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ffi Los TIRISTORTS (también conocido como SCR) son
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dispositivos de estado sólido que se disparanbajo ciertas
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condiciones pasando de un estado de alta impedancia a Llno
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de b aja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la
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niveles de mantenimiento.
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Se consideran interruptores ideales en aplicaciones con
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potencia.
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CARACTERÍSTICAS
- Dispositivo de 4 capas p-n alternadas
- Tiene estados estables de conducción y bloqueo
- Capaz de soportar las potencias más elevadas. I>4000Amp V>7000Vo1t.
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{-} - Control del encendido por corriente de puerta (pulso).
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F* - Frecuencias de conmutación no superiores a ZkHz
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Sccción longitudinal

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Curva característtca

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Ic :Corriente en la puerta
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Is : Corriente de mantenimiento (hold) Mínima corriente para que el tiristor se mantenga en conducción
ffi#
Il: Corriente de enganche; Corriente mínima en el ánodo para que el tiristor pueda conducir
Vcru¡rx: Tensión máxima admisible entre puerta (gate) y cátodo
V»trax = Tensión máxima admisible entre ánodo y cátodo, tanto en directa bloqueado o inversa
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EL TRIAC E,structura intcrna

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EL T'RIAC Sírrrbolo

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Combinación de dos SCR para formar un TRIAC. Símbolo del TRTAC
 F

trL TRIAC - Caractcrísticas

. Es un tipo de tiristor bidireccional

. Se puede considerar como dos tiristores SCR
ffi
$.*-,..,3 Tiene tres terminales Tl, Tz y G (puerta)
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í:1, -- -. .- ----
Se activa con pulso negativo o positivo
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ffi . Tiene parámetros análogos al SCR

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TIPOS:
Dependiendo de la construcción fisica y del comportamiento
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de activación y desactivaci ón, podemos hablar de diferentcs
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Tipos de ti ristores:
ffi
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SCR (Silicon Controlled Rectifier). Interruptor unidireccional
*##
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.@- GTO (Gate Turn-off) Interruptor unidireccional. Apagado por puerta
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ffi ffi

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TRIAC (Triode AC) Interruptor bidireccional
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W DIAC (Diode AC) Interruptor bidirecciona! ( Control de tiristores)

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EL TRIAC - Características

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Es un tipo c1c tiristor bidireccional
o
Se pucde oonsiderar como clos tiristores SCR
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. Tiene tres terminales y G (p.rerta) T t, Tz
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ffi
. Se activa con prrlso negativo o positivo
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EL TRIAC - Curv a Característica

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ffi trL DIAC C aracterísticas
ffi
ffi
ffi
N . Dispositivo bidireccional
ffi
. Curva earacterística similar a la del TRIAC
ffi
' Para que esté activo se debe superar Ia tensión de ruptura directa Vgo
ffi
ffi
' Permanece en estado de baja impedancia siempre que la corriente no
descienda de la de mantenimiento
ffi
iiiit

' se suele utllizar como circuito de disparo del TRIAC

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 mffi*.w"ffiffiffiffiYffiffi

Sírnt]ülos de tiri §tores

SilicoR contr'olled
rectifier {§CH)

Tria,c
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ffiffi
"$,.,*,.n,
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U nijunütion
transistor TUJTI

Prag rs mrnoi:$e un ijunction

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OTROS

' GTO - Puede ser encendido como un SCR con la diferencia que puede ser
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&*s
.itii,

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desactivado mediante un impulso negativo en la puerta.
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ffi

' LASCR - Es un SCR activado por luz (Light Activated SCR)

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 Zona de corte
Zona de resistencia negativa ( aumenta Ip disminuye Vn )
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Vp -Tensión de pico

-fensión
Vv- de Valle
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 EL LIJT C aractcrísticas

$
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ffi
stsN,§¿ü#

Transistor de monounión
ffi#
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Especialmente indicado para circuitos de disparo de TRIAC
ffi
ffi* Tiene tres terminales, dos base y un emisor
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CARGADOR DE BATERIA CON SCR

RECTIFI CADOR CON SCR

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ALARMA CONTRA ROBOS CON SCR

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circuito de control con Triac pero sin DIAC

CIRCUITO DE DISPARO DE TRIAC CON UJT

ACCIONAMIENTO DE LAMPARA CON OPTOTRIAC

üpt-+-ry*so {:}
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ACTIVACION DE LAMPARA CON ASTABLE 555 Y OPTOTRIAC MOC3121

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 AMPLIFICADOR

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Universidad Oe OvieOo

Lección 2
Se§ecc§cr"N #* d§sp#sstsv#s
m$m#tr#ersc#§ de p#É*§Trsffi

Diseño de sistemas Erectrónicos

de
Pote n cia
4o curso Grado en tngeniería en TecnorogÍas
y Servicios de Telecomunicación

. EI Diodo de potencia

. EI [UOSFET de potencia

' El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) 1

' El Rectificador Controlado de Silicio (SCR)

fr+ut.igiir'o¡#*:,

' EI Tiristor Apagado por puerta (GTo) -'"i

i¡), /i

i,fi{.tii
!..1++1

'.i
f.)*i;*tf#§,

' EI Triodo de corriente Alterna (TRIAC)

\,.
 . Axiales

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DO 35 DO 41 DO 15 DO 201

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. Para usar radiaclsres

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 . Fara srandes potencias

DC5 814

835

. Agrupaciones de 2 diodos

TOP*3
TO -247 (lnsulated)

? d¡odos sn cátoclo comun 2 d¡odos en serie

 . Agü"ilpaciones cte 2 diodos (con varias conexiones)

OM 5221 SAJRAJDA OM 5223SA/RA/DA OM 5225SAJRAIDA

OM 5ZZ2SAJRfuDA OM 5224SA/RAi DA OM5226SAJRA/DA

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. Agrupaciones c$e 2 diodos (sin conectar)

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 . Agrupaciones de ? cliodos" Diversos enca ps Lt lados
para e[ nrismo dispCIsitivo

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PyIAJOR PRODUCT C HARACTERISTICS

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STTH2OO3CG STTH20O3CR
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TO-220A8 IS OWATT? 2OAB
§TTH2r.l03CT sTTt12003cF

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" Agrupaciones de 4 diodos (puentes cJe diodos)

C-l
FAGOR
ffi

Dual in line

5
 . Agrupaciones de 4 dioctos (puentes de diodosi

FAG0R
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'"1
-.-1.
I

. Puentes de diodos. Toda la garna cle Fagor FAGGR

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ti. ;

{F
 , Dan origen a médulos cle potencia

- Adecuados pa ra alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, ffiilitares, etc

- Se pueden pedir a medida

t.,,ii.

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Í
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;.:.

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Electronica
1)

ho"i
Control de Motores
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'r-*'*--C u rva caracte risti ca

rea
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(
* Curva \
característica ideal rva caracte rística
\ n\ I
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asintótica.
Pendiente = llro

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I
iri*m$
I
Circuito equivaiente asintotico
+rd
Modelo asíntotic+ r\/T
'y
---

7
 1* "Máxirna tensión inversa soportada

2u -Máxirna ccrriente directa csnducida

3u -Caída de tensión en candr¡cción
4ñ -Corriente inversa en bloqueo
S* -Velocidad de conmutaciém

Corresponcle a la tensión de ru¡ptura de la unién inversamente polarizada

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t,i
Baja tensién Media tensión Alta tensión
15 V 100 v 500 v
30v 150 V 600 v
il..'.,' ,. ,", .,.', ,.'.,.. i. .,. ..1' ^..'.
¡r...,. ! \,,.. .i .: : i...a: i ?.r /, 1..¡i ,./.,,
¡li
.,.., i. ..-.. ..r..: r n, .. .^,. .-..
\,,/ Ja.tl-.,..¡ ¡ lt / 1,,,s§.:: ',i..,,, 1.1..,..¡ I ::. ti
45V 200 v '8:00 V

55V 400 v
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1.000 V
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I

ti
,,,60'V :1,,.20¡0:.,V
t
I
I
t
J

80v

" H I fa h rica nte s u rn in istra (a veces) dos valores:

- Tensión inversa rT)áxima de pico repetitivo V***
{: - Tension inversa máxima de pico no repetitivo V***

ABSOLUTE RATINGS (iimiting values) ffi srrAsooDlF/B

Symbol Parameter Value Unit
VnR¡¡ Repetitive peak reverse voltage 600
VRS¡,.,t Non repetitive peak reverse voltage 600
lrrnx,ts¡ RMS forward currenl TO-220AC 20 A
TSOWA'TI22OAC
DPAK 10 A
lrRnl Repetitive peak forv',ard current tp=S¡-rs F=SkHz sqLlare 65 A
lr'su Surge non repetitive forward current tp= 10 ms sinusoidal trtr
J,J A
T, M aximum operaling lunctron temperature 150
Jss S torage temperature ran ge -S5 to 150 i) 11

