FAMILIARIZACIÓN CON LAS

HERRAMIENTAS DE TRABAJO
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Sebastián Yugsi, Rommel CorreaCóndor Carlos
Departamento de Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de Información
Escuela Politécnica Nacional
Ladrón de Guevara E11·253 [PO·Box 17-01-2759] Quito · Ecuador
sebasict_88@hotmail.com, rommelpatct16@gmail.com

Resumen- El presente informe justifica los resultados obtenidos

en la practica de laboratorio sobre el estudio de los
amplificadores operacionales, haciendo énfasis en las
comparaciones que se obtienen entre el trabajo preparatorio y la
práctica realizada y justificando cambio alguno. informe realiza
un análisis sobre tecnologías CMOS y TTL, además de un
resumen sobre circuitos integrados de la familia 74 y por último
se muestran códigos en el programa QUARTUS y su respectiva
simulación de compuertas OR, XOR y NOT.

INTRODUCCION

Una de las aplicaciones que tienen los dispositivos

operacionales es el de amplificación de señal y a comparación Figura 2. Amplificador No Inversor Implementado
de otros tipos de amplificadores como con TBJs, por ejemplo,  Circuito Sumador
el amplificador operacional presenta un alto valor de ganancia.
Para esta práctica también se hace la implementación del
circuito sumador de señales además se muestra las figuras
resultantes de señal obtenidas con el osciloscopio.

I. INFORMEINFORME

A. Describa lo que significa y representa una compuerta

lógica y cuál es la función del voltaje de polarización y tierra.
Presentar el diagrama esquemático del circuito implementado
en el laboratorio, con los respectivos cambios de haber
existido. Justificando debidamente cada uno de ellos.
A.
 Circuito Inversor
Figura 3. Circuito Sumador Implementado
Los cambios se produjeron únicamente en el circuito
sumador ya que en el laboratorio se ocupó una sola etapa y así
Formatted: Font: Bold, Not Italic
se pudo obtener la gráfica deseada.
Otro cambio fue el de los valores de frecuencia y amplitud Formatted: Normal
ya que el generador de funciones tiene un valor preestablecido
para la señal cuadrada, la cual no puede ser cambiada.

B. Describa las tecnologías CMOS y TTL, además de esto

establezca: diferencias, semejanzas y en que aplicaciones se
usan cada una de estas. Presentar en un cuadro las
mediciones realizadas en la práctica y los valores teóricos
calculados en el trabajo preparatorio. Obtener los porcentajes
de error y justificarlos.

Tabla I
Figura 1. Amplificador Inversor Implementado MEDIDAS Y ERRORES DEL CIRCUITO INVERSOR

 Circuito No Inversor M. Teóricas M. Práctica %Error

Vmáx (Vin) 100 mV 92 mV 8%
Vmáx (Vo) 3.12 V 2.88 V 7.7%
 VCC 9V 9V 0%
VEE -9 V -9.1 V 1.11%

Tabla II

MEDIDAS Y ERRORES DEL CIRCUITO NO INVERSOR

M. Teóricas M. Práctica %Error

Vmáx (Vin) 100 mV 96 mV 4%
Vmáx (Vo) 2.43 V 2.4 V 1.23%
VCC 9V 9V 0%
VEE -9 V -9.1 V 1.11%

