UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ

CURSO DE ENGENHARIA DA COMPUTAÇÃO

LUIS FELIPE BENEDITO

MARCIO LUIS PETRY

VAGNER MARTINELLO

ELETRÔNICA A
RELATÓRIO EXPERIMENTAL III

TRANSISTOR FET

PATO BRANCO

2012
1. Introdução

O principal dispositivo semicondutor de três terminais é o transistor. Inventado

em 1947, este dispositivo é um substituto das válvulas eletrônicas com grandes
vantagens: tamanho minúsculo, menor custo e pequeno consumo de energia.
O termo transistor vem de transfer resistor (resistor de transferência), como era
conhecido pelos seus inventores. Em circuitos analógicos, o processo de transferência
de resistência significa que a impedância característica do componente varia para cima
ou para baixo da polarização pré-estabelecida. A partir desta característica, nós
podemos definir o seu princípio básico de operação: uso de uma tensão entre dois
terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal.
Desse modo, um transistor pode ser utilizado como uma fonte controlada, a qual é
a base para o projeto de amplificadores. No caso extremo, a tensão de controle pode
ser usada para fazer com que a corrente no terceiro terminal varie de zero até um
valor significativo, fazendo com que este dispositivo implemente uma chave analógica,
que é o elemento básico dos circuitos digitais.
Por estas aplicações nós podemos concluir que o transistor é o mais importante
componente eletrônico já criado, tendo tornado possível a revolução dos
computadores e equipamentos eletrônicos.
Existem dois tipos principais de dispositivos de três terminais: o transistor bipolar
de junção (TBJ), geralmente chamado apenas de “transistor”; e o transistor de efeito
de campo (FET). Os dois tipos são igualmente importantes, cada um tendo vantagens e
aplicações distintas. Nesta prática, nos dedicamos basicamente ao estudo dos
transistores FET.

2. Objetivos

2.1. Gerais

- Comprovar o funcionamento dos transistores de efeito de campo FET.

2.2. Específicos

- Analisar o ponto de operação bem como a saturação de cada um dos

dispositivos estudados.

3. Materiais Utilizados

- 1 Resistor 470Ω (1/8W);

- 1 Resistor 680Ω (1/8W);
- 1 Resistor 1KΩ (1/8W);
- 1 Resistor 2,2KΩ (1/8W);
- 1 Resistor 33KΩ (1/8W);
- 1 Resistor 100KΩ (1/8W);
- 2 Transistores FET BF245C;
- 2 Fonte de tensão CC variável (FSCC-3003D);
- 2 Multímetros (nº 16520 e nº382877).
4. Fundamentação Teórica

O nome de transistor de efeito de campo origina-se de seu princípio físico de

operação, pois o mecanismo de controle é baseado no estabelecimento de um campo
elétrico pela tensão aplicada no terminal de controle. Outra característica interessante
é que o FET é unipolar, ou seja, a condução de corrente acontece apenas por um tipo
de portador (elétrons ou lacunas), de acordo com o tipo de FET (canal n ou canal p).
Basicamente, existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de junção (JFET –
Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta isolada
(MOSFET – Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Os transistores de efeito de campo operam em três regiões: de corte; de triodo; e
de saturação. A região de saturação é usada se o FET for operar como amplificador.
Para operar como chave, são usadas as regiões de corte e de triodo.
As regiões de operação são determinadas pelas tensões porta-fonte e dreno-
fonte.

4.1. Transistores JFET

Os transistores JFET consistem em uma fina camada de material tipo n ou tipo p,

dependendo do canal, com dois contatos ôhmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois
contatos retificadores, denominados portas (G).
A condução de corrente em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga
da fonte (S-Source) para o dreno (D-drain), através d o canal entre os elementos
da porta (G-Gate).
A polarização de um JEFT canal n é feita da seguinte forma: uma tensão positiva é
aplicada entre os terminais do dreno e da fonte, estabelecendo uma corrente; e um
tensão negativa é aplicada entre os terminais da porta e da fonte.
O aumento da tensão porta-fonte cria uma camada de depleção em volta das
regiões p, estreitando o canal condutor. Se tentarmos aplicar uma tensão porta-fonte
positiva a junção porta-canal torna-se diretamente polarizada e a porta deixa de
controlar o canal. A análise de um transistor JFET canal p é feita de forma análoga.

Figura 1: Simbologia transistor JFET com canal n.

4.2. Transistores MOSFET

Existem dois tipos de MOSFET: tipo intensificação (ou acumulação) e tipo

depleção. O MOSFET tipo intensificação é o tipo de transistor mais usado, sua
estrutura básica simplificada é mostrada na Figura 2.

Figura 2: Transistor MOSFET tipo intensificação com canal p.

A operação deste transistor consiste na aplicação de uma tensão positiva porta-

fonte, que faz com que as lacunas livres sejam repelidas da região do substrato sob a
porta e que elétrons das regiões n da fonte e do dreno sejam atraídos para esta
mesma região. Quando for acumulado um número suficiente de elétrons uma região n
é criada, conectando as regiões da fonte e do dreno.
A partir deste ponto, se uma tensão for aplicada entre os terminais do dreno e da
fonte, uma corrente circulará por essa região induzida (canal). A tensão necessária
para formar um canal de condução é denominada tensão de limiar.
A análise para o MOSFET canal p tipo intensificação é análoga.
A diferença básica entre os MOSFETs tipo intensificação e depleção está no canal,
pois no modo depleção o canal já está fisicamente implementado, e a tensão porta-
fonte apenas controla a largura do mesmo.
Entre o MOSFET e o JFET a diferença é a porta isolada eletricamente do canal. E é
por este fato que a corrente da porta do MOSFET é extremamente pequena,
independendo da tensão na porta (positiva ou negativa).

