0.01
(a)
Relación de dopado No.2 (B₂H₆/SiH₄) = 1.5E-03
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda 2 Celda3 Celda 4 Celda1 Celda 2 Celda 3
Voc (V) 0.65 0.60 0.65 0.65 0.65 0.60 0.65
Isc (mA) 6.26 5.26 5.97 5.82 6.66 3.86 2.56
F.F. (%) 43.5 43.1 45.3 42.4 42.4 45.6 46.4
ƞ (%) 1.77 1.36 1.76 1.68 1.84 1.06 77.2
(b)
Relación de dopado No.3 (B₂H₆/SiH₄) = 2.5E-02
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.45 0.40 0.35 0.35 0.40
Isc (mA) 5.23 3.60 3.60 3.25 3.46
F.F. (%) 0.40 34.5 30.5 41.6 37.2
ƞ (%) 0.72 0.50 0.51 0.47 0.52
(c)
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.50 0.40 0.40 0.40 0.40
Isc (mA) 2.55 4.33 4.22 4.46 4.00
F.F. (%) 28.0 37.7 35.8 35.1 37.9
ƞ (%) 0.36 0.65 0.60 0.63 0.61
(d)
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda 2 Celda1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.60 0.55 0.55 0.65 0.65 0.65
Isc (mA) 2.32 2.22 2.78 2.79 2.79 2.77
F.F. (%) 51.6 45.7 48.8 54.5 55.2 59.4
ƞ (%) 0.72 0.56 0.75 0.99 1.00 1.07
(e)
37
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0.0 0.0
-500.0µ -1.0m
-1.0m -2.0m
Corriente (A)
Corriente (A)
-1.5m
-3.0m
-2.0m CeldaNo.1Plana
CeldaNo.1Plana -4.0m
CeldaNo.2Plana
-2.5m CeldaNo.2plana
CeldaNo.3Plana
CeldaNo.3Plana -5.0m
CeldaNo.1Txt.
CeldaNo.2Txt.
CeldaNo.1Txt. -6.0m CeldaNo.3Txt
-3.5m CeldaNo.2Txt.
CeldaNo.4Txt
-7.0m
Voltaje (V) Voltaje (V)
(a) (b)
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
0.0 0.0
-500.0µ
-1.0m
-1.0m
-2.0m
-1.5m
Corriente (A)
Corriente (A)
-3.0m -2.0m
-4.0m -2.5m
CeldaNo.1Plana
CeldaNo.2Plana -3.0m CeldaNo.1Plana
CeldaNo.3Plana
-3.5m
CeldaNo.4Plana CeldaNo.3Plana
-6.0m CeldaNo.1Txt. CeldaNo.4Plana
-4.0m
CeldaNo.2Txt. CeldaNo.1Txt.
-7.0m -4.5m
(c) (d)
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0.0
CeldaNo.1Plana
-500.0µ CeldaNo.2Plana
CeldaNo.3Plana
CeldaNo.4Plana
-1.0m
CeldaNo.1Txt.
Corriente (A)
CeldaNo.2Txt.
-1.5m
-2.0m
-2.5m
-3.0m
Voltaje (V)
(e)
Figura 4.5. Curvas corriente vs Voltaje de 5 diferentes proceso de celdas solares
HIT con 5 diferentes niveles de dopado de la película de a-Si:H tipo p (emisor).
(a) B₂H₆/SiH₄ = 5E-04, (b) B₂H₆/SiH₄ = 1.5E-03, (c) B₂H₆/SiH₄ = 2.5E-02, (d) B₂H₆/SiH₄
= 5E-02 y (e) B₂H₆/SiH₄ = 1E-01.
38
4.3 Fabricación de una celda solar HIT variando los
contactos metálicos con aluminio (Al) y plata (Ag).
Proceso No.3
En este proceso se buscó mejorar la corriente de corto circuito Isc y el
factor de llenado F.F de las celdas HIT fabricadas en el proceso No.2 con
superficie plana y superficie texturizada. Para esto se fabricaron con los
contactos superior e inferior en aluminio (Al) y en plata (Ag), además al final
del proceso se realizó un tratamiento térmico en horno convencional a 150⁰C
por 20 min en ambiente (sin gases) [23], esto con el fin de mejorar la variación
en las condiciones eléctricas como el factor de llenado y lograr sea homogéneo
en todo el sustrato con celdas solares.
Se fabricaron las celdas solares con la estructura mostrada en la figura 4.6.

Las condiciones de las películas pasivantes son las mismas de la tabla
4.1 (a) para superficie plana y (b) para superficie texturizada. En la fabricación
de estas celdas se usaron 4 sustratos de silicio FZ 4”, tipo “n” (marca Topsil)
260-300 µm, <100> y resistividad de 1-5 Ω-cm. La limpieza fue de
tricloroetileno seguido de acetona ambos por 10 minutos en vibrador
ultrasónico, no se enjuagaron con agua DI y el secado fue con nitrógeno. Se
texturizaron 2 de los sustratos por vía húmeda con hidróxido de sodio / alcohol
isopropílico / agua deionizada (KOH/IPA/Di) [16]. Después del proceso de
texturizado se grabó el óxido nativo sumergiendo los 4 sustratos en vaso con
ácido fluorhídrico (HF) al 5% durante un tiempo de 30 a 35 segundos a
temperatura ambiente, enseguida se secaron las muestras en flujo de
Nitrógeno. La tabla 4.9 muestra las condiciones de depósito de las películas
pasivantes de a-SiC:H, la de a-Si:H intrínseco y de la película de a-Si:H dopada
tipo p en (a) superficies planas y (b)superficies texturizadas. En ésta se
observa que las películas pasivantes son las mismas explicadas y usadas en
39
el proceso No.2 tabla 4.7. Finalizando el proceso con un tratamiento térmico
en horno convencional a 150 grados centígrados por 20 minutos.
Figura 4.6. Celda solar HIT básica fabricada en el proceso No.3 con
contactos en aluminio o plata, en superficie plana y superficie texturizada.
Tabla 4.9 Condiciones de depósito películas pasivantes y de a-Si:H

dopada tipo p ((p) a-Si:H). (a) Superficie plana y (b) superficie texturizada
SiH₄ al B₂H₆
Película 10% CH4 a 1% Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara Temp.⁰C
depositada en H₂ en H₂ (mTorr) (W) (s) (nm)
Sccm
a-SiC:H 60 5 750 5 30 3
- 160
PL2 (i) a-Si:H 10 - 550 4 900 74.7
(p) a-Si:H 20 - 0.3 550 4 360 30 180
(a)
SiH₄ al B₂H₆
Película 10% CH4 a 1% Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara Temp.⁰C
depositada en H₂ en H₂ (mTorr) (W) (s) (nm)
Sccm
a-SiC:H 60 5 750 5 54 3
- 160
PL2 (i) a-Si:H 10 - 550 4 1620 74.7
(p) a-Si:H 20 - 0.3 550 4 360 17 180
(b)
Resultados proceso No.3.

(100mW/cm²), en las celdas solares HIT fabricadas con contactos metálicos
de aluminio y de plata. Estos resultados son mostrados en la tabla 4.10 donde
40
de cada muestra se obtuvieron 4 celdas solares HIT de 1cm².
Tabla 4.10. Resultados obtenidos proceso No.3 con contactos metálicos de

(a) aluminio (Al) y (b) Plata (Ag).
Contactos metálicos de aluminio (Al).
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda 2 Celda3 Celda 4 Celda1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.46 0.46 0.36 0.46 0.48 0.48 0.48 0.48
Isc (mA) 6.35 6.41 6.18 6.59 4.77 4.70 4.74 4.61
F.F. (%) 47.0 49.9 38.3 49.6 51.8 50.6 50.4 49.9
ƞ (%) 1.37 1.47 0.85 1.50 1.19 1.14 1.15 1.11
(a)
Contactos metálicos de Plata (Ag).
Superficie
Texturizada Plana
Celda1 Celda 2 Celda3 Celda 4 Celda
Voc (V) 0.46 0.44 0.46 0.48
No se obtuvieron resultados por falta de
Isc (mA) 6.52 6.59 6.59 6.63
adherencia de la Ag sobre la película de
F.F. (%) 48.4 47.3 14.5 17.9
ITO
ƞ (%) 1.452 1.372 0.48 0.563
(b)
Las celdas con superficie plana y contactos de plata depositados con la

evaporadora mostraron problemas de adherencia con la película de ITO por
esta razón no tienen mediciones. Comparando los resultados obtenidos en la
tabla 4.10 (a) con los obtenidos en la tabla 4.8. Se observa que el Voc
disminuyó de 0.65V a 0.48V, la Isc se mantuvo constante, el F.F aumentó de
45% a 52% y la eficiencia disminuyó por el bajo Voc. Además, comparando la
figura 4.7 con la figura 4.5 (B), se observa que existe disminución en la
resistencia serie y aumento en la resistencia Shunt en celdas con contactos
de plata. No obstante, los bajos valores de Isc y los altos valores de Rs nos
indican que las capas pasivadoras están limitando el funcionamiento de las
celdas que hemos fabricado.
41
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0 0.0
CeldaNo.1Plana CeldaNo.1Text
-1.0m CeldaNo.2Plana -1.0m CeldaNo.2Text
CeldaNo.3Plana CeldaNo.3Text
-2.0m CeldaNo.4Plana -2.0m CeldaNo.4Text
CeldaNo.1Text.
Corriente (A)
Corriente (A)
-3.0m CeldaNo.2Text. -3.0m
CeldaNo.3Text.
-4.0m CeldaNo.4Text. -4.0m
-5.0m -5.0m
-6.0m -6.0m
-7.0m -7.0m
(a) (b)
Figura 4.7. Curvas corriente vs Voltaje proceso No.3 (a) Contactos en aluminio (Al)
(b) Contactos en plata (Ag).
4.4 Fabricación celda solar HIT desde estructura básica

