UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA.
Pre-Informe No.6: Configuraciones con MOSFET
Javier Eduardo Gutiérrez, Johan Alejandro Lopez Arias, Jhon Edison Bohorquez Martinez
{jaegutierrezser, johalopezari, jhebohorquezma}@unal.edu.co
Electrónica Análoga I - Grupo 3
I. Marco Teórico
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una
señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. Para efectos de la práctica No.5 de
laboratorio de electrónica analoga I, se útilizan transistores de
efecto de campo (FET), en particular el transistor de efecto
de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET).
El transistor de efecto de campo deriva su nombre de
la esencia de su operación fisica, especificamente, se
demuestra que el mecanismo de control de corriente está
basado en un campo eléctrico establecido por el voltaje
aplicado al terminal de control y la corriente es conducida por
sólo un tipo de portador (electrones o huecos), dependiendo
del FET (canal n o canal p). El MOSFET del tipo de
enriquecimiento es el transistor de efecto de campo más
ampliamente utilizado en el mundo de la electrónica de la
actualidad.
Fig. 1: Estructura fisica del transistor NMOS del tipo de
enriquecimiento
En la figura 1 se muestra la estructura fisica del MOSFET
de canal n del tipo de enriquecimiento. El transistor esta
fabricado de un sustrato tipo p, que es una oblea de un
solo cristal de silicio que proporciona apoyo fisico para el
dispositivo (y para todo el circuito en el caso de un circuito
integrado). Dos regiones tipo n fuertemente contaminadas,
indicados en la figura 1 como n+ fuente y n+ dren, se crean
en el sustrato. Una delgada capa de dióxido de silicio (SiO2 ),
que es un excelente aislador eléctrico, crecen en la superficie
del sustrato, cubriendo el área entre las regiones de la fuente
y el dren. Se deposita metal en la parte superior de la capa de
óxido para formar el electrodo de compuerta del dispositivo.
También se hacen contactos metálicos para la región de la
fuente, la región del dren y el sustrato, tambien conocido como
cuerpo. De esta forma, aparecen cuatro terminales: el terminal
de la compuerta (G), el terminal de la fuente (S), el terminal
del Dren (D) y el terminal del sustrato o cuerpo (M).
Fig. 2: Simbolo de circuito para MOSFET de enriquecimiento
de canal n con sustrato (B) conectado a la fuente
A. MOSFET de enriquecimiento canal n
En la figura 2, se ilustra el sı́mbolo de circuito para un
MOSFET de canal n del tipo de enriquecimiento, la linea
corta vertical denota el electrodo de la compuerta, y la linea
larga vertical denota el canal, lo cual indica que el dispositivo
es del tipo de enriquecimiento cuyo canal no existe sin
la aplicación de un voltaje apropiado de compuerta; y la
separación entre la linea de compuerta y la linea de canal
representa el hecho de que el electrodo de compuerta está
aislado del cuerpo del dispositivo. La punta de flecha en
el terminal de la fuente apunta en la dirección normal de
circulación de corriente y logra dos objetivos: distingue la
fuente del dren e indica la polaridad del dispositivo (es decir,
canal n).
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En la figura 5 se muestran las polaridades de voltaje

y corriente para operacion normal, recordando que para el
dispositivo de canal p, el voltaje Vt de umbral es negativo.
Las curvas caracteristicas y las ecuaciones 1 y 2, que rigen
cada una de las regiones de transistor son similares a las que
rigen al transistor de canal n, la cual se puede observar en la
figura 3.b.

Fig. 3: (a) MOSFET del tipo de enriquecimiento de canal n

con VGS y VDS aplicados con las direcciones normales de
circulación indicadas. (b) Las curvas caracteristicas iD -VDS
para un dispositivo con Vt = 1 V