5. Procedimentos

Primeiramente testamos as funções dos multímetros utilizados na pratica através

de uma tensão aplicada sobre um único resistor.

XMM1
XMM2

Fonte
R1

Figura3: Teste dos multímetros.

 Após constatarmos a normalidade das funcionalidades dos dispositivos de
medidas implementamos um circuito com um transistor de forma que o transistor
recebesse uma tensão de 10V no terminal de dreno, enquanto que os terminais source
e gate são aterrados:

VDD
10V

BF245C

Figura 4: Circuito implementado para o experimento 1.

Através do circuito da Figura 4, coletamos a corrente de dreno I DSS para 2

transistores de mesmo modelo.
Posteriormente, projetamos um circuito de forma que o circuito caracterizasse um
transistor com polarização fixa:

VGG VDD
4V 15V

470Ω
1kΩ

BF245C

Figura 5: Polarização fixa do transistor.

No circuito da Figura 5, realizamos a coleta da corrente ID e das tensões VD e VP

para ambos os transistores BF245C utilizados inicialmente na Figura 4.
Em seguida foi projetado um circuito a fim de que o transistor apresentasse uma
polarização de autopolarização:
 VGG VDD
4V 15V

470Ω
1kΩ

BF245C

680Ω

Figura 6: Transistor com autopolarização.

Com o circuito operando nessa configuração coletamos os mesmos dados

coletados no circuito da Figura 5, tanto a corrente de dreno I D, quanto as tensões VD e
VP.
Por fim, foi implementado um circuito usando a propriedade de divisor de tensão
na entrada gate do transistor:

VDD
15V

470Ω
100kΩ

BF245C

33kΩ 2.2kΩ

Figura 7: Transistor operando com polarização com divisor de tensão.

Contudo, assim como nos circuitos anteriores, seguimos a mesma metodologia,

sempre medindo os dados do circuito para confecção de tabelas e análise do
funcionamento do dispositivo.

6. Resultados e discussão

Como para todos os circuitos da prática o IDSS e VP são iguais, nas tabelas de dados
coletados deixamos esses dados para uma melhor compreensão.
A partir do circuito da Figura 5, coletamos alguns dados para análise:

Tabela 1: Coleta de dados Transistor BF245C com polarização fixa.

IDSS (mA) VP (V) ID (mA) VD (V) VS (V)

FET 1 14,42 4,55 7,73 11,48 0
FET 2 15,17 4,67 8,27 11,22 0
 Possuindo um conhecimento teórico especifico sobre o assunto, foi possível
realizar a partir da corrente de dreno IDSS e tensão de pinch-off VP realizar o calculo
para a corrente ID e das tensões VP e VS para comparação com os resultados obtidos na
prática:

Tabela 2: Cálculo dos dados Transistor BF245C com polarização fixa

ID (mA) VD (V) VS (V)

FET 1 0,21 14,9 0
FET 2 0,31 14,8 0

Como no circuito da Figura 5, também realizamos medições para o circuito da

Figura 6, em que o transistor apresenta uma configuração de autopolarização:

Tabela 3: Coleta de dados Transistor BF245C com autopolarização.

IDSS (mA) VP (V) ID (mA) VD (V) VS (V)

FET 1 14,42 4,55 3,84 13,22 2,60
FET 2 15,17 4,67 4,00 13,68 2,70

Como resultado teórico, através dos cálculos, obtivemos a seguinte tabela:

Tabela 4: Cálculo dos dados Transistor BF245C com autopolarização

ID (mA) VD (V) VS (V)

FET 1 2,6 13,8 1,8
FET 2 2,9 13,76 2,07

Por fim, o circuito da Figura 7, característico de um transistor com divisor de

tensão, coletamos as seguintes grandezas:

Tabela 5: Coleta de dados Transistor BF245C com divisor de tensão.

IDSS (mA) VP (V) ID (mA) VD (V) VS (V)

FET 1 14,42 4,55 3,00 13,61 6,50
FET 2 15,17 4,67 3,00 13,59 6,62

Através dos cálculos, a seguinte tabela foi criada:

Tabela 6: Cálculo dos dados Transistor BF245C com divisor de tensão.

ID (mA) VD (V) VS (V)

FET 1 2,8 13,67 6,22
FET 2 2,9 13,63 6,38
7. Conclusão
Em meio aos cálculos dos valores de Vd, Vs e Id, no circuito 1, notamos algumas
divergências consideráveis nos resultados obtidos na forma matemática com relação
aos meios de medição em prática realizada através do multímetro. Tais resultados
podem ter sido consequência de uma montagem não correta do circuito, colocando
resistores de valores diferentes dos propostos inicialmente sem que tenhamos dado
conta, ou ainda, não realizar a medição no local correto.
Os demais circuitos apresentaram um resultado aceitável, levando em
consideração a precisão dos equipamentos utilizados, valores de resistência que em
prática nunca são exatos, ou que a passagem de corrente através do dispositivo
transistor pode alternar seus valores devido a efeitos externos como a temperatura
dos componentes.

8. Referências

[1] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8.
ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004.

[2] MALVINO, Albert Paul. Eletronica. 4.ed. Sao Paulo: Makron, c1997.

[3] Fundamento Da Eletrônica. Transistores Unipolares. Disponível em <

http://www.downtronica.org/2011/06/apostilas-transistores-jfet-e-mosfets.html>. Acessado
em 20/10/2012.

[4] Universidade Federal de São João Del Rei. Transistores de efeito de campo. Disponível em
< http://www.ppgel.ufsj.edu.br/uaisoccer/downloads/1281282748.pdf>. Acessado em
20/10/2012.