INSTITUTO FEDERAL CATARINENSE

Curso de Graduação em Engenharia de Controle e Automação

Relatório de Eletrônica Básica Experimental

POLARIZAÇÃO CC DO TRANSISTOR BJT

Autoras: Camila Greice Hetkowski, Gilberto José Bufon e Sabrina Zanella

Professor: Me. Tiago Dequigiovani

Luzerna, 04 de abril de 2019

 SUMÁRIO

1. FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA........................................................................................ 4
2. OBJETIVOS ...................................................................................................................... 11
3. METODOLOGIA ............................................................................................................... 12
4. RESULTADOS E DISCUSSÕES ................................................................................... 16
5. CONCLUSÃO ................................................................................................................... 22
6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS .............................................................................. 23
 RESUMO

O presente trabalho trata do segundo experimento realizado na disciplina de

Eletrônica Básica Experimental, referente à Polarização CC do Transistor BJT, uma das
aplicações sobre o conteúdo abordado em Eletrônica Básica. Neste relatório será
enunciado o que são transistores bipolares de junção BJT e suas respectivas
configurações de polarização – a qual pode ser fixa, estável de emissor e por divisor de
tensão; além de ser exposta a metodologia utilizada para a elaboração do experimento
e os resultados obtidos através da análise com instrumentos de medição e cálculos para
fins de comparação.

Palavras-chave: transistor, polarização CC, transistor BJT.

 4

1. FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

De acordo com Matias [1], o transistor nada mais é do que “um componente
eletrônico semicondutor com várias funções”, já que possui a capacidade de operar
como um amplificador de sinal de tensão ou corrente elétrica, comutador de circuitos e
regulador de corrente. Além disso, a termo transistor é oriunda da junção das palavras
“transfer” e “resistor”, ou seja, resistência de transferência, já que o transistor “pode ser
considerado como uma resistência fixa ou variável inserida entre a carga e o gerador”
[1].
Atualmente são encontrados no mercado dois principais tipos de transistores, o
transistor bipolar – ou BJT; e o unipolar – este último também conhecido como FET. O
objeto de estudo deste trabalho é o transistor bipolar ou BJT, que é o tipo de transistor
mais comum justamente pela sua capacidade de polarização e durabilidade.
O transistor bipolar foi nomeado desta maneira devido o seu processo de condução,
que pode ser efetuado com carga positiva e com carga negativa. De acordo com o site
MecaWeb [2], o transistor BJT é constituído por duas “pastilhas de material
semicondutor de mesmo tipo, entre as quais é colocada uma terceira pastilha mais fina
e de um material condutor diferente”. Como consequência desta estrutura do BJT é
possível dividir este transistor em dois tipos diferentes: NPN e PNP.
Estas pastilhas que constituem o transistor possuem terminais, os quais tem a
finalidade de serem conectados aos circuitos onde o transistor irá atuar. A pastilha do
centro é conhecida como base (B), as pastilhas das extremidades são denominadas de
coletor (C) e emissor (E). A configuração do transistor consta na Figura 1.

Figura 1: Transistor BJT NPN à esquerda e PNP à direita.

 5

Na base do transistor BJT circula uma corrente de base (IB), gerada caso uma tensão
(VBE) efetuada entre a base e o emissor. No coletor, por sua vez, pode vir a existir uma
corrente elétrica, mais conhecida como corrente de coletor (IC), originada através das
lacunas que atingem o coletor – as quais são oriundas do emissor, que não se
recombinam, passando pela base e chegando ao coletor. Já no emissor, havendo uma
corrente que circule na base e no coletor, transitará uma corrente elétrica, a corrente de
emissor, dada por:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

No transistor há um ganho β, adimensional, que indica “quantas vezes a corrente de

coletor IC é maior que a corrente de base IB” [2], ou seja:

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

A partir da equação acima é possível calcular a corrente no coletor e na base:

𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵

Onde IB é a corrente na base e IC a corrente no coletor. Além disso:

𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽

Como é possível observar, o fato do transistor viabilizar um ganho de corrente entre

a base e o coletor não expressa que as correntes são produzidas dentro do mesmo.
Tais correntes são distribuídas no transistor por intermédio das fontes de alimentação
interligadas ao circuito. Desta forma, o transistor realiza somente o controle destas
correntes.
Para um transistor ter seu pleno funcionamento é necessário que o mesmo esteja
corretamente polarizado. Polarizar um transistor significa aplicar tensões CC em um
circuito afim de estabelecer valores fixos de corrente e tensão, conforme Boylestad [4].
Quando um transistor é utilizado como amplificador, a corrente elétrica e a tensão CC
resultantes constituem um ponto de operação ou ponto quiescente que é fixo nas curvas
características que estabelecem a região que será utilizada para a amplificação do sinal.
O ponto te operação de um transistor varia de acordo com a temperatura exercida sobre
o transistor, porém, algumas formas de polarização reduzem tais variações.
 6

