INSTITUTO TECNOLOGICO

SUPERIOR ZACATECAS NORTE

TIPOS DE TRISTORES.

TAREA No: 1

TRABAJO EN EL CURSO DE:

ELECTRONICA DE POTENCIA.

UNIDAD ACADEMICA DE INGENIERIA ELECTROMECANICA.

PRESENTA:

Estupiñán Delgado Jorge Luis.

DOCENTE:

M.I. Anuar Manuel Badillo Olvera.

Rio Grande, Zac. 30 de septiembre del 2019

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INTRODUCCIÓN.

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores

de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer
que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores
prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

TIPOS DR TRITORES.

1: TIRISTOR DE ABERTURA DE COMPUERTA (GTO)

 Funcionamiento: Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante

la aplicación de una señal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar
mediante una señal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche
y se construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR.
Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva
mediante un pulso negativo corto.

 Aplicación: Troceadores y convertidores, Control de motores asíncronos,

Inversores, Caldeo inductivo, Rectificadores, Soldadura al arco, Sistema de
alimentación ininterrumpida (SAI), Control de motores, Tracción eléctrica.
 Unidireccional

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2: TRISTOR DE CONDUCCION INVERSA (RTC)

 Funcionamiento: Estos se utilizan con cargas inductivas de tal manera que se

optimice el funcionamiento de la carga a su vez mejorar los requerimientos de
apagado del tiristor al activarse el diodo del montaje.

 Aplicación: Cambiadores de frecuencia, Inversores.

 Bidireccional.

3: TIRISTOR DE INDUCCION ESTATICA (SITH).

 Funcionamiento: Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un

voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y
desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta. Un
SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado

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activo, así como una baja caída de potencial, y se puede
fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más altas.

 Aplicación: Regulación de velocidad de motores.

 Unidireccional

4: RECTIFICADOR FOTOACTIVADO CONTROLADO DE SILICIO (LASCR)

 Funcionamiento: Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre

el disco de silicio. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación
producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La
estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad
para el disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para
cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser reconocido
por la simbología que muestra la figura I. Como se observa el mismo cuenta con
tres terminales Puerta (G), Ánodo (A), Cátodo (K) y una ventana transparente por
donde entra la luz.

 Aplicación: Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, por

ejemplo, transmisión de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia
reactiva estática o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total
aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como
unos cuantos cientos de kilovoltios.

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 Unidireccional

5: TIRISTOR ABIERTO POR MOS (MTO)

 Funcionamiento: Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, que puede ser
activado mediante la aplicación de un pulso negativo a su puerta con respecto al
ánodo. El impulso negativo se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya fuga de
corriente a través de la unión base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende. La
acción regenerativa en Q1 Q2 ÿ convierte la conducción en MCT on completo
dentro de un tiempo muy corto y la mantiene incluso después del pulso de entrada
se elimina. El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading dando una alta
capacidad de dI = dt y la facilidad de protección contra la sobretensión. ¿La
resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de un tiristor equivalente
debido a la degradación de la eficiencia de la inyección de N? emisor = p-base de la
unión. Además, la corriente de pico MCT es mucho más alto que el promedio o
calificación de la corriente eficaz. MCT se mantendrá en el estado ON hasta que la
corriente se invierte el dispositivo o un pulso a su vez-off se aplica a su puerta. La
aplicación de un impulso positivo a su puerta se apaga la realización de un MCT. El
impulso positivo se convierte en el NMOSFET (Off-FET), desviando así la base de
Q2 (PNP) hacia el ánodo de la MCT y la ruptura del enganche de la acción SCR.
Esto evita que la realimentación en el SCR y apaga la MCT. Todas las células dentro
del dispositivo se apagan al mismo tiempo para evitar un súbito aumento en la
densidad de corriente. Cuando el FET Off-están activados, la sección de SCR es
muy corto y esto se traduce en una alta dV dt = calificación de la MCT. La corriente
más alta que se puede apagar con la aplicación de un sesgo de la puerta se llama
controlable corriente máxima. El MCT se puede controlar la puerta si el actual
dispositivo es menor que el actual máximo controlable. Para corrientes de
dispositivo más pequeño, el ancho del pulso de apagado no es crítico. Sin embargo,
para las grandes corrientes, el pulso de la puerta tiene que ser más amplia y más a
menudo tiene que ocupará la totalidad del tiempo de parada del interruptor.
 Aplicación: El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales
se encuentran en la zona de ac-dc y la conversión de corriente alterna-alterna, donde

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la entrada es de 60 Hz de corriente alterna. Funcionamiento variable del factor de
potencia se logró mediante el MCT como una fuerza conmutado de interruptor de
alimentación. Debido a la frecuencia de conmutación es baja, las pérdidas de
conmutación son insignificantes. Debido a la caída directa es baja, las pérdidas de
conducción son también pequeñas. La MCT también se utiliza en los interruptores.
Comparación de los MCT con otros dispositivos de potencia
 Unidireccional.

6: TIRISTOR ABIERTO POR EMISOR (ETO).

 Funcionamiento: Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de

encendido, este pulso enciende el transistor npn que a su ves enciende al transistor
pnp y retiene al MTO. Para apagar el MOT se aplica un pulso de voltaje en la
compuerta MOSFET al encenderse esta, se pone en corto en emisor y la base del
transistor npn detenido así el proceso de retención.

 Aplicación:
 Unidireccional.

7: TIRISTOR CONMUTADO DE COMPUERTA INTEGRADA (IGCT).

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 Funcionamiento: El encendido se realiza aplicando una corriente de encendido a su
compuerta, Se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta
que aplica un pulso.

 Aplicación: Se utiliza en motores de media tensión, interconexiones de redes

eléctricas y compensadores estáticos.
 Unidireccional.

Bibliografía
http://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor
http://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://www.unicrom.com/tut_diac.asp
http://es.slideshare.net/fabian910120/scr-triac-y-diac
http://www.monografias.com/trabajos14/triac/triac.shtml

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