En la figura 3 se ilustra el circuito conceptual empleado a un

MOSFET de canal n del tipo de enriquecimiento, con voltajes
VGS y VDS aplicados e indicadas las direcciones normales
de circulacion de corrientes para el cual se mide las curvas
caracteristicas iD -VDS , que son una familia de curvas, cada
una medidad a un VGS constante. Las curvas caracteristicas
indican que hay tres regiones distintas de operación: la región
de corte, la región de triodo y la región de saturación. En la
región de triodo las curvas caracteristicas se pueden describir
mediante la siguiente relación:
!2
1
ID = k (VGS − VT ) VDS − VDS (1)
2
y en la región de saturación las curvas caracteristicas se
describen mediante la siguiente relación:
Fig. 5: Ciruito del MOSFET de canal p con los voltajes
aplicados y las direcciones de circulación indicadas.
C. Operación y caracteristicas basicas del transistor Mosfet
de enriquecimiento canal n
Si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un voltaje entre el
drenaje y la fuente del dispositivo de la figura 1, la ausencia
de un canal n (con su generoso número de portadores libres)
producirá una corriente de efectivamente 0 A; muy diferente
del MOSFET tipo empobrecimiento, donde ID IDS S .

ID = K (VGS − VT )2 (2)
Siempre y cuando cumpla que:

VGS − VDS ≤ Vt (3)

B. Curvas caracteristicas del MOSFET canal p

El simbolo de circuito para el MOSFET de canal p del tipo
de enriquecimiento se muestra en la figura 4. Para el caso en
que el sustrato se conecta a la fuente, por lo general se utiliza
el simbolo simplificado de la figura 4.

Fig. 6: Formación de un canal en un MOSFET tipo enriquec-

imiento de canal n.

No es suficiente contar con una gran acumulación de

Fig. 4: Simbolo eléctrico para el MOSFET de canal p portadores (electrones) en el drenaje y la fuente (debido a
las regiones tipo n dopadas) si una trayectoria deja de existir
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entre los dos. Con un cierto voltaje positivo de VDS , VGS de 0

V y la terminal SS directamente conectada a la fuente, existen
en realidad dos uniones p-n polarizadas en inversa entre las Si RDS >>Rds, entonces:
regiones tipo n dopadas el sustrato que se oponen a cualquier
flujo significativo entre el drenaje y la fuente. AV = −gmRD (7)
II. Análisis
En la figura 6 tanto VDS como VGS se ajustaron a un
Para el desarrollo de la práctica de laboratorio No.6 de
determinado voltaje positivo de más de 0 V, para establecer el
electrónica análoga I sobre las distintas configuraciones con
drenaje y la compuerta a un potencial positivo con respecto
transistores MOSFET, se utilizará el transistor de montaje
a la fuente. El potencial positivo en la compuerta ejercerá
superficial BSS138, el cual es un transistor de efecto de campo
presión en los huecos (puesto que las cargas semejantes se
de montaje superficial.
repelen) en el sustrato p a lo largo del borde de la capa de
Teniendo en cuenta la práctica No.5, en donde se caracterizó
SiO3 para que abandonen el área y lleguen a regiones más
este mismo tipo de transistor, en dondé se obtuvo los siguientes
profundas del sustrato p, como se muestra en la figura. El
valores:
resultado es una región de empobrecimiento cerca de la capa
• Datos de la Práctica:
aislante de SiO2 libre de huecos. Ésta y sus propiedades
aislantes impedirán que los portadores negativos sean VT = 1, 184 V
absorbidos en la compuerta. Conforme VGS se incrementa, la mA
K = 63, 53 2
concentración de electrones cerca de la superficie de SiO3 se V
incrementa y con el tiempo la región tipo n inducida puede • Datos de la Simulación:
soportar un flujo mensurable entra el drenaje y la fuente. El
VT = 1, 279 V
nivel de VGS que produce el incremento significativo de la
mA
corriente de drenaje se llama voltaje de umbral y está dado K = 85, 353 2
por el sı́mbolo VT . V
Para efectos de la práctica, se van a realizar los cálculos
En las hojas de especificaciones se conoce como VGS (T h) , con los datos obtenidos en la práctica de la caracterización
aun cuando VT es más difı́cil de manejar se utilizará en el del transistor MOSFET BSS138. Las configuraciones son las
análisis siguiente. Como el canal no existe con VGS 0 V siguientes:
y está “mejorado” por la aplicación de un voltaje positivo A. Amplificador CMOS de fuente común
de la compuerta a la fuente, este tipo de MOSFET se
llama MOSFET tipo enriquecimiento. Los MOSFET tipo 1) Diseñar un circuito amplificador en configuración fuente
empobrecimiento –y enriquecimiento– tienen regiones tipo común como se muestra en la figura 8, teniendo en cuenta
enriquecimiento, pero la etiqueta se aplicó al segundo, puesto los siguientes requisitos:
que es el único modo de operación. • El transistor debe permanecer en saturación.
• VOUT debe tener una amplitud aproximadamente 5
veces mayor que VIN .
• VIN tiene en principio, una amplitud de 200 mV p−p
a una frecuencia de 10KHz.
• Resistencia de carga RL = 10kΩ
• Capacitores C1 = C2 = CS =10µF.
De acuerdo con los requisitos anteriormente proporciona-
dos, se obtuvo el diseño del circuito de amplificación con
Fig. 7: Ciruito equivalente del MOSFET en corriente alterna fuente común, el cual se muestra en la figura 8.
(AC).

