Unidad 3: Fase 3 - Implementar el elemento de control y la protección

contra corto circuito

Por:

Manuel Alexander Palacios Mosquera.

Código: 71383446

Tutor:

Francisco Fernández

Grupo

243006A_363_20

Electrónica Análoga

Universidad Nacional Abierta Distancia UNAD.

25/11/2017
Introducción: Comprende adecuadamente los principios de
funcionamiento y aplicación de dispositivos semiconductores como
Diodos y Transistores BJT, Amplificador De RF Con JFET y Control De
Fase De Media Onda, para el desarrollo y mantenimiento de sistemas
electrónicos análogos, realizar el montaje físico, lógico de cada uno
estos circuitos analizarlos, para dar solución a las situaciones del campo
disciplinar.

Objetivos: profundizar en los principios de fundamentales y

aplicaciones de los semiconductores, comprender el funcionamiento de
los semiconductores como estos se aplica en la electrónica moderna,
identificar las diferentes clases de dispositivos.

Actividades a desarrollar
El amplificador operacional no tiene la propiedad de poder manejar
grandes corrientes en su salida es por ello que al diseñar un circuito
regulador de tensión se emplean transistores como elementos para el
control de la carga, los transistores ofrecen la solución para lograr tener
corrientes altas en la carga.

Para el diseño de la fuente de alimentación se solicita se emplee un

transistor Darlington y en las librerías de componentes de PSpice se
cuenta con el transistor Darlington cuyo número de referencia es
2N6059 es necesario comprobar si este transistor es adecuado usarlo en
el diseño del regulador serie teniendo en cuenta los parámetros de la
hoja de características dada por el fabricante frente a los requerimientos
del diseño.
3.1 De la hoja característica del Transistor 2N6059 completar la
siguiente tabla:

IC hfe VCEO Ptot IB

12 A 750 100V(Min) 150 W 0.2 A
3.2 Teniendo en cuenta que se requiere una corriente de carga I L=
720mA y se conoce también el voltaje de salida regulado calcular el
valor de la resistencia de carga RL

RL =V/I → RL =7.5 V/ 720mA → RL =10.42 Ω

RL

10.41 Ω

3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la

potencia que se disipara para una corriente de carga de 720mA o
calcular el valor de la potencia disipada en el transistor teniendo en
cuenta las siguientes formulas:

PD= VCE ∙IL VCE = VS - Vsal

IL = 720mA, Vsal = 7.5, VS = 18.6,
VCE = 18.6 – 7.5 → VCE = 11.1 V

PD= VCE ∙IL → PD= 11.1V*720 mA → PD= 7.992 w

PD

7.992 w

3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para

usarse en la práctica o no “justifique su respuesta”:
 Si No
x

Después de analizar el Datasheet del transistor 2N6059 y los cálculos

realizados se concluye que ninguno de los valores sobre pasa los límites
establecidos por el fabricante.

La protección contra corto circuito

Fig No.4

Finalmente, con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman

la fuente de alimentación es necesaria la implementación de alguna
técnica de protección contra corto circuito, es por ello que se usará el
arreglo de limitación constante de corriente el cual para este diseño se
limitará a 900 mA la máxima corriente a circular en la carga ISL
3.5 Calcule el valor de Rlim:
Rlim = Vbe / ISL → Rlim = 0.7 V/ 900 mA → Rlim = 0.778 Ω

Rlim

0.778 Ω

3.6. Explique cómo funciona esta técnica de protección y cuál es su

principal desventaja.

Esta técnica limita la corriente, para esto se coloca en serie el limitador de

corriente con una fuente de voltaje cualquiera, que sea capaz de entregar
un voltaje 5 voltios mayor al voltaje final de salida. Por ejemplo, si el
circuito a alimentar funciona con 5 voltios, la fuente a utilizar debe
poder entregar 10.25 voltios.
La caída de voltaje de 5.25 voltios es la suma de la caída de: – 4 voltios
en el regulador U1, entre la entrada (In) y salida (Out) del regulador
(datos del fabricante) y … – 1.25 voltios en el transistor Q1, entre
colector y emisor o entre la patita de ajuste (ADJ) y salida (OUT) del
regulador. (datos del fabricante).
Es en la sección del transistor, donde se realiza la regulación de entrega
de corriente con ayuda del potenciómetro.
La principal desventaja de esta es la entrega de corriente puede ser de
unos pocos miliamperios hasta 0.5 amperios. Si se desea ampliar la
capacidad de entrega de corriente del circuito se debe reemplazar el
transistor Q1 por uno de mayor potencia

Bibliografía

Mijarez, R. (2014). Electrónica (pp. 81 - 107). Recuperado

de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.
action?ppg=102&docID=11013154&tm=1481146244120
Mijarez, R. (2014). Electrónica (pp. 108 - 114). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.
action?ppg=129&docID=11013154&tm=1482099868333
Suardiaz, J. (Productor). (2012). OVI Solución ejercicio de
amplificadores operacionales. [Video] Recuperado
de https://www.youtube.com/watch?v=FYqkaNWGpMU&t=47s