Tlvt TURBOSWITCH is a trarlemark of STllrc¡oeteclronics

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente

8
 'El fabricante suministra ctos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaa máxima lrlnrvrs)

- corriente directa rnáxinra cle pico repetitivo l.**

- Gorrierrte directa rnáxinra cte pico no repetitivo lrr*
ABSOLUTE RATINGS (tinriting vatues)
§s STTA506D/F/B
Symbol Parameter Va lue Un it
VnRu Repetitive peak reverse voltage 600
Vnsn,t Non repetitive peak reverse voltage 600
lr(nus) RMS forr,vard cunent TO-220AC 20 A
SOWAITZ2OAC
f

DPAK 10 A
I lr ntut I Repetltive peak fon¿,arO cunent tp=5¡rs F=SkHz square 65 A
lr sn¿ Surge non repetitive forw,ard current tp=10 ms sinusoidal Etr
JJ /.\
T¡J
Maximum operating .¡uncLion temperature 150 "C
']'srq
Storage temperature range -S5 to 150 rir\

Depende de la cá:psula

TO-22oAC §lowArr,oAcrQ^

. I-a caída de tension en conducción (obvia¡nente) crece con !a

corriente clirecta concjucida" A cor¡"ientes altas crece Iinealmemte
::..
,.:tl .T*l ;

i'. :,'
:i \.1.,r' '..!: r:
'lr, effiüuffi# ¡.r;);lii,íj;i¡i
STTASO6D/F/B
t
1, I
ii t

'""."''

+ =rd
r\/IU
I

5A 10 100

9
 'La caída de tensién en cCInc{urcién crete con Ia máxirna tensién
sopor"table por el ctiodo

§7 srrAso6Di F/B
lr{ayt 5A

Vnn¡¡

b' (typ) 20ns

Vr (rnax)

§í STTHEO2 L7f STTHs1 2

directamente de las curvas tenslon co rriente

a2
fr

*0 f¡.5 r .0 1,.r ?.i)

1,25V @ 25A
lru(A)

§¡. STTH 512

i flh t.- la:
*"'
I t:; ¡,r, !t. ulft .
t a¡,1 7)
1l *.,,4+fel"rlf
v l+liiyi '*' t i,LrU Lt

j..
. :

' r. E'JJ :'esca I a'li neal no so'R: flll{i.f

: 'ú'ti,l es
', Frecuenteme'Jtte "se r€presentan en
escala logaritmica

10
 Curva rsracterística en escata fogaritmica
lnie,rrrc:iicncij irtgrneii,..?r, ¡;
ñ r
IüR (er_ri! ,rl .. HFB25H.}2O r$R ilectrlir,:r H FA3 5l-'{B 60,
1 í+i'

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r,,? ,i,

í'+:, :r
í*
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i'C.r¡¡,:¡ '; i,:tlge ;1r¡r4 - \. ¡ .1. ¡

i..-J.

0,84V @ 20A

. Los Schottky tienen mejCIr

§i srPszol4oc
com portarT"lients *n csr:ld ucci ón
para V*u* < ?üS {en silicio}
fr T¡ fnmx,

lrr,¡(A )
1 i'lar rl

"'+it .

,:,,'1,

ir.lo.i

Y¡-.á"a¡

1.0

{i"-tr1i

9.- Í

i*;
0.r
0,i) 0.2 1.ü 1.2 1.4 1 .ti
{],5V ff¡) 104

11
 §7" srPszol zoc
Schottky cÍe V**nr rslativamente alta

tr¡¡ (.4 )

0.6sv €) 10A

La c'aÍda,,,de tens;ión e,R oond ucci,ó-n l no sé:l o :va,ciecie ndo a I

.

:áUfiIe Eia| ,VnnN¡¡,S,i,no:,GlU:e rSB e¡pFox|¡n,a a la:de un diodg.FiN

{-i

§f srPs2ol Toc
lrtevt
I
I Vñ,

,,
,

Li"..
,::

Si,m i,larres va'¡ores

de V,**rvl :y sirr,ilarres
caídas de tensión
ilffi
ilj

ii::
,,i

ii:
Vr(nrax l i

i! i:
en conducción liii
ni

ii
1i::

i::!

d1

iii
i;
:i::
nÍ,.i:1r:

lr- -. zl

72
 . Depende de los valores de iF{AVi y Vnnr,r, de la tensión inversa {poco}
y de la tenrperatura {rnucho}
C,rece coR !r*r)
. AIEunos e,!emplos de diodos Phl
Crece con T,

v¡¡ = Vp¡1¡.4
T, = 125' C;

§7. srrH4no2
:Syrnbol Pa rarneter

o §.¡r@:e'g con lrn l

., G,Í€GB con T,
. Dos ejer"np§os de ef ioclos §ctrottky
' Decrece con Vo**
§l STPS20L40C i,,,r,uj * I r,t¡Á, vr:r*r.a," 4,{tv
{'", .SyrnbollParanleter.TestConditionsMin.Typ.tuIax..,n.'
,i T-ZliC , ,i(t.7: n¡Á

-^'.'.-.:

§§ STPS20170C !it,,rr,r,:::' ']:1"'r'l:'. i,'",,;';-..'' :ii; 1r i',.;'i'i¡''¡''

Sym bol U ni't

-.-..*-"".-,i
i

llt \
lc i

§l srPs2oL4oc

vn(v)

13
 Cornportamiento ldeat de un diodo en conntutación

Transición de "a" a "b",

b es decir, de conducción
a bloqueo (apagado)

. Gom¡:ontannients reaf de un diodo en conmu¡tacién

Transición de "a" a r(b", es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

E-¿\

v1/R

.t,,;
.f
i;i
.:: (i= -0,1.V2lR)
\.^\\2i,
,¡1,.,

i¿^.I
ii,,.,

t!l

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,''t*íl :.

'v) ,i L t.:. ,... -.,,...- ....,. ..,.

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t^t:¿lii;..ili,.i:i".! i..i':<::. .r,,-,_.r"r rr (:irl
¡r,r1¡n.. r..,rr.ri..r-...
Lrr -- :ii;;'t.,,t;ii...tí;:!ii.::i"..t,úii
.l i.

,,y1',¡i",.,,'.'.'.."'',
!:: ti :. í ií 1¿.; .i ;::rr,:11:. iiv'.ar'.?r:i?,..a-i:.:i::
li.i; t;.;. ¡¡ i:.'. t: .J:r:,: f.:í),t",y'\.\,!t.t!''t!
i .i:; t-;,i|....i t¡ \:i'ii ,,i ii,,...r',.t..'i.
!,il ii iti.:; j
,.s.:¿i

L:

l¿a,..1

14
 ' Com portam ierrto reai de un diodo en conmutaclon
Transición de "b" a (ra'), €s decir, de bloqueo conducción (encendido)

i 0,9.v1/R
"t%
&,
IÁ ,*,, ,.f
0,1 .v1/R.
?¡:;.il'

v
E
'rü

g
E

to = Í.Í,r.l"ii:r¡:ia;

t, = i:i,r l'tit .\..:1,,:,

t. = l,'' "+ {'' :::

L:lt r' #. t";"'tti, {ti' r:t lW íi¡,,"ti rr*i;: t ji\.t í"it ii| t.Í tt"¿ r:r i

E-l ti:enÍtpo d,e reiciuiper?Gió" 6|liecta geneF? rnenos

'pro,b!.emas reales g:ue el,,de reeuperación inver.s,a

. lnfornracién surni nistrada

por los fabricantes
. Corresponde a
.1'.1:4
é---.2 conmutaciones con cargas
con cCIrnportarniento indr¡ctiva o
DIODE
.Vp
vFp

§l srrHgoz Í
,r:,
I #i ll,'I::;::r,ffl t,
r.,¡ ryi,)
.'x:
S yrl l>ol Para¡¡t eter
:

, l; = 1 A <ll¡;a1¡ = -i¡0 A,'Llr

* 3o v' T' 25 c:'
t,, FlGvorSe rocovery lltnr:, ,to "'
'lr = 1 A, r1l¡,r.lt
" -,l00 A'¡.rs
=25 c
,un=3ov'T'l
li'.¡r¡ lr o 8, A. dlp,ctt . -200 Avps
.C
,
Vt', = 160 V' Ti = ,25

Irr ; lr = B A. dle.;Cjl = 50 Ails . r¡t

Víi,,,., Tt:.25 IJU :
= C
:\'ot:, ]., I
, lr
.I A. dlp.dt = 50 A.i"rs.
.r
S

15
 . Más información surninistrada por
los fabricantes
STTA5O6 D
Peak reveise recoverv Fig' 4: Reverse recoverY tinre versus dlridl

r oo:
;

1 40¡
1?At'
:

100-."
80...
60i
40,
20 i.