El circuito que se observa en la figura 7, es el circuito

equivalente de cualquier configuración de circuito en el manejo
de la señal alterna, también conocido como modelo de analisı́s
por pequeña señal, en donde:

|VA |
Rds = (4)
ID

gm = 2K (VGS − VT ) >> Vgs (5)

Fig. 8: Amplificador en configuración fuente común con
MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.
AV = −gm (RD || Rds) (6)
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2) Realice el análisis DC del circuito y calcule el punto de
polarización DC.
De acuerdo al análisis DC, desarrollado en el anexo del
documento se evidencia que el punto de polarización
DC del circuito de amplificación de fuente común de la
figura 8 es:
VDS = 7, 118 V
3) Realice el análisis AC del circuito.
El análisis AC del circuito de la configuración de
fuente común de la figura 8 se encuentra desarrollado
en el anexó del documento.
4) Dibuje la recta de carga DC y la recta de carga AC.
La imagen de la figura 9 representa las rectas de carga
en AC y DC del cicuito amplificador en configuración
fuente común de la figura 8.
Fig. 9: Recta de caga estática (DC) y rescta de carga dinámica
(AC)
5) Determine los siguientes parámetros:
• AV : Ganancia de voltaje del amplificador.
AV = 5
• Zi : Resistencia de entrada.
Zi = 80KΩ
• Zo : Resistencia de salida.
Z0 = 147, 78Ω
6) Dibuje la función de transferencia de tensiónes.
4
Fig. 10: Función de transferencia del circuito amplificador en
configuración fuente común.
7) Encuentre los valores limites de pequeña señal.
El valor limite para la señal de entrada según el
modelo de pequeña señal es de 1,18V pk ó 2,36V p−p .
B. Amplificador CMOS de fuente común degenerado
1) Diseñar un circuito amplificador en configuración fuente
común como se muestra en la figura 11, teniendo en
cuenta los siguientes requisitos:
• El transistor debe permanecer en saturación.
• La resistencia de salida debe de ser de 2KΩ.
• La señal de salida debe tener una amplitud de
1.2V p−p .
• La amplitud de la entrada al circuito no debe exceder
los 200mV pk
• Capacitores C1 = C2 =10µF.
Fig. 11: Amplificador en configuración fuente común degen-
erada con MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.
2) Realice el análisis DC del ciruito y calcule el punto de
polarización DC.
De acuerdo al análisis DC, desarrollado en el anexo del
documento se evidencia que el punto de polarización
DC del circuito de amplificación de fuente común
degenerada de la figura 11 es:
VDS = 5, 43 V
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3) Realice el análisis AC del circuito. C. Amplificador CMOS de drain común

El análisis AC del circuito de la configuración de

fuente común degenerada de la figura 11 se encuentra 1) Realice el análisis DC del circuito de la figura 14 y
desarrollado en el anexó del documento. calcule el punto de polarización, teniendo en cuenta los
siguientes requisitos:

• El transistor debe permanecer en saturación.

