Instituto Tecnológico de Nuevo Laredo

Departamento de Ingeniería Eléctrica Electrónica y Mecatronica

CARRERA: Ingeniería Eléctrica

MATERIA: Electrónica Industrial

Practica No 1
Equipo:
Roberto Gonzales Carreón 15100115
Adrián Dagoberto García García 16100113
Javier de la rosa reyes 15100089

ING. Cesar Adrián Gordillo Lozano

Nuevo Laredo, Tamps., a 27 de agosto de 2019

Teoría de la practica:

Tiempo de recuperación inversa.

Existen ciertos datos que normalmente vienen en las hojas de especificaciones de diodo provistas
por los fabricantes. Uno de ellos que aún no se ha considerado es el del tiempo de recuperación en
inversa, denotado por trr. En el estado de polarización en directa ya antes se demostró que hay una
gran cantidad de electrones del material tipo n que avanzan a través del material tipo p y una gran
cantidad de huecos en el material tipo n, lo cual es un requisito para la conducción. Los electrones
en el material tipo p y los huecos que avanzan a través del material tipo n establecen una gran
cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado se tiene que invertir
para establecer una situación de polarización en inversa, de algún modo nos gustaría ver que el
diodo cambia instantáneamente del estado de conducción al de no conducción. Sin embargo, por
el gran número de portadores minoritarios en cada material, la corriente en el diodo se invierte
como se muestra en la figura 1.35 y permanece en este nivel medible durante el intervalo ts (tiempo
de almacenamiento) requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado de
portadores mayoritarios en el material opuesto.
En esencia el diodo permanece en el estado de corto circuito con una corriente Inversa determinada
por los parámetros de la red. Con el tiempo, cuando esta fase de almacenamiento ha pasado, el
nivel de la corriente se reduce al nivel asociado con el estado de no condición.
Este segundo lapso esta denotado por tt (intervalo de transición). El tiempo de recuperación en
inversa es la suma de estos dos intervalos: 𝒕𝒓𝒓 = 𝒕𝒔 + 𝒕𝒕 . Es una consideración importante en

aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Capacitancias de difusión y transición.

“todo dispositivo electrónico o eléctrico es sensible a la frecuencia.”

Las características terminales de cualquier dispositivo cambian con la frecuencia, incluso la
resistencia de un resistor básico. A frecuencias bajas y medias se puede considerar que la mayoría
de los resistores tienen un valor fijo, pero a medida que alcanzamos altas frecuencias, los efectos
parásitos capacitivos e inductivos empiezan a manifestarse y afectan el nivel de impedancia total
del elemento.
En el diodo los niveles de capacitancia parasita son los que tienen un mayor efecto. A bajas
frecuencias y a niveles relativamente bajos de capacitancia, la reactancia de un capacitor,
determinada por 𝑿𝑐 = 𝟏/𝟐𝝅𝒇𝑪 en general es tan alta que se le puede considerar magnitud
infinita, representada por un circuito abierto e ignorada.

En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de región de

empobrecimiento (CT) en tanto que la región de polarización en directa tenemos la capacitancia
de almacenamiento o difusión (CD).

La ecuación simple para la capacitancia de un capacitor de placas paralelas está definida por 𝑪 =
𝝐𝑨/𝒅 .
Donde:
𝜖 = es la permitividad del dieléctrico o aislante entre las placas.
A = área de las placas separadas.
d = la distancia de separación entre las placas.
En la región de polarización hay una región de empobrecimiento o libre de portadores que se
comporta en esencia como un aislante entre las capas de cargas opuestas. El ancho de la región
de empobrecimiento se incrementa con el potencial de polarización en inversa incrementado, la
capacitancia de transición resultante se reduce, como se muestra en la siguiente figura.

Aun cuando el efecto anterior se presenta en la región de polarización en directa, es eclipsado

por un efecto de capacitancia que depende directamente de la velocidad a la cual se inyecta la
carga en las regiones justo fuera de la región de empobrecimiento.
Los resultados de esto son que:
 Los niveles incrementados de corriente aumentas los niveles de capacitancia de difusión.
 Los niveles incrementados de corriente reducen el nivel de la resistencia asociada y la
corriente de tiempo resultante.

Características de recuperación inversa

Los portadores minoritarios requieren tiempo para recombinarse con cargas opuestas, a este
tiempo se le denomina tiempo de recuperación inversa (trr).
Ta = almacenamiento de cargas en la región de agotamiento.
Tb = almacenamiento de carga en la más del material semiconductor.
Trr = ta + tb .
Material utilizado:
1. Osciloscopio.

2. Generador de señales.
 3. Protoboard.
4. Puntas de caimán.
5. Multímetro (óhmetro).
6. Resistencias.
7. Diodo rectificador y diodo de cristal.

Circuito utilizado:

Desarrollo de la practica
Para iniciar con la práctica se identificaron los materiales con los que se prestaba trabajar esto
hablando de diodos entre los cuales determinamos el Diodo Rectificador y Diodo de cristal para
conocer las curvas graficas a ciertas frecuencias en el instrumento.
1.- Se conectó el presente circuito junto su respectiva calibración al osciloscopio.
Para poner en practica la teoría dada se comenzó a variar la frecuencia en distintos rangos tanto
en altas frecuencias y bajas frecuencias en ambos diodod:

Diodo de cristal 100 Hz

1000 Hz
Diodo Rectificador 30 kH
Conclusiones
Se logró nuevamente interactuar con el equipