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DISEÑO DE CIRCUITOS
AMPLIFICADORES.
junio, 2018
Universidad de Jaén
Escuela Politécnica Superior de Jaén
Departamento de Ingeniería Electrónica y Automática
Don Francisco Baena Villodres , tutor del Trabajo Fin de Grado titulado: diseño de
circuitos amplificadores, que presenta Víctor Manuel Montabes Jiménez, autoriza su
presentación para defensa y evaluación en la Escuela Politécnica Superior de Jaén.
Índice
1. INTRODUCCIÓN ........................................................................................................... 4
2. ANTECEDENTES .......................................................................................................... 4
3. OBJETIVOS ................................................................................................................... 4
4. MATERIAL Y MÉTODOS. .............................................................................................. 5
5. CIRCUITOS A ESTUDIAR: ANÁLISIS TEÓRICO. ......................................................... 5
5.1. Circuitos de polarización. ..................................................................................... 6
5.1.1 C.P. Por divisor de tensión con NPN. .................................................................. 6
5.1.2 C.P. Por divisor de tensión con PNP.................................................................... 9
5.1.3 C.P. Por divisor de tensión con NMOS. ..............................................................10
5.2 Circuitos de amplificación. ..................................................................................13
5.2.1 Emisor común . ...............................................................................................13
5.2.2 Emisor común con condensador de acoplo. ....................................................22
5.2.3 Colector común. ..............................................................................................27
5.2.4 Base común. ...................................................................................................35
5.2.5 Fuente común . ...............................................................................................42
5.2.6 Fuente común con condensador de acoplo. ....................................................46
5.2.7 Drenador común .............................................................................................49
5.2.8 Puerta común. .................................................................................................53
6. RESULTADOS DE SIMULACIÓN. ................................................................................58
6.1 Circuitos de polarización. ....................................................................................58
6.1.1 C.P. Por divisor de tensión con NPN. .................................................................58
6.1.2 C.P. Por divisor de tensión con NMOS. ..............................................................59
6.2 Circuitos de amplificación. ..................................................................................62
6.2.1 Emisor común. ....................................................................................................62
6.2.2 Emisor común con condensador de acoplo. .......................................................65
6.2.3 Colector común...................................................................................................68
6.2.4 Base común........................................................................................................71
6.2.5 Fuente común.....................................................................................................75
6.2.6 Fuente común con condensador de acoplo. .......................................................78
6.2.7 Drenador común. ................................................................................................80
6.2.8 Puerta común. ....................................................................................................83
7. ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS. ..............................................................................86
7.1 Emisor común. ....................................................................................................86
7.2 Colector común...................................................................................................87
7.3 Base común........................................................................................................87
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1. INTRODUCCIÓN
2. ANTECEDENTES
3. OBJETIVOS
Con el presente trabajo se pretenden cubrir los 12 ECTS específicos para TFG
de la titulación de grado en Ingeniería Electrónica Industrial. Podemos decir que este
trabajo tiene el objetivo final de analizar los tipos de amplificadores y exhibir tanto sus
fortalezas como sus debilidades, para que así el usuario pueda hacer la elección
correcta según sus intereses.
También se pretende con el presente trabajo comparar las tecnologías BJT y MOS.
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4. MATERIAL Y MÉTODOS.
Para la ejecución del trabajo se han usado una serie de herramientas ofimáticas
y de simulación de circuitos electrónicos que se detallan a continuación:
Antes de empezar el análisis cabe destacar las condiciones de carga y excitación que
se van a aplicar a todos los circuitos: cada circuito será excitado con una fuente de
tensión sinusoidal de 1V y 50Ω de resistencia interna, a al vez que tendrá una carga
de 1kΩ a la salida.
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Figura 1: circuito de polarización por división de tensión con NPN a la izquierda, con su equivalente de
Thevenin a la derecha.
En este montaje y en los siguientes, para seguir una lógica común y coherente,
buscaremos situar el punto de polarización “Q” en el centro de la recta de carga. Del
transistor tendremos una serie de datos del fabricante como los que aparecen a
continuación:
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉 (2.2)
Donde:
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𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (1.4)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (1.5)
Con las ecuaciones (1.4) y (1.5) podemos hallar la relación entre las intensidades de
emisor y colector:
𝐼𝐶 𝛽+1 𝐼𝐶 (1.9)
𝐼𝐸 = + 𝐼𝐶 = ( ) 𝐼𝐶 = = 1,005𝐼𝐶
𝛽 𝛽 𝛼
𝑉𝐶𝐶 (1.11)
𝑉𝐶𝐸𝑄 = = 7,5 𝑉
2
En cuanto a la intensidad del punto Q, impondremos un valor que nos permita llegar
al punto sin tener que sobredimensionar después. Un buen valor con transistores de
estas características suele estar en las decenas de miliamperios. Por tanto,
imponemos:
𝐼𝐶𝑄 = 10 𝑚𝐴 (1.12)
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𝑅𝐸 (1.13)
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + ) + 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10 ∗ 10−3 (𝑅𝐶 + 1,005 ∗ 𝑅𝐸 ) + 7,5
𝛼
Todavía nos faltan datos para poder resolver el sistema, por lo que estableceremos
valores de Rc y Vbb. Buscaremos una resistencia de colector de un valor cercano o
superior a cifras de kΩ, mientras que Vbb debe de ser un valor inferior a Vceq pero
dentro de los voltios. Imponemos los siguientes valores:
𝑅𝐶 = 515Ω (1.14)
𝑉𝐵𝐵 = 3 𝑉 (1.15)
𝑅𝐵 = 𝑅𝐵1 ||𝑅𝐵2
{ 𝑅𝐵2
3 = 15
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
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Figura 2: circuito de polarización por división de tensión con PNP a la izquierda, con su equivalente de
Thevenin a la derecha.
