INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1.

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PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA Periodo 2019-1

Diseño, Simulación E Implementación De Circuitos Con

Transistores
Moreno David, Rodríguez Julián, y Tamayo Ligia
{u1803281, u1803313, y u1803301}@unimilitar.edu.co
Profesor: Castro Andrés


Resumen— Con la practica número tres del laboratorio de
electrónica se busca que los estudiantes entiendan el
comportamiento, configuración, forma de polarización y región
de operación en los transistores, con el objetivo de aprender a
utilizarlos dentro de un circuito. Se plantean 4 puntos en esta
guía, el primero es acerca de un transistor BJT, el segundo de un
Mosfet, el tercero un circuito multitapa y por último la creación
de drivers para motores ( Push-Pull, puente H y transistor con
relé) también se propone realizar las respectivas simulaciones y
cálculos apoyándose en los programas Proteus y LTspice.
Palabras clave— Circuitos, transistores, Mosfet, BJT,
Circuitos multitapa, emisor, base, colector, puerta, drenador,
surtidor, polarización y región de operación.
forman un sándwich. Se pueden encontrar dos tipos de
configuraciones de estos dopajes, npn y pnp.
El emisor (E) que corresponde a una región altamente dopada
(n+ o p+) y se encarga de emitir portadores de carga (terminal
con la flecha en el símbolo), el colector (C) que se encarga de
colectarlos o absorberlos, y la base (B) que es un región
levemente dopada, con una ´ área muy pequeña (en
comparación del emisor y el colector), y controla la cantidad
de portadores ´ que pasan de emisor a colector. Se conoce
como transistor bipolar porque las corrientes a través del
dispositivo (generadas por difusión) están formadas por
electrones y huecos.

I. INTRODUCCIÓN
En este laboratorio se busca verificar mediante simulaciones o
montajes seis circuitos, el primero de ellos cuenta con un transistor
BJT polarizado utilizando un divisor resistivo con degeneración, el
segundo es un Mosfet con aultopolarización, el tercero es un circuito
multitapa, que cuenta con dos transistores Mosfet, polarizados con
drenador y surtidor común, por último están los drivers para motores
ser diseñado por los estudiantes.
A. Marco teórico

El transistor
Los transistores son dispositivos de tres capas cuyos
principales usos son como interruptores (especialmente en
circuitos digitales) y como amplificadores (en el dominio
analógico). La segunda aplicación se obtiene de aprovechar
que el transistor puede modelarse como una fuente de
corriente controlada por tensión y puede demostrarse que estas
fuentes pueden amplificar. Existen dos tipos principales de
transistores, el transistor de unión bipolar o ́ BJT y el
transistor de efecto de campo o FET.
El transistor de unión bipolar (BJT) ́
El transistor bipolar consiste en tres regiones dopadas que
El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio
de “nombre de la materia” presentado en la Universidad Militar Nueva
Granada durante el periodo 2018-2.
Fig. 1. Transistor BJT.
MOSFET
El transistor de efecto de campo de Metal-Oxido-
Semiconductor (MOSFET) está conformado por un material
semiconductor dopado (sustrato) en el cual se realizan dos
difusiones o regiones altamente dopadas con portadores
minoritarios del material. En el MOSFET, el material
conductor de la puerta está separado del sustrato por un
material dieléctrico (óxido), a lo cual se le conoce como la
estructura Mos, que es un sándwich Metal-Óxido-
Semiconductor, básicamente un condensador. Consecuencia
de lo anterior, en frecuencias bajas el MOSFET no posee una
corriente de puerta y la única corriente que circula a través del
dispositivo fluye de drenador a surtidor (Id).
Existen dos tipos de MOSFET, el de enriquecimiento cuyo
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canal de conducción debe formarse aumentando la tensión de

puerta, y el de empobrecimiento o agotamiento cuyo canal
está formado desde su fabricación mediante un dopaje.

II. COMPETENCIAS A DESARROLLAR

● Identificar las regiones de operación de transistores
de unión bipolar (BJT) y de ́efecto de campo (FET).
● Diseñar, simular e implementar circuitos con
transistores usando diferentes técnicas de
polarización. ́
● Investigar, diseñar, simular e implementar circuitos
que permitan encender y apagar un motor DC con
inversión giro. ́
● Diseñar, simular e implementar amplificadores
multietapa usando transistores y verificar los
conceptos estudiados sobre estos.