0
0 0 700 800 01000

Flg rlvnanltc

" La ve¡scidad cie coilmutación {valorada cor'¡ la tr,.} ayuda a

clasificar los diodCIs

V**, lF

+
Standard 100 V - 500 V 1A-504 >1Frs

Fast 100 V - 1000 V 1A-504 100 ns - 500 ns

Ultra Fast 200 V - 800 V 1A-504 20 ns - 100 ns
Schottky 15 V - 150 V (S¡) 1A-150A <2ns
3#'#
.-r#
* X?-*#, V iüi#I 1A-2AA <2ns
/:'
l. i ,LaS C,álfácter,ís,ticas
de todos,los sémic'o'nd;ugf,o,reS,(,por su,puesto,
4",..';i

también de los diodos) se pueden eRcontrar en lnternet (pdf)

yÁ.>rl

t. ::,

@
+d*..

'*r..ir)

,.4 f" ***.¡rf.com

I

j www.onsem i,COm Ol{ Semlcondttcfor

ii
{
;,w
i www.st.com
*..,..,!:

i.i
i **.infineo n . COm
\-_._
{tntinron

76
 Son de dos tigtos:
- Estáticas err conducción (en bloqueo son despreciables)
- D¡ná¡n icas

Forma de f rec uente

Potencia instantánea perdida en conduccién:

pDcono (t) = vo (t)'io (t) = (V, + rd. ¡o(t)) .io(t)

Potencia media en un peniodo:

T
p 1r pDcond (t)'dtr+ --\ P^----. =
PD"ord Vr''l* '* '.fd ' ll"f2
=v.
' Dcond TJ =
lu : Valor ffied'io de io(t)
lr, : Va'lor'efica:z d,e is(t)

" Las coilmutaciones no son perfectas

" Hay instantes en tos que conviven tensión y corriente

f'ta
'La mayor pfirte de las pérclidas se produsen en Ia salida de conduccién
l-

Fotencia i nstantánea perdicia

en la saiida de conduccion:
po,. (t) = vo (t)'¡o (t)

Potencía rnedia en un periodo:

,lptr
PD - + Joo".(t).dt

t7
 . Estáticas

Llll"
-
Fig. B : STATIC CLTAF,ACT=,RiSTICS
Concluction losses

P1 = Viij . lt ,'A'", * R,; , iriiFihl,S i

Reverse losses :

p3=VR..lrr..(1 _ó)

(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

li-r¿; l:rii,rJe )

fr.
'.,'i::ii J'..§i.,'f:

orooE

Turn-off fr:rg1*:' rir.r the t

¡ .r'J
\.¡,r r ,-tr VR
- l.

x l,f/,*' Cl trr-16+tb §=tt¡lta

,i
t:! i

\ dl, rdt = V- iL RECTIFIER

irt"ü :;;i;i[¡ii^¡le 1t:rt' l.rii\.¡,,*f iil(-)SFIT [tili.l I

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo 5TTA506)

18
 Di¡rá ¡n icas

l-
Lrr"
Fis. D : TLIRN-ON CHAMCTERISTICS

Turn-on losses :

P4=041t7¡P-Vr) lrnrax trr F

-,r*i.,

¿, ¿..

.,1.

ia t

l:!"*'

io.'¿,

i:1 tl

,!

{'i
er¡',rrj

(de las hojas de características

L*,i.
(Datasheet) del diodo 5TTA506)

La* pórc{idas generan Ga¡or y r§ste dehe ser evacuads

EI silicio pierde §u§ prCIpiedades semicondrrctoras a partir de t 75-t 50uü

. Magnitudes térmicas:
é---J

- Resistenc¡as térmicas, Rrx en .CAN

- lncrem. de temperaturas, AT en oC

- Potenc¡a perdida, P en W
sl " Ley "de Ohm" térm¡ca; AT--P.Rr*
Rrr",
ov"¿.ti

jr
*;,...,

i::,1
WA+:

i.,....'.
(w)
P

$r {AM 6*
Am biente
. Magnitr"rdes eléctricas :

- Resistencias eléctricas, R en Q
- Difer. de tensiones, V en voltios
t.r

t7
Unión
,.ati
(oblea) - Corriente, len A
li*.,i

!{+.
l4nlt
lt; Rrn3 R
t. ::
E nca psu lado
!: AT=V
:.:i
P-t

7g
 'f.'',¿t.li V;.* i'{::
ii Rrn3 R
l-;t,;''
AT3 V
*ldi,¡:fí.rtit,::,i¡ i
l. P =l

TJ RrHj" Tc Rrr""
si

*rÍi..
¿i li,
{:i
'(w)
P

rr
Unión
Rrx",
{AF6,

Am biente

.,,,n
A,tu,

hfriti:ll
,
;rw,ú! ..#rr
t¡. .l
ir*
j: 'l
Encapsulado
riit i
:i+'t!.
4/' i\.
i::

i;f''r,
¿<¡ 1.

í::v;';r'il

l' rr
Por tantc: AT = P'f Rr, = Tj-T, = P,(Rrr;. + Rrr.")
.:!

tarnbién:
l-Tc = P'Rrxj, y T.-T, = P.Rrr",
!'t'"':¿
iooit.

' Lfi resistencia térrnica union-cápsula es baja (x 0,5-5 oc/w)

' La resistencia té!"mica cáps¿Jla-a¡nbiente es alta (* 30-1 00 oC/W)

Table 2. .Thermal
parameters
.fr,
4=r-¡1r Syrnbol ,

;,

Cápsula TC3 TC§ TÜ 66 TCI 220 TOp 3

Rrn", [.C/W] 30 105 45 60 4A

" Para reducit" la ternperatura de la uníón hay qL¡e disnrinu¡ir la

res¡stencia térmica entre Ia cápsula y el ambiente.
' Pa!"a ello se celoca un radrado_r en la cápsula.

20
 RtH rra

Rr*¡.

RlH r"¿

P ,"{
(w)
?

Átr4:,
1!.

Encapsulado

For tanto: Tj-T, = P. [Rrrj. + (Rr*"rRr*rro)/(Rrx.r*Rrrr.o)]

Y tarn birárr: Ti-T. = P'Rrxi. y T.-T, = P'(Rrx.rRrrrro)/(Rrx"r* Rrurro)]

Zonas de trahajs de un MOSFHT de seña[

ID [mA]
ti i. ..i: tlr, ¿ .i
\ j &.. .itt )r-,. t..;J!
?i::: ,^, .q e^, ii.,lt . i
.,rae

2,sKO
.,
'l'..'i
¿l

l7: Vo* = 4V
,#*.
+

V,,.s x $,sV
il,e,.

t&YZ
1:
10v
a-_...,.-..

r".'
a.,

'",12 vos tv]

s' t.

.;;;.. " V*r< Vrn = 2

V-iy.....

!
I
Vo*=ÜV <2,5V <3V <3,5V <4V <4,5V
i;¡ti,

C om po rtamie nto rresistivo

Comportamiento como fuente de co;rrie:nte

(sin interés eñ :e-l€Gtrónica de potencia)

27
 " Precauciones en el uso de transistore$ MO§FET
- El terminal puerta al aire es rnLry sensible a lcs ruidcs
Et óxido se puede lleg ar a perforar por la electricidad estática de los
dedos. A veces se integran diodos zener de proteccién
- §xiste un diodo parÉsifo entre fuenfe y drenador en /os MOSF§I
de enríguecf¡miem[o

lD
I l-I-l

" l'=-f
t:-

ls
S r,rbstrato

. Estár¡ forntmdos püF miles de celdas puestfrs en paralelo {son

pssibies inteErasÉones de 0,S rnillCInes por pulsada cuadracla)
/" ''' .
"¡4'
,".{l
. Lo$ dispositivo$ FEf (en Senera[] se paralelizar"¡ fácil¡'nente
1,,*;

" AISL¡nes ceÉdas p$sihles {dispositivüs verticales};

,
¡
1. .!

i. ,. tl
Fuente F ue nte Pue¡ta
)kx.,.i
Puerta
ll,u.t:
l¿'..

i. i,

tét¡,.

i't

*;
§
-t

ürenador
Drenacior
Estru ctu ra en
J.r
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (v MCS)

