Dispositivos electrónicos

Génesis Ariana Ferreira Rosales

Departamento de Energía Eléctrica y Automática, Universidad Nacional de Colombia, Sede Medellín, Colombia.
gferreira@unal.edu.co

Resumen- Esta pequeña investigación hace referencia a
los diferentes dispositivos con los cuales se logró un gran
avance en la electrónica, estos son los transistores BJT,
FET, IGBT y Tiristores que permitieron dar el paso la
miniaturización de un su fin de equipos electrónicos,
como por ejemplo la reducción en el tamaño de la
televisión gracias a la sustitución de tubos de vacíos por
transistores. Se describen sus principales características
de funcionamiento y parte de sus aplicaciones como
ampliadores y conmutadores en algunos casos.
I. INTRODUCCIÓN
en espacios mucho más pequeños. Por tanto, el uso de
componentes individuales es cada vez más limitado.
Adicionalmente los dispositivos semiconductores que se
utilizan en la electrónica de potencia pueden clasificarse en
tres grandes grupos, de acuerdo con nivel de controlabilidad:
• Dispositivos no controlados: en este grupo se
encuentran los Diodos.
• Dispositivos semicontrolados: en este grupo se
encuentran, dentro de la familia de los Tiristores,
los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los
TRIAC (“Triode of Alternating Current”).