hasta estructura más completa fabricada y reportada por la
empresa Panasonic.
Proceso No.4
La búsqueda en aumentar la Isc, Voc, F.F y la ƞ de las celdas fabricadas
en los procesos anteriores, llevó a la determinación de hacer un cambio en la
estructura de la celda y se optó por hacer un estudio: primero; estructuras de
celdas HIT ya reportadas como lo son las fabricadas por la empresa Sanyo
ahora Panasonic [12], al igual que la universidad de Delft en Holanda [24].
Segundo; analizar las condiciones de depósito de las películas de silicio
amorfo hidrogenado intrínseco, dopado tipo p y dopado tipo n depositados en
trabajos previamente realizados en el laboratorio de microelectrónica del
INAOE, ya que estructuras más complejas ocupan tanto las película de a-Si:H
dopada tipo p como dopada tipo n [25], [26]. Como punto más importante, del
análisis de las estructuras reportadas, encontramos que el grosor de nuestras
capas pasivantes son mucho mayores a los usados en las celdas HIT de
Sanyo y Delft.
42
Las condiciones de depósito de las películas de silicio amorfo hidrogenado
intrínseco, dopado tipo p y dopado tipo n se muestran en la tabla 4.11, donde
se puede observar las nuevas condiciones de depósito de la película pasivante
solo se usa una película de a-Si:H intrínseco, ésta se deposita en la cámara
PL4 porque no está contaminada con carburo y su espesor esperado es de 6
nanómetros. Las condiciones de depósito de la película dopada tipo p son las
previamente usadas en este trabajo. Además de que se agrega una película
dopada tipo n como película de campo posterior.
Tabla 4.11. Condiciones de depósito películas, (a) intrínseca ((i) a-Si:H),

(b) dopada tipo p ((p) a-Si:H), y (c) dopada tipo n ((n) a-Si:H) [27].
Tipo de SiH₄ al 10% H₂ Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara Temp.⁰C
película (mTorr) (W) (s) (nm)
Sccm
PL4 (i) a-Si:H 10 0.55 3 100 6 160
(a)
B₂H₆ al
SiH₄ al
Tipo de 1% en Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara 10% H₂ Temp.⁰C
película H₂ (mTorr) (W) (s) (nm)
Sccm
PL2 (p)a-Si:H 30 0.3 0.69 3 120 6 160
(b)
SiH₄ al
Tipo de PH₃ Presión Potencia Tiempo Espesor
Sccm
PL7 (n)a-Si:H 30 0.3 0.69 3 230 6 160
(c)
La figura 4.8 muestra 4 estructuras de celdas solares HIT: No.1 se llamó celda
solar HIT básica, No.2 es una celda solar básica con campo posterior (BSF,
Back Surface Field) el cual se genera depositando una película de silicio
amorfo hidrogenado dopado tipo n. En la No.3 se pasiva la unión posterior
entre la película de silicio amorfo hidrogenado tipo n y el sustrato de silicio
cristalino, depositando una capa de silicio amorfo hidrogenado intrínseco. En
la No.4 una celda solar llamada HIT completa, se encapsularon ambas
superficies de la celda solar con ITO como oxido transparente conductor
43
(TCO), esto con el fin de proteger las películas amorfas de ambas superficies
y como película anti-reflejante. En la tabla 4.12 se muestran las condiciones
de depósito de la película de ITO. En la parte superior de la celda el TCO tiene
un espesor de 80nm y la parte posterior un espesor de 50nm. Estas películas
de ITO fueron depositadas en el equipo ATC Orion Sputtering System of AJA
International Inc.
(a) (b)
(c) (d)
Figura 4.8 Estructuras celdas HIT fabricadas en el proceso No.4
(a) Estructura No.1 celda solar HIT básica, (b) Estructura No.2 celda solar
HIT con campo posterior, (c) Estructura No.3 celda solar HIT con campo
posterior y película pasivante y (d) Estructura No.4 celda solar HIT completa.
Tabla 4.12. Condiciones de depósito de las películas de ITO. (a) 80nm

parte superior y (b) 50nm parte posterior. [22]
44
Fuente
RF 6 150 175 9 16 80
(a)
Fuente
RF 6 150 175 9 10 50
(b)
En la fabricación de estas celdas se usaron 4 sustratos de silicio FZ 4”, tipo “n”

(marca Topsil) 260-300 µm, <100> y resistividad de 1-5 Ω-cm. Se limpiaron
con tricloroetileno seguido de acetona ambos por 10 minutos en vibrador
ultrasónico, se enjuagaron con agua DI y secaron en centrifugadora. Se
texturizaron las obleas por vía húmeda con hidróxido de sodio / alcohol
isopropílico / agua deionizada (KOH/IPA/Di) [16]. Después del proceso de
texturizado se grabó el óxido nativo sumergiéndolas en ácido fluorhídrico (HF)
al 5% durante un tiempo de 30 a 35 segundos a temperatura ambiente.
de potencia 100mW/cm² en las 4 obleas, donde se obtuvieron entre 3 y 7
celdas solares de 1cm² por oblea. Los resultados son mostrados en la tabla
4.13, todas las celdas solares fabricadas en este proceso tienen superficie
texturizada, Además la figura 4.9 muestra las curvas corriente vs voltaje.
45
Tabla 4.13. Mediciones obtenidas en simulador solar proceso No.4.
Estructura No.1.
Celda 1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.42 0.42 0.42 0.40
Isc (mA) 37.16 24.79 36.98 30.98
F.F. (%) 36.9 35.6 36.4 30.3
ƞ (%) 5.76 3.70 5.65 3.75
Estructura No.2.
Celda 1 Celda 2 Celda 3
Voc (V) 0.44 0.48 0.50
Isc (mA) 36.58 37.14 35.72
F.F. (%) 36.5 35.7 45.4
ƞ (%) 5.87 6.37 8.11
Estructura No.3.
Celda 1 Celda 2 Celda 3 Celda 4 Celda 5 Celda 6 Celda 7
Voc (V) 0.48 0.46 0.48 0.46 0.44 0.42 0.46
Isc (mA) 41.79 38.79 43.22 41.70 41.99 39.88 39.22
F.F. (%) 31.7 36.4 44.3 40.0 42.2 36.4 35.9
ƞ (%) 6.36 6.50 9.20 7.68 7.80 6.10 6.48
Estructura No.4.
Celda 1 Celda 2 Celda 3 Celda 4
Voc (V) 0.48 0.46 0.46 0.48
Isc (mA) 44.89 43.01 41.30 40.62
F.F. (%) 44.8 43.3 41.7 41.7
ƞ (%) 9.65 8.57 7.91 8.14
46
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
0.0 0.0
-5.0m -5.0m
-10.0m -10.0m
-15.0m -15.0m
Corriente (A)
Corriente (A)
-20.0m -20.0m
-25.0m -25.0m
-30.0m CeldaNo.1.Txt -30.0m

CeldaNo.2.Txt CeldaNo.1Txt.
-35.0m CeldaNo.3.Txt -35.0m CeldaNo.2Txt.
CeldaNo.4.Txt CeldaNo.3Txt.
-40.0m -40.0m
(a) (b)
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
0.0 0.0
CeldaNo.1.Txt. -5.0m
-5.0m
CeldaNo.2.Txt.
-10.0m CeldaNo.3.Txt. -10.0m
-15.0m CeldaNo.5.Txt.
Corriente (A)
Corriente (A)
-20.0m
-25.0m
-30.0m
-30.0m
-35.0m
CeldaNo.1.Txt.
-35.0m -40.0m CeldaNo.2.Txt.
-40.0m -45.0m CeldaNo.3.Txt.
CeldaNo.4.Txt.
-45.0m -50.0m
(c) (d)
Figura 4.9. Curvas corriente Vs voltaje proceso No.4 (a) Estructura No.1, (b)
Estructura No.2, (c) Estructura No.3 y (d) Estructura No.4.
En este proceso No.4 se observó en comparación con las celdas solares HIT
básica trabajada en el proceso No.3 un aumento de la corriente de corto
circuito (Isc) de 6.595mA a 37.16mA, en la eficiencia (ƞ) de 1.504% a 5.755%
y disminución del voltaje de circuito abierto (Voc) de 0.46V a 0.42V y del factor
de llenado (F.F) de 0.5% a 0.37%. Además, una estructura de celda solar HIT
completa presenta los mejores resultados en Isc de 44.89mA y ƞ de 9.652%.
También se puede observar que el Voc sigue siendo bajo debido a
posiblemente dos razones: la recombinación de los portadores generados
entre la película dopada tipo p y el sustrato de silicio cristalino por la delgada
capa intrínseca que representa una muy mala pasivación y por una mala
limpieza. Pero en general se cumple el objetivo de tener una eficiencia alta.
47
4.5 Caracterización de un proceso de limpieza para
estandarizar la fabricación de una celda solar HIT completa.
Proceso No.5
Se ha observado la importancia del tipo de limpieza usado en la
fabricación de celdas solares para mejorar la pasivación y, con ello, generar
un aumento en el Voc. Así que es necesario realizar un estudio del tipo de
limpieza y su efecto en el funcionamiento de las celdas HIT. Para este proceso
No.5 se nombraron y definieron 5 diferentes condiciones para así finalmente
hacer 8 tipos de limpiezas, estas condiciones se describen en la tabla 4.14. La
tabla 4.15 enumera las 8 diferentes limpiezas formadas de combinar las cinco
condiciones definidas.
Tabla 4.14 Diferentes condiciones para formar una limpieza.

