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Chapitre 1- Électrostatique
/¶pOHFWURVWDWLTXH DSRXUREMHWO¶pWXGHGHVSKpQRPqQHVpOHFWULTXHVSURGXLWV
par des charges électriques immobiles.
I. Résumé de cours
I.1. Interactions coulombiennes
o
f 1o2 q2
q2
o
o
u r f 1o2
q1
r
o
u o
f 2o1
o q1
f 2o1
(a) (b)
q1 et q2 sont de même signe q1 et q2 sont de signes opposés
&
x En vertu de la loi de Coulomb, la force f i o j exercée par la charge qi sur la charge
&
qj est égale et opposée à la force f j oi exercée par la charge qj sur la charge qi, soit :
& 1 q1q2
° f1 o2 4SH r 2 u & &
° 0
®& f 1 o2 f 2 o1 . (1.1.b)
°f 1 q1q2
2 o1 u
°¯ 4SH0 r 2
& 1 q1q2
° f 1 o2
4SH0 r 2
u
& &
°
®& f 1 o2 f 2 o1 . (1.1.c)
°f 1 q1q2
u
°¯ 2 o1 4SH0 r 2
1
On pose souvent : k 9 u 109 SI.
4SH0
- H0 : permittivité diélectrique du vide ;
- r : distance entre les deux charges q1 et q2 ;
- approximativement : H0 = 8,84 ×10 ±12 F m ±1.
q1q2
f1o2 f 2o1 k . (1.2)
r2
Remarque
/¶XQLWp GH OD SHUPLWWLYLWp GLpOHFWULTXH GX YLGH YLHQW GH OD UHODWLRQ GH GpILQLWLRQ GH OD
capacité C G¶XQFRQGHQVDWHur plan dont les armatures distantes de d, ont une surface S et
sont séparées par le vide : C = H0S/d H0 = Cd/S. C en farad (F), d en mètre (m) ; S en
mètre ± carré (m2) G¶RH0 V¶H[SULPHHQIDUDGSDUPqWUHF m ± 1).
I.2.1. &DVG¶XQHFKDUJHSRQFWXHOOH
x Une charge ponctuelle q fixe et placée en un point O GHO¶HVSDFH crée en un point
P tel que OP r , un champ électrostatique E (r ) et un potentiel électrostatique V(r)
donnés par les expressions suivantes :
q
E (r ) k u. (1.4)
r2
q
V (r ) k C te . (1.5)
r
o
E (r) o P
E (r
(r¶
o
E (r
(r) P¶
P P¶
o
r E (r
(r¶
r r'
r'
(a) (b)
O O
q!0 q0
E (r ) grad V (r ) . (1.6)
x En utilisant (1.3) et (1.4), on tire la relation entre la force électrostatique subie par
une charge ponctuelle q¶SODFpHGDQVOHFKDPSélectrostatique E (r ) créé par une autre
charge ponctuelle q (fig.1.2):
F q ' E (r ) . (1.7)
O
E (r ) k ³AB r 2 dl u . (1.8.a)
O
V (r ) k ³AB dl . (1.8.b)
r
o
u M
dl M
r o
u
O P dS r M
V o
P u
(a) (b) dW r
U P (c)
V
E (r ) k ³³S dS u . (1.9.a)
r2
V
V (r ) k ³³S dS . (1.9.b)
r
U
E (r ) k ³³³V dW u . (1.10.a)
r2
U
V (r ) k ³³³ V dW . (1.10.b)
r
I.3.1. &DVG¶XQHFKDUJHSRQFWXHOOH
x Soit une charge ponctuelle isolée q1 IL[pHGDQVO¶HVSDFHILJ
x La charge ponctuelle q2 HVWVXVFHSWLEOHGHVHGpSODFHU/¶pQHUJLHSRWHQWLHOOHEp
du système de charges ^q1, q2`, est égale au travail fourni par un opérateur pour
amener la charge q2 GHO¶LQILQLjODGLVWDQFHr12 de la charge ponctuelle q1 de telle
VRUWHTXHFKDTXHSRVLWLRQVRLWXQHSRVLWLRQG¶pTXLOLEUHF¶HVW-à-dire :
q1q 2 q1q 2
Ep k k . (1.11)
r 12 r1 r 2
r
q2, f
r12 o
q2 f1 o2
q1
r2
r1
O
Fig.1.4. Interaction attractive entre deux charges ponctuelles
q1 et q2 (q1 est fixe).
x Le résultat (1.11) est aussi valable dans le cas de deux charges ponctuelles en
interaction répulsive (charges de même signe).
I.3.2. &DVG¶XQHGLVWULEXWLRQGHFKDUJHV
x Soit par exemple une distribution discrète de trois charges ponctuelles q1, q2 et
q3/¶pQHUJLHSRWHQWLHOOHEp du système de charges ^q1, q2, q3` est égale à:
q1q2 qq q q
Ep k k 1 3 k 2 3 . (1.12.a)
r12 r13 r 23
1 3
Ep ¦ qiVi . (1.12.b)
2i 1
qj
Vi k ¦r
j zi ij
. (1.13.a)
qi q j
Ep k ¦
i,i < j
r ij
. (1.13.b)
1
Ep ¦ qiVi . (1.13.c)
2 i
x 3RXUXQHGLVWULEXWLRQFRQWLQXHGHFKDUJHVO¶pQHUJLHSRWHQWLHOOHEp du système de
charges est GRQQpHSDUO¶H[SUHVVLRQ
1
Ep ³Vdq . (1.14)
2
'DQV O¶H[SUHVVLRQ Oe potentiel électrostatique V a été déjà défini pour une
distribution linéique (1.8.b), surfacique (1.9.b) ou volumique (1.10.b). La charge
élémentaire dq est définie par les relations (1.1.a) que nous rappelons :
- distribution de densité linéique O sur un fil de longueur dl: dq Odl ;
- distribution de densité surfacique V sur une surface dS : dq = V dS ;
- distribution de densité volumique U dans un volume dV : dq = U dV.
I.4.1. Expression
x Considérons une distribution continue de charges dans un domaine de O¶HVSDFH
de volume V. Soit E le champ électrostatique créé par cette distribution. /¶pQHUJLH
électrostatique totale W dans le volume V est égale à:
H0E 2
W ³³³V dW . (1.15)
2
I.4.2. 'HQVLWpG¶pQHUJLHpOHFWURVWDWLTXH
x 'HO¶H[SUHVVLRQGHO¶pQHUJLHpOHFWURVWDWLTXHWRWDOHRQDVVRFLHXQHGHQVLWp
G¶pQHUJLHpOHFWURVWDWLTXHQRWpHu telle que :
dW H0E 2
u . (1.16)
dW 2
surfaces équipotentielles
q O q O
q!0 q0
lignes de champ