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐸 (2.1)
Si repetimos el procedimiento anterior con los mismos datos del transistor, lo único
que va a cambiar son los valores de la resistencia de base, que se intercambiarán,
por lo que tenemos un resultado final como el que aparece a continuación:
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Las ecuaciones para la resolución son similares a las de los modelos anteriores por
divisor de tensión, salvo que en este caso no utilizaremos un equivalente de
Thévenin, sino ecuaciones de nudos.
𝐼𝐷 ≈ 𝐼𝑆 (3.2)
𝐾𝑁 (3.4)
𝐼𝐷 = (𝑉 − 𝑉𝑇𝑁 )2
2 𝐺𝑆
𝑅𝐺2 (3.5)
𝑉𝐺 = 𝑉
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2 𝐷𝐷
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𝑉𝐺 = 𝑉𝑔𝑠 + 𝑉𝑆 (3.6)
Elegimos un voltaje Vgs que sea superior a Vtn. Elegiremos 2,5V, que, en la recta de
carga, se corresponde con una intensidad de drenador de 6mA.
𝑉𝐷𝐷 (3.9)
𝑉𝑆 = = 0,9 𝑉
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𝑉𝑆 = 𝐼𝑆 𝑅𝑆 ≅ 𝐼𝐷𝑄 𝑅𝑆 ; 𝑅𝑆 = 150 Ω
Con los datos de polarización y el valor de esta última resistencia, podemos despejar
el valor de la resistencia de drenador en la ecuación (3.3):
𝑅𝐷 = 590 Ω
En cuanto a las resistencias de puerta, sabemos que unos buenos valores para un
transistor MOSFET deben de estar en el rango de los mega-ohmios. Por tanto,
imponemos un valor para una de las resistencias:
𝑅𝐺2 = 1 𝑀Ω
1 ∗ 106
3,4 = ∗ 9 ; 𝑅𝐺1 = 1,65 𝑀Ω
1 ∗ 106 + 𝑅𝐺1
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- Modelo en T.
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Donde:
𝛽 (4.1)
𝛼=
𝛽+1
𝛼 (4.2)
𝑟𝑒 =
𝑔𝑚
𝑉𝑖 (4.4)
𝑅𝑖𝑏 =
𝐼𝐵
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Nota: entendemos Vi como el voltaje que hay desde el nudo central del transistor
hasta tierra.
𝐼𝐸 (4.5)
𝐼𝐵 = (1 − 𝛼)𝐼𝐸 =
𝛽+1
𝑉𝑖 (4.6)
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒
𝑅𝐵 (𝛽 + 1)( 𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 ) (4.8)
𝑍𝑖𝑛 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)( 𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 )
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 (4.10)
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𝑅𝐶 𝑅𝐿 (4.14)
𝐴𝑉 =
(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )( 𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 )
𝑉𝑜 (4.15)
𝐼𝑜 ⁄𝑅 𝑍𝑖𝑛
𝐿
𝐴𝐼 = = = 𝐴𝑉
𝐼𝑖 𝑉𝑖⁄ 𝑅𝐿
𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑉 (4.16)
𝐴𝑍 =
𝐴𝐼
𝐴𝐼 (4.17)
𝐴𝑌 =
𝐴𝑉
- Modelo en π.
𝑉𝑇 (4.18)
𝑟𝜋 = 𝛽 = 600 Ω
𝐼𝐶
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𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ||𝑅𝑖𝑏
Por tanto:
Se trata de una expresión equivalente a la (4.9). Solo cambia el hecho de usar rpi en
vez de re.
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝑍𝑜′= 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
Para calcular la ganancia en tensión debemos saber antes los voltajes de entrada y
salida. El voltaje de salida lo obtenemos cambiando la intensidad en la expresión
(30):
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𝛽
𝑟𝜋 ≪ (1 + 𝛽)𝑅𝐸 𝑦 ≈1
1+𝛽
Como vemos, el modelo en pi hace más fácil la tarea de aproximar las expresiones
y, consecuentemente, da ecuaciones más sencillas.
𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 = 𝐴𝑉
𝑅𝐿
𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝑅𝐵 (1 + 𝛽)𝑅𝐸
𝐴𝐼 = ∗
𝑅𝐸 (𝑅𝐶 +𝑅𝐿 ) 𝑅𝐿 (𝑅𝐵 + (1 + 𝛽)𝑅𝐸 )
𝛽𝑅𝐶 𝑅𝐵 (4.24)
𝐴𝐼 = = 6,149
(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )(𝑅𝐵 + (1 + 𝛽)𝑅𝐸 )
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- Modelo en h.
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 (4.26)
−ℎ𝑓𝑒 𝑅𝐶 (4.27)
𝐴𝑉 =
ℎ𝑖𝑒 + (1 + ℎ𝑓𝑒 )𝑅𝐸
ℎ𝑓𝑒
(1 + ℎ𝑓𝑒 )𝑅𝐸 ≫ ℎ𝑖𝑒 𝑦 ≈1
1 + ℎ𝑓𝑒
𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 (4.28)
𝐴𝑉 = −
𝑅𝐸
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Esta es la principal diferencia del modelo en h, que nos permite tener una expresión
de la ganancia mucho más simplificada que el modelo en pi.
Figura 10: modelo en bajas frecuencias del montaje en emisor común sin condensador de acoplo.
1 1 (4.29)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2
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Figura 11: modelo en altas frecuencias del montaje en emisor común sin condensador de acoplo.
1 1 (4.34)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝜋 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝜇 𝑅𝑒𝑞2
Por otro lado, a los extremos de Cu tenemos la ganancia en tensión del circuito de
amplificación, por lo que se muestra un efecto Miller que afecta a la parte izquierda
del circuito:
𝑅𝑒𝑞2 = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝑒𝑞1 (1 + 𝐴𝑉 ) = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) + (1 + 𝐴𝑉 )[(𝑅𝑓 ||𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 )||𝑟𝜋 ] (4.36)
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- Modelo en T.
Figura 13: modelo en T del montaje de emisor común con condensador de acoplo.