4) Dibuje la recta de carga DC y la recta de carga AC.
• La señal de entrada, en principio, debe tener una
amplitud de 200mV pk y una frecuencia de 10KHz.
La imagen de la figura 12 representa las rectas
• El valor de la carga RL es de 220Ω.
de carga en AC y DC del cicuito amplificador en
• Capacitores C1 = C2 = CD =10µF.
configuración fuente común de la figura 11.
De acuerdo al análisis DC, desarrollado en el anexo del
documento se evidencia que el punto de polarización DC
del circuito de amplificación de fuente común degenerada
de la figura 14 es:

VDS = 9, 6 V

Fig. 12: Recta de caga estática (DC) y recta de carga dinámica

(AC)

5) Determine los siguientes parámetros:

• AV : Ganancia de voltaje del amplificador.

AV = 3

• Zi : Resistencia de entrada.

Zi = 80KΩ

• Zo : Resistencia de salida.

Z0 = 2KΩ

6) Dibuje la función de transferencia de tensiónes.

Fig. 14: Amplificador en configuración drain común con

MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.

2) Realice el análisis AC del circuito.

El análisis AC del circuito de la configuración de

fuente común degenerada de la figura 14 se encuentra
desarrollado en el anexó del documento.
Fig. 13: Función de transferencia del circuito amplificador en
configuración fuente común degenerada.
3) Dibuje la recta de carga DC y la recta de carga AC.
7) Encuentre los valores limites de pequeña señal.
La imagen de la figura 15 representa las rectas
El valor limite para la señal de entrada según el de carga en AC y DC del cicuito amplificador en
modelo de pequeña señal es de 2,639V pk .. configuración fuente común de la figura 14.
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Fig. 15: Recta de caga estática (DC) y recta de carga dinámica Fig. 17: Amplificador en configuración cascada con MOSFET
(AC) tipo enriquecimiento de canal n.

4) Determine los siguientes parámetros: 2) Determine los siguientes parámetros:

• AV : Ganancia de voltaje del amplificador.
• AV : Ganancia de voltaje del amplificador.

AV = 4
AV = 0, 55
• Zi : Resistencia de entrada.
• Zi : Resistencia de entrada.
Zi = 80KΩ
Zi = 80KΩ
• Zo : Resistencia de salida.
• Zo : Resistencia de salida.
Z0 = 68, 75Ω
Z0 = 68, 75Ω
3) Dibuje la función de transferencia de tensiónes.
5) Dibuje la función de transferencia de tensiónes. 4) Encuentre los valores limites de pequeña señal.

E. Amplificador CMOS de compuerta común

1) Realice el análisis DC del circuito de la figura 18, y
calcule el punto de polarización DC, tenga en cuenta los
siguientes requisistos para su diseño:
• El transistor debe permanecer en saturación.
• La señal de salida debe tener una amplitud aproxi-
madamente 2 veces mayor que la señal de entrada.
• La señal de entrada, en principio, debe tener una
amplitud de 200mV p−p .
Fig. 16: Función de transferencia del circuito amplificador en
• El valor de la resistencia de carga RL es de 10KΩ
configuración Drain común.
• Capacitores C1 = C2 = C3 = 10µF.

6) Encuentre los valores limites de pequeña señal.

El valor limite para la señal de entrada según el

modelo de pequeña señal es de 20,75V pk ..

D. Amplificador en cascada
1) Diseñe y realice el análisis AC para un amplificador de
cascada como el mostrado en la figura 17, primero con
una etapa de fuente común y luego una etapa de dren
común, que cumpla con los siguiente requisistos:
• El transistor debe permanecer en saturación.
• La señal de entrada, en principio, debe tener una
amplitud de 200mV pk y una frecuencia de 10KHz.
Fig. 18: Amplificador en configuración compuerta común con
• El valor de la carga RL es de 220Ω.
MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.
• Capacitores C1 = C2 = CS = C3 = CD = 10µF.
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Referencias
[1] VALBUENA, Julian.Publicado en el año 2018 Guı́a de laboratorio No.
6 CONFIGURACIONES CON MOSFET.
[2] A.S. Sedra y K.C. Smith, Microelectronic Circuit. 6ta Ed. Oxford
University press. Argentina. 2015.
[3] ”BSS138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field
Effect Transistor ”, Vishay Semiconductors, 2017. [On-
line]. Disponible en: http://www.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/pdf/50815/FAIRCHILD/BSS138.html [Visitado: 09- Oct- 2018].