Nombre Definición
HNO₃ Ciclo de oxidación con ácido nítrico (HNO₃) y grabado del
óxido con HF(0.55%) o HF(buffer). Consiste en sumergir las
muestras 10 minutos en (HNO₃) a temperatura ambiente,
luego 10 minutos en solución de HNO₃ 30% / agua DI 70%
en parrilla a 80⁰C y posteriormente, grabado del óxido [28].
En esta referencia lo llaman un ciclo NAOC, lo repiten 3
veces para sustratos con superficie texturizada y una sola
vez para sustratos con superficie plana.
HF(0.55%) Solución 1:0,55 de ácido fluorhídrico (HF) para el grabado
del óxido nativo y del óxido con HNO₃.
HF(buffer) Solución de fluoruro de amonio (NH₄F), agua deionizada (DI)
y ácido fluorhídrico (HF) para el grabado del óxido nativo y
del óxido con HNO₃.
DI Las muestras se enjuagan en agua deionizada y se secan
en centrifugadora.
N₂ Las muestras no se enjuagan en agua deionizada y se secan
bajo flujo de aire de nitrógeno.
48
Tabla 4.15 Tipos de limpiezas realizadas y definidas en el proceso No. 5
Limpieza
Número Nombre
1 HNO₃ + HF(0.55%) + N₂
2 HNO₃ + HF(0.55%) + DI
3 HNO₃ + HF(buffer) + N₂
4 HNO₃ + HF(buffer) + DI
5 HF(0.55%) + N₂
6 HF(0.55%) + DI
7 HF(buffer) + N₂
8 HF(buffer) + DI
En este proceso se usaron 16 sustratos de silicio FZ 4”, tipo “n” (marca Topsil)
260-300 µm, <100> y resistividad de 1-5 Ω- cm. Se desengrasaron para ser
texturizados por vía húmeda con hidróxido de sodio / alcohol isopropílico /
agua deionizada (KOH/IPA/Di) [16]. Ocho de los sustratos se texturizaron
totalmente por ambas superficies y ocho se protegieron los contactos superior
e inferior para no ser texturizados, en la figura 4.10 se muestran las estructuras
de las celdas solares HIT fabricadas en este proceso. Las condiciones de
depósito para las películas amorfas de silicio (intrínseco, dopado tipo p y
dopado tipo n) son mostradas en la tabla 4.11 y las del depósito para la película
de ITO en la tabla 4.12.
(a) (b)
texturizadas y (b) Contacto superior y posterior con superficie plana.
49
de potencia 100mW/cm² en 12 muestras, donde se obtuvieron entre 1 y 4
celdas solares de 1cm² por muestra, algunas celdas no tienen medición por
mala adherencia del metal (Al) con el ITO. Los resultados son mostrados en la
tabla 4.16 correspondientes a una limpieza en sustrato con superficie
totalmente texturizada y sustrato con contacto de superficie plana, Además la
figura 4.11 muestra las curvas corriente vs voltaje.
Tabla 4.16. Datos medidos con el simulador solar proceso No.5 con 8 limpiezas.
Limpieza No.1. Limpieza No.2.
Celda
Celda
Superficie HNO₃ + HF(0.55%) + N₂ Superficie HNO₃ + HF(0.55%) + DI
Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%) Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
Totalmente 1 0.42 35.28 22.1 3.27 1 0.50 40.09 38.6 7.73
texturizada Totalmente
2 0.40 36.23 24.4 3.53 2 0.50 40.97 38.5 7.88
texturizada
1 0.48 41.70 28.1 5.63 3 0.50 39.69 39.8 7.91
Contacto
2 0.50 26.83 24.7 3.31 Contacto
plano 1 0.44 30.17 21.4 2.84
3 0.52 23.60 24.7 3.03 plano
Limpieza No.3. Limpieza No.4.
Celda
Celda
Superficie HNO₃ + HF(buffer) + N₂ Superficie HNO₃ + HF(buffer) + DI
Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%) Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
1 0.46 26.85 24.4 3.02 Totalmente 1 0.38 27.80 20.7 2.19
Totalmente 2 0.44 31.74 27.1 3.78 texturizada 2 0.38 30.60 20.6 2.40
texturizada 3 0.46 36.28 29.3 4.89 Contacto 1 0.44 32.63 24.4 3.51
4 0.46 37.43 33.7 5.81 plano 2 0.42 28.49 24.6 2.94
Contacto 1 0.38 0.16 15.9 0.01 Limpieza No.6.
Celda
plano 2 0.40 22.04 19.4 1.71 Superficie HF(0.55%) + DI

Limpieza No.5. Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
Celda
Superficie HF(0.55%) + N₂ 1 0.40 35.17 20.6 2.91

Totalmente
Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%) texturizada 2 0.36 35.33 20.3 2.59
1 0.34 2.89 17.1 1.68 3 0.36 34.25 21.5 2.65
Totalmente
2 0.36 2.89 15.6 1.62 Limpieza No.8.
Celda
texturizada
3 0.36 19.34 16.9 1.18 Superficie HF(buffer) + DI
Limpieza No.7. Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
Celda
Superficie HF(buffer) + N₂ 1 0.44 35.18 34.6 5.36

Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%) Totalmente 2 0.48 35.25 29.1 4.92
1 0.44 34.45 28.4 4.31 texturizada 3 0.44 33.04 28.2 4.09
Totalmente 2 0.44 36.13 30.0 4.78 4 0.42 36.05 30.7 4.64
texturizada Contacto
3 0.44 30.09 25.6 3.40 - No aplica en limpiezas 5,6,7y8
plano
50
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0 0.0
-5.0m -5.0m
-10.0m -10.0m
-15.0m -15.0m
Corriente (A)
Corriente (A)
-20.0m -20.0m
-25.0m -25.0m
-30.0m -30.0m
Superficies Superficies
-35.0m -35.0m
Celda1 Texturizadas. Celda1 Texturizadas.
-40.0m Celda2 Texturizadas. -40.0m Celda2 Texturizadas.
-45.0m -45.0m
Celda1 Contacto plano. Celda1 Contacto plano.
-50.0m -50.0m
(a) Limpieza No.1 (b) Limpieza No.2

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
0.0 0.0
-5.0m
-5.0m
-10.0m
-10.0m
-15.0m
Corriente (A)
Corriente (A) -15.0m

-20.0m
-25.0m Superficies -20.0m

Celda1 Texturizadas.
-30.0m Superficies
-25.0m Celda1 Texturizadas.
-30.0m Celda1 Contacto plano.
-40.0m Celda1 Contacto plano.
Celda1 Contacto plano.
Celda2 Contacto plano.
-45.0m -35.0m
(c) Limpieza No.3 (d) Limpieza No.4

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0 0.0
-5.0m -5.0m
-10.0m -10.0m
-15.0m
-15.0m Superficies
Corriente (A)
Superficies
Corriente(A)
-20.0m Limpieza 7
Limpieza No.5 -20.0m
Celda1 Texturizadas. -25.0m Celda2 Texturizadas.
-30.0m Celda2 Texturizadas. Celda3 Texturizadas.
Celda3 Texturizadas. -30.0m Limpieza 8
-35.0m
Limpieza No.6 Celda1 Texturizadas.
-40.0m -35.0m
-45.0m Celda2 Texturizadas. -40.0m Celda3 Texturizadas.
-50.0m -45.0m
(e) Limpiezas No.(5 y 6) (f) Limpiezas No.(7 y 8)

Figura 4.11. Curvas corriente vs voltaje (a) HNO₃+HF(0.55%)+N,
(b) HNO₃+HF(0.55%)+DI, (c) HNO₃+HF(buffer)+N₂, (d) HNO₃+HF(buffer)+DI,
(e) HF(0.55%)+N₂ y HF(0.55%)+DI, (f) HF(buffer)+N₂ y HF(buffer)+DI.
51
En este proceso No.5 se observó en comparación con celdas solares HIT
completa trabajada en el proceso No.4 una disminución en la eficiencia (ƞ) y
la corriente de corto circuito (Isc), por variación del tiempo de depósito en la
película de (a-Si:H) dopada tipo n de la celda solar HIT completa. Ésta se venía
trabajando con tiempos de 230 segundos para espesores de 10nm en
superficie plana y 6nm en superficie texturizada y en este proceso se fabricó
con un tiempo de 398 segundos para obtener un espesor de 10nm en
superficie texturizada e identificar si una pequeña variación en el espesor de
las películas del campo posterior intervenía en la eficiencia de la celda. El
espesor en superficie plana con este tiempo para esta película es de 18nm,
por esta razón los sustratos con contacto de superficie plana no entregaron
buenos resultados además de la mala adherencia del metal con la superficie
de ITO, dejando esta mala adherencia a los sustratos de contactos planos con
limpiezas 5, 6, 7 y 8 sin mediciones. Aun así, se observa el efecto del tipo de
limpieza en el funcionamiento de las celdas solares HIT completas. En la tabla
4.17 se muestran los diferentes resultados obtenidos, donde claramente la
limpieza No2 (HNO₃ + HF(0.55%) + DI) muestra un aumento de Voc a 0.5V
producto de una mejor pasivación.
4.6 Fabricación de una celda solar HIT completa con limpieza

de (HNO₃ + HF(0.55%) + DI), con superficies totalmente
texturizadas y superficies con contacto no texturizado.
Proceso No.6
El objetivo en este proceso No.6 fue demostrar la mejora que ejerce
limpieza No.2 (HNO₃ + HF(0.55%) + DI, mostrada en el proceso No.5) en el
funcionamiento de una celda HIT completa con superficies texturizadas y con
superficies de contactos no texturizados. Usando las condiciones del proceso
No.4 que mostraron mejores resultados de Isc y ƞ. Las estructuras de las
52
celdas solares HIT fabricadas se muestran nuevamente en la figura 4.12.
texturizadas y (b) Contacto superior y posterior con superficie plana.
Tabla 4.17 Condiciones de depósito películas, (a) intrínseca ((i) a-Si:H),