III. TRABAJO PREVIO

1. Estudiar las hojas de datos (datasheets) de los Tabla. 1. datasheet 2n3904
diferentes transistores a ser usados en la práctica de
laboratorio y extraer los principales parámetros
necesarios para realizar cálculos teóricos.

Fig. 3. Esquemático transistor 2n7000.

Fig. 2. Esquemático transistor 2n3904.

Tabla. 2. datasheet 2n7000

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2. ¿Porque se hace necesario usar métodos de

polarización en circuitos con transistores?
Puesto que la señal para controlar un sistema es de
poca potencia sin embargo la máquina que se ha de
controlar exige más de lo que le puede dar la señal de
activación.
3. ¿Cuál es la principal ventaja de polarizar
mediante autopolarización?
Nos asegura que el transistor siempre estará en región
activa, es fácil de analizar, además en
autopolarización a diferencia de las demás, esta va a
mantener la misma potencia del circuito original y es
el más barato.
4. ¿En un MOSFET de agotamiento es posible Fig. 4. Primer montaje (BJT).
garantizar una tensión puerta-surtidor igual a cero
mediante los métodos de polarización presentados? A. Reportar en una tabla los valores de las corrientes y
justificar. tensiones presentes en el circuito. En base a estas
5. ¿Describir una aplicación para el amplificador mediciones estimar el valor de la corriente de
seguidor de surtidor? Este tipo de circuito es muy saturación inversa (Is), la ganancia de corriente (β), y
utilizado como circuitos separadores y como la región de operación del transistor. ¿El valor de β
adaptadores de impedancia entre las fuentes de señal está dentro del rango especificado en el datasheet del
y las etapas amplificadoras. Además, su alta transistor?
impedancia de entrada genera un menor gasto de
potencia Corriente Voltajes
6. ¿Cuál de las configuraciones de amplificadores Base 0.06 m A 1,70 V
con transistores MOSFET invierte la señal de Colector 20,9 mA 3,16 V
entrada? Emisor 19,55 mA 1,01 V
Amplificador con surtidor común con Av = −gm1 Tabla. 3. Datos 2n3904
(ro1||RD) ≈ −gm1RD
7. ¿Cuáles configuraciones básicas de amplificadores 𝐼𝐶
𝛽= = 342,3
con transistores MOSFET tienen ganancia 𝐼𝐵
equivalente en magnitud? 𝐼𝐶
𝐼𝑆 = 𝑉𝐵𝐸 = 4.24 𝑥10−14 𝐴
Puerta común y surtidor común la ecuación es la
misma del anterior punto y solo cambia el signo 𝑒 𝑉𝑇
B. Simular el circuito:
8. Deducir y reportar las expresiones para la
transconductancia de los diferentes transistores
estudiados dependientes solo de la corriente de
polarización y parámetros del transistor (No deben
depender de tensiones entre terminales del transistor).
Transconductancia BJT:

Mosfet de enriquecimiento

Mosfet de agotamiento

Fig. 4. Simulación montaje 1 (LTspice).

I. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
1. Primero se realizó un circuito en el que utilizamos un
transistor BJT, el cual estaba polarizado con un divisor
resistivo con degeneración.
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Valores teóricos:
Corriente Voltajes
Base 5,99*10^-5 A 1,68 V
Colector 0,020 A 3,13 V
Emisor 0,020 A 0,98 V

Tabla. 4. Valores teóricos primer montaje

𝐼𝐶
𝛽= = 347.2
𝐼𝐵
𝐼𝐶
𝐼𝑆 = 𝑉𝐵𝐸 = 6.41 𝑥10−14 𝐴
𝑒 𝑉𝑇
Este transistor se encuentra en REGIÓN ACTIVA ya que
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝐵𝐸
3,16 ≥ 1,7 − 1,0
3,16 ≥ 0,7 Fig. 6. Simulación con autopolarización.

C. Diseñar la polarización del transistor utilizando dos

métodos diferentes: 2. Después de terminarlos primeros 3 montajes
empezamos a implementar el circuito de la siguiente
a. Polarización simple: esta garantiza la misma figura en este se usó un transistor 2N7000 y se midió
corriente y voltaje en Vb el valor real de la resistencia de carga.
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
110 − 1,736
𝑅𝐵 = = 138.27𝐾Ω
0,06 ∗ 10^ − 3

Fig. 7. Montaje 2 (Mosfet).

