Práctica de Laboratorio #1(AMPLIFICADOR FET) 1

Informe practica de laboratorio #1:

AMPLIFICADOR FET
Garcia Castaño Jesus Daniel
jdgarciac@uqvirtual.edu.co
Universidad del Quindío

Resumen — En el Informe se mostrarán los resultados
obtenidos de la práctica, corrigiendo en este el análisis teórico
del amplificador propuesto y obteniendo la caracterización
respectiva del transistor 2N5459.
Palabras clave — Transistor, amplificador, caracterización.
I. INTRODUCCIÓN
En la práctica de laboratorio se deberá realizar la
caracterización de un transistor de efecto de campo (FET
2N5459 canal N) mediante la obtención de las curvas
características y determinando en este los principales
parámetros de funcionamiento como amplificador y su
respuesta en frecuencia. Con los resultados obtenidos a partir
del análisis se deberá comparar con el comportamiento del
circuito en la simulación realizada en el software de Proteus.
II. METODOS E INSTRUMENTOS
voltaje de la fuente 𝑉𝐺𝑆 . Para ambos casos se deberá medir la
corriente 𝐼𝐷 del circuito.
Después se realizará de nuevo el análisis teórico expuesto en
los resultados para encontrar detalladamente el funcionamiento
que tendrá el circuito amplificador propuesto y poder comparar
y encontrar las diferencias que tendrá con la respectiva
simulación, los datos con los que se empleara este análisis
teórico será con los obtenidos en la simulación de la
caracterización del transistor, corrigiendo el análisis hecho en
el pre informe.
El software que se utilizara para la respectiva simulación del
amplificador será Proteus donde este ayudara para verificar que
el análisis teórico sea el correcto o que cambios se deberá hacer
para que el amplificador funcione como es debido.
El circuito amplificador propuesto para la práctica de
laboratorio es el mostrado en la figura 2, el cual tiene como
transistor el 2N5459.

Para la práctica de laboratorio se utilizará el software Proteus

para hacer la caracterización del transistor 2N5459, el circuito
mostrado con el que se hará el procedimiento será el mostrado
en la figura 1.

FIGURA 2. Circuito amplificador propuesto para la práctica.

III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

Al realizar la caracterización del transistor primero se halló la

curva característica de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 obteniendo la gráfica de la
figura 3.

FIGURA 1. Circuito para la caracterización del transistor

2N5459.

Las curvas características que se deberán obtener son 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆

e 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷 , esta primera curva se obtendrá dejando la fuente 𝑉𝐷𝑆
un valor de voltaje constante y la fuente 𝑉𝐺𝑆 será variable,
respectivamente la curva característica 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷 se simulara
dejando con un voltaje constante la fuente 𝑉𝐺𝑆 y variando el
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hechas en la simulación. El valor de la corriente de saturación

𝐼𝐷𝑆𝑆 y el voltaje de estrangulamiento 𝑉𝑃 .

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 𝑚𝐴
𝑉𝑃 = −0.96 𝑉 ≅ −1 𝑉

Y se tendrá que tener en cuenta la ecuación 1.

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 1
𝑉𝑃
El circuito en DC tiene como frecuencia igual a cero por lo tanto
los capacitores se convierten en circuito abierto y redibujando
FIGURA 3. Curva característica de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 el circuito quedaría como el mostrado en la figura 5.
En la curva característica se podrá ver el voltaje en el que el
transistor empieza a funcionar, este voltaje en la simulación
indica que es aproximadamente −1 𝑉. Este voltaje se llama
voltaje de estrangulamiento y en la tabla 1 se evidencia la
diferencia de este voltaje hallado al utilizado en el pre informe.

Tabla 1. Valores del voltaje de estrangulamiento

𝑉𝑝 data sheet (V) 𝑉𝑃 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 (𝑉)

-4 -1

Después se procede hallar la curva característica de𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷

obteniendo como grafica la figura 4.

FIGURA 5. Circuito para el análisis en DC.