22
 " §n general, semejantes a los de los dioclos cle poterrcia (excepto lcs
encapsulados axiatres)
' Hxiste Sran variedad de encapsulaclos
' Hjernplcs: MC$FET de 6CIV

ffi ,

ii(l
tB F785SPti'ri
g

r n
TO.ZA0AB
rz+a vzgjj i. i r B F
D*pak
#ii f; i
z4 4v z
fl

tF F
T0-26A
z4 1\t zdP;F.H I

Ros(on)=9,4mO, lo=12A
Roslon¡= 1 Zmf), I.r=57A
a',
..,*t"
""'"',,,
,t'"''',.#*"'"
{, Aí.' ¡r'¡"

\ü
"'.,"'i';.;;;;t''.''' T l:t..'ri! ) ¿ '"
," . , . . , .
tR F P0s4\e.qr;
Roslon¡=S,5m1), lo=864 Rns(on)=9m(), ln=93A
Roslon¡=1 .5mO, lo=1494

tjl'ain
¡.illr ?
Ctros ejemplos de nfiO§FfiT de 60V ¡'-*]}
lnfir:emn
tlrliw)
':'É
"i;t:¡Llf
f*r. ¡irr .3,

Type IPBC3¿l'r0613 G tP r037N0613 C) lPF']C37N06r-3 G

i¡l'

Package P G-TO-263-3 PG-TC-262-3 PG-TO-224-3

Marking 034N061 c37N06L 037N061

Ri:s1on¡=3.4mO, [,,=904

23
' l-a ¡náxirna tensión drenador-fuente de representa cont$ Vnss
0 C0rfic V1ERID$$

' Ayuda a claslficar a los transistores MüSFET de potensia

Baja tensión Media tensión Alta tensión

-jl

I
ii

I'I
.l'5'V 100 v
ii
I
a
,,3,0
500v
I,:
V 150 V 600v
t

r.:1.
t
I 45V 200 v 800 v
I
i 55V 400 v 1000 v
i
i
t
I
¡
6,0"V .Í
,t*iLl \i qfiit:i
¿
il

ü
,
',8,0 V
I

24
 'fr1 fahnicante surninistna dos valores (af menos):
- Corriente contlnr..¡a rná xirna l,
- Corriente rnáxima pulsada lo,*
;li tR F 540 N-channel TrenchMOS )',, transistor
*"t,
SY[1lBOL PA RAMETE R CON DITION S lvllN. MAX. UNIT
ii...i
-f aX ,n.-.4-C,C
:¿s.¡+" Drain-source voitage I -- ÉJ !, iU i/-, 100
ti Y -1,:¿i Drain-gate vr:?tage I = 25 C tc 175 C R.,,.= 20 h 100
\/' j'i Gate-sor-r rce \./ol ta ge t20
'f
1,. Continuous drairr current r:itt. -
af
¿l
4..
l-,
\..
V.-:1, -
I
.,1
lU^
\/
'r 23 A
t;.r.-=.i-e-\i
t";r
=.. : .ica . -c : 10
cT
A
1,..,, Pulried cl rain cilrrer¡t A

7
T ciel !ri',vef clissr¡:ation 1ü0
'!iil
1:+1.,<¿1 r .. i ,¡:r Cperating jurnction ancl 35 tla C
i:i;", stcraee tenicei-ature
i.. !,

ñornr¡lrscc Cuyrcnr Dcra¡no. lD í?")

f0t -....,.-....- *_.-
90 \-, - La corriente contin¡"¡a rnáxima lo clepende de Ia
-\-'*-_--
".r,r.! 6c
I0 *,. ."..,,.]I- temperatura de la cápsula (mortnt¡ng base aquí)
6(r

l(t
4(r
''t.r.
\.\
:

30

29 \I A 100oC, lo=23'0,7 =16,1A

1i¡ I
0 \
C 25 30 13 ttO l?5 15'ú t 75
,¿(Htnun0 Barrr ttfip*rllrr*, Trrb (Cl

si§.Z Nornla/lseci @nlnuous ciran cwrenl.

It)o'; 10Q 1,,!,,, .,. .= t{T,..,i: condiltons V.:,:.'. 1Q V'
'

. Es unü de los paránTetro rl"rás impürtünte en un MOSFET.

Cuailtü menor sea, mejor es el dispü$itivo
. Se representa por las letras Rns(on)

" Para un d¡spositivo particu¡ar, crece con la temperatura

" Patra un dispositivo part¡cular. derrece con la tensión de

pr¡erta" Este decreüimirnto tiene un límite.
rRF 540
SYMBOL PARAMETER CO N DITIONS lv'llN. TYP MAX UNIT
R,... Dra rri- sr>lr ot cli'¡ - s'[¿¡ I t+i¡ 77 t'n! J
ieslstalt',cr.r 'I = 1/5 C
l
:
/.1,1

,J¡ t-/.J

?.9
2.1
?.5
2-3
21
l.t
l7
r.5
1..1

1.1
0.9
0.,
0t
.6C

, )v.r

?5
 . Comparando distintos dispositivos de valores de ¡CI sernejantes,
Rns(on) crece con et valor de Vps"

o::X;.,

,§7 TYPE i Vrr. R os (on) lo

tit.,
t
i#<ú,,
STDSNElO i IOCV <04L) 5A
'ú1
{';

it 1i>
t.
LvÍ, TYPE Vos s Ros(on) lp

S TÜ5N h46C 60C\'/ <0 Orl AA

t
:t t
laezt

rlr JLrlIL
;;.;
.;":.iil
T(iT}
¡árqY& L
I?,I224 N LPb F J-hc§( IRF64ONLFb F
.*,*rI
\/"...
v ,-,r)i) = 65\/
u\/ r Voss = 200V

R ns, (,ir r = 0. 061) 8,",.r"'", t- 0. 1 5 !2

L¡1J¡ V) l/¡

llr = 18A l[, = 184

En los últimos tiempos se han nrejorac{o slrstafl c¡almerrte los valores

de RDS{on} en dispositivos rie Voss relativamente alta {6üS-t CI00 V}

l--3,

=1984

vos 8CC iV
RDSto,', 13 t)
lcr 4 A

?6
 . La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conclucción entre drenador y fuente
. Los fabricantes definen la tensión umbral Ves(ro) como la tensión
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
. Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
tRF540
S YT/IBOL PARAMETE R CON D ITIOT.JS MIN. TYP MAX. UNIT
Gate threshoicl voltage \¡ I
-
l,--/,
2
T - ,1 '7tr r'
1
T - r:rta, F,

La tensión umbral camb¡a cor'I ia temperatura

Threshold Voltage. vGS(ro) (v)

U
4,5
-*i---'--l
4
r-l*--1**
?6
{

?,5

1,5
4
I

0,5
n

-60 1A -20 20 40 60 80 100 120 140

Junction Temperature Tj (C)

Ftg 10 Cate threshold voltage.

= f(T,); ConCiiions: lr, = 1 tllA,' V,.,..

?7
 'La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es
típicamente de i ?üV

l-s,
4-;:.
N-channel TrenchMOS ¡1: transistor i"it#4s, Irf§40"s I
4i

4tí^..,1

t.,t.A

i*.* FEATURES SYTdBOL OUICK REFERENCE DATA

íi
''Trenclt' iecltnoi,)g./
' Lol,,, On.Stai€ fesrsiSir.:18
. rast t,.,;rtc¡rne
á,...ri:
,r'n"
. Lcr. ti'reflr'i¿i resisiancE
?q...il

!i"*.
.,|.|
1.
tb¡
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Absolute lvlax jr¡um Ratings f,. r }5t(';. i,iri!4s§ Otwr!+§* §D«ró6(

;v-¿
tRF640_ RFlS5dosil uNtTs
9;n, llrárr t{, Ssu,(s Brsoloüd: \.t,Iúq( ¡Nd+ 1 i \,rs I,iü V
*of
Or¿tr11+Gáltrsi!¡{*r^,iq:iltlli,r, l.¡olé lt f¡¡r¡¡ lúí, y
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tti, :cnt/euil¡t" [,rir{ au{ÉÉr iD :t
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{ihl!:oiqrc+\t}ltá¿ """'"""""""'ii:""""""'"""-1í,',"""""""""^""ii'l
3E§{rátcir [i8r¿lsng Faci0 ú6
.y].ót:
Sil¡qlr Ris Asl¿$c,F Er!il(B Qflx,u {Noh ¡: Eto !:¡ü sr-i
(p€ñiirEándj§srooÉTsnrerálrre T¡ Tsñ _9fto;?I orl
r.lilr,trtrdr ¡o.rlbrSh're lü Sklfjerro§
l.esd$¿r!g(¡ri:iil{l!jq:,ri1f!§:i !j,)r4t.ir t0$ _.¡ loit (1.
[|xküi]t.liHlfIc,|0ls'Ei.r4djk¡q:.¡:i{.**o2liíj