Cámara Temp.⁰C
película (mTorr) (W) (S) (nm)
Sccm
PL4 (i) a-Si:H 10 0.55 3 100 6 160
(a)
SiH₄
B₂H₆ al
al
Tipo de 1% en Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara 10% Temp.⁰C
película H₂ (mTorr) (W) (S) (nm)
H₂
Sccm
PL2 (p) a-Si:H 30 0.3 0.69 3 120 6 160
(b)
SiH₄ al
Tipo de 10% PH₃ Presión Potencia Tiempo Espesor
Cámara Temp.⁰C
película H₂ (mTorr) (W) (S) (nm)
Sccm
PL7 (n) a-Si:H 30 0.3 0.69 3 230 6 160
(c)
En la fabricación de este proceso No.6 se usaron 2 sustratos de silicio FZ 4”,

tipo “n” (marca Topsil) 260-300 µm, <100> y resistividad de 1-5 Ω- cm. Se
desengrasaron para ser texturizados por vía húmeda con hidróxido de
sodio / alcohol isopropílico / agua deionizada (KOH/IPA/Di) [16]. Un sustrato
se texturizó totalmente por ambas superficies figura 4.12 (a) y el otro se
protegió los contactos superior e inferior para no ser texturizados figura 4.12
53
(b), posteriormente se les hizo la limpieza No.2 (HNO₃ + HF(0.55%) + DI)
descrita en el proceso No.5. Las condiciones de depósito de las películas de
silicio amorfo hidrogenado ((a-Si:H) intrínseco, dopada tipo p y dopada tipo n
usadas en el proceso No.4) se muestran nuevamente en la tabla 4.17 y las
condiciones de depósito de las películas de ITO en la tabla No.4.18.
Tabla 4.18 Condiciones de depósito de las películas de ITO. (a) 80nm

parte superior y (b) 50nm parte posterior [22].
Fuente
RF 6 150 175 9 16 80
(a)
Fuente
RF 6 150 175 9 10 50
(b)

Se obtuvieron entre 2 y 3 celdas solares de 1cm² por sustrato (celda mostrada
en la figura 4.13). Se midieron las curvas I vs V bajo radiación AM 1.5
(100mW/cm²). Para mejorar la adherencia del contacto de Al con la película
de ITO superior e inferior, se hizo grabado en plasma de oxigeno por un minuto
antes del depositó del aluminio. Los resultados son mostrados en la tabla 4.19
y las curvas corriente vs voltaje en la figura 4.19 (a) correspondiente a
sustratos con superficies texturizadas y figura 4.19 (b) sustrato con contacto
de superficie plana.
Figura 4.13 Fotografía Celda solar HIT de 1cm² fabricada en este trabajo.
54
Tabla 4.19 Resultados obtenidos en el simulador solar, proceso No.6
sustratos con superficies texturizadas y superficies con contacto plano.
Superficies totalmente texturizadas
Celda Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
1 0.48 40.73 28.5 5.56
2 0.48 43.02 30.1 6.22
Superficies con contactos planos
Celda Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
4 0.54 43.14 39.4 9.17
5 0.54 42.99 41.8 9.71
6 0.52 45.19 0.45 10.50
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0
-5.0m
-10.0m
-15.0m
Corriente (A)
-20.0m
-25.0m
-30.0m
-35.0m
-40.0m Celda1
Celda2
-45.0m
Voltaje (V)
(a)
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0
-5.0m
-10.0m
-15.0m
Corriente(A)
-20.0m
-25.0m
-30.0m
-35.0m Celda1
-40.0m Celda2
Celda3
-45.0m
Voltaje (V)
(b)
Figura 4.14 curvas corriente vs voltaje celdas solares HIT completa
(a) Superficies texturizadas y (b) Contacto de superficies planas.
55
Comprobando los procesos No.6 y No.4 se observa un aumento de la corriente
de corto circuito Isc de hasta 45.19mA, valores que no se han reportado en
alguna referencia para este tipo de celda solar HIT. La eficiencia aumento de
9.652% a 10.502%, el factor de llenado F.F se mantuvo en el mismo valor de
44.7% aunque se observó disminución en las celdas con sustrato de superficie
totalmente texturizada que puede deberse a una capa delgada no visible de
resina que queda en superficies texturizadas la cual no se ha retirado
totalmente con el grabado en un minuto con plasma de oxígeno, dicha capa
podría ser un residuo del proceso de lift-off que se usa para depositar los
contactos metálicos. Se cumple el objetivo de demostrar la limpieza No.2
(HNO₃ + HF(0.55%) + DI) mejorando la pasivación, viéndose reflejada en el
aumento del voltaje de circuito abierto (Voc) de 0.48V a 0.52V y 0.54V.
56
Conclusiones.
Se midieron tiempos de vida de portadores minoritarios en distintos
sustratos, los mejores resultados se obtuvieron en el sustrato de silicio
cristalino FZ texturizado dopado tipo n, arrojando un tiempo de vida de
717.53µs, lo que es congruente con resultados anteriormente reportados. A
pesar de haber obtenido un buen resultado usando esta pasivación
((i) a-Si:H/a-SiC:H/c-Si) no fue posible su aplicación en la fabricación de
dispositivos fotovoltaicos, debido al superior espesor (>10nm) de la película
pasivante lo que imposibilita el efecto túnel.
Se llevó a cabo un estudio sobre la optimización de la eficiencia en función de

la pasivación en ambas caras de las obleas de silicio con películas de a-Si:H
intrínsecas, así como la formación de un campo posterior con el uso de una
película de a-Si:H tipo n. Así mismo se mejoró el comportamiento de las celdas
al texturizar selectivamente la cara superior (sin texturizar las partes en donde
van las líneas del contacto metálico), así como evitar el texturizado en la parte
posterior.
Se estudió el efecto que ejerce la limpieza y pasivación húmeda en la mejora

de los parámetros eléctricos, principalmente el aumento del voltaje de circuito
abierto (Voc). Se encontró que sólo con desengrasado a base de
Tricloroetileno (TCE) y acetona seguida de una pasivación húmeda a base de
oxidación con ácido nítrico y grabado con HF al 0.55%, se incrementa el Voc
de 0.48V a 0.54V.
Los objetivos planteados para este trabajo fueron cumplidos, en el sentido que:
Se logró la fabricación de celdas solares de heterounión HIT a base de silicio
cristalino (c-Si) tipo n y silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) dopado tipo p. con
eficiencias relativamente altas de hasta 10.5%, altas corrientes de 45.19 mA
57
valores no reportados en alguna referencia para este tipo de celda solar HIT,
además este trabajo es el primero en reportar la fabricación de estas celdas
en México. Adicionalmente la metodología aquí desarrollada es compatible
con la fabricación de celdas solares de área grande (4” y 2”).
58
Trabajo a futuro.
Con base en los resultados entregados en este trabajo, se propone un

estudio con diferentes espesores de la película de silicio amorfo hidrogenado
intrínseco, conservando las condiciones de depósito (espesores) de las demás
películas y así mejorar el bajo voltaje de circuito abierto. Además de hacer una
fuerte investigación en mejorar la resistencia serie y paralela, ya que a lo largo
de este trabajo éstas mostraron muy malos resultados con un bajo factor de
llenado. Otro punto importante es estudiar la adherencia de los contactos
metálicos de plata para así mejorar la resistencia serie. Finalmente, a la par
de mejorar la eficiencia de la celda solar, queda trabajar en las celdas de 2” y
4” descritas en el apéndice A y encaminarlas a mejores resultados pensando
en la producción de paneles solares.
59
A. Apéndice A
Fabricación de celdas solares HIT en sustratos

de área circular con diámetro de 2 y 4 pulgadas.
A lo largo de este trabajo se estudiaron celdas solares HIT fabricadas en

sustratos con área de 1cm² y adicionalmente se propone una estructura para
fabricar celdas solares en sustratos con área circular de diámetro de 2 y 4
pulgadas, este apéndice es dedicado a hablar sobre la fabricación de estas
celdas solares HIT.
1. Diseño de las mascarillas