A. Desconectar la tensión VG y conectar el terminal de

puerta del transistor al drenador (generar un corto
entre los terminales). Disminuir gradualmente el
valor de la tensión VDD a partir de 3V hasta obtener
una corriente de aproximadamente 1 mA.
Fig. 5. Simulación con polarización simple. VGS=VGS(TH)=VTH =1.833 V

b. Autopolarización: Esta garantiza el mismo

voltaje en Vb.

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
3,168 − 1,7036
𝑅𝐵 = = 24.4𝐾Ω
0,06 ∗ 10^ − 3

Fig. 8. Características de transferencia.

Esta dentro del rango mostrado en el datasheet

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B. Conectar de nuevo el circuito de acuerdo con la

figura 21 con VDD=10V, aumentar VG desde 0V
hasta obtener ID=20mA, y verificar en qué región de 3. En tercer lugar realizamos un circuito multitapa, en el
operación se encuentra el transistor. cual identificamos su polarización, además se
compararon los valores teóricos con la simulación, a
VG =2.22V continuación se muestra el proceso:
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(330) = 3.4𝑉
VD > VG – VTH
El transistor se encuentra operando en la región de
saturación.

C. Conociendo el valor de ID y VTH, obtener el valor

de la constante K a partir de la ecuación de corriente.
𝐼𝐷
𝐾 = (𝑉𝐺𝑆−𝑉𝑇𝐻)2 = 0.13

Fig. 11. Circuito multitapa.

D. Diseñar, simular e implementar la polarización del
transistor mediante divisor resistivo y auto
polarización :
a. Divisor resistivo: a. Identificar las etapas de amplificadores
presentes.
VG = 1.904 para obtener una corriente de 20Ma
(10𝑥𝑅2)
1.904 =
(𝑅1 + 𝑅2)
R1=5.1k
R2=1.2k

Fig. 12. Etapa surtidor común con polarización.

Fig. 9. Simulación divisor resistivo.

b. Autopolarización:

VG = 1.79 para obtener una corriente de 20mA

(𝑉𝐷𝐷−𝑉𝐺)
𝑅𝐷 = = 410.5
𝐼𝐷
VGS =1.79V
ID=20.15 mA Fig. 13. Etapa drenador común con polarización.

A continuación se presentarán los cálculos realizados:

MOSFET 1

𝑉𝑑 = 𝑉𝑔 = 390 𝐼𝐷 + 15𝑘
15𝑘 − 𝑉𝑑
= 𝐼𝐷
390
𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑔 − 𝑉𝑠 = −390𝐼𝐷 + 15𝑘 − 100𝐼𝐷
𝑉𝑔𝑠 = −490 𝐼𝐷 + 15𝑘
𝑉𝑠
= 𝐼𝐷
100
𝑉𝑠 = 100 𝐼𝐷
Fig. 10. Simulación autopolarización.
𝐼𝐷 = 𝑘 (𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ)2
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15𝑘 − 𝑉𝑔𝑠
= 0,085(𝑉𝑔𝑠 − 1,68)2
490
41,65𝑉𝑔𝑠 2 − 138,92𝑉𝑔𝑠 + 102,56 = 0
𝑉𝑔𝑠 = 2,23 ≥ 𝑉𝑡ℎ
𝑉𝑔𝑠 = 1,10
Despejamos y obtuvimos ID
15𝑘 − 𝑉𝑔𝑠
= 𝐼𝐷 = 26,1 𝑚𝐴
490
Utilizamos las siguientes formulas con el fin de obtener
la ganancia:
𝑔𝑚 = 2√𝑘 ∗ 𝐼𝐷 Fig. 14. Simulación circuito multitapa.
𝐴
𝑔𝑚 = 94,2 𝑚𝑣 2
𝐴𝑣1 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝐷
𝑣
𝐴𝑣1 = −36,7 𝑣

