Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Resumen
El ZnS tiene la ventaja de ser agradable con el medio ambiente, posee un alto intervalo de banda de energía de 3.6 eV que lo hace
atractivo para el uso como capa buffer en dispositivos fotovoltaicos. En este presente trabajo se obtuvieron películas de ZnS
impurificadas con Mn2+ por el método de depósito en baño químico, la síntesis se llevó a cabo a temperatura de 80 °C a tiempos
de depósito de 1 a 4 h. Se realizaron tratamientos térmicos de 250 °C a presión de 6.2x10-3 Torr durante 1 h. La caracterización se
llevó a cabo mediante medición de espesores, espectrofotometría UV-Vis y Fotorrespuesta. Se obtuvieron valores de Eg de 3.2 y
3.4 eV sin tratamiento y con tratamiento térmico. Los valores de conductividad eléctrica (σ) obtenidos fueron del orden de 10-4
(Ωˑcm)-1 con tratamiento térmico y 10-7 (Ωˑcm)-1 sin tratamiento térmico. De acuerdo a los resultados obtenidos se puede proponer
la utilización del material como capa ventana en un dispositivo fotovoltaico.
´Palabras clave: Películas delgadas, baño químico, capa buffer.
Abstract
The ZnS has the advantage of being pleasant with the environment, has a high range of energy band of 3.6 eV that makes it
attractive for use as a buffer layer in photovoltaic devices. In this present work, ZnS films contaminated with Mn ^ (2+) were
obtained by the chemical bath deposition method, the synthesis was carried out at a temperature of 80 ° C at storage times of 1 to
4 h. Thermal treatments of 250 ° C under pressure of 6.2x10 3 Torr were carried out during 1 h. The characterization was carried
out by thickness measurement, UV-Vis spectrophotometry and Photoresponse. Eg values of 3.4 and 3.2 eV were obtained without
treatment and with thermal treatment. The electrical conductivity values (σ) obtained were of the order of 10-4 (Ωˑcm)-1 with
thermal treatment and 10-7 (Ωˑcm)-1 without thermal treatment. According to the results obtained, it is possible to propose the use
of the material as a window layer in a photovoltaic device.
Tiempo de Conductividad
depósito eléctrica
(h) (Ω∙cm)-1
1 1.33 x10-3
2 1.39 x10-3
3 1.14 x10-3
4 9.8 x10-4
4. Conclusión.
Se encontró una composición para la obtención de películas
delgadas de ZnS impurificadas con 𝑀𝑛2+ por el método de
depósito en baño químico con un posterior tratamiento térmico
a presión de 6.2x10-3 Torr durante 1 h.
El espesor incremento conforme aumentaba el tiempo de la
deposición química.
Aplicando tratamiento térmico a la película aumentó la σ de
10-7 (Ω∙cm)-1 a 10-4 (Ω∙cm)-1.
Se calcularon valores de Eg los cuales fueron 3.4 eV sin TT y
3.2 eV con TT.
De acuerdo a los resultados obtenidos se puede proponer la
utilización de este material como capa ventana en un
dispositivo fotovoltaico.
5. Referencias.
1. P. Jacson, et al., Progress in photovoltaics: Research
and Applications, 19, 2011, p. 894-897.
2. M. Botero, G. Gordillo, C. Calderón, RCF, 2011,
vol. 45, p.168.
3. Y. Zhang, Applied Surface Science, 256, 2010, p.
6871–6875.