'Los MOSFHT cle potencia ssn más rápidos que otnos dispositivos
usados en electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)

'Los IVIOSFHT de potencia son dispositivos de conducción r,.rnipolar. Hn

ellos' los nivetres de tsrriente condr,¡cida no están asociados al aumento
de Ia concentración de pontadores minoritanios, QUB luego son difíciles de
eliminar para que e§ #ispositivo deje de cCIilcturir
'La limitación en la rapidez está assciada a Ia carga de las cápacídades
parásitas c{e! cf ispositivo
. Hay, esenc¡al¡nente tres:

- Cnu, capaciclact de lineal

* Cou, capacidad cJe t¡.ansiciófi C,lu * k/(Vr:$)1/2
- Cos,capacidad lVIiller, no lineat, rmuy irnportante

28
 'Los fahricantes de MC§FET de potencia suministran información de
tres ctpacidacles distirrtas de las anteriores, FBr$ reiacionadas con ellas:
- C,== - Cs= * Cgo con Vo==O (= capacidad de entrada)
- C,.r. - Cog (capacidad Miller)
Co=., = Co, * Con (= capacidad de salida)

Cnu

" Hjemplo de informacién de los fah:ricantes

Philips Semiconclustors Product specif icaliorr

N.channel TrenchMOS,:"i transistor lRF540, lRF540S

SYtvIBOL PARAIflETER CON DITIOT'JS MIN. TY P, MAX. UNIT
C,, ln¡:r-ii capacrtance ñf/\: _-tt.\,..{=iMHZ a r ñ?
pF
\, '. r:t,.i - LJ ) .
I 890 ilÜi
u.:ss Cuipui capacriance ir^./ r,C
t/
C-.. F eeci i:a cx c ? t-,,ECttá lce 1ño pF

Capacitances Ciss. Coss. Crss

loooo. 1pF¡

;,:.'l..i .,i,l.::. :I i:i:i:

C,*u=f;ss+Ggo
Cr*, = C,lg
Cou*=C.tu+t,rg

?9
 . La carsa y la descarsa de estas capacidac{es parásitas generan
pérdidas que condicionan las rnáxirnas frecuencias de conmutacíén
de tos MOSFHT de potencia

Carga y descarga de un condensador desde una resistencia

,¿- :tilffixlx{ft:r en= C =

0,5CV12
0,5CV12

":l,j:,ffi;:::T*.-:,_
= Q,5CV12

" Energía total perdida: cV,, - v tQ"u,

.,&denrás, en SenenaI estas capacidades parásitas retrasan las variaciones

de tensién, scasionando en mr.rchos circuitos convivencia entre tensión y
corriente, to que im piica pérdidas en las fuentes de corriente
dependientes que caracteriuan la operaciún estática del MOSFHT

Análisis de una con¡n¡.¡tación tipica en conversión de energia:

- Con carsa inductiva
l:.': '\
E--.;r¡
- ton diodo de enclavarniento

- Suponierrda diodo ideal

30
 . Situación de partida:
- Transistor sin conducir (en btoquleo) y diodo en conducción
- P<lr tanto: I ¡: r: ¡: "^-
a"
41,
$i -. i. .., ir
:1. .:l

Í\i

'i'**t'

ti
- Hn esa sitl¡ación, el
,4<i",.
interrl¡ptor pasa de "ffi" ü ,rA',
id¡a+t
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:h7:r¡rl

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Co= ll

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v: r\ i:: t'
¿-L,,7 )i

. i*.r,= 0 hasta que vcs = Vcstro)

t: fr íl
" vDs = Va hasta gue iur. = lr_

¿'4
,r.,r."
Vcs(ro)
^#E*.
torr' Pendiente determinada
i'ii!.:"
:¡"t, t71.'.
por R, Css y por Coo(=Vr)
'^,,,.,.,

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,
*,.
,,
{:}.$ v2
Co* $

31
 . La corriente que da V, s traveis de R se
7t:l' \
emplea fundan'lentalmente en descargar
" !.''. r''^r
"r
t.is :::) prácticamente n0 circr¡la
cOrriente pOI Co* :::'.+ vcs = Cte
xüü
V"r(ro)
\.!i7,,i
yn1 y..
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R -+-
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Cou $

\.. ti ii
,^t r:f i
oH :4'1.i:
t"o '--t
ii

tn* V C*o §e csntinuan carsando

v1
V \- Constante de tiem po determ ¡nada
Vorlro¡
por R, Co= y po¡ Cos (medida a =V,)
\,i

'4i aP,- 3'r

: :, !

xÍ rtr"
LJ\3

32
 Valoración de pérdidas de entrada en
corlducciérr {caso de conmutaciones sin
recL¡ peración de energía)
V"
' * Valoración de pérdidas entre to y tr:
Vorlro¡ - Hay que ca!"gar Cnu (grande) y
descargar C.,s (pequeña) V* voltios
{energia perdida er¡ el circuifo de rtanclo}
- Hay convivencia tensiór'l corriente
e ntre t1 y tt ftnergia percflcfa er; la
f¿¡enfe de corruenfe dependiente del
n7üSFE7"l lor

cdtrl
'T: I t.-
I,lF
,a., I ^
E LLUs=
*l -r-
"'^1 - I

, Valoración de pérdidas entre t, y t*:

- Hay quü desca! gar Cnu hasta ü
\ii t*,.r"
v1 {ener gia perdrda eff ef fransistor,i e
ffi--.¡A
invertir la carga de Cos desrle Vr-V*
vot(ro) hasta -VM {enerEía perdida frans¡s tar y
Ll,
er¡ el circuito de mando)
tf ¡r 1:;

- Hay cünvivemcla tensión corrierrte

entne t? y t3 (energia suministracfa
externarnenfe a/ fransist*r y perdida)

icog+
i.or*
¡L
*Í
tg É
r-1 t3

33
 - Valoración de péndidas a partir de t*:

- Hay que acabar de cargar^ ü§,s y ü.rs

B -»A
hasta V,
..É.n vcs(ro)
- Na lray convivencia tensión
corriente salvo la propia de las
l! ,)

d¡:;;. \it '

t-,,.
i J1\
s."..
1.,..< \,'¿

7
r-* pérdidas de conduccié¡'¡
n.L,...

*a,A

"i** IDT = lL
<-
,l

t.f.:,:,.

,;á;1.,/:.

P,,

. Valoració¡'l de la rapiclez de un disgrositivo por la "carga

de puerta":
- La *orrlente que da l* fuente V., es aproxirnaetanrente
constante entre t0 y t"i (comieneo de una exponencial,
üon I1,1
"rVr/Ri
- De t{, a tz, la cCIrrientelr.,, se ha encargado
esencialnrente en rargí*r üs*, Se ha sLlrninistrado ur¡a
carga eléctrica Qq*
- De t, a t3, Ia corriente !u, se ha encargado en invertir la
carga de C*n. Se ha sunl inistrado urla carga eléctric¿ Qco
- Hasta qLIe VcE, = V, se sigue s¡;ministrando carga, Q,,
es el valr:r total (incNuyendo Q§ro y Qon)
- Para un deterrninado sistema de goblerno {Vr y R},
cuanto rnenores sean Qso, Gon y Qs más rápicio será e!
transistor iW
.¡r-¡l> R
- Obviamente tz-t,, *r QsoR/Vr, t¡-te s Q¿,R/V, y Pu, *
VlQsfs. siendo fu la frecuencia de conmutación

34
 \

. Valoracién de la rapidez de un dispositivo por la "carga de puerta":

lnformación de los fabricantes
IRF 540

¡vl'984

-.ro-u^-n "

{;lttfntü*il SpD04NB0C3
-4.*-*.o.-*

Gate Charge Characteristics MOS,FET de los años 21000

Gate to source charoe

Gate piateau'¡oltage

'Otro tipo de información suministrada por los fabricantes:

conln utaciót't cün sarsa resistiva lno es imponante para nosotros)

Vo*
fr_4;

¡:
90%
¿.::i
>:v)1,.:

'|

:l '<

l¡¿,?¡,.

t;*:1.
1 00,
+i

i.-"",
t
l¡l llr
?,;i-r4i lÉ*l.-+J l+--+lr-+t
i,i¿.,.,,

tli

..Y:11.
\ to on t,. to o* tr :
..,..,1
to on: retraso de encend ido
t,.: tiem po de subida
tc onr retraso de apagado

t: tiem po de baja d a

35
 'Ctro tipo cle información sL¡rninistrada por los fabricantes:
conmutación ton carga resistiva ¡ho es irnpo rtanfe para nosofrr:sJ

'r*;.