As três formas de polarização abordadas neste trabalho foram: polarização fixa,

polarização estável emissor e polarização com divisor de tensão.
A polarização fixa, exibida na Figura 2, é a estrutura menos complexa de
polarização, porém, é a mais instável por causa de sua instabilidade ao valor de β no
ponto quiesciente. Ou seja, nesta configuração emissor-comum com polarização fixa há
a dependência da corrente de base com o ganho do transistor, já que:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 0,7

𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 𝑅𝐵

Onde VCC é a tensão aplicada no circuito, VBE é a tensão base-emissor que equivale
a 0,7V, IB é a corrente na base e RB é a resistência de base. Analisando a malha entre
o coletor-emissor da Figura 2, temos que:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶

Em que VCE é a tensão coletor-emissor, RC é a resistência no coletor e IC é a corrente

que passa pelo coletor. Conhecendo a corrente de base e a tensão emissor-coletor é
possível obter IC que nada mais é do que a corrente no coletor, pois:

𝛽 ∗ (𝑉𝐶𝐶 − 0,7)
𝐼𝐶 =
𝑅𝐵

Onde RB, conforme anteriormente afirmado, é a resistência de base deste circuito

de polarização.

Figura 2: Circuito de polarização fixa. [4]

 7

Na polarização estável-emissor tal estrutura de polarização é menos sensível às

variações do ganho β do que a polarização fixa, proporcionando maior estabilidade para
o circuito. A corrente de base nesta configuração é reduzida, levando em consideração
que as resistências empregadas no terminal do emissor são ‘vistas’ da base como se
fosse um resistor demasiadamente maior. [4]
Com isso, a corrente na base é dada por:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) ∗ 𝑅𝐸

Já a corrente no coletor:
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵

Analisando a malha coletor-emissor da Figura 3, é possível obter a tensão coletor

emissor VCE:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 − 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸

Onde RC e IC são a resistência e corrente no coletor e RE e IE no emissor,

respectivamente.

Figura 3: Polarização estável do emissor. [4]

A polarização por divisor de tensão, por sua vez, é a mais comum de todas as
formas de polarização, o que se deve principalmente pela sua baixa sensibilidade a
variações do ganho β de um transistor para o outro em um mesmo lote [4]. Este tipo de
polarização, além de prover estabilidade de saída devido ao resistor de emissor RE, faz
com que o pronto quiescente permaneça constante, ou seja, independente de variações
do ganho β. A representação deste circuito consta na Figura 4.
 8

Figura 4: Polarização por divisor de tensão. [4]

Para o circuito desta forma de polarização é obtido a resistência de Thévenin

RTH através do cálculo da resistência em paralelo de R1 e R2. Já a tensão de Thévenin,
ou tensão de circuito aberto VTH é dada por:

𝑅2
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑅2 = ∗𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶

Onde VCC é a tensão aplicada no circuito e VR2 é a tensão no resistor R2. Tendo os
valores da tensão e resistência de Thévenin é possível calcular a corrente na base IB e
a corrente no coletor IC, que são, respectivamente:

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1) ∗ 𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵

Em que VBE é a tensão base-emissor e IE a corrente no emissor. Analisando a malha

coletor-emissor:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 − 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸

Conforme anteriormente afirmado, uma das características de um transistor é sua

capacidade de atuar como chave, onde pode alterar a região de corte e de saturação.
Segundo Wendling [6], a região de corte é caracterizada como o ponto onde a reta de
carga intercepta a curva IB=0, conforme explícito na Figura 5.
 9

Figura 5: Região de corte e saturação de um transistor. [6]

Neste ponto onde IB é igual a zero a corrente de base equivale a zero, e a corrente
no coletor IC é pequena, conforme a Figura 5. O ponto ou região de saturação, por sua
vez, é onde existe a interseção da reta de carga e a curva onde a corrente de base é
igual à corrente de base de saturação, que é onde a corrente de coletor é caracterizada
como máxima. Deste modo, o ponto de operação deve alternar entre a região de corte
e a região de saturação, sendo que, conforme a Figura 6, o chaveamento ou comutação
ocorre a partir de uma entrada externa.