Malla de entrada:

𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝑆 𝑅𝑆 = 0

Como 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 , quedaría la expresión en 𝑉𝐺𝑆 de la siguiente

manera:
FIGURA 4. Curva característica de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 2
En la curva característica de la figura 4 se podrá ver la corriente
de saturación que alcanza el circuito, esta corriente es de 10 𝑚𝐴 De la ecuación 1 se hace el binomio al cuadrado y se multiplica
y en la tabla 2 se evidencia la diferencia de esta corriente hasta quedar con la siguiente expresión:
utilizada en el pre informe.
2
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆
Tabla 2. Valores de la corriente de saturación. 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 − + 1.1
𝑉𝑃 𝑉𝑃2
𝐼𝐷𝑆𝑆 data sheet (mA) 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 (𝑚𝐴)
Y reemplazando 1.1 en 2 se reemplaza los valores que se
9 10 conocen y se hallan las dos posibles soluciones del voltaje 𝑉𝐺𝑆 .

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 2
Con los nuevos parámetros encontrados se corrige el análisis 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆
del circuito realizado en el pre informe. 𝑉𝑃 𝑉𝑃2

2
ANALISIS DC 4.5 𝑉𝐺𝑆 + 10 𝑉𝐺𝑆 + 4.5 = 0

Para el análisis en DC se tendrá en cuenta los parámetros del 𝑉𝐺𝑆1 = −0.626 𝑉

transistor 2N5459 encontrados en las curvas características 𝑉𝐺𝑆2 = −1.59 𝑉
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Como se obtienen dos posibles valores para el voltaje 𝑉𝐺𝑆 se −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆2
utilizara el que no supere el voltaje de estrangulamiento dado
por la especificación del transistor por lo que se trabajara con 𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷 ((𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝑆2 )
𝑉𝐺𝑆 = −0.626 𝑉.
′
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝐷𝑆𝑄
Teniendo el valor del voltaje 𝑉𝐺𝑆 se podrá conocer la corriente 𝐼𝐷′ = 𝐼𝐷 + 𝐼𝐷𝑄
del drenaje (𝐼𝐷 ).
′
𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = −(𝐼𝐷′ − 𝐼𝐷𝑄 )((𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝑆2 )
−𝑉𝐺𝑆 −(−0.626 𝑉) → 𝑅𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑒𝑛 𝐴𝐶
𝐼𝐷 = =− = 1.39 𝑚𝐴
𝑅𝑆 450Ω
𝐼𝐷𝑄 = 1.39 𝑚𝐴 En la figura 7 se mostrara la gráfica (𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 ) en donde se
verá el punto de operación y la región de funcionamiento en la
Malla de salida: que se reubico con los valores nuevos hallados en la
caracterización.
𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) → 𝑅𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝐷𝐶

Reemplazando los valores que se conocen se halla 𝑉𝐷𝑆𝑄 .

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 12.78 𝑉

Teniendo los valores de 𝐼𝐷𝑄 𝑦 𝑉𝐷𝑆𝑄 se conoce que el punto de

operación en el que el amplificador trabaja.

𝑄 (12.78 𝑉, 1.39 𝑚𝐴) FIGURA 7. Rectas de carga en DC y AC.

ANALISIS EN AC Teniendo en cuenta la figura 4, la ubicación del punto de

Para el análisis en AC la fuente de polarización se aterriza a
tierra y los capacitores se convierten en corto ya que se trabaja
con frecuencias relativamente altas, redibujando el circuito
quedaría como el mostrado en la figura 6.
operación está en un punto intermedio entre la región de
saturación que es donde se comporta como un amplificador y la
región de corte, con esto el voltaje máximo
𝑉𝑂𝑚𝑎𝑥 = 4.33 𝑉

ANALISIS EN PEQUEÑA SEÑAL

Para este análisis se deberá sustituir el transistor por su

respectivo modelo hibrido, el circuito será el mostrado en la
figura 8, en este se encontrará las impedancias de entrada y
salida y la ganancia de voltaje.

FIGURA 6. Circuito para el análisis en AC.

𝑉𝑜 = −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

𝑉𝑜 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆2 FIGURA 8. Circuito para el análisis en pequeña señal.

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𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐺 = 1𝑀Ω Para la práctica también se pide calcular la eficiencia de

transferencia de potencia del amplificador, por lo tanto, se hará
𝑍𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐷 = 3.3 𝑘Ω uso de las siguientes formulas con los nuevos valores obtenidos.