MOSFET 2

15𝑘
𝐼= = 100𝜇𝐴
41𝑘 + 109𝑘
𝑉𝐷𝐷 ∗ 109𝑘
𝑉𝑔 = = 10,9𝑣
109𝑘 + 41𝑘

𝑉𝑠
𝐼𝐷 = = 31,96 𝑚𝐴
250
𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ)2
10,9 − 𝑉𝑔𝑠 2
= 0,085(𝑉𝑔𝑠 − 168)2 Tabla. 5. Datos circuito multitapa.
250
10,9 − 𝑉𝑔𝑠 = 21,26𝑉𝑔𝑠 2 − 11,4 𝑉𝑔𝑠 + 3517
21,25 𝑉𝑔𝑠 2 − 70,4𝑉𝑔𝑠 + 24,8 = 0
Por último se simuló el circuito usando el modelo del
Despejamos y obtuvimos ID
transistor 2N7000 o 2N7002 en M1 y M2, utilizando una
tensión de entrada senoidal de 10mV́ p de amplitud y 5 KHz
𝑉𝑠
𝐼𝐷 = = 31,96𝑚𝐴 de frecuencia, el gráfico reportado muestra la tensión de salida
250 y la tensión de entrada en el tiempo, además del punto de
𝑉𝑏 = 10,9 𝑉
operación del circuito.
𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑔 − 𝑉𝑠
𝑉𝑠 = 10,9 − 𝑉𝑔𝑠
𝑉𝑠 = 7,90 𝑉
𝑉𝑔𝑠 = 2,91 ≥ 𝑉𝑡ℎ
𝑉𝑔𝑠 = 0,40
Utilizamos las siguientes formulas con el fin de obtener
la ganancia:
𝑔𝑚 = 2√𝑘 ∗ 𝐼𝐷
𝐴
𝑔𝑚 = 0,10𝑣 2
𝑔𝑚(150)
𝐴𝑣2 =
1 + 𝑔𝑚(150)
𝑣
𝐴𝑣2 = 0,9375 𝑣
Multiplicamos las dos ganancias para obtener la ganancia
total y además reemplazamos valores en la fórmula de
potencia para obtenerla también:
𝑣
𝐴𝑣 𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝐴𝑣1 ∗ 𝐴𝑣2 = −31,41𝑣
𝑃 = 𝑉𝐷𝐷 (𝐼𝐷1 + 𝐼𝐷2 + 𝐼 ) = 0,8724𝑤

Fig. 15. Grafica relación entrada y salida.

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4. Finalmente diseñamos e implementamos 3
circuitos que permitían hacer girar un motor:
 Para el primer montaje se utilizó un
transistor 2N3904 y un relé de 5V.
Fig. 16. Driver motor con relé. Motor sentido negativo.
Fig. 17. Driver motor con relé. Motor sentido positivo.
Escogimos un voltaje suficiente para encender el relé.
 El segundo es un circuito push pull:
Fig. 18. Circuito Push Pull. Motor sentido positivo.
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Fig. 19. Circuito Push Pull. Motor sentido negativo.
Se pudo observar que el voltaje de entrada es igual al
que alimenta al motor y los transistores permiten que
con una señal de baja corriente se pueda poner en
marcha el motor
 Puente H
Fig. 20. Puente H. Motor sentido negativo.
Fig. 21. Puente H. Motor sentido positivo.
Se pudo observar que una señal en alto digital en los
Nmos permite su activacion y un flujo de corriente en
los mismos, por otro lado como estan conectados los
transistores permite un flujo unico de corriente para
controlar la direccion y la velocidad es posible
controlarla con la intermitencia del voltaje de
entrada.
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IV. CONCLUSIONES

1. Notamos que los transistores bjt o mosfet puedes

adaptarse a diferentes tipos de configuración para poder
garantizar una corriente o un voltaje dependiendo de lo
que podamos necesitar.

2. Se notó la necesidad dela hoja de datos (Datasheet)

Para poder hacer un análisis teórico del funcionamiento
de los transistores (tanto los BJT como los Mosfet).

3. Observamos que los transistores pueden trabajar en

diferentes estados, esto varía dependiendo de los voltajes
que están alimentando a las terminales de cada transistor.

4. Al comparar los transistores Mosfet, con los BJT, se

caracterizan principalmente porque en la compuerta Gate
no presenta una corriente, pero si un voltaje.

5. Notamos que la polarización en transistores es de gran

utilidad debido a que esto puede ayudar a eliminar una
fuente de voltaje reemplazándola por una o más
resistencias debido al método de polarización.

6. Aprendimos a desarrollar teóricamente circuitos

multitapa.

7. Se observó el funcionamiento de transistores como

amplificadores multitapa.

8. Aprendimos que si se controlara el motor directamente

con una señal de corriente es posible dañar el instrumento
que genera la señal o simplemente que no mueva el
motor.

REFERENCIAS
[1] SVOBODA James y DORF Richard. Introduction to Electric Circuits.
9th ed. New Jersey: Wiley, 2014.
[2] HAYT William, KEMMERLY Jack y BURBIN Steven.
Engineering Circuit Analysis. 8th ed. New York:
McGraw-Hill, 2012.
[3] ALEXANDER Charles y SADIKU Matthew.
Fundamentos de circuitos el ´ ectricos. 3rd ed. New York:
McGraw-Hill, 2006.