Figura 6: Circuito de chaveamento com transistor quando há 0V aplicado na entrada Vi.

No caso de chaveamento com transistor deve-se assegurar que a corrente de base

IB possua valor suficiente para o pleno funcionamento do circuito. Para um ponto onde
a corrente no coletor IC equivale à corrente de saturação no coletor ICSAT:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 =
𝑅𝐶
 10

Onde RC é a resistência no coletor e VCESAT é a tensão coletor-emissor de saturação.

A corrente de base IB, para este caso, é dada por:

𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇
𝐼𝐵 ≥
𝛽

Deste modo, a resistência de base RB é calculada através de:

𝑉𝑖 − 0,7
𝑅𝐵 ≤
𝐼𝐵

Onde Vi é a corrente na entrada do circuito.

 11

2. OBJETIVOS

Este trabalho tem como objetivos estudar os princípios dos transistores BJT de
forma a analisar diferentes formas de polarização CC do transistor BJT, verificar o
funcionamento do transistor operando como chave, efetuar as medições solicitadas de
tensões, correntes e ganho do transistor através de multímetro e do medidor de ganho
para o transistor e realizar os devidos cálculos afim de comparar os resultados medidos
e calculados, bem como os fatores que têm influência sobre cada um dos itens acima
descritos.
 12

3. METODOLOGIA

Os materiais utilizados para a elaboração deste experimento foram: resistores

de diversas resistências e potenciômetro, fonte de tensão continua ajustável,
transistores BC548B e BC337, relé 12Vcc, sinaleiro, matriz de contatos, multímetro.
Neste experimento, primeiramente foram encontrados os valores de ganho β
através dos documentos datasheet para cada tipo de transistor.
.

3.1. CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA

É possível calcular o ganho do transistor através das correntes medidas na

polarização fixa do transistor. O circuito é apresentado na Figura 7:

Figura 7: Circuito polarização fixa

Para tanto, é preciso projetar os resistores RB e RC considerando as correntes

calculadas. Nesta parte do experimento, foram calculados os valores da corrente IB e
dos resistores RB e RC para VCC igual a 12V, e o ponto quiescente ICQ = 5mA e VCEQ =
5V para os dois modelos de transistor.
As equações utilizadas para os cálculos foram:

𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑅𝐶 =
𝐼𝐶𝑄
 13

Os valores encontrados para RB e RC foram utilizados para a escolha de valores

aproximados de resistores comerciais para a montagem do circuito, sendo que para RC
deveria ser utilizado um potenciômetro devidamente ajustado para a resistência
calculada do ponto de operação.
Após a montagem, foram feitas as medições pertinentes sendo elas os valores
de IBQ, ICQ, VCEQ, VBEQ e finalmente o cálculo do ganho β. O ganho também pode ser
medido através de multímetro.

3.2. CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO ESTÁVEL DE EMISSOR

Já para o circuito de polarização estável de emissor, o objetivo foi montar o

mesmo circuito para os transistores e fazer as medições a fim de calcular a estabilidade
do circuito independente das variações do ganho β. O circuito montado é representado
na Figura 8 onde os valores de cada componente foram fornecidos: VCC=12V,
RB=270kΩ, RC=10kΩ e RE=2,2kΩ.

Figura 8: Circuito polarização fixa

3.3. CIRCUITO COM POLARIZAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO

Para o circuito de polarização com divisor de tensão, apresentado na Figura 9 o

objetivo foi efetuar as medições para os valores fornecidos VCC=12V, R1=100kΩ,
R2=33kΩ, RC=560Ω e RE=100Ω.
 14

Figura 9: Circuito polarização com divisor de tensão

3.4 CIRCUITO COM TRANSISTOR OPERANDO COMO CHAVE

Para que o transistor opere como chave deve ser assegurado que a corrente IB
seja suficiente para que IC seja igual a corrente de saturação de do transistor ICsat, de
forma que VCE seja igual a VCEsat.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 =
𝛽
𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

Após, foi realizada a montagem do circuito da Figura 10 e coletadas as medições de

IC e VCE para a chave aberta e para a chave fechada.

Figura 10: Transistor operando como chave.