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𝑉𝑖 (5.1)
𝑅𝑖𝑏 = = (𝛽 + 1)𝑟𝑒
𝐼𝐵
𝑅𝐵 (𝛽 + 1)𝑟𝑒 (5.2)
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝑅𝑖𝑏 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑟𝑒
𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 (5.3)
𝐴𝑉 =
𝑟𝑒
- Modelo en π.
Figura 14: modelo en pi del montaje de emisor común con condensador de acoplo.
𝑅𝑖𝑏 = 𝑟𝜋 (5.4)
𝑅𝑏 𝑟𝜋 (5.5)
𝑍𝑖 = 𝑅𝑏 ||𝑅𝑏𝑒 = = 452 Ω
𝑅𝑏 + 𝑟𝜋
𝑍𝑖′ = 𝑍𝑖 + 𝑅𝑓 (5.6)
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𝑉𝑜 (5.8)
𝑖𝑜 ⁄𝑅 𝑍𝑖′
𝐿
𝐴𝐼 = = = 𝐴𝑉 = 68,27
𝑖𝑖 𝑉𝑖 𝑅𝐿
⁄𝑍 ′
𝑖
- Modelo en h.
Figura 15: modelo en h del montaje de emisor común con condensador de acoplo.
𝑅𝑏 ℎ𝑖𝑒 (5.9)
𝑍𝑖 =
𝑅𝑏 + ℎ𝑖𝑒
𝑉𝑜
𝑖𝑜 ⁄𝑅 𝑍𝑖′
𝑐
𝐴𝐼 = = = 𝐴𝑉
𝑖𝑖 𝑉𝑖 𝑅𝑐
⁄𝑍 ′
𝑖
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Figura 16: modelo en bajas frecuencias del montaje de emisor común con condensador de acoplo.
1 1 1 1 (5.12)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 = ; 𝜔𝐿3 = ; 𝜔0 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2 𝐶𝑎 𝑅𝑒𝑞3 𝐶𝑎 𝑅𝐸
𝑅𝐸𝑀 = 𝑅𝐸 (1 + 𝐴𝐼 ) = 𝑅𝐸 (1 + 𝛽) ; (5.14)
1 1 1 (5.16)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 = ; 𝜔𝐿3 =
𝐶1 (𝑅𝑓 + 𝑟𝜋 ||𝑅𝑏 ) 𝐶2 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 ) 𝐶𝑎 [𝑅𝐸𝑀 ||(𝑟𝜋 + 𝑅𝐵 ||𝑅𝑓 )]
(5.17)
2 2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 + 𝜔𝐿3 + 𝜔02 = 478,19 𝐻𝑧
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Figura 17: modelo en altas frecuencias del montaje de emisor común sin condensador de acoplo.
1 1 (5.18)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝜋 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝜇 𝑅𝑒𝑞2
𝑅𝑒𝑞2 = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝑒𝑞1 (1 + 𝐴𝑉 ) = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) + (1 + 𝐴𝑉 )(𝑅𝑓 ||𝑅𝐵 ||𝑟𝜋 ) (5.20)
(5.21)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 41,77 𝑀𝐻𝑧
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- Modelo en T.
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𝑅𝐵 (6.3)
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑓 ; 𝑍 = (𝑅𝑓 ||𝑅𝐵 );
𝑅𝐵 + 𝑅𝑓 𝑇𝐻
𝑅𝐸𝐿 𝑅𝐵 (6.5)
𝑉𝑜 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑓
𝑅𝐸𝐿 + (𝛽 + 1)𝑟𝑒 + 𝑍𝑇𝐻 𝑅𝐵 + 𝑅𝑓
(𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )(𝛽 + 1)
∗
(𝑅𝑓 ||𝑅𝐵 ) + (𝛽 + 1)[𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]
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𝑉𝑜 𝑅𝐵 (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 = =
𝑉𝑖 𝑅𝑓 + 𝑅𝐵 (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 ) + (𝛽 + 1)[𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]
(𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝑅𝐵 ≫ 𝑅𝑓 𝑦 ≈ 1−
(𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 ) + (𝛽 + 1)[𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]
𝐴𝑉 ≈ 1− < 1 (6.6)
𝑉𝑜 (6.7)
⁄𝑅 𝑍𝑖′ 𝑍𝑖′
𝐿
𝐴𝐼 = = 𝐴𝑉 ≈
𝑉𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿
⁄𝑍 ′
𝑖
- Modelo en .
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𝑉𝑜 𝑖𝑏 (𝛽 + 1)𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝐴𝑉 = = =
𝑉𝑖 𝑖𝑏 𝑟𝜋 + 𝑖𝑏 (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
(𝛽 + 1)𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝜋
Entonces:
𝐴𝑉 ≈ 1− (6.10)
𝑉𝑜 (6.11)
𝑖𝑜 ⁄𝑅 𝑍𝑖′ 𝑍𝑖′
𝐿
𝐴𝐼 = = = 𝐴𝑉 ≈ = 4,24
𝑖𝑖 𝑉𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿
⁄𝑍 ′
𝑖
- Modelo en h.
El modelo en h sigue los mismos pasos que el modelo en pi para llegar a las
ecuaciones.
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1 1 (6.15)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2
Cabe destacar el carácter dominante del polo generado por C2. Si se quisiera fijar
una frecuencia de corte inferior, se podría alterar el valor de C2 haciendo la
simplificación de que la frecuencia de corte solo va a estar condicionada por este
condensador.
Con las resistencias ya resueltas, solo nos queda calcular la frecuencia de corte
inferior:
1
𝜔𝐿1 =
𝐶1 [𝑅𝑓 + 𝑅𝑏 ||[𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)(𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]]
1
𝜔𝐿2 =
1
𝐶2 [𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 || 𝑔 ]
𝑚
(6.18)
2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 = 16,31 𝐻𝑧
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1 1 (6.19)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝜇 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝜋 𝑅𝑒𝑞2
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1 (6.24)
𝜔𝐻1 =
𝐶𝜇 [(𝑅𝑓 ||𝑅𝑏 )||[𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)(𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )]]
1 (6.25)
𝜔𝐻2 =
(𝑅𝑓 ||𝑅𝑏 ) + (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
𝐶𝜋 (𝑟𝜋 || [ ])
1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
(6.26)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 5,61 GHz
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- Modelo en T.