9t:
l+r/,
E LECTRICAL C HA RACTE RISTICS IRF 540
T,= 2i: C un[*ss cltherrvrse speuift*d
SYMBOL PARAtv1 ETER CON DITIONS MIN. TY P, MAX, UNiT
I
t,) Tuil'i-o¡ dela'", Iinle !'í,:..= 50 \¿: Rt = 2.? tle
",,'
t Tun'l-clit ns€ lirne
,l
\",,, = '10 !': R, = 5 6 3g NS
l-urn -.ofÍ,.1e i¿iv trrr¡t: .Resrslrve lc¡aci )ri
f'r s
tL/
Trrrn.cfi fali trrle ;¡
',, NS

:io,
to on. retraso de encendido
tr: tiem po de subida
to orr: retraso de apagado
L: tiempo de bajada

Férdidas por cQnvivenc!a tensión corrierlte entre drenadCIr y fuente

P.ond = Rorlon¡¡or1.-"¡2

P.on-=fs(won*worr)

Pér,didas en conmutación

Pérdidas en
,conducción
(l,.-
eh.

3ó
 Pérdidas en la fuente de gobierno
lvr
---¡>

v1

Circuito teórico
Ivt

iu,
.rrr+

Pr, = V, Qgfs
Circuito real ?

EI diodo paráslto $uele tener matas caraüter[sticas, sobre

todo eil IWü§FETs c]e alta tensión

REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS IRF 540

f = 2?; C rurless othen';ise sfreciflecj
SYMBOI,. PARA[4ETER C ON D ITION S

Crlr'¡tinilor-rs soLir()e rll¡ rren t

(Ooct;, Oiode i
)rjlSQ(l SOt-lf CC (-r\r Irelli t f-iCCt'
iirocie )

D rode fo ri.i,a rcl'.,olta()e

Reverse recover;v lrrne l, = ''17
A. -r1l,irit = 'i0C fu1rs;
Re,,¡erSe ieCO\/er)/ Citar-ge \r =0i,','-?5\'

37
 E¡ diodo parásito en un MOSFET de alta tensiórr

SPDO4NSOC3 imfi nrsfi R[,sio,,,

Electrical Characteristics, at T,= 25 "C. unless otherr¡¡ise specified

Parameter

lnverse diooe continucus

f onva rrj current
lnverse ¡^
t¿ I

puisec I

inverse diocje forr,vard voltage -t a lir

t-¿ v
¡
ña_tt'f ñ_rv.a.7ta'rrtñvñ-r1-y!.f yrrxt-?t
ffiitrrffiV.
Reverse recoverv irnte - lns
Re'.,ersc recover)r charge
iPc
Peak reverse reco\,i ery currenl
i

?eak. rate cf fali of re rrs¡ss

reccverv cLtrrent

Hs válido todo [o corTrentado para los dioc{os de pCItencia

Phiirps Sen\iconc, ucto 15

N -channel TrenchMOS i.1 tra nsistor lRF540, tRF540S

PINNING soT78 (TO22oABi so1404 (D?PAK)

PIh] I DESCRiPTION

1¡rrlr,

/ I
rlr;l:r i

I
1
|
:;,irrr c;
I

tah iora,n
I
l:
I

TH E RMAL RES ISTANC ES

' Este fabricante clenCIrniña " nlaunting base" a la cápsula

y suministra informaciórr de la Rrn,o = Rlxj. * Rrx.o

38
 . El IGBT (lnsulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una
estructura que permite:
Y Modulocign de .-lo canducliytdsd (lo que implica bajas pérdidas en
conducción)
i Antisaturación del UgnflIlgt'blp-algf interno (no tan lento como si se
satu ra ra com pletamente)
te.'

} control desde una puerta Mos (como un MosFET).

it i
n lü-

Co lecto r

{Collector) Colector (C)

E

Pue*ad(
I

gJ Emisor (E)
Puerta
(Gate) Sin'rL:*im Cr i¡n áfiffiT de cnr'¡;*tr N
E misor
lE m itte r)

Ci u ir¡e i*'lte
rcu itc> eq
simp§[fic-:dr: #* uR tfr*T

n-channel

#Y rr, : Í r:: **t c> r-¡ :;;¡ ii{l

s9
 toncepto de nive! de inyección en una unién pN
S*j* nlvel d* iny**ci*n :

nr"(0*) >> pn'u{#*}

Portadores/cm3 tii
1"016

1014

i** L012
f'fir
bá.Jr
,J. fst:
i.i
1010
l

108

106

104
-0.3 -a.2 -0.1 0- 0* 0,1 A.2 0.3
Longitud [mm]

'Bajo nivel de inyección es lo que siempre hemos considerado hasta

ahora en otros casos de uniones pN y p*N-

' En el caso de uniones P*N- esto es válido para pola rizaciones directas
no muy ¡ntensas. En caso contrario, entramos en alta inyección.

concepto de nivel de inyeccién en una urrién pN

É"Bt* niveJ r nYsccr# n :

n* (0.) F *u{**}
Portadores/cm'3

?*-
L"ltot:
í 'l:';.,
'toi

!!4..i:

-0.2 -0, 1 0- 0* 0.1 0.2 0.3

Longitud [mm]

' S¡ la tensión de pola rización directa es suficientemente

intensa, pr,,,u(0*) se aproxima a nr(0*). En este caso, nN no
permanece constante, sino q ue se incrementa notablemente

4A
 Modulación de la Conductividad

Nn = 101e N or = 1014 N o, - 101e

Yf*"
'á*+,,::.

t ^r:

i
tt
a¿ ii

4dpa
10 ¿u
'Hay inyección de portadores desde las regiones adyacentes muy
dopadas (doble inyección) , lo que disminuye la resistividad de la región
poco dopada cuando está en conducción. Este fenómeno se llama
Moduloción de lo Conductividad y só!* ocurre en Cisp*sitiv*s bipc,ierr*g

Transistores bipolares (BJTs) de potencia

'Se utilizaban antes del desarrollo de los

.ffi§t
MOSFET de potencia.Hoy se utilizan poco (como .: ¡t i ,:1''
ii. +-..

i
i
i nterru ptores pri nci pa les)
:r'..
1i,.,

'Son mucho más lentos que los MOSFETs (como

sio2 B
1
u nas 1.0 veces más lentos)
',Va"-\.-

'Además, hay que inyectar una corriente

t
bastante apreciable por la base (sólo 5-20 veces
-) .i ::
menor q ue la corriente de colector)
'Sin embargo, tienen modulación de la
lo que implica que se pueden
conductividad,
hacer dispositivos que soporten mucha tensión
(zona N- poco dopada) V que tengan baja
resistencia en conducción (por modulación de Ia
cond uctividad)
'En resumen, superan a los MOSFET en
com porta m iento estático

47
 Comparación entre tsJTs y MCISFHTs de potencia

BJTs Le nta Dif Ícil Sí Bajas

v*.
¡r,1
».{¡¡..ii
MOSFETS Rápida Fact I No Alta s
:l 'l

+ti a

tu-?^i

'áSe puede conseguir un dispositivo con las ventajas

de ambos?

' La respuesta es el lG BT, que presenta muy buenas

características en aplicaciones de mayor potencia que
las de uso de los MOSFET (sacrificando frecuencia de
conmutación)

Estructura interna de un IGET

{modela mrry sir"np[e]
E m isor
Emisor (E)
Puerta ( G)

,,nOi
fir*is*r Fu ertn
I
i:l::
Colector (C)

f.P

r.l'*le*t*¡"

42
 . Estruct§.Ira inten:a de un IGBT
(modelo url pocCI rnás elabonado)

Puerta

l
t,i *,. Puerta
¿! Xa-

I
ry¿ii
¡t f

Co lecto r

'E[ IG§T bloc{ueando (soportando} tensión

43
 El IGBT conduciendo corriente
§\,jr¡dul*ci*in dr la
Cr¡nrir-ictivida*

ilf e c§'*
v1 E m isor
tl";* nsisl*r
*)tl

v*'
Puerta F
1!.
Jlj

fnlt¿-
b?B;.
t r.\
¿i
Em iso r
,l

L^+; v2

Colector
Co le cto r

fuTodelo corllpleto de !a estructura interna de r¡n IGBT

E misor

l
Puerta

i?¿
«t
^.
I
,.*.rÁ
::,
I j,.
\

Ror,t,

I
t_ _ _

Colector

' Hay un tiristor parásito que creaba problemas en los pn meros

lGBTs. El problema está hoy solucionado, cortocircuitando Rooo,

44
 Modelo completo de la estructura ir¡terna de un IGBT actual
(sotrucionado eI problema del tiristo!. Flarásito interno)
C ente que dispara Para evitar el disparo
:i'l iristo r pa rás ito d e ti risto r pa rás ito

/vu
I
f!d':q
ffi ,---.-ml
.:'.i:
j,:.i:;

.
::::::.
j.:.j.