 15

Na Figura 10 foi exibido o circuito montado para a realização das medições. Para a
realização das medições para efeitos de segurança foi retirado a alimentação da carga
de 220Vac, somente o relé acionava mas sem a carga acoplada.
Nesta ocasião foi calculado o valor do resistor de base RB, que mostrado na etapa
de Resultados e Discussões.
 16

4. RESULTADOS E DISCUSSÕES

Inicialmente, foram encontrados através dos datasheets dos transistores

BC548B e BC337 os valores do ganho β. Os dados encontrados foram β=290 para o
transistor BC548B e β=160 para o transistor BC337.

4.1. CIRCUITO COM POLARIZAÇÃO FIXA

Para o circuito com polarização fixa solicitado, foram inicialmente realizados os

cálculos com objetivo de projetar os resistores de base e coletor para o ponto quiescente
desejado, utilizando os valores de ganho obtidos através do datasheet. Para ambos os
transistores, a tensão de alimentação VCC = 12V e o ponto quiescente solicitado foi ICQ
= 5mA e VCEQ = 5V. Deste modo, foram calculados os resistores de base e coletor para
cada transistor.
Para o transistor BC548B:
𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵

Onde IC é a corrente no coletor, IB a corrente na base e β o ganho no transistor.

Manipulando a equação acima descrita e substituindo os valores dados, é possível obter
I B:

𝐼𝑐 5𝑚
𝐼𝐵 = = = 17,2𝑢𝐴
𝛽 290

Utilizando a equação abaixo onde RB é a resistência de base e VBE a tensão

base-emissor e manipulando-a, pode-se obter RB:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0,7

𝑅𝐵 = = = 656𝑘Ω
𝐼𝐵 17,2𝑢
Tendo consciência do método de cálculo utilizado para VCE, a tensão coletor-
emissor, basta isolar RC e completar com os valores:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶
 17

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 12 − 5
𝑅𝐶 = = = 1,4𝑘Ω
𝐼𝐶𝑄 5𝑚

Onde RC é a resistência no coletor.

Para o transistor BC337, reagrupando os termos e isolando IB:

𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵
𝐼𝑐 5𝑚
𝐼𝐵 = = = 31,2𝑢𝐴
𝛽 160

Substituindo IB na equação abaixo e isolando RB:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0,7
𝑅𝐵 = = = 362𝑘Ω
𝐼𝐵𝑄 31,2𝑢

Possuindo o valor de IC no ponto quiescente, de VCC e da tensão coletor-emissor

VCE:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 12 − 5
𝑅𝐶 = = = 1,4𝑘Ω
𝐼𝐶 5𝑚

Onde RC é a resistência no coletor.

Na Tabela 1 constam os valores obtidos acima, através dos cálculos para os dois
modelos de transistores:

Tabela 1: Valores calculados para resistores.

IB RB RC β (datasheet)
BC548B 17,2uA 656kΩ 1,4kΩ 290
BC337 31,2uA 362kΩ 1,4kΩ 160

Para a montagem, foram utilizados valores comerciais aproximados dos valores

calculados. Assim, para o transistor BC548B, foi utilizado um resistor RB no valor
comercial de 680kΩ, com sua resistência medida em 676kΩ. Já para RC foi utilizado um
potenciômetro ajustado para a resistência de 1410Ω, o circuito está representado na
Figura 7 do item anterior.
 18

Foram então realizadas as medições através do multímetro onde foram

encontrados os valores presentes na Tabela 2:

Tabela 2: Valores medidos para transistor BC548B.

IBQ IC VCE VBE β

16,8uA 6,1mA 3,14V 0,662V 376

O valor β de ganho, pode ser obtido mais uma vez via cálculo, usando como
referência os valores de corrente medidos:

𝐼𝐶 6,1𝑚
𝛽= = = 363
𝐼𝐵 16,8𝑢

Desta maneira é possível perceber que o valor de β oriundo do datasheet, o valor

medido e o valor calculado para este transistor possuem certa proximidade. Pequenas
variações podem se dar devido a falhas e até mesmo ruídos nos instrumentos de
medição que foram utilizados.
Para o transistor BC337, por sua vez, foi utilizado um resistor RB no valor
comercial de 360kΩ, com sua resistência medida em 367kΩ. Já para RC foi utilizado o
potenciômetro ajustado para a resistência de 1410Ω. Deste modo, foram realizadas as
medições apresentadas na Tabela 3:

Tabela 3: Valores medidos para transistor BC337.