En este caso, las impedancias de entrada y salida se pueden hallar de forma simple
haciendo los circuitos equivalentes, sin necesidad de recurrir a teoremas.
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𝑍𝑖 = 𝑅𝐸 ||𝑟𝑒 (7.1)
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 (7.2)
𝑉𝑓 (7.3)
𝑉𝑜 𝛼𝑖𝑒 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) 𝛼 𝑍 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) 𝛼(𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )
𝑖
𝐴𝑉 = = = =
𝑉𝑖 𝑍𝑖 𝑍 (𝑅𝐸 ||𝑟𝑒 ) + 𝑅𝑓
𝑉𝑓 𝑍 + 𝑅 𝑉𝑓 𝑍 +𝑖 𝑅
𝑖 𝑓 𝑖 𝑓
- Modelo en π.
𝑉𝑖
𝑍𝑖 =
𝑖𝑖
𝑉𝑖 = −𝑖𝑏 𝑟𝜋
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𝑉𝑓 𝑖𝑏 𝑟𝜋
𝑖𝑖 = −(𝛽 + 1)𝑖𝑏 + = −(𝛽 + 1)𝑖𝑏 −
𝑅𝐸 𝑅𝐸
−𝑖𝑏 𝑟𝜋 𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑍𝑖 = = 𝑟𝜋 = 𝑅𝐸 || 𝛽 + 1
𝑖𝑏 𝑟𝜋 (𝛽 + 1) +
−(𝛽 + 1)𝑖𝑏 − 𝑅 𝑅𝐸
𝐸
𝑟𝜋 (7.4)
𝑍𝑖 ≅ = 3Ω
𝛽+1
𝑉𝑜 (7.7)
𝑖𝑜 ⁄𝑅 𝑍𝑖′ 𝑍𝑜′ 𝑅𝐶
𝐶
𝐴𝐼 = = = 𝐴𝑉 ≈ = = 0,33
𝑖𝑖 𝑉 𝑖 𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
⁄𝑍 ′
𝑖
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Nótese que la ganancia se aproxima a la unidad cuanta menos carga tiene el circuito
y se rebaja hasta valores nulos cuando la carga es muy alta.
𝛽 (7.8)
𝑉𝑜 𝛽𝑍𝑖 𝑅𝐶 𝛽 + 1 𝑟𝜋 𝑅𝐶
𝐴𝑍 = = = ≈ 𝑅𝐶 = 515
𝑖𝑖 𝑟𝜋 𝑟𝜋
- Modelo en h.
ℎ𝑖𝑒 (7.9)
𝑍𝑖 =
ℎ𝑓𝑒 + 1
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1 1 1 1 (7.11)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 = ; 𝜔𝐿3 = ; 𝜔0 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2 𝐶3 𝑅𝑒𝑞3 𝐶3 𝑅𝐵
𝑉𝑏𝑒 1
𝑅𝑡 = =
𝑉𝑏𝑒 𝑔𝑚 𝑔𝑚
Por tanto:
1 (7.12)
𝑅𝑒𝑞1 = 𝑅𝑓 + 𝑅𝐸 ||𝑟𝜋 ||
𝑔𝑚
𝑅𝑒𝑞2 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 (7.13)
Con los datos de resistencias, y sabiendo que no hay efecto Miller en el circuito,
podemos hallar la frecuencia de corte:
1 (7.15)
𝜔𝐿1 =
1
𝐶1 [𝑅𝑓 + 𝑅𝐸 ||𝑟𝜋 || 𝑔 ]
𝑚
1 (7.16)
𝜔𝐿2 =
𝐶2 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
1 (7.17)
𝜔𝐿3 =
𝐶3 [𝑅𝐵 ||[𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)(𝑅𝑓 ||𝑅𝐸 )]]
1 (7.18)
𝜔0 =
𝐶3 𝑅𝐵
(7.19)
2 2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 + 𝜔𝐿3 + 𝜔02 = 3,04 𝑘𝐻𝑧
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El modelo de base común destaca por la ausencia de efecto Miller incluso en altas
frecuencias. En el análisis se puede observar que, para obtener las resistencias
equivalentes, solo es necesario hacer la deducción directa:
1 1 (7.20)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝜋 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝜇 𝑅𝑒𝑞2
1 (7.21)
𝑅𝑒𝑞1 = 𝑅𝑓 ||𝑅𝐸 ||𝑟𝜋 ||𝑅𝑡 = 𝑅𝑓 ||𝑅𝐸 ||𝑟𝜋 ||
𝑔𝑚
A Cu, sin embargo, solo le afectan las resistencias a la salida en este caso:
1 1
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
1 𝐶𝜇 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )
𝐶𝜋 [𝑅𝑓 ||𝑅𝐸 ||𝑟𝜋 || 𝑔 ]
𝑚
(7.23)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 53,42 𝑀𝐻𝑧
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𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 = 622 𝑘Ω (8.1)
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𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 = 590 Ω (8.3)
𝑉𝑔𝑠 1 (8.7)
𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑓 − 𝑉𝑆 = 𝑉𝑓 − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑆 ; =
𝑉𝑓 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + 1
Con las expresiones (8.6) y (8.7) sustituidas en la ecuación de la ganancia, tenemos
una expresión final como la que aparece a continuación:
𝑔𝑚 𝑅𝑆 ≫ 1 (8.9)
𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 (8.10)
𝐴𝑉 ≈ − = −2,47
𝑅𝑆
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𝑉𝑜 (8.11)
𝑖𝑜 ⁄𝑅 𝑅𝐺 −𝑔𝑚 𝑅𝐷 𝑅𝐺 −𝑅𝐷 𝑅𝐺
𝐿
𝐴𝐼 = = = 𝐴𝑉 = ≈ = −1540
𝑖𝑖 𝑉𝑖⁄ 𝑅𝐿 (𝑔𝑚 𝑅𝑆 + 1)(𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 ) 𝑅𝑆 (𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 )
𝑅𝐺
1 1 (8.12)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2
En la parte izquierda del modelo, al tener un circuito abierto entre puerta y surtidor,
solo tienen efecto las resistencias de Fuente y puerta. La Resistencia equivalente se
puede obtener directamente:
1 1
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 =
𝐶1 (𝑅𝑓 +𝑅𝐺 ) 𝐶2 (𝑅𝐷 +𝑅𝐿 )
(8.15)
2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 = 100,1 𝐻𝑧
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El modelo en altas frecuencias presenta, al igual que en el caso del BJT, una
capacidad parásita entre puerta y surtidor y otra entre puerta y drenador. Por tanto,
nos encontramos con 2 polos:
1 1 (8.16)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝑔𝑠 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑒𝑞2
La resistencia equivalente del polo producido por Cgs resulta de un cálculo directo,
ya que la fuente de intensidad se convierte en circuito abierto y, por tanto, las
resistencias de la parte derecha del circuito no tienen efecto:
Para Cgd, sin embargo, observamos que hay una ganancia entre los extremos, por
lo que debemos de calcular la resistencia equivalente de Miller en la puerta para
poder obtener el polo.