: -:a. :i...:
,
.r.:.:.

;
..
.
.'

'

4 t11.

.-,,ii \-dti ldl

Ru"á, P
Ti risto r
pa rásito

ii: i l:ii.l',t'

. El IGBT no puede conducir corriente inversa con tensión

cero en puerta, como sí ocu rría en los MOSFETs

'i--, Diod o
í!{t
L*>,,j.

i,;j parásito
w,¿
;.1

Áti.*t

' El IGBT por tanto puede soportar tensión inversa

' Los IGBTs simétricos se diseñan para este fin. Sin emb argot la
caída de
tensión directa es mayor en ellos.

' Para conducir corriente inversa hay que colocar un diodo en antiparatelo

45
 . Estructuras asimétrica y simétrica

. IGBT asimétrico . IGBT simétrico

(también llamado (también llamado
"punch-throuBh IGBT") "non-punch-through lG BT")

i, [A] i. [A]
vc§ - J-ÜV vc¡ = l*V
V,... : BV v.n = 8V

t.'\

.,-,"t

V,',
(ft = 4i
vr;s(V,..;,,¡r,r¡ =3V V,:t: ( Var,,(r,,,

4 vos [v] vc, [v]

. Caso de un MOSFET,
. También es así en la parte . Caso de un IGBT,
,,MOSFET" '. Se obtienen sumando
dCI IGBT
cu rvas características de

46
 lnternctioncI
IiiR Rectilier' IRG4PC5OW
il.*,, ll'.¡ l,l.-i 1,,\TÉ.1_r ,1;ATi Lj I Ii(:..iL.,a,i,l Tt(¡\l'l:;i:iTOF?
ia i

:1 a

lt- a

Vcrs = S00V

\i cEicli-rj ¡re y., - ?,30V

"l
iq') V'r.:{: = 5V. l,', = ?7 /t
T'r."r /) .{, Y 2 '¡\
n-channel I \J^.{- "+ J t'l(-..

. lnformación general del lRG4PCS0W.

Features
. Desirlriecj ex[rressly fclr Suvjtc;lt-fr¿jciCe Powei.
.é---l§
Su¡:ill,,, erlci fiFC (pcl^,,sr lactor ccrrectlon)
npcircatitrns
. ii ci r.l si rV- L: e n c [r rrl r,r rl,l s'rv tr: h rr r; ü s; :; e s rn p r o\,
I i i I i e
eÍticiencir of ¿iii [roit,ei si.l¡r¡-ii y lr;pr;ir.;t¡re,s
a . 5ü"'o reiucticn of Eotf pararrteter
:,r/,,rj )

1.,-
: :_Le§ IGBT conciuction losses
1
i il'¿i.'ii"óóir§ii'üiclijcn é],s-j
"'C,ff

tti,
i tigrlrtür I;rií&nle'¡E¡s
L*-.-..-__
clrstr-ibiiticrn. excel:tiori¿ii relrairilrtr¡
^.*____. i__l I

Benef its

47
 Absolute [t¡'laximum Hatin gs
Parameter
*"óe[;'.rñüñ1ilil1ñriiü5ffi*fr)rr,ü;,****"1i* "*-'--Eñó
fu4ax.
*****:**V**i li

1i
..!::rliiiil.!::ts..i?::h:i:1:.:i.9::::1.r1........ i z i
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1

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\
25 50 i'5 10ü 1?5 1 50
TC,Case Terrper¿lture ( l)

Fig .4 - Marxinrunt Ccllector Current vs. C¿ise

TenrperatLlre

48
 As.v s¡ rTlst.riüíl ¡ i G *T'

Electrical Characteristics (tl Tr = 25''C (unless otherwísepÉecified)

Sa¿:l i::icl i:1.

No',"
):

,*nl
la i

I'iotes:

,,1.- rattriql \/,::i[ , 2{i\,,'. l;t:i:;.:i '¡¿rtjttt lriitii,,.l,ci bi,

l':l¿,ipi.,:tilrvr.,r
n'l¿i^ i(inrliiur: lt:1."'11:rr*rilult. i 5e* ilü, l:JLl I

F{i:ii.li:ir'liVr¡ ra,rin,:.;: ¡ri;l.Si:r !.r1tdth iiii:ilr:rr:i i.rri rna.tX.tit.lr.¡tr.l

] r,,n r;i ir.r l'r !+ ri',¡.;eríi1 r; i+.t.

cu rva ca racterÍstica estática pa ra u na tens¡ón vo, dada

i. [A] t---_"-+_--.
a- q-.*^F r,r+{¡-....-.

.4. l"'-'
6 1....
t

!.
t¡r
L
"tr
;.................i............
i-""-'-'"1-'-"""'
,rL¿+
,=
-
ü
T¡= lrO'fr i.---.-*J--..

-]__
I I

// lr=1)'U

:
C r" -/--- -* -r
--t-----.-
-T'-- --- I
+

vc, [v] .i
/ -4

/ v(:r
-
-
{ f: \/
I

,/l li s PUr-SE iVlDTll

1

.441' .,1

VCf , Collector-io-Enriner t/ottage

.ti

(V)
.lr

1,. r: i: 1:I

Fig,2 Ty¡lir:a I Ci.rtf)t.iI Cir ii,r i.it:*:jris1 icS

49
 5 \./ ¡

I
I
ü/^r
I
.\F JLS \^/ I i

I
I

i
ü !
i
i
ü, I
I
I
I

.....1... l i
....{....
= i
I C*ett i3#rtffi mt §*nt*
I

l¡; CI
4
t"* 7 t#rnT §cm cffirY!ffi uJt"!
f"l
M§#SFffiT
frl
io r -,
l-.!/
ll

r'=
¡

I
I f 21

\ -#
I
, I I

C -.{-
tr

: (_) I

I
I
t,-. * 1 < \
lr¡1

l¡
-
I \/.g.
-
§
i
"'1 "' --.- I I
ü*nrpffirtffimi*ret#
LLi
\{ tgrmüe* flsysr# LEm
L§"§ §

1^
-6( ) .,t.0 -?c 0 ?0 (') 6ir B0
,.i 1 00 1 'i0 i ,{ () 1 6r.l

Tj . Jurrction TenrperatLlre (' C)

Fig. 5 - Typtr:'al Ccllector'-1o-Erniiier VciiltlgÉ

vs. ..iLinclron Tent pe retLt re

Apagado con carga inductiva y d¡odo ideal

ve e 1tr,1

1 A6:*6adr; de
-Í- ta partc BJT

¡l {:V
D
+ I I
-'!i,
t:

¿,: ., - ',

50
 'Comparación de IGBTs y MOSFETs en el apagado

lr*'
1i !
vc r1*'¡
J
,lu I
*J

\t

t
I o**. Müs fi il'r"
j
-!- p*rt*
B-{T
¡

Periodro con
pérdidas de
apagado
Férdidos de
con rnu ta ción

51
 Conmutaciones reales del IGBT lRG4PC50W teniendo en cuenta el
comportamiento real del diodo y las inductanc¡as parásitas

li

!1,'t

*.i
&.tl

(bl
Vsg(t I Vcs(t). Ic(tI -Q',r,'itchI[rQ',,i;6i,efot'rrrs
(a ) Tr¡r'n-on
(i: l TLlrn-off

5?
53
 'Los tiristores fueron, durante muchos años, los dispositivos que
dominaban Ia electrónica de potencia
'Son dispositivos bipolares de más de dos un¡ones
'Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de manejar grandes
'].:r
lp,
corr¡entes y tensiones (modulación de la conductividad)
\,.!

*¡r'i
tr.r . Los más importantes son:
''rt
"

-4

- EI Rectificador Controlado de Silicio (silican Controlled Rectífier,

SCR), al que se le apl¡ca muchas veces el nombre de Tiristor
- El GTO (Gote Turn-Off thyristor) o Tiristor apagado por puerta
- El TRIAC (Triode AC \ o Triodo para Corriente Alterna

- El DIAC (Diode AC)

'Todos ellos los estudiaremos con menos profundidad que los diodos,
los MOSFETs y los IGBTs

' La base de los tiristores es la estructura PN PN

íri
't*.
'-/
,/f/..'l
¿ !4,
\<4 ¿

i»*
i:

Se trata de una estructura realimentada que admite dos

estados estables (es como un "biestable")

54
 Ahora inyectam os corriente
,..,;t
en la unión 8,,-E,, desde una
1,.t| t:.:i .....11,:
\,,4ti,.,t: tA r::..i..,:.:r,.:t; t:.:.
fuente externa Vr
¡,..;, ..1.
| :i.r:: :

!..i1'i ir .!,,..-..it,.,
...iii: 1" ,:....:: :'.
!.1.