IB IC VCE VBE β
31,8uA 4,28Ma 0,170V 0,627V 258

O valor β de ganho, pode ser calculado:

𝐼𝐶𝑄 4,28𝑚
𝛽= = = 135
𝐼𝐵𝑄 31,8𝑢

O valor de ganho β obtido neste transistor ficou distante pois o ponto quiescente
não ficou no centro da região ativa das curvas do transistor, deste modo, o mesmo ficou
próximo da região de corte. Este fato ocasionou um ganho 𝛽 com um valor menos
elevado do que o medido do transistor, já que este ganho medido foi realizado com um
instrumento de medição que aplica uma corrente que não se sabe o valor sobre o
transistor para obter o valor de β, já que o valor do ganho analisando-se o datasheet é
de 100 a 600.
 19

Em outras palavras, pode-se afirmar que na configuração da polarização fixa há

uma maior instabilidade relacionada ao valor do ganho β no ponto quiescente já que há
maior dependência da corrente de base com o ganho no transistor.

4.2. CIRCUITO COM POLARIZAÇÃO ESTÁVEL DE EMISSOR

Para o circuito com polarização estável de emissor solicitado, foi montado um

circuito com VCC=12V e os resistores da base, coletor e emissor com os valores
RB=270kΩ, RC=10kΩ e RE=2,2kΩ, o circuito está apresentado na Figura 8.
Após a montagem, foram realizadas as medições conforme apresentado na
Tabela 4, é possível notar que a corrente na base e o valor de corrente no coletor se
conservam independente do ganho do transistor, somente a tensão quiescente é
proporcional ao ganho β:

Tabela 4: Valores medidos.

IB IC VCE β
BC548B 34,0uA 985uA 60,5mV 290
BC337 34,1uA 987uA 31,4mV 160

Deste modo é plausível reiterar que nesta polarização há uma menor

sensibilidade às variações do ganho β, o que torna o circuito mais estável.

4.3. POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Para o circuito com polarização por divisor de tensão, foi montado um circuito
com VCC=12V e os resistores R1=100kΩ, R2=33kΩ, RC= 560Ω e RE=100Ω. As medições
foram realizadas e são apresentadas na Tabela 5, e o circuito foi apresentado na Figura
9 do item 3 deste relatório. Os valores medidos para este caso se encontram na Tabela
5:

Tabela 5: Valores medidos.

IB IC VCE β
BC548B 100,5uA 13,7mA 3,09V 290
BC337 102,7uA 12,15mA 4,12V 160

Neste circuito, pode-se observar que os valores de corrente e tensão pouco se

alteram com a mudança do ganho β, o que se deve à própria característica deste
 20

circuito, onde o ponto de operação tem menor dependência de β comparado com os

circuitos anteriores.

4.4 TRANSISTOR OPERANDO COMO CHAVE

Primeiramente foi medida a resistência da bobina do relé que representa RC,

onde foi encontrado o valor de 391Ω. Conhecendo o valor de VCC que equivale a 12V e
utilizando o transistor BC337 de ganho β=160, foi possível realizar os cálculos para
determinar RB lembrando que a corrente de saturação no coletor é calculada através de:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶
12
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = 30,69𝑚𝐴
391

Onde ICSAT é a corrente de saturação no coletor e RC a resistência no coletor.

Calculando a corrente de base máxima IBmáx através do valor calculado de ICSAT e do
ganho β:
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 =
𝛽
30,69𝑚
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 = = 192𝑢𝐴
160

A partir do valor de IBmáx calculado, tendo VBE e a tensão de entrada Vi, a

resistência de base RB equivale a:

𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼B𝑚𝑎𝑥
𝑅𝐵 = 22𝑘𝛺

O resistor RB encontrado é de 22kΩ, mas de modo prático, é aconselhável a

utilização um resistor de base de 10kΩ, pois é um valor mais apropriado para garantir
que a corrente de base no transistor tenha um valor suficiente para garantir que a
corrente 𝐼𝐶 seja equivalente a 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 , tendo desta forma o cuidado para não exceder a
corrente máxima de base. Isso garante que o transistor opere na região de corte ou
saturação. O ponto de operação deve alternar entre a região de corte e saturação.
Deve-se verificar as especificações do transistor, quanto a frequência de
chaveamento, além das especificações de corrente e tensão e os cuidados na
 21

montagem do circuito quanto a carga que for utilizada, pois no caso de uma carga
indutiva, após o corte do transistor, uma corrente ainda tende a circular pelo indutor
(carga) o que fará com que o transistor possa ter danos. A demonstração de como foi
realizada esta montagem consta na Figura 10.