La diferencia entre fabricar una celda solar HIT de 1cm² y una celda
solar HIT de 2 o 4 pulgadas es la mascarilla usada en litografía para el depósito
del contacto metálico superior, estas fueron diseñadas y fabricadas a la par
con este trabajo y otro trabajo [29]. La mascarilla para sustratos circulares con
diámetro de 2 pulgadas de área total de la celda solar llamada 𝑨𝒄𝒆𝒍𝒍𝟐" =
𝟏𝟓. 𝟒𝟕𝟗𝟗𝟐(𝒄𝒎²). En esta área se diseñó una combinación de buses y dedos
característicos del contacto superior de una celda solar este diseño se muestra
en la figura A.3 y se explica en el apéndice B donde se observa en línea
punteada negra el área circular del sustrato con diametro de 2 pulgadas y
dentro de él, en rojo, la mascarilla diseñada con dos buses de longitud de
4.324cm y ancho de 0.2cm, 20 dedos en la zona central de los buses con
longitud de 1.96cm y ancho de 0.022cm y distancia entre dedos de 0.2cm. El
área cubierta por el contacto sobre la superficie superior del sustrato es de
3.45cm² que en comparación con el área total de la celda solar este contacto
ocupa el 22% del área total de la celda.
60
Buses
Dedos
Figura A.1 Diseño Mascarilla para contacto superior en sustratos

circulares con diametro de 2 pulgadas.
Buses
Dedos
Figura A.2 Diseño Mascarilla para contacto superior en sustratos

circulares con diámetro de 4 pulgadas.
La mascarilla de 4 pulgadas se diseñó y fabrico de la misma manera, esta es

mostrada en la figura A.4 y explicada en el apéndice B, en donde se observan:
4 buses de longitud 9.0168 cm y ancho de 0.26cm, 29 dedos entre buses de
61
longitud de 2cm y ancho de 0.04cm y distancia entre dedos de 0.27cm. El área
total de la celda solar con forma de octágono tiene un área total de 𝑨𝒄𝒆𝒍𝒍𝟒" =
𝟔𝟕. 𝟑𝟓𝟔𝟗𝟗(𝒄𝒎²), el área cubierta por el contacto sobre la superficie superior
del sustrato es de 18.64cm² que en comparación con el área total de la celda
solar este contacto ocupa el 27% del área total de la celda.
2. Proceso de fabricación, resultados y análisis de celdas

solares HIT en sustratos de área circular con diámetro de 2 y 4
pulgadas.
El objetivo en este proceso de fabricación de celdas solares HIT en área

grande fue dejar un precedente de la posibilidad que hay de fabricar celdas de
área grande en el laboratorio de microelectrónica del INAOE y mostrar los
primeros resultados de Isc, Voc, F.F, ƞ y las curvas características de corriente
vs voltaje. Para este proceso se usaron 2 sustratos de silicio cristalino CZ tipo
N (marca Addison) 300 ± 25 µm, dopada con fósforo, <100>, 3-10 Ω-.cm, 2” y
un sustratos de silicio FZ 4”, tipo “n” (marca Topsil) 260-300 µm, <100> y
resistividad de 1-5 Ω- cm, se desengrasaron para ser texturizados por vía
húmeda con hidróxido de sodio / alcohol isopropílico / agua deionizada
(KOH/IPA/Di) [16] protegiendo selectivamente los contactos superior e inferior
para no ser texturizados. Posteriormente se les hizo la limpieza 2 (HNO₃ +
HF(0.55%) + DI) descrita en el proceso No.5, las estructuras de las celdas
solares son mostradas en la figura A.5. Las condiciones de depósito de las
películas de silicio amorfo hidrogenado ((a-Si:H) intrínseco, dopada tipo p y
dopada tipo n) se muestran en la tabla A.1, las condiciones de depósito de las
películas de ITO en la tabla A. 2 y para el sustrato de 4 pulgadas fue necesario
el depósito de AZO (óxido de zinc dopado con aluminio) como película de óxido
trasparente conductor (TCO) en reemplazo de las películas de ITO, sus
condiciones de depósito se muestran en la tabla A.3 tomadas de [30].
62
(a) (b)
Figura A.3 Estructura celda solar HIT completa en sustratos de área
circulas con: (a) Diámetro de 2 pulgadas y (b) Diámetro de 4 pulgadas.
Tabla A.1 Condiciones de depósito películas, (a) intrínseca ((i) a-Si:H),

Cámara Temp.⁰C
Sccm
PL4 (i) a-Si:H 10 0.55 (4) real 3 100 6 (265) real 160
(a)
B₂H₆
SiH₄ al
Tipo de al 1% Presión Potencia Tiempo Espesor
película en H₂ (mTorr) (W) (s) (nm)
Sccm
PL2 (p) a-Si:H 30 0.3 0.69 (4) real 3 120 6 (265) real 160
(b)
SiH₄ al
Tipo de PH₃ Presión Potencia Tiempo Espesor
Sccm
PL7 (n) a-Si:H 30 0.3 0.69 (4) real 3 230 6 (265) real 160
(c)
Tabla A.2 Condiciones de depósito de las películas de ITO. (a) 80nm parte
superior y (b) 50nm parte posterior [22].
Fuente
RF 6 150 175 9 16 80
(a)
Fuente
RF 6 150 175 9 10 50
(b)
63
Tabla A.3 Condiciones depósito de AZO Celdas de área grande (4”) [30].
Flujo
Presión Potencia Temperatura Tiempo Espesor
Cámara (sccm)
(mTorr) (W) Cámara (⁰C) (s) (nm)
Ar
80
988
Superior
PL3 2 100 150 12
50
618
Posterior
Resultados del proceso

Se midieron las curvas corriente vs voltaje bajo radiación AM 1.5 de potencia
100mW/cm² en las muestras, las celdas fabricadas se muestran en la
figura A.6. Los resultados de Isc, Voc, F.F y ƞ son mostrados en la tabla A.4 y
las curvas corriente vs voltaje en la figura A.7 (a) correspondiente a sustratos
con áreas de 2 pulgadas y figura A.7 (b) sustrato con áreas de 4 pulgadas.
(a) (b)
(c)
Figura A.4 Fotografía Celdas solares HIT fabricadas: (a) celdas de área de
2 pulgadas con 20 dedos entre los buses, (b) celdas de área de 2 pulgadas
con 13 dedos entre los buses y (a) celdas de área de 4 pulgadas.
64
Tabla A.4 Resultados obtenidos en simulador solar para celdas áreas de:
(a) 15.48cm² (sustrato de 2”) y (b) 67.357 cm² (sustrato de 4”),
Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
13 dedos 0.48 331.1 21.6 2.22
20 dedos 0.50 306.6 22.1 2.34
(a)
Voc (V) Isc (mA) F.F. (%) Ƞ(%)
Celda 1 0.48 600.5 22.7 0.97
(b)
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

0.0
-50.0m
-100.0m
Corriente (A)
-150.0m
-200.0m
-250.0m
-300.0m Celda20dedos
Celda13dedos
-350.0m
Voltaje (V)
(a)
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0
-100.0m
-200.0m
Corriente (A)
-300.0m
-400.0m
-500.0m
Celda1.
-600.0m
Voltaje (V)
(b)
Figura A.5 curvas corriente vs voltaje celdas solares HIT completa
(a) Superficies texturizadas y (b) Contacto de superficies planas.
65
En este proceso se observó que el Voc de las celdas solares de área grande
(2” y 4”) mantienen los valores de 0.5V y 0.48V, cercano al Voc de 0.52V
correspondiente al mejor valor para celdas solares de 1cm².
En áreas de 15.48cm² (sustrato de 2”) la mejor corriente de cortocircuito es de

331.1 mA y su mayor eficiencia fue del 2.39%. En áreas de 67.357 cm²
(sustrato de 4”) la corriente de cortocircuito es de 600.5mA y una eficiencia del
0.97%. Donde la baja eficiencia se debe al bajo factor de llenado (22.1% y
22.7%) debido al espesor depositado en el contacto superior ya que no supera
los 900 nanómetros, lo que resulta delgado comparado con lo minimo
necesario de al menos 5000 nanómetros.
66
B. Apéndice B
Diseño de Mascarillas para fabricación de

celdas solares HIT en sustratos de área circular
con diámetro de 2 y 4 pulgadas.
En este apéndice se explicaran los cálculos utilizados para el diseño de las

mascarillas usadas en la fabricación de celdas solares en obleas de 2 y 4
pulgadas.
1. Diseño Contactos Metálicos para celdas solares de 2 y 4

pulgadas.
1.1. Área útil de la celda solar de 2”

El Aluminio es depositado por evaporación E-beam, donde las obleas se
colocan en un carrusel y la cara expuesta está sujeta del borde, reduciendo el
área de depósito. Este borde se muestra en la figura B.1, sombreado y tiene
un ancho de 2.071mm.
Figura B.1 Área útil de la Oblea después de ser depositado el aluminio.
67
El área útil es determinada por el radio útil (𝑟ú𝑡𝑖𝑙 ):
𝒓ú𝒕𝒊𝒍 = 𝒓𝟐" + 𝟎. 𝟐𝟎𝟕𝟏(𝒄𝒎) = 𝟐. 𝟓𝟒(𝒄𝒎) − 𝟎. 𝟐𝟎𝟕(𝒄𝒎) = 𝟐. 𝟑𝟑𝟗(𝒄𝒎) (B.1)
Para un área útil total de:

2
𝐴ú𝑡𝑖𝑙 = 𝜋. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 → 𝑨ú𝒕𝒊𝒍 = 𝟏𝟕. 𝟐𝟎𝟏(𝒄𝒎²) (B.2)
Pensando en el diseño y en un posterior corte lineal, se plantea una figura

geométrica de 8 lados iguales la cual abarque la mayor área posible del área
útil. Para esto se define el área máxima que puede abarcar primero un
rectángulo en su interior como muestra la Figura B.2.
X
Figura B.2 Área Máxima ocupada por un rectángulo dentro de la
circunferencia de radio útil.
Área a optimizar del rectángulo 

𝐴 = 𝑋. 𝑌 (B.3)
La ecuación que relaciona la circunferencia con el rectángulo 
(2. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 )2 = 𝑋 2 + 𝑌 2 (B.4)
Despejando “Y”:
𝑌 = √(2. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 )2 − 𝑋² (B.5)
Reemplazando la ecuación (B.5) en la ecuación (B.3) se obtiene:
2
𝐴 = √4. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 . 𝑋 2 − 𝑋⁴ (B.6)
68
Derivando (B.6) con respecto a “X”:
2
𝑑𝐴 4. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 . 𝑋 − 2. 𝑋⁴
=
𝑑𝑥 2
(B.7)
√4. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 − 𝑋⁴
Se calcula “X” igualando (B.7) a cero:

𝑋 = √2. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 (B.8)
Reemplazando (B.8) en (B.5):
𝑌 = √2. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 (B.9)
Se obtiene el área máxima ocupada dentro de la circunferencia es la trazada
por un cuadrado de lado √2. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 . Para abarcar mayor área y para crear un
octágono con todos sus lados iguales de longitud (L), se usaran dos cuadros
iguales girando uno del otro 45⁰ y uniendo sus puntas (figura B.3). Luego se
calculan todas las variables propuestas en la figura B.3. Para una oblea de 2
pulgadas dentro del área de radio útil.
X L X
ℎ
45⁰
Figura B.3 Diseño y Área Máxima ocupada por un octágono dentro de la

circunferencia de radio útil.
Por ley de Cosenos se encuentra el valor de la longitud “L” 
2 2
𝐿2 = 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 + 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 − 2. 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 . 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 . cos(450 ) = 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 . √2 − 2. 𝑐𝑜𝑠(45⁰)
𝐿 = 1.79(𝑐𝑚)
69
Por Pitágoras se encuentra el valor de “h” 
𝐿 2
ℎ = √𝑟ú𝑡𝑖𝑙
2
−( )
2
ℎ = 2.162(𝑐𝑚)
Dos veces la longitud de “ℎ” es la longitud del bus “𝐿𝑏 ”, a utilizar para el diseño
del contacto superior.
𝐿𝑏 = 2. ℎ = 4.324(𝑐𝑚)
El área total a utilizar de la celda solar en oblea de dos pulgadas es:
𝐿. ℎ
𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙 = 8.
2
𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙 = 15.47992(𝑐𝑚²)
Siendo ésta el área final total usada de la celda solar, la cual representa el
90% en la región del área con radio útil y en oblea de dos pulgadas. Para
analizar el contacto superior se va a suponer un área cuadrada dibujada por
el recuadro negro en la Figura B.3. De lado “𝐿𝑏 " ó 𝐿 + 2𝑋.
1.2. Diseño actual celda solar de 1(cm²) en el INAOE.

La fabricación actual de las celdas solares en el INAOE, a base de silicio
cristalino tipo p y con emisor difundido dopado tipo n en área de 1cm², manejan
un contacto superior formado por un bus y 10 dedos como muestra la
figura B.4, Los mejores datos obtenidos con este tipo de mascarilla hasta el
momento son mostrados en la tabla B.1 y serán utilizados como referencia
para la fabricación de las nuevas mascarillas para obleas de 2” y 4”.
70
Figura B.4 Contacto superior. (Diseño actual en el INAOE).
Tabla B.1 Datos actuales obtenidos en el INAOE con mascarilla de 1cm².

Datos
Potencia de entrada (𝑷𝒊𝒏) 0.1(𝑊 ⁄𝑐𝑚²)
Área de la celda (𝑨𝒄𝒆𝒍𝒍 ) 1(𝑐𝑚²)
Voltaje en corto circuito (𝑽𝒐𝒄 ) 0.56(𝑉)
Corriente en corto circuito (𝑰𝒔𝒄 ) 39.7(𝑚𝐴)
Potencia máxima (𝑷𝒎á𝒙 ) 15.6(𝑚𝑊)
Densidad de corriente (𝑱𝒔𝒄) 39.7(𝑚𝐴⁄𝑐𝑚²)
Factor de llenado (𝑭𝑭) 0.677
Eficiencia (ƞ) 15.06
1.3. Pérdidas en el contacto superior.

En el contacto superior hay varias pérdidas, sin embargo para el diseño
solo se tomaron en cuenta 4 pérdidas:
1) Pérdidas ópticas (𝐿𝑜𝑠𝑠𝑜𝑝𝑡𝑖𝑐𝑎𝑙 ). La cual está determinada por el área

cubierta por los contactos metálicos, respecto al área total.
71
2) Pérdidas resistivas debido al flujo de corriente lateral en la capa del
emisor n+. (𝐿𝑜𝑠𝑠𝑛 )
3) Pérdidas resistivas en los dedos. (𝐿𝑜𝑠𝑠𝑓𝑖𝑛𝑔𝑒𝑟𝑠 )
4) Perdidas resistivas en las barras colectoras o buses. (𝐿𝑜𝑠𝑠𝑏𝑢𝑠𝑠𝑏𝑎𝑟 )
𝑳𝒐𝒔𝒔𝑻𝒐𝒕𝒂𝒍 = 𝑳𝒐𝒔𝒔𝒐𝒑𝒕𝒊𝒄𝒂𝒍 + 𝑳𝒐𝒔𝒔𝒏 + 𝑳𝒐𝒔𝒔𝒇𝒊𝒏𝒈𝒆𝒓𝒔 + 𝑳𝒐𝒔𝒔𝒃𝒖𝒔𝒔𝒃𝒂𝒓 (B.10)
La adición de dedos y buses causa mayor pérdida óptica, sin embargo menos
dedos y buses conlleva a mayores pérdidas resistivas en la capa n+. También
se asume que la densidad de corriente dada de 39.7(𝑚𝐴⁄𝑐𝑚²), es uniforme
en toda la superficie de la oblea, y que esta a su vez, viajara la menor distancia
hacia los dedos, como lo indica la Figura No.5.
𝑆⁄2
Dedo
𝑆⁄2
Bus
𝑆⁄2
Dedo
𝑆⁄2
Figura B.5 Dirección asumida por la corriente colectada.
La potencia máxima suministrada por las celdas actuales en el INAOE es:

𝑃𝑚á𝑥 = 𝐹𝐹. 𝑉𝑜𝑐 . 𝐽𝑠𝑐 . 𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙
𝑃𝑚á𝑥 = (0.677497)(0.560071[𝑉])(39.7[𝑚𝐴])(1[𝑐𝑚²]) = 15.06[𝑚𝑊]
Por lo tanto la potencia máxima que se tiene en el área a estudiar, la encerrada
por los dedos y el bus Figura B.5 seria:
𝑃𝑚á𝑥 = (0.677497)(0.560071[𝑉])(39.7[𝑚𝐴])(𝐿2𝑏 [𝑐𝑚²]) = 281.65[𝑚𝑊]
Si se tiene solamente un bus, toda la corriente circula por éste bus, teniendo
en cuenta esta corriente, las dimensiones del bus serian:
72
2 2 𝜌𝐴𝑙 . 𝐿𝑏
𝑃𝑚á𝑥 = 281.65[𝑚𝑊] = 𝐼𝑚á𝑥 𝑅 = 𝐼𝑚á𝑥 . (B.11)
𝑡𝐴𝑙 . 𝑊𝑏
Donde:
𝜌𝐴𝑙 → Es la resistividad del aluminio. (Ω. 𝑐𝑚)
𝑡𝐴𝑙 → Es el espesor del aluminio. (𝑐𝑚)
𝑊𝑏 → Es el ancho del bus que se va a encontrar. (𝑐𝑚)
El espesor máximo de aluminio depositado en un ciclo de evaporación está