𝑅𝑒𝑞2 = (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝑖𝑀 = (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + (𝑅𝑓 ||𝑅𝐺 + 𝑅𝑆 )(1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )) (8.19)
1 1 (8.20)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶1 (𝑅𝑓 +𝑅𝐺 ) 𝐶2 [(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + (𝑅𝑓 ||𝑅𝐺 + 𝑅𝑆 )(1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ))]
45
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(8.21)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 39,86 𝑀𝐻𝑧
Figura 37: equivalente en frecuencias medias del montaje en fuente común con condensador de acoplo.
46
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−𝑅𝐷 𝑅𝐺 (9.2)
𝐴𝐼 ≈ = −13388
(𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 )
Figura 38: equivalente en bajas frecuencias del montaje en fuente común con condensador de acoplo.
1 1 1 1 (9.3)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 = ; 𝜔𝐿3 = ; 𝜔𝑜 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2 𝐶𝑎 𝑅𝑒𝑞3 𝐶𝑎 𝑅𝑆
1 (9.6)
𝑅𝑒𝑞3 = 𝑅𝑆 ||
𝑔𝑚
1 1 (9.7)
𝜔𝐿3 = =
𝐶𝑎 𝑅𝑒𝑞3 𝐶 [𝑅 || 1 ]
𝑎 𝑆 𝑔
𝑚
Con el dato del polo adicional, podemos calcular la frecuencia de corte inferior:
47
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(9.8)
2 2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 + 𝜔𝐿3 + 𝜔𝑜2 = 167,2 𝐻𝑧
Figura 39: equivalente en altas frecuencias del montaje en fuente común con condensador de acoplo.
Los resultados del análisis en altas frecuencias son similares a los del modelo
anterior, solo que eliminando la resistencia de surtidor de las ecuaciones:
1 1 (9.9)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝑔𝑠 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑒𝑞2
𝑅𝑒𝑞2 = (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝑖𝑀 = (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + (𝑅𝑓 ||𝑅𝐺 )(1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )) (9.12)
1 1 (9.13)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝑔𝑠 (𝑅𝑓 +𝑅𝐺 ) 𝐶𝑔𝑑 [(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) + (𝑅𝑓 ||𝑅𝐺 )(1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ))]
(9.14)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 18,086 𝑀𝐻𝑧
48
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𝑍𝑖 = 𝑅𝐺 = 622 𝑘Ω (10.1)
49
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𝑉𝑥 (10.3)
𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 + 𝑖𝑥 =
𝑅𝑠
El voltaje entre puerta y surtidor podemos descomponerlo en la diferencia de voltajes
simples. Además, si nos fijamos en el circuito equivalente en la puerta, vemos como
la única Fuente de excitación, Vf, se cortocircuita, por lo que el voltaje de puerta se
hace nulo:
Así, con las dos expresiones anteriores, podemos hallar una relación entre la tensión
e intensidad auxiliar:
𝑉𝑥
𝑔𝑚 𝑉𝑥 + 𝑖𝑥 = ; 𝑉 (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠 ) = 𝑖𝑥 𝑅𝑠
𝑅𝑠 𝑥
𝑉𝑥 𝑅𝑆 1 (10.5)
𝑍𝑜 = = = 𝑅𝑆 || = 12,77 Ω
𝑖𝑥 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑔𝑚
Para el cálculo de la impedancia de salida total las deducciones son similares, solo
que tenemos en cuenta el paralelo de resistencias en lugar de la resistencia de
surtidor:
1 (10.6)
𝑍𝑜′ = (𝑅𝑆 ||𝑅𝐿 )||
= 11,86 Ω
𝑔𝑚
Para el cálculo de la ganancia, haremos uso de la siguiente expresión para
ayudarnos en la resolución:
𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑉𝑔𝑠 (10.7)
𝐴𝑉 = =
𝑉𝐺 𝑉𝑔𝑠 𝑉𝐺
El valor de la tensión de salida se sabe de forma directa, dado que es igual al de la
tensión de surtidor:
𝑉𝑜 = 𝑉𝑆 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑆 (10.8)
𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑆
50
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𝑉𝐺 (10.9)
𝑉𝑔𝑠 =
1 + 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑆
Con las dos últimas deducciones, podemos aproximar la ganancia en tensión:
𝑉𝐺 (10.10)
𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑆 ⁄1 + 𝑔 𝑅 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝑚 𝑆
𝐴𝑉 = ∗ = ≈ 1−
𝑉𝑔𝑠 𝑉𝐺 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆
La ganancia en intensidad se obtiene a partir de la de tensión:
1 1 (10.12)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2
La Resistencia equivalente del primer condensador es simple de calcular debido al
circuito abierto en la puerta:
51
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𝑉𝑔𝑠 1 (10.14)
𝑅𝑆𝑓 = 𝑅𝑆 ||𝑅𝑓 = 𝑅𝑆 || = 𝑅𝑆 ||
𝑉𝑔𝑠 𝑔𝑚 𝑔𝑚
1 (10.15)
𝑅𝑒𝑞2 = 𝑅𝑆𝑓 +𝑅𝐿 = 𝑅𝑆 || +𝑅𝐿
𝑔𝑚
(10.16)
2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 = 157,26 𝐻𝑧
Los dos polos generados por las capacidades parásitas van a cambiar sus efectos
respecto al modelo de surtidor común.