Ahora circula io: = ii,

por la unión B,-E,,

. i*r genera i*, - pr'im.r

. Pero i*, = ir*zi por tanto:
' ic; = B z'E*t = Br'Fr't**
. La corriente É*, será ahora:
*.
l.:.i

iB*'=in * ica = in * Fr'Fr'i*,

'*,",, . Es decir, i*r' * 9z.Fr'i** )> i*.,
lwt

Tl

CcnclusioE'tes:
- La c#rriente cte hase trete hasta satr¡rar fi ios d*s transistores
- Ü*irlü csfis*cuefitÉ4, *! dlsposttivo se csrrtpCIrtfi c$rmCI rJn
c0 rtsc it"c,r,¡ !t*
- La eorrientsEo Fued# eIin"¡inarse y ia situación mü cfirr¡hia

55
 ' Por tanto, el m ismo circuito puede estar en dos estados,
dependiendo de la "historia" anterior:

- Con tra estrustura de d - Coft ¡a estructura de 4

tapas si¡t conducir- caÍla§ conducienclo

!r,..

*,n
,t !,

L,,.
'l*..

*j

¿Cómo se puede que Ia estructura de 4 capas

conduzca? (l)
- Auffrentando ñl Lichü Vcc: las
Nnyectand# rcrriente
cCIrr¡entes inversas de las unisnes
(ya expÍÉcado)
base-colector alcaRu affi va!0re§
suficientes para ta saturación
I :j't; rTI utua de tCIs tre nsístones
''&t¡

/¿,..1
ti"
t,.
't*'".
?t':

56
 ¿Cómo se puede conseguir que la estructu ra de 4 ca pas
conduzca? (ll)
- Sornetiendo a la estructura a una - F{aciendo inciclir radiación
fuerte derivacla de tensión: Ia (luz) err la zona B,
corriente de cange- c{e Ia caparidad
parásita colector base pone efi
conducción la estructuna
* Vs6/R
* V6sfR {f+ffir

aS.SV

. Es el tiristor "por antonomasia"

.Su símbolo es como el de un diodo con un
terminal más (la puerta)
. Se enciende (dispara) por puerta
t''"
ie'-
. No se puede apagar por puerta

4.,!
Éstructura i nterna
.::",r;

,o1¡

4t.,.

57
 ,t,
\,
L

Curva característica sin corriente de pueña

Polarización di recta cuando

i^ [A] está ya disparado (como un
diodo en polarización directa)

Dispa por
,1#:
< -r. .l

.¡4 4 sob re ión

lion ,

,{w¡
ánodc odo

t
il

t t';
io.i

**j

Polarización directa a
tensión menor de la
disparo por sobretensión
(como un diodo) ánodo-cátodo (como un
diodo en polarización
inversa)

curva característica con corriente de puerta

Polarización directa cuando

Ir-3
l
está ya disparado (como un
diodo en po¡a rización directa)
,l:;
§+.:
t,,,
f""t
'&,n
Disparo por
t?3
Disparo sobretensión
*.-,
!r*.. por puerta á nodo-cátodo

r--
t:

,t
{";
ir¡ i-. * s
Jü,üd--*.-*;.;;;;¡'u ,
.1g:...

500 v

<ig3<

58
 . Apagado del SCR :

/-'-=,, No se puede hacer por puerta

- Para apagarse, el valor de su corriente ánodo-cátodo
tiene que bajar por debajo de un valor llamado "corriente
de mantenimiento" (holding currentl
- Aunque en el pasado los SCRs se usaban en todo tÍpo de
convertidores, su dificultad para apagarlos los ha relegado
a conversiones con entrada en alterna y a aplicaciones de
altísima potencia
-En aplicaciones de entrada en continua, se usaban
circuitos auxiliares para conseguir el apagado (con
bobinas, condensadores y SRCs auxiliares)

59
 Cf 06 Series

sensitive i;;;'"".
Sil¡con Gontrolled Reetifiers
Ratitrg Synrbol Val e Unit
Reverse Blocking Thyristors
trlsrrg!,f ... a.q-a:t.atá . i:lfr:e 'DRfr,l I

te i,i;a..,¡t i,i:-fil "rz. Ri;rx =-

'i ti¡ .F¡)t.r

Í: l ciiE i)
i:i:1,_:['. c. ic.jf l,

.. 11,. ,
-, -1a1,:i - u):.1

?,,1'l 3l
T¡F['iÍj ¡,n1íi
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4!t/

4*:, ,e {:i-.c-ilr !e ili;rren I A n']? S

',#ij -i' Crtt¡<jr,CtlOfr r,itü;6S 'l'-.= t,.l

]»"
tr:ai.. i',icn-Reletitire Lir.rioe Cur rErtl
Y" , ',,'l i .t:-lt. 3ri'¿ ;r,'3;u '¡1 ¡z
,ji
'j*.

*t Cirtuil Fus,:,:C Coos¡deraljt É

'l
aa

Fct. ü

.¿ üt:

r., AlliL1
i r.,rCtl', l.i r.;S+i. Ta : ia TO-225AA
C
(formerly TO-126)
.t rl
ai i Af ¿:, i]Li.J I') C :..:) I 1 ? it',i.. ? : ?,1,: t a Fi,ir r I CASE 077
STYLE 2

',cl ¿a? re¡il;¡-r ¡: l r ; R as ü* -J l, t

1..{ rJ u n 1r$ § :-cr.¡'"1 e ri ll:

Cf 06 $eries

ON CHARACTERISTICS
ioi.'aici ür-1:tar*'.'oi:e 1i.,1 ,'ijit§
l*t':, Fl.l = I A Tqei: Íor í-'rú64. [) .j. i,1
Fl,'l : i r. tE¿j¡r it¡: i',,tirji) l. ¿i i,ii

]¡-;L;

3Rl t§

q T11::;Ir ,.biiaae rC11ñ',ir-t .¡ou5 r:it' ,iI T

,olls
'.
'g.f. --
i .,.,{..
J 1 !'r.
i'
.L -
-
:a(i.
\rw a.r\,',¿,.
\J' 'r\:: : :5'; t lt

:
t^r:- ¡;.-.
^ l'i vU ) r'¡t" ,\J
i a:^ ..r
|,-,Ji--

i.i

'' !i 'I fr
I r1.r
ti
!i i-. !:

DYI'¡Afvllc C HARACTE RISTI CS

P.e:.e-c1-F. .-c r1r i tJ', ¿l 4

60
I

#rye
É--r.i.j¡

61
 . Es un SCR que se puede apagar por puerta
. La corriente de encendido es similar a la de
UN SCR
. Se apaga por corr¡ente saliente en puertá,
que llega a ser tan grande como un tercÍo de la
t Í'i

e,ii
Fuerta de ánodo-cátodo
'tu'.,

6/"t4
§{i
V(.
. Su capacidad de soportar tensión directa
a-*

l,*
,
cuando no está disparado es alta
'iri . Su capacidad de soportar tensión inversa es
*;
Símbolo muy l¡mitada (unos 30 V)
. Es un dispositivo lento, pensado para
aplicaciones de muy alta potencia
. La estructura interna es muy compleja

É---1

62
 . Es el eq uivalente a dos SCRs
conectados en antiparalelo
. No se puede apagar por puerta

P ue rta
Ternninat 'l {G}
{r1}
Símbolo
Equivalente Estru ctu ra
inte rn a

Curva característica sin corriente de puerta

Polarización directa cuando

está ya disparado (como un
diodo en polarización directa)
U

Disparo por
?l\
vt
+i1. sobretensión
iBj T2-T 1
4n*;
j ¿q.
Vr

t*.
j

#i
(

Polarización directa a
Pola rización inversa: se
tensión menor de la
disparo por sobretensión
comporta como en
T2-T 1
polarización directa

ó3

\
 Curva caracterÍstica con corr¡ente de puerta
irr [A]

Disparo por
Disparo sobretensión
por puerta T2-T1
,tl.i

,v.4
|#,!

ii*,

,;*",

t'fl':
500 V Vrr*, I
.r.rrr,li

Disparo por
Hay 4 nrocJos posibles:
sobretensión
T2.T 1 - Modo l+r Vrzrr > 0 y ic

"Las corr¡entes de - Modo l-: Vrrrl > 0 y ic <

puerta Flueden ser - Modo lll+: Vrrr,, < 0 y ic
positivas ü negativas
- Modo lll-: Vrrrr ( 0 y ic

'No es un componente de potencia, sino que es un

componente auxiliar para el disparo de TRIACs
. Sólo tiene dos terminales y es simétrico

¡,-¿ io: [A]

A1

Símbolo

Estru ctu ra
Curva característica inte rn a

64