entre 1(𝜇𝑚) ≥ 𝑡𝐴𝑙 ≥ 0.7(𝜇𝑚), para cálculos se asume 𝑡𝐴𝑙 = 0.7(𝜇𝑚). El ancho
del bus se calcula despejando 𝑊𝑏 de la ecuación (B.11):
𝜌𝐴𝑙 . 𝐿𝑏 2 𝜌𝐴𝑙 . 𝐿𝑏 𝜌𝐴𝑙 . 𝐿5𝑏 . 𝐽𝑠𝑐
2
𝑊𝑏 = . 𝐼𝑚á𝑥 = . (𝐽𝑠𝑐 . 𝐿2𝑏 )2 =
𝑡𝐴𝑙 . 𝑃𝑚á𝑥 𝑡𝐴𝑙 . 𝑃𝑚á𝑥 𝑡𝐴𝑙 . 𝑃𝑚á𝑥
(2.732987155𝑥10−6 )(4.324)5 (39.7𝑥10−3 )2
𝑊𝑏 = = 3.30245304[𝑚𝑚]
(0.7𝑥10−4 )(0.2816516758)
𝐿 𝐿
La resistencia del bus viene determinada por la relación 𝑅𝑏= (𝑅□ ) 𝑊𝑏 = (4) 𝑊𝑏
𝑏 𝑏
2)
que en la celda de 1(𝑐𝑚 tiene un valor de 𝑅𝑏 = 131.14(Ω), mientras que en
el nuevo bus da como resultado 𝑅𝑏 = 52.37(Ω). Se propone usar dos buses
en los extremos, dividiendo el área en dos partes iguales tal y como muestra
la Figura B.6, de esta manera se despejó el área central de la oblea. El ancho
de estos buses es igual a 𝑊𝑏 calculado anteriormente, para dos buses seria
𝑊𝑏 ⁄2 = 1.65122652𝑚𝑚. Estimando que en trabajos a futuro se logre disminuir
las pérdidas por recombinación, aumentar la longitud de recombinación
pasivando las uniones metal semiconductor y aumentando la densidad de
corriente. Se aproxima 𝑊𝑏 ⁄2 a un ancho de un bus de 𝑊𝑏1 = 2(𝑚𝑚), con el
que se trabajó este diseño. En este ancho de bus se circula una densidad de
corriente en corto circuito deseada igual a:
(0.4)(0.7𝑥10−4 )(0.677497)(0.560071)
𝐽𝑠𝑐 = = 48.08546801 (𝑚𝐴⁄𝑐𝑚2 )
(2.732987155𝑥10−6 )(4.324)3
La potencia máxima que manejaría la celda seria:
𝑃𝑚á𝑥 = (6.677497)(0.560071)(48.08546 𝑥10−3 )(4.324)2 = 341.1423841[𝑚𝑊]
73
La potencia de entrada es:
𝑃𝑖𝑛 = (0.1(𝑊 ⁄𝑐𝑚2 ))(4.324(𝑐𝑚2 )) = 1.869676(𝑊)
La eficiencia esperada es:
𝑃𝑚á𝑥
𝜂= 𝑥100% = 18.245%
𝑃𝑖𝑛
Figura B.6 Ubicación de los buses y cálculo de 𝐿𝑓 .
Se puede observar que la longitud de los dedos se puede calcular con la

siguiente ecuación:
𝐿𝑏 =2.𝑊𝑏 + 4. 𝐿𝑓
Despejando 𝐿𝑓 :
𝐿𝑏 2. 𝑊𝑏 4.324(𝑐𝑚) 2(0.2(𝑐𝑚))
𝐿𝑓 = − = − = 0.981(𝑐𝑚)
4 4 4 4
El siguiente paso es determinar el número de dedos (𝑁𝑓 ) y el ancho de los
dedos (𝑊𝑓 ). Tentativamente se tiene que la suma total del área de los dedos
debe ser igual al área del bus para recolectar la misma corriente, pero hay que
tener en cuenta la distancia optima entre los dedos “S”, ya que esta distancia
deja pasar la luz fotovoltaica y también determina las perdidas por emisor que
son debidas al flujo de corriente lateral en la capa del emisor tipo n. Como se
observa en la figura B.5. Este flujo de corriente se asumió que va de la mitad
de “S” hacia cada dedo respectivamente, por lo que se tiene que la potencia
74
en esta área está determinada por la pérdida a lo largo de la mitad de la
distancia entre los dedos.
Las pérdidas ópticas se pueden determinar ya que el área mínima requerida
por el bus es la misma área requerida por la distribución de los dedos.
𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 + 𝑁𝑓 . 𝑊𝑓 . 𝐿𝑓
𝐿𝑜𝑠𝑠𝑜𝑝𝑡𝑖𝑐𝑎𝑙 =
𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙
Como 𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 = 𝑁𝑓 . 𝑊𝑓 . 𝐿𝑓 entonces:
2. 𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 2(2)(0.2)(4.324)
𝐿𝑜𝑠𝑠𝑜𝑝𝑡𝑖𝑐𝑎𝑙 = = 𝑥100 = 18.5%
𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙 4.3242
Para las pérdidas por emisor se observa la densidad de corriente que recolecta
uno de los dedos de la figura B.5. Donde la potencia se determina como:
2
𝑃𝑛 = 𝐼𝑚á𝑥 . 𝑅𝑛 y, 𝑡𝑛 es la profundidad de unión 𝑋𝑗 = 0.7(𝜇𝑚), entonces:
𝑆 𝑆
𝐼 = 𝐽. 𝐿𝑓 . ( + ) = 𝐽. 𝐿𝑓 . 𝑆 (B.12)
2 2
𝜌𝑛
𝑅𝑛 = .𝑆 (B.13)
𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
𝜌𝑛
𝑑𝑅𝑛 = . 𝑑𝑆
𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
Derivando 𝑃𝑛 a ambos lados de la igualdad queda:
2 2 𝜌𝑛
𝑑𝑃𝑛 = 𝐼𝑚á𝑥 . 𝑑𝑅𝑛 = (𝐽. 𝐿𝑓 . 𝑆) . . 𝑑𝑆
𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
Integrando a ambos lados de la ecuación:
𝑆⁄
2 𝐽2 . 𝐿2𝑓 . 𝜌𝑛 2
𝑃𝑛 = ∫ . 𝑆 . 𝑑𝑆
0 𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
2
𝐽 . 𝐿𝑓 ². 𝜌𝑛 𝑆³ 𝑆⁄2 𝐽2 . 𝐿𝑓 ². 𝜌𝑛 𝑆 3 𝐽2 . 𝐿2𝑓 . 𝜌𝑛 . 𝑆³
𝑃𝑛 = . |0 = .( ) =
𝑡𝑛 . 𝐿𝑓 3 3. 𝑡𝑛 . 𝐿𝑓 2 24. 𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
𝐽2 . 𝐿𝑓 . 𝜌𝑛 . 𝑆³
𝑃𝑛 = (B.14)
24. 𝑡𝑛
2
Acomodando de la forma 𝑃𝑛 = 𝐼𝑚á𝑥 . 𝑅𝑛 la ecuación (B.14) queda:
75
2
𝑆 2 2 𝜌𝑛 . 𝑆
𝑃𝑛 = (𝐽 . ( ) 𝐿𝑓 ) ( )
2 6. 𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
Se obtiene que las perdidas resistivas en el emisor son directamente
proporcional a la distancia entre los dedos “S”.
𝜌𝑛 . 𝑆
𝑅𝑛 =
6. 𝑡𝑛 . 𝐿𝑓
𝜌𝑛
Los valores obtenidos en el laboratorio dan como resultado la 𝑅□ = con
𝑡𝑛
𝜌𝑛
valores entre 3 ≤ ≤ 4. Por lo que:
𝑡𝑛
𝑆
𝑅𝑛 = 0.66
𝐿𝑓
Si 𝐿𝑓 = 0.981(𝑐𝑚) entonces:
𝑹𝒏 = 0.6795786612. 𝑺
Por lo que “S” puede variar de 0 a 1(cm) y su perdida resistiva no superara el
valor de 0.6795786612(Ω) por dedo o más general se puede asumir a 𝑆 ≤ 𝐿𝑓 .
Continuando con el diseño de la Figura B.6. Donde ahora se diseña la
distribución de los dedos. Para esto por homogeneidad entre las mitades de la
celda solo se analizara una mitad como lo muestra la Figura B.7.
.
Figura B.7 Diseño para determinar la distribución de dedos.
76
Para calcular y definir el ancho y número de dedos se buscó una ecuación que
define la relación entre ellos. La ecuación (B.15) sale observando la Figura
No.7.
𝑁𝑓
𝐿𝑏 = (𝑆 + 𝑊𝑓 ) ( ) (B.151)
2
Recordando que 𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 = 𝑁𝑓 . 𝑊𝑓 . 𝐿𝑓 entonces. Se proponen dos diseños
uno Suponiendo el ancho de los dedos (𝑊𝑓 ), calculando espacio entre dedos
(𝑆) y número de dedos (𝑁𝐹 ).
El segundo suponiendo el número de dedos (𝑁𝑓 ), calculando espacio entre
dedos (𝑆) y ancho de dedos (𝑊𝐹 ).
1.4. Diseños Propuestos del contacto superior para obleas de 2”.
En el Primer diseño se propone un ancho de los dedos de 𝑊𝑓 = 220(𝜇𝑚) con

este valor se calcula 𝑁𝑓 y 𝑆, con la ecuación (B.15) y 𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 = 𝑁𝑓 . 𝑊𝑓 . 𝐿𝑓 .
𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 (4.354(𝑐𝑚))(0.2(𝑐𝑚))
𝑁𝑓 = = = 40.3484(𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠)
𝑊𝑓 . 𝐿𝑓 (0.022(𝑐𝑚))(0.981(𝑐𝑚))
Aproximando 𝑁𝑓 = 40(𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠) por ambos lados de cada bus.
𝐿𝑏 4.354(𝑐𝑚)
𝑆 = 2. − 𝑊𝑓 = 2. − 0.022(𝑐𝑚) = 0.1957(𝑐𝑚)
𝑁𝑓 40
Con todos los datos obtenidos el primer diseño se elaboró la mascarilla con el
programa L-EDIT de Tanner quedando como lo muestra la Figura B.8.
77
Figura B.8 Primer diseño oblea de 2” con dos buses y 40 dedos por bus.
El círculo azul es el área útil de la oblea y el círculo punteado negro es la
oblea de 2”.
En el Segundo diseño se propone un número de dedos de 𝑁𝑓 = 28(𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠) por

ambos lados. Con este valor se calcula 𝑊𝑓 y 𝑆, con la ecuación (B.15) y
𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 = 𝑁𝑓 . 𝑊𝑓 . 𝐿𝑓 .
𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 (4.354(𝑐𝑚))(0.2(𝑐𝑚))
𝑊𝑓 = = = 317.0234(𝜇𝑚)
𝑁𝑓 . 𝐿𝑓 (28)(0.981(𝑐𝑚))
Aproximando 𝑊𝑓 = 317(𝜇𝑚).
𝐿𝑏 4.354(𝑐𝑚)
𝑆 = 2. − 𝑊𝑓 = 2. − 0.0317(𝑐𝑚) = 0.2793(𝑐𝑚)
𝑁𝑓 28
Con todos los datos obtenidos el diseño 2 se elaboró en el programa L-EDIT

de Tanner y quedó como lo muestra la Figura B.9.
78
Figura B.9 Segundo Diseño oblea de 2” con dos buses y 28 dedos por
bus. El círculo azul es el área útil de la oblea y el círculo punteado negro es
la oblea de 2”.
1.5. Diseños Propuestos del contacto superior para obleas de 4”.