1 1 (10.17)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝑔𝑠 𝑅𝑒𝑞2
En este caso, la capacidad entre puerta y drenador va a ser la que esté influenciada
por la parte izquierda del circuito:
52
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(10.20)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 582,83 𝑀𝐻𝑧
53
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𝑉𝑥 𝑅𝑆 1 (11.1)
𝑍𝑖 = = = 𝑅𝑆 || = 12,77 Ω
𝑖𝑥 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑔𝑚
1 (11.2)
𝑍𝑖′ = 𝑅𝑆 || + 𝑅𝑓 = 62,77 Ω
𝑔𝑚
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 = 590 Ω (11.3)
54
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𝑅𝑆 𝑅𝐷 (11.6)
𝑍𝑖 𝑅𝐷 𝑅𝐿 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑔𝑚 𝑅𝐷 𝑅𝑆
𝐴𝐼 = 𝐴𝑉 = 𝑔𝑚 ∗ = =
𝑅𝐿 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑅𝐿 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 )(𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 )
= 0,341
𝑉𝑜 (11.7)
𝐴𝑍 = = 𝑍𝑜′ = (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) = 371,06
𝑖𝑔
1 1 1 (11.8)
𝜔𝐿1 = ; 𝜔𝐿2 = ; 𝜔𝐿3 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2 𝐶3 𝑅𝑒𝑞3
55
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𝑉𝑜 𝑉𝑆 1 (11.10)
𝑅𝑜 = = =
𝑖𝑜 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑔𝑚
1 (11.11)
𝑅𝑒𝑞1 = 𝑅𝑓 + 𝑅𝑆 ||
𝑔𝑚
Con C3 ocurre lo mismo, debido al circuito abierto que hay entre puerta y surtidor:
𝑅𝑒𝑞3 = 𝑅𝐺 (11.13)
(11.14)
2 2 2
𝜔𝐿 = √𝜔𝐿1 + 𝜔𝐿2 + 𝜔𝐿3 = 2,7 𝑘𝐻𝑧
1 1 (11.15)
𝜔𝐻1 = ; 𝜔𝐻2 =
𝐶𝑔𝑠 𝑅𝑒𝑞1 𝐶𝑔𝑑 𝑅𝑒𝑞2
La resistencia equivalente de la capacidad Cgs se obtiene teniendo en cuenta una
vez más los efectos de la parte derecha:
56
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1 (11.16)
𝑅𝑒𝑞1 = 𝑅𝑓 ||𝑅𝑆 ||𝑅𝑜 = 𝑅𝑓 ||𝑅𝑆 ||
𝑔𝑚
(11.18)
2 2
𝜔𝐻 = √𝜔𝐻1 + 𝜔𝐻2 = 25,89 𝑀𝐻𝑧
57
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6. RESULTADOS DE SIMULACIÓN.
6.1 Circuitos de polarización.
6.1.1 C.P. por divisor de tensión con NPN.
Figura 48: recorte Pspice. Análisis de punto de trabajo y parámetros de baja señal del montaje en emisor
común sin condensador de acoplo.
58
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Figura 49: montaje alternativo sin resistencia de colector y resistencia de emisor redimensionada.
Figura 50: recorte Pspice. Análisis de punto de trabajo y parámetros de baja señal del montaje en
colector común.
Con el montaje alternativo para colector común hemos conseguido acercarnos más
a los valores teóricos de polarización.
59
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Figura 51: recorte Pspice. Análisis de punto de trabajo y parámetros de baja señal del montaje en fuente
común.
60
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Figura 52: recorte Pspice. Análisis de punto de trabajo y parámetros de baja señal del montaje en
drenador común.
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 7,92 𝑉;
61
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Montamos un circuito similar al del modelo en emisor común, con una resistencia de
fuente de 50 Ω. Hacemos un perfil nuevo de simulación como el que aparece en la
siguiente figura:
Figura 53: captura Pspice. Perfil de simulación utilizado para todos los circuitos.
Este perfil de simulación va a ser el mismo para todas las simulaciones de todos los
montajes que se exponen en el trabajo. A los nudos en la entrada y salida del
montaje de amplificación se les han asignado los nombres “IN” y “OUT”,
respectivamente. Por tanto, para hallar las gráficas en cada caso habrá que
introducir los siguientes datos:
62
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1.5
Av=1,416
1.0
0.5
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 900MHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 54: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en emisor común sin condensador de
acoplo.
6.0
Ai=5,96
4.0
2.0
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 900MHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 55: gráfica simulada de ganancia en intensidad del montaje en emisor común sin condensador de
acoplo.
𝐴𝑉 = 1,416; 𝐴𝐼 = 5,96 ;
63
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20K
10K
Zi=4,21 k
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 3.0GHz
V(IN)/ I(Vf)
Frequency
Figura 56: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en emisor común sin condensador de
acoplo.
𝑍𝑖 = 4,21 𝑘Ω;
Figura 57: montaje alternativo con fuente intercambiada para calcular impedancia de salida.
64
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15K
10K
5K
514,45
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 3.0GHz
V(OUT2)/I(C3)
Frequency
Figura 58: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en emisor común sin condensador de
acoplo.
𝑍𝑜 = 514,45 Ω;
0 1,32 GHz
117 Hz
-20
-40
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 59: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en emisor común
sin condensador de acoplo.