La ganancia de voltaje podrá ser encontrada con la razón que 𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = 18𝑣 ∗ 1.39 𝑚𝐴 = 25.02 𝑚𝑊
hay entre el voltaje de salida con respecto al de la entrada y para
esto se deberá encontrar el valor de la transconductancia 𝑔𝑚, (𝑉𝐿𝑚𝑎𝑥 )2 4.33 𝑉
asi: 𝑃𝐿 = = = 0.065 𝑚𝑊
2(𝑅𝐿 ) 2(33𝑘Ω)
𝑑𝐼𝐷 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑄 𝑃𝐿 0.065 𝑚𝑊
𝑔𝑚 = = (1 − ) 𝜂= ∗ 100% = ∗ 100%
𝑑𝑉𝐺𝑆 |𝑉𝑝 | 𝑉𝑝 𝑃𝐶𝐶 25.02 𝑚𝑊

1 𝜂 = 0.25 %
𝑔𝑚 = 7.48 𝑚
Ω
Hallada 𝜂 del circuito se podría decir que tendrá muy poca
𝑉𝑜 eficiencia ya que el amplificador no tiene máxima excursión
𝐴𝑣 =
𝑉𝑖 simétrica porque el punto de operación se encuentra en la región
de corte.
𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
En la figura 9 se muestra la simulación obtenida del
𝑉𝑖 = 𝑉𝐺𝑆 (1 + 𝑔𝑚𝑅𝑆 ) amplificador mostrando la señal de entrada (Amarilla) y la señal
de salida (Morado) con una amplificación evidenciada.
−𝑔𝑚(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠2

𝐴𝑣 = −11.8

Con el análisis en pequeña señal se determinó que la

impedancia de entrada del circuito será igual a 𝑅𝐺 la cual no
cambio.

𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐺 = 1𝑀Ω

La ganancia de voltaje obtenida con el análisis nuevo fue de

−11.8.

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA

FIGURA 9. Simulación del amplificador.
Para el análisis en baja frecuencia se deberá ver el aporte de
cada capacitor de manera independiente, por el motivo cuando Como la señal de salida no se encuentra recortada en sus picos
se mira el aporte de uno los otros estarán en corto. se podrá realizar el cálculo de la ganancia que se tiene.

Para Ci 𝑉𝑂 2.25 𝑉
1 1 𝐴𝑉 = = = 11.25
𝑓𝑖 = = = 0.0015𝐻𝑧 𝑉𝑖 200 𝑚𝑉
2𝜋 ∗ 𝐶𝑖 ∗ 𝑅𝐺 2𝜋(100𝜇𝑓)(1𝑀Ω)
La ganancia obtenida en la simulación es muy similar a la
Para Co ganancia obtenida en los cálculos teóricos.
1 1
𝑓𝑜 = =
2𝜋 ∗ 𝐶𝑜 ∗ (𝑅𝐷 + 𝑅𝐿) 2𝜋(100𝜇𝑓)(36.3𝑘Ω)
= 0.0438𝐻𝑧

Para Cs
1 1
𝑓𝑠 = = = 3.53𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝐶𝑠 ∗ (𝑅𝑠) 2𝜋(100𝜇𝑓)(450Ω)

FIGURA 10. Diagrama de bode.

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En la figura 10 se muestra el diagrama de bode obtenido con las

frecuencias de cortes que se halló teóricamente para las
frecuencias bajas.

IV.CONCLUSIONES

La región de funcionamiento que trabaja el circuito después de

la caracterización es entre la región de saturación y la región de
corte ya que el punto de operación se acerca a la parte derecha
de la gráfica de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 .

La eficiencia obtenida no es la esperada del 25 % ya que el

amplificador no posee máxima excursión simétrica, esto
provoca que la potencia en la carga sea muy baja ya que el punto
de operación se encuentra en la región de corte.

Los parámetros dados en el data sheet son muy diferentes a los

que se encuentran en los parámetros de los softwares de
simulaciones por lo que el análisis cambiara demasiado en su
funcionamiento.

V.REFERENCIAS

[1] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electrónica: Teoría

de circuitos y dispositivos electrónicos, Décima Edición,
2009. Página 132.