Los dispositivos electrónicos son componentes utilizados

• Dispositivos totalmente controlados: en este grupo
en los diversos circuitos electrónicos que existen. Entre los
encontramos los transistores bipolares BJT
más comunes se encuentran las resistencias, los
(“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de
condensadores, los diodos y los transistores. Así como los
efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide
elementos que resultan de la especialización de los
Semiconductor Field Effect Transistor”), los
mencionados anteriormente. Entre los dispositivos
transistores bipolares de puerta aislada IGBT
electrónicos pueden distinguirse los de tipo activo, capaces
(“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los
en algún momento de suministrar energía al circuito los
tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)
cuales son capaces de excitar, amplificar o controlar un
circuito como diodos, transistores o circuitos integrados, y Este último grupo es el que ha permitido los grandes avances
los de tipo pasivo, que limitan el paso de la corriente, en la electrónica, por cuál es el tema de interés para esta
protegen o unen los componentes activos como resistores, investigación. Estos dispositivos, se caracterizan porque
condensadores o inductores. Lo son también los tanto la conmutación de encendido como la de apagado
interruptores, fusibles y transductores. [1] resulta de la aplicación de una señal externa de control, por
lo que su estado (bloqueo o conducción) está completamente
A lo largo del tiempo siempre se ha buscado incrementar la
determinado por el estado de la variable de control (corriente
capacidad de miniaturización y la disminución en el
o voltaje, según el tipo de dispositivo), siempre por supuesto
consumo energético, fue en entre 1948 y 1960 que aparecen
que las condiciones de polarización del circuito externo a
una serie de dispositivos basados en el transporte de
controlar sean las adecuadas [2].
electrones y huecos en el interior pequeños cristales
semiconductores de silicio y germanio. Las funciones de
estos dispositivos semiconductores que se conocen como
diodos y transistores son las mismas que las de las válvulas II. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
de vacío con la diferencia que utilizando estos dispositivos
El transistor fue inventado en 1947 por un equipo de
se consiguió un ahorro de potencia y la miniaturización con
científicos de Bell Laboratories. William Schochley, Walter
una mayor fiabilidad. En la actualidad se ha logrado una
Brattain y John Bardeen desarrollaron el dispositivo de
encapsulación cada vez mayor de dispositivos electrónicos
estado sólido que reemplazó al tubo de vacío [3].
La estructura del transistor es de tres capas de semiconductor
colocadas alternativamente y existen dos combinaciones
posibles: pnp y npn. Cada una de las capas lleva un conector,
teniendo el transistor por lo tanto tres y su funcionamiento
básico es un conector de entrada, uno de salida y un tercero
para controlar el paso de corriente [4]. La aplicación básica
del transistor es como amplificador o conmutador, al igual
que en el diodo existen muchos tipos especializados de
transistores de acuerdo con su aplicación, por ejemplo:
• Amplificador clase B: Se utiliza en etapas de
potencia como ser amplificadores de audio.
Polariza los transistores para que entren en zona de
conducción, generando un menor consumo que en
la clase A, aunque la calidad es algo menor debido
a la forma en que se transmite la onda.
• Amplificador clase AB: Reciben una pequeña
polarización constante en su entrada, independiente
de la existencia de señal. Es la clase más común en
audio, ya que posee un alto rendimiento y calidad.
Con señales grandes se comportan como una clase
B, pero con señales pequeñas no presentan la
distorsión de cruce por cero de la clase B.
• Inversor lógico: Utilizado en las primeras familias
lógicas para implementar una función NOT. El
circuito básico de un transistor en emisor común,
según el esquema de la figura 1, realiza la
operación booleana de negación o
complementación.
Figura 1. Inversor lógico.
Las compuertas lógicas con transistores son sencillas de
realizar, pero se debe tener las especificaciones que de los
transistores a utilizar para tener claro cuál es su voltaje y su
corriente de saturación. Su mayor utilidad como compuertas
lógicas se basa en su uso como interruptores rápidos.
Finalmente se puede observar que los transistores BJT
tienen una amplia gama de aplicaciones y son de gran
utilidad, sin embargo, presenta ciertos inconvenientes, entre
los cuales se encuentra que su impedancia de entrada es
bastante baja [5].
III.TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
(FET)
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos
de tres terminales: Fuente (Source), drenaje (Drain) y puerta
(Gate). Son dispositivos semiconductores donde el control
de la corriente se realiza mediante un campo eléctrico. Estos
se caracterizan por ser:
• Dispositivos unipolares: un único tipo de
portadores de carga.
• Ocupar menos espacio en un circuito integrado que
el bipolar, lo que supone una gran ventaja para
aplicaciones de microelectrónica.
• Tener una impedancia de entrada bastante alta del
orden de MΩ.
Los FET como se mencionó anteriormente son
dispositivos unipolares porque, a diferencia de los BJT
que utilizan tanto corriente de electrones como corriente
de huecos, funcionan sólo con un tipo de portador de
carga. Los dos tipos principales de FET son el transistor
de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de
efecto de campo semiconductor de óxido metálico
(MOSFET) [6]. Sin embargo, existen dos tipos de
transistores de efecto campo:
• De unión: JFET o simplemente FET.
• De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o
MOSFET.
Es importante saber que el término efecto de campo se
relaciona con la región de empobrecimiento formada en el
canal de un FET a consecuencia de un voltaje aplicado en
una de sus terminales (compuerta).
Una de las ventajas más importante de los FET es su muy
alta resistencia de entrada. Debido a sus características no
lineales, generalmente no son utilizadas en amplificadores
como los BJT, excepto cuando se requieren impedancias de
entrada muy altas.
Los FET son uno de los dispositivos más utilizados en
aplicaciones de conmutación de bajo voltaje, esto debido a
que generalmente son más rápidos que los BJT cuando se
prenden y apagan. Debido a su alta resistencia de entrada y
bajo nivel de ruido, los amplificadores basados en FET son
una excelente opción para ciertas aplicaciones, como la
amplificación de señales de bajo nivel en la primera etapa de
un receptor de comunicación [7]. Adicionalmente los FET
también tienen la ventaja en ciertos amplificadores de
potencia y circuitos de conmutación debido a que su
polarización es simple y más eficiente.
III. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLASDA
(IGBT)
El transistor IGBT es un dispositivo híbrido, que reúne la
facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas
pérdidas en conducción de los BJT de potencia. Debido a
que la puerta está aislada del dispositivo, con lo que permite
un control por tensión sencillo. Entre el colector y el emisor
se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el
interruptor es muy cercano a lo ideal [8].
Una de sus ventajas es su velocidad de conmutación, aunque
es similar a la de los transistores bipolares, esta ha mejorado
en los últimos años, permitiendo que funcione a mayores
frecuencias, en algunos componentes. Por otra parte, su
estructura interna puede soportar tensiones elevadas entre
1200V y 2000V, con un control sencillo de tensión de
puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan
elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en
rangos de frecuencias medias, controlando potencias
bastante elevadas. Por esta razón el IGBT en general se
utiliza en aplicaciones de conmutación de alto voltaje.
IV. TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos que se
construyen con cuatro capas semiconductoras (pnpn). Los
tiristores incluyen:
• El diodo de 4 capas,
• El rectificador controlado de silicio (SCR)
• El diac.
• El triac.
• interruptor controlado de silicio (SCS).
Estos tipos de tiristores comparten ciertas características no
solo en su construcción de cuatro capas, ya todos actúan
como circuitos abiertos capaces de soportar cierto voltaje
nominal hasta que son disparados. Cuando son disparados,
se encienden y se convierten en trayectorias de baja
resistencia para la corriente. Se mantiene de esta forma
incluso después de que desaparece el disparo, hasta que la
corriente se reduce a un cierto nivel o hasta que son
apagados.
De acuerdo con el tipo de dispositivo. Se pueden utilizar
tiristores para controlar la cantidad de potencia de AC
entregada a una carga. Finalmente se podría decir que los
tiristores funcionan como un interruptor del control
electrónico y se emplean precisamente para controlar
grandes corrientes de carga en motores, calentadores,
sistemas de iluminación y circuitos similares. Estas
características permiten que los tiristores sean mucho más
útiles que los conmutadores mecánicos, tanto en términos de
flexibilidad, duración y velocidad.
V. CONCLUSIONES
• Los transistores fueron gran paso para la
electrónica, estos permitieron la miniaturización de
una gran cantidad de dispositivos.
• En algunos casos, el circuito con FET funciona
mejor; en otros, el circuito con BJT es superior
porque los BJT tienen una ganancia más alta y
mejor linealidad
• El IGBT como MOSFET está totalmente
contralado por la tensión de puerta y su rapidez de
respuesta es bastante buena.
• El tiristor debido a que es un conmutador biestable
es el equivalente electrónico de los interruptores
mecánicos; por lo cual es capaz de dejar pasar
completamente o bloquear por completo el paso de
la corriente.
• FET son una buena opción para algunas
aplicaciones como la amplificación de señales de
bajo nivel.
REFERENCIAS
[1] “Dispositivos Semiconductores Para la Electrónica de
Potencia”, Grupo de Sistemas de Electrónica de Potencia,
Universidad Carlo III.
[2] “Dispositivos Electrónicos de Control de Potencia
Totalmente Controlados¨. Notas de clases EC6135,
Departamento de Electrónica y Circuitos, Universidad
Simón Bolívar, Caracas, Venezuela.
[3] T. L. Floyd. Dispositivos Electrónicos. Octava Edición.
Pearson Educación, México, 2008, pp. 163-164.
[4] “Transistor Bipolar”, Departamento de Ingeniería
eléctrica y computadoras, Universidad Nacional del Sur,
Buenos Aires.
[5] “El Transistor Bipolar”, Escuela Técnica de Ingeniería,
Universidad de Valencia, España
[6] T. L. Floyd. Dispositivos Electrónicos. Octava Edición.
Pearson Educación, México, 2008, pp. 368-369-

[7] “Transistores de Efecto de Campo”, M. A. Domínguez

Gómez, Dispositivos Electrónicos I, Departamento de
Tecnología Electrónica, Universidad de Vigo.

[8] “Eletrónica de Potência”, J. A. Pomilio, Universidade

Estadual de Campinas, SP - Brasil.

[9] “Electrónica de Potencia”, D. W. Hart, Valparaíso

University, Valparaíso Indiana. Prentice Hall.

[10] “Dispositivos Semiconductores Para la Electrónica de

Potencia”, Grupo de Sistemas de Electrónica de Potencia,
Universidad Carlo III.

[11] R. L. Boylestad, L. Nashelsky. Electrónica: Teoría de

Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Décima edición.
Pearson Educación, México, 2009, pp. X-X.