65
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Figura 60: captura Pspice. Punto de trabajo de montaje en emisor común con condensador de acoplo.
El cambio más significativo viene de beta, que baja desde 200 en el modelo teórico
hasta 121 en la simulación. Debido a esto, rpi también baja desde 600 a 408. Gm
también sufre una pequeña bajada en su valor.
En el caso de la ganancia en tensión, nos encontramos una cifra más baja que en el
modelo teórico. Si sustituimos cifras teóricas por las reales en la en las ecuaciones,
queda 100,8, una cifra muy cercana a la que presenta la simulación.
100
50
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 61: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en emisor común con condensador de
acoplo.
𝐴𝑉 = 94,33
66
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40
20
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 62: gráfica simulada de ganancia en intensidad del montaje en emisor común con condensador de
acoplo.
𝐴𝐼 = 36
40
-40
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 63: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en emisor común
con condensador de acoplo.
𝑓𝐿 = 854 𝐻𝑧 ; 𝑓𝐻 = 55 𝑀𝐻𝑧
67
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20K
10K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
V(IN)/I(Rf)
Frequency
Figura 64: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en emisor común con condensador de
acoplo.
𝑍𝑖 = 384 Ω
20K
10K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
V(OUT2)/I(Rf1)
Frequency
Figura 65: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en emisor común con condensador de
acoplo.
𝑍𝑜 = 489 Ω
Para llevar a cabo la simulación del circuito amplificador hemos hecho algunos
cambios sobre el circuito de polarización, dado que no tenemos resistencia de
colector. Se han tenido que redimensionar las resistencias de emisor y de base para
mantener el punto de polarización.
En la figura del punto de trabajo del circuito de polarización por divisor de tensión
alternativo podemos observar que, tanto la beta en AC como las capacidades
parásitas se alejan de los valores teóricos proporcionados por el fabricante. En
concreto, la beta se posiciona en valores de 176. Esta desviación va a afectar en
mayor medida a las frecuencias de corte.
68
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1.0
0.5
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 66: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en colector común.
𝐴𝑉 = 0,982
-20
-40
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 67: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en colector común.
69
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5.0
2.5
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 14: gráfica simulada de ganancia en intensidad del montaje en colector común.
𝐴𝐼 = 4,08
10K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
V(IN)/I(Rf)
Frequency
Figura 15: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en colector común.
𝑍𝑖 = 4,16 𝑘Ω
70
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20K
10K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
V(OUT1)/I(Rf1)
Frequency
Figura 16: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en colector común.
𝑍0 = 2,95 Ω
Nos encontramos con la beta más cercana al valor teórico de los 4 modelos
expuestos, aunque sigue 20 unidades por debajo del modelo ideal (180).
La ganancia en tensión, al tener una beta que baja desde 200 hasta 180, se ve
resentida respecto al modelo teórico:
71
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100
50
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 72: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en base común.
𝐴𝑉 = 98,34
200m
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
(I(RL)/I(Rf))
Frequency
Figura 73: gráfica simulada de ganancia en intensidad del montaje en base común.
𝐴𝐼 = 0,33
72
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20K
10K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
(V(IN)/I(Rf))
Frequency
Figura 74: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en base común.
𝑍𝑖 = 3,38 Ω
20K
10K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
V(OUT1)/I(Rf1)
Frequency
Figura 75: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en base común.
𝑍𝑜 = 516 Ω
73
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40
-40
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 76: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en base común.
74
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Para empezar, vemos como la ganancia en tensión tiene una magnitud casi igual a
la calculada en la banda de trabajo. Destaca también la consistencia de la cifra a lo
largo del espectro de frecuencias:
2.5
2,24
2.0
1.0
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 78: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en fuente común.
𝐴𝑉 = 2,24
75
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1359,6
1.0K
0.5K
0
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 79: gráfica simulada de ganancia en intensidad del montaje en fuente común.
𝐴𝐼 = 1359,6
Tanto las frecuencias de corte como las impedancias de entrada y salida tienen unos
resultados muy parecidos a los cálculos teóricos.
8.0
4.0
101 Hz 38,41 MHz
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 80: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en fuente común.
76
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700K
600K
621,8 k
400K
200K
0
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(IN)/I(Rf)
Frequency
Figura 81: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en fuente común.
𝑍𝑖 = 621,8 𝑘Ω
18K
15K
10K
5K
579,5
0
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(OUT1)/I(Rf1)
Frequency
Figura 82: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en fuente común.
𝑍𝑜 = 579,5 Ω
77
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Los datos de simulación encajan con el modelo teórico de la misma manera que en
el anterior montaje, sin apreciarse dispersiones sustanciales de los resultados en
ninguno de los casos.
30
25,16
20
10
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 83: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en fuente común con condensador de
acoplo.
𝐴𝑉 = 25,16
15K
13,4 k
10K
5K
0
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 84: gráfica simulada de ganancia en intensidad del montaje en fuente común con condensador de
acoplo.
𝐴𝐼 = 13,4 𝑘
78
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30
-20
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 85: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en fuente común
con condensador de acoplo.
661 k
400K
0
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(IN)/I(Rf)
Frequency
Figura 86: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en fuente común con condensador de
acoplo.
𝑍𝑖 = 661 𝑘Ω;
79
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18K
15K
10K
5K
480
0
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz
V(OUT1)/I(Rf1)
Frequency
Figura 87: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en fuente común con condensador de
acoplo.
𝑍𝑜 = 480 Ω;
1.0
0.5
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 88: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en drenador común.
𝐴𝑉 = 0,89
80
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600
400
200
-100
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 89: gráfica simulada de ganancia en corriente del montaje en drenador común.
𝐴𝐼 = 559,96
-10
-20
-30
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz 100GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 90: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en drenador
común.
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700K
600K
622,56 k
400K
200K
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
V(IN)/I(Rf)
Frequency
Figura 91: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en drenador común.