Tabla III

MEDIDAS Y ERRORES DEL CIRCUITO SUMADOR

M. Teóricas M. Práctica %Error

Vpp 20 V 21.2 V 6%
Figura. Circuito Tótem-Pole a base de transistores.
VCC 9V 9V 0%
VEE -9 V -9.1 V 1.11%
Mediante el transistor T2 se consigue que cuando un
transistor conduce (T4) el otro (T3) esté abierto. De esta
C. Describa y explique la nomenclatura de los circuitos
manera se consigue obtener un “1” de salida, pero con la
integrados de la familia 74. Realizar los cálculos necesarios
ventaja de que aunque pasa corriente por T4 como su caída de
para determinar la ganancia de voltaje de los circuitos
tensión es en teoría 0V su disipación de potencia es 0mW y la
implementados. Compararlos con los valores teóricos
potencia disipada por R4 es baja ya que R4=100Ω. En la otra
calculados. Obtener los porcentajes de error y justificarlos.
posición T2 consigue que cuando T3 conduzca, T4 está abierto,
provocando que la intensidad por T4=0mA y por lo tanto la
potencia disipada sea 0mW. Como T3 conduce su VCE=0 y
Circuito Inversor
por lo tanto la potencia disipada =0mW. Como se puede
apreciar en los dos casos la potencia disipada es muy baja,
𝑉𝑜 2.88 𝑉 Formatted: Font: 10 pt
𝐴𝑣 = = = |31.3| permitiendo ello altos niveles de integración.
𝑉𝑖𝑛 92 𝑚𝑉 Formatted: Font: 10 pt
D. Consulte acerca del factor de carga de salida en la serie
- Ventajas: Formatted: Font: 10 pt
TTL.
Formatted: Font: 10 pt
1. Potencia disipada baja.
E. Consultar de las compuertas de colector abierto, tótem-pole Formatted: Font: 10 pt
2. Altos niveles de integración.
y salidas TTL de 3 estados. Presente sus características,
ventajas y desventajas. Formatted: Font: 10 pt
 Salidas TTL de 3 estados
Formatted: Font: 10 pt
 Colector Abierto Formatted: Font: 10 pt
Esta configuración se deriva de Tótem-pole, la diferencia
es que añadimos un transistor T5 que es controlado por una Formatted: Font: 10 pt
Las compuertas de colector abierto tienen como
patilla de inhibición, de manera que si introducimos un “1” se Formatted: Font: 10 pt
característica que carecen de resistencia de colector, por lo que
le hace conducir, dándonos como resultado VCE=0. Esto
se requiere la colocación de una. Esta compuerta nos da la
produce que T1 conduzca y de como resultado el corte de T2,
opción de cambiar el valor de resistencia de colector adecuada.
produciendo además el corte de T3. Como se puede ver al
introducir un “1” en T5 los dos transistores T4 y T3 están
- Ventajas:
cortados. Lo que produce que el potencial sea nulo, esto
cuando haya una alta impedancia o aire. Si la entrada de
1. Podemos obtener una corriente de salida
inhibición es 0, provoca que T5 esté cortado y que su influencia
cualquiera, por ende, variar el factor de
sea nula en el funcionamiento del circuito y este se comporte
carga, es decir podemos determinar el
como la función que implementa. La aplicación, es la
número de compuertas que queramos
construcción de buses de comunicación en los que cada puerta
conectar a la salida.
deposita la información de manera aleatoria.
2. Podemos conectar varias compuertas con
salida en colector abierto a un mismo bus
F. Creación y prueba de las siguientes funciones booleanas:
de datos.
OR, XOR, NOT. Mostrar el código comentado y los resultados
3. Facilita el acoplamiento de
vistos en Quartus.
compuertas lógicas con niveles altos
distintos.
 Compuerta OR
4. Nos permite colocar valores altos o bajos
de voltaje, según se requiera.

 Tótem-Pole
 Lo que provoca que las funciones de compilación entre
otros se muestren de la siguiente manera:

Formatted: Font: 10 pt

Figura. Código VHDL creada para compuerta OR

 Compuerta XOR

Es decir, estos se bloquean.

B. Conclusiones y Recomendaciones

Conclusiones

Figura. Código VHDL creada para compuerta XOR Yugsi Sebastián

 Compuerta NOT

- Se pudo concluir que los transistores NPN y PNP presentan

diferencias como el sentido de las corrientes y el de los voltajes de
polarización, para poder identificar que tipo de transistor es, se

Figura. Código VHDL creada para compuerta NOT

NOTA: Las simulaciones no se pudieron realizar ya que

nuestro programa QUARTUS presentan los siguientes
mensajes al momento de querer compilar los códigos
respectivos:
debe comprobar con el multímetro ya que en este hay una función
especial para hacerlo.

- Mediante las mediciones realizadas se pudo comprobar que la

corriente en el emisor es el resultado de la suma de la corriente en
la base y en el colector.

- El voltaje que presenta la juntura base-emisor es equivalente

o aproximado al voltaje de barrera de un diodo semiconductor de
silicio y su polaridad depende del tipo ya sea NPN o PNP.

Correa Rommel

Recomendaciones

Yugsi Sebastián

- Se recomienda siempre tener como apoyo las medidas

obtenidas en las simulaciones ya que así se puede conseguir un
margen de error mínimo entre los valores teóricos y los
experimentales.

- Al momento de realizar las simulaciones se recomienda tener

en cuenta el sentido de las corrientes del transistor para así poder
colocar correctamente los amperímetros.

- Identificar los pines de base, colector y emisor en el transistor

con la ayuda del multímetro antes de empezar la practica ya que
así se pueden evitar errores graves de medida.

Correa Rommel

REFERENCIAS
[1] "(PDF) 1n4007 Datasheet PDF Download",
Datasheetspdf.com, 2018. [Online]. Disponible:
http://www.datasheetspdf.com/datasheet/search.php?
sWord=1n4007. [Recuperado: 13- Mayo- 2018].
[2] B.G. Streetman, S. Banerjee, “Solid State Electronic
Devices”, Prentice Hall, 2000.
[3] S. Dimitrijev, “Understanding Semiconductor
Devices”, Oxford University Press, 2000.
[1] http://logicadigital04.wikispaces.com/Colector+Abi
erto,+Disparadores+Smith,+Tres+estados