Para este diseño se siguieron los mismos pasos propuestos y las mismas
ecuaciones para el análisis de la oblea de 2” solo se cambió su área de trabajo.
El radio útil es:
𝑟ú𝑡𝑖𝑙 = 5.08(𝑐𝑚) − 0.2(𝑐𝑚) = 4,88(𝑐𝑚)
𝐿 = 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 √2 − 2𝑐𝑜𝑠45⁰ = 3.735(𝑐𝑚)
𝐿 2 3.735 2
√ 2 √ 2
ℎ = 𝑟ú𝑡𝑖𝑙 − ( ) = 4.88 − ( ) = 4.5084(𝑐𝑚)
2 2
𝐿𝑏 = 2ℎ = 9.0168(𝑐𝑚)
El área total de la celda es:
𝐿. ℎ
𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙 = 8.
2
𝐴𝑐𝑒𝑙𝑙 = 67.35699(𝑐𝑚²)
Lo cual es el 90% del área útil.
79
La potencia máxima que entrega esta celda es:
𝑃𝑚á𝑥 = (0.677497)(0.560071)(39.7𝑥10−3 )(9.017)2 = 1.224799805(𝑊)
Para circular esta potencia y reducir las pérdidas ópticas se necesita mínimo
un espesor del aluminio 𝑡𝐴𝑙 ≥ 2(𝜇𝑚).
El ancho del bus (𝑊𝑏 ):
𝜌𝐴𝑙 . 𝐿5𝑏 . 𝐽𝑠𝑐
2
𝑊𝑏 =
𝑡𝐴𝑙 . 𝑃𝑚á𝑥
(2.732987155𝑥10−6 )(9.017)5 (39.7𝑥10−3 )2
𝑊𝑏 = = 1.048175123[𝑐𝑚]
(2𝑥10−4 )(1.224799805)
𝐿
La resistencia del bus 𝑅𝑏 = 4 𝑊𝑏 = 34.41(Ω)
𝑏
2(9.0168(𝑐𝑚))(1.048175122(𝑐𝑚))
Y pérdidas ópticas 𝐿𝑜𝑠𝑠𝑜𝑝𝑡𝑖𝑐𝑎𝑙 = 𝑥100% = 28.063%
67.35699(𝑐𝑚²)
La eficiencia esperada:
𝑃𝑚á𝑥 1.224799805
𝜂= 𝑥100% = 𝑥100% = 15.0647%
𝑃𝑖𝑛 (0.1(𝑊 ⁄𝑐𝑚2 ))(9.0168(𝑐𝑚2 ))
El diseño que se propone lleva 4 buses, por lo que cada ancho de bus es de:
1.04(𝑐𝑚)
𝑊𝑏 = = 0.26(𝑐𝑚)
4
La longitud de los dedos está relacionada por:
𝐿𝑏 = 4. 𝑊𝑏 + 8. 𝐿𝑓
Despejando 𝐿𝑓 :
𝐿𝑏 4. 𝑊𝑏 9.0168(𝑐𝑚) 4(0.26(𝑐𝑚))
𝐿𝑓 = − = − = 0.9971(𝑐𝑚)
8 8 8 8
Se propone un solo diseño con un número de dedos 𝑁𝑓 = 58(𝑑𝑒𝑑𝑜𝑠) por
ambos lados de cada bus.
𝐿𝑏 . 𝑁𝑏 . 𝑊𝑏 (9.0168(𝑐𝑚))(0.26(𝑐𝑚))
𝑊𝑓 = = = 405.377(𝜇𝑚)
𝑁𝑓 . 𝐿𝑓 (58)(0.9971(𝑐𝑚))
Aproximando 𝑊𝑓 = 406(𝜇𝑚).
𝐿𝑏 9.0168(𝑐𝑚)
𝑆 = 2. − 𝑊𝑓 = 2. − 0.0406(𝑐𝑚) = 0.2703(𝑐𝑚)
𝑁𝑓 58
80
Con todos los datos obtenidos el diseño de la oblea de 4” se elaboró en el
programa L-EDIT de Tanner y quedó como lo muestra la figura B.10.
Figura B.10 Diseño oblea de 4” con 4 buses y 58 dedos por bus.
Las referencias de este apéndice son [B1] y [B2]
81
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85

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Supervisada por:

Dr. Eugen A. Kuzin

Oscar Javier Velandia Caballero

Tesis sometida como requisito parcial para obtener

Instituto Nacional de Astrofísica,

Dr. Eugen A. Kuzin

Agradezco a todo el personal del laboratorio de Microelectrónica. Ya que gran

A los amigos y compañeros que siempre estuvieron acompañándome,

La unión entre el silicio cristalino y el silicio amorfo dopado presentan centros

El texturizado del sustrato de silicio cristalino favorece la absorción de energía

Con respecto a los resultados obtenidos en este trabajo se lograron eficiencias

The crystalline silicon substrate texturing improves the absorption of solar

1.1. Historia de las celdas solares. .......................................................... 1

1.2. La tecnología del silicio cristalino. ..................................................... 3

1.4. Objetivos. .......................................................................................... 5

2.1. La radiación solar. ............................................................................ 7

2.2. Efecto fotoeléctrico. .......................................................................... 8

2.3. Materiales cristalinos y amorfos. ....................................................... 9

2.4. Parámetros eléctricos y de desempeño. ........................................... 9

2.5. Celdas solares HIT. ........................................................................ 13

2.6. Etapas de fabricación usadas en este trabajo. ............................... 16

3.1. Medición tiempos de vida. ............................................................... 19

3.2. Simulador solar. .............................................................................. 20

3.3. Sistema utilizado en el depósito de películas (a-Si:H) dopadas. ..... 22

4.2 Estudio de 5 niveles de dopado de la película de silicio amorfo

4.5 Caracterización de un proceso de limpieza para estandarizar la

1. Diseño de las mascarillas .................................................................. 60

2. Proceso de fabricación, resultados y análisis de celdas solares HIT en

1. Diseño Contactos Metálicos para celdas solares de 2 y 4 pulgadas. 67

Actualmente, el impacto ambiental al generar energía y el incremento

El objetivo que se promueve en el presente trabajo, es lograr que las celdas

1.1. Historia de las celdas solares.

William Shockley y Hans Queisser en 1961 determinaron que teóricamente, se

En la figura 1.1 se muestran los valores de las eficiencias de conversión más

Figura 1.1 Mejores eficiencias en investigación [6].

1.2. La tecnología del silicio cristalino.

Aunque el silicio es muy abundante (por ejemplo, se encuentra en la arena),

Hay dos tipos principales de tecnologías fotovoltaicas (PV): silicio cristalino y

Desde el 2010, la tecnología fotovoltaica (PV) de silicio cristalino cubrió el 87%

Figura 1.2. Distribución de tecnologías en el mercado a nivel mundial [8].

En este trabajo se presenta el estudio, de fabricación de celdas solares de

1.4.1. Objetivos específicos.

Fundamentos teóricos celdas solares HIT.

En este capítulo se hace un breve resumen de los conceptos teóricos

2.1. La radiación solar.

Figura 2.1. Irradiancia en todo el espectro solar [2].

AM0 La radiación extraterrestre, aplicable a los satélites en espacio.

Generalmente, como fuente de energía solar fotovoltaica se usa la radiación

2.2. Efecto fotoeléctrico.

Actualmente, los materiales monocristalinos, policristalinos y amorfos. Son

2.4. Parámetros eléctricos y de desempeño.

El circuito eléctrico equivalente de una celda solar es mostrado en la figura 2.2

Figura 2.2 Circuito eléctrico equivalente de una celda solar [10].

La ecuación de la corriente para el caso ideal es:

Siendo: 𝐼𝑝ℎ  La corriente fotogenerada.

Figura 2.3 Gráfica de la corriente eléctrica como función del voltaje

La potencia máxima (Pmax) se obtiene cuando el voltaje y la corriente toman

El factor de llenado (F.F) está muy relacionado con la eficiencia de la celda

Las resistencias Rp y Rs observadas en el circuito eléctrico equivalente de la

Figura 2.4 Efecto de la resistencia serie en la curva corriente vs voltaje.

La resistencia paralela (Rp) o resistencia Shunt (Rsh), se debe a los trayectos

Figura 2.5 Efectos de la resistencia paralela o shunt en la curva corriente

En la figura 2.6 (a) se observan los diagramas de bandas de materiales usados