𝑍𝑖 = 622,56 𝑘Ω
18K
15K
10K
5K
11,93
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz
V(OUT1)/I(Rf1)
Frequency
Figura 92: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en drenador común.
𝑍𝑜 = 11,93 Ω
82
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En las siguientes gráficas observamos que, como en los demás casos, no hay una
diferencia significativa de los resultados de simulación respecto a los teóricos:
30
25,13
20
10
0
100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
V(OUT)/V(IN)
Frequency
Figura 93: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en puerta común.
𝐴𝑉 = 25,13
500m
0,33
250m
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
I(RL)/I(Rf)
Frequency
Figura 94: gráfica simulada de ganancia en tensión del montaje en puerta común.
𝐴𝐼 = 0,33
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40
-40
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(OUT)/V(IN))
Frequency
Figura 95: gráfica simulada de ganancia en tensión en escala logarítmica del montaje en puerta común.
18K
15K
10K
5K
13,56
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
V(IN)/I(Rf)
Frequency
Figura 96: gráfica simulada de impedancia de entrada del montaje en puerta común.
𝑍𝑖 = 13,56 Ω
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5.00K
3.75K
2.50K
1.25K
550
0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
V(OUT2)/I(Rf1)
Frequency
Figura 97: gráfica simulada de impedancia de salida del montaje en puerta común.
𝑍𝑜 = 550 Ω
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En el análisis teórico hemos podido observar como esta tipología es la que tiene
mejor uso general, puesto que consigue ganancias en muchas circunstancias y
aceptables efectos de carga para cargas medias (entre cientos de ohmios y decenas
de kiloohmios). Habrá que tener algunas consideraciones en el modelo:
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En cuanto a l
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Las consideraciones a tener en cuenta al poner una carga serán las misma que en el
caso bipolar,
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El caso de puerta común es, entre los MOSFET, el que menos diferencias presenta
respecto al caso bipolar. La impedancia de entrada sigue siendo baja y los valores
de amplificación son similares.
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8. CONCLUSIONES.
8.1 Comparación de topologías.
Se trata de una tipología menos usada que la anterior, pero que tiene un uso real en
ciertas situaciones. Los montajes de surtidor/drenador común no presentan ganancia
en tensión, es más, hasta tienen un pequeño nivel de atenuación. Su utilidad radica
en 3 factores:
o No invierten la señal.
o Presentan una impedancia de entrada alta y una impedancia de
salida muy baja.
o Pueden amplificar corriente a niveles bajos/medios.
Los dos primeros factores hacen que esta tipología sea muy útil para usarse como
un seguidor, es decir, para ponerla después de una etapa amplificadora y que se
anulen los efectos de carga que provoca.
El tercer factor combinado con los dos anteriores hace al circuito apto para amplificar
corriente, haciéndose uso especial de él cuando se requiera amplificar sin invertir la
señal ni crear efectos de carga a la salida.
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No obstante, sus características hacen que la tipología sea especialmente útil para
usarse como amplificador de transimpedancia y como adaptador de impedancia.
Si nos fijamos en los datos finales, podemos observar como los transistores
MOSFET tienen, en general, posibilidad de aislar más la entrada debido a su alta
impedancia a la entrada de los circuitos.
También hemos podido observar que los modelos de BJT son capaces de llevar
corrientes más grandes a la salida, lo que los hace más útiles en aplicaciones de
potencia.
Una de las principales diferencias entre las tecnologías BJT y MOSFET es que la
primera se controla en la base por corriente, mientras que la segunda se controla por
tensión. Por esta razón, los transistores MOSFET tienen un consumo energético
mucho menor que los BJT, pero también pierden linealidad debido a que la
amplificación depende directamente de la tensión de trabajo, que es más susceptible
de fluctuar.
Cabe destacar que, en un mismo modelo de transistor, es más común encontrar dos
transistores MOSFET del mismo fabricante que se comporten de manera idéntica a
encontrar dos BJT. Este aspecto es una ventaja para los transistores MOSFET,
puesto que es más fácil hacer acoplamientos múltiples sin perder cualidades del
circuito.
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Los transistores MOSFET tienen una mejor respuesta sobre radiaciones ionizantes
que los BJT.
En general, los transistores MOSFET generan menos ruido que los BJT, lo que los
hace más adecuados para etapas de entrada de amplificadores de bajo nivel.
Los transistores MOSFET tienen una mayor estabilidad térmica que los BJT.
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𝐼𝐸 → Intensidad de emisor.
𝐼𝐵 → Intensidad de base.
𝐼𝐶 → Intensidad de colector.
𝐼𝐷 → Intensidad de drenador.
𝐼𝑆 → Intensidad de surtidor.
𝑖𝑖 → Intensidad a la entrada.
𝑖𝑜 → Intensidad de a la salida.
𝑖𝑥 → Intensidad auxiliar.
𝑉𝑓 →Voltaje de fuente.
𝑉𝑥 → Voltaje auxiliar.
𝑉𝐺 → Voltaje en la puerta.
𝑉𝑆 → Voltaje en el surtidor.
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𝑅𝐿 → Resistencia de carga.
𝑅𝐵 → Resistencia de base.
𝑅𝐶 → Resistencia de colector.
𝑅𝐸 → Resistencia de emisor.
𝑅𝐺 → Resistencia de puerta.
𝑅𝐷 → Resistencia de drenador.
𝑅𝑆 → Resistencia de surtidor.
𝐶1 → Condensador a la entrada.
𝐶2 → Condensador a la salida.
𝐶𝑎 → Condensador de acoplo.
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𝑉𝑇 → Tensión térmica.
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11. Bibliografía
[4] Juan Carlos Ferrer Millán . Circuitos Electrónicos Analógicos. Portal web
"GoUmh: Universidad Miguel Hernández" .
https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-analogicos/
[9] Jacob VanWagoner (2014). What are the pros and cons of BJT versus FET
transistors?. Quora.com.
[11] Jose Luís Calvo Rolle (2003). Edición y Simulación de Circuitos con OrcCAD.
Editorial Ra-Ma.
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