4.5 QUESTÕES PÓS LABORATÓRIO

Em relação a montagem e observando os valores medidos nos circuitos

utilizando transistores com diferentes valores de ganho β foi possível observar que no
circuito de polarização fixa, ao projetar um circuito para um ponto de operação
específico, o valor do ganho β do transistor tem maior impacto sobre os parâmetros,
tendo que ser cuidadosamente dimensionado o resistor de base em relação a corrente,
somente o resistor do coletor não depende do ganho no transistor. Já no circuito de
polarização estável de emissor, esta estabilidade representa onde o ganho tem
influência de forma mais significativa no ponto de operação, mas somente no valor da
tensão pois a corrente não sofre grande alteração. O circuito de polarização com divisor
de tensão por sua vez, das três configurações é o que o ganho do transistor tem menos
preponderância sobre o ponto de operação.
Além disso, na prática foi possível verificar que um transistor pode operar
também como uma chave, sendo que neste modo, o transistor não opera na região
ativa, já que o mesmo alterna entre região de saturação e região de corte, sendo
aplicada uma corrente de base necessária para que a corrente de coletor seja igual
corrente de coletor de saturação. Neste circuito foi colocado uma carga no coletor do
transistor, esta carga em questão na ocasião foi um relé, o qual acionava um sinaleiro
com uma tensão de 220 Vac.
 22

5. CONCLUSÃO

Tendo em vista o observado durante a realização do experimento, bem como a

confecção do relatório, é plausível afirmar que os transistores são de grande importância
para a área da eletrônica, já que através deles podem ser realizadas diversas aplicações
práticas, afinal nada mais são do que componentes eletrônicos que possuem diversas
funções, como amplificar tensões e correntes, comutar circuitos e regular correntes.
Como o próprio nome do componente indica, já que é oriundo da junção das
palavras “transfer” e “resistor”, um transistor é uma resistência de transferência, pois
pode ser considerado uma resistência fixa ou variável inserida entre a carga e o gerador.
O transistor BJT ou bipolar de junção recebe esta denominação devido o seu
processo de condução que pode ser realizado com carga positiva e com carga negativa.
Este transistor pode ser polarizado de diferentes maneiras, cada uma com suas
particularidades.
Na polarização fixa, conforme abordado neste trabalho, há maior instabilidade
relacionada ao valor do ganho β no ponto quiescente já que há maior dependência da
corrente de base com o ganho no transistor. Na polarização estável-emissor, por sua
vez, há menos sensibilidade às variações do ganho β, o que torna o circuito mais
estável. Já na polarização por divisor de tensão a estabilidade não depende das
variações de β.
Além disso, uma das mais importantes características de um transistor é sua
capacidade de atuar como chave. Deste modo, é possível alterar as regiões de corte e
saturação do mesmo.
Neste relatório, foram apresentados valores calculados e medidos para
correntes, tensões e resistências em dois diferentes tipos de transistor BJT, além de
observar os fatores que influenciam no chaveamento de um transistor, afim de viabilizar
comparação e melhor assimilação do conteúdo abordado.
A discrepância em alguns valores pode se dar devido a erros na medição e
critérios de arredondamento, porém, praticamente todos os valores de certa forma se
aproximaram do esperado, o que permite concluir que grande parte dos resultados
calculados coincidem ou se aproxima dos resultados medidos, possibilitando o alcance
de um resultado mais correto.
 23

6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] MATIAS, José Vagos Carreira. O que são transistores? Disponível em:
<http://www.josematias.pt/eletr/o-que-sao-transistores/>. Acesso em: 01 de abril de
2019.
[2] AUTOR DESCONHECIDO. Transistores. Disponível em:
<http://www.mecaweb.com.br/eletronica/content/e_transistor_bjt>. Acesso em: 01 de
abril de 2019.
[3] STROSKI, Pedro Ney. Como funciona o transistor BJT? Disponível em:
<http://www.electricalelibrary.com/2017/10/15/como-funciona-o-transistor-bjt/>. Acesso
em: 01 de abril de 2019.
[4] BOYLESTAD, Robert; NASHELESKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos. 8° Ed. São Paulo: Pearson, 2011.
[5] AUTOR DESCONHECIDO. Polarização fixa do emissor do BJT. Disponível em:
<https://www.passeidireto.com/arquivo/35913293/07-relatorio-polarizacao-fixa-tbj>.
Acesso em: 01 de abril de 2019.
[5] WENDLING, Marcelo. Transistores II. Disponível em:
<http://www2.feg.unesp.br/Home/PaginasPessoais/ProfMarceloWendling/1---
transistores-ii---v1.0.pdf>. Acesso em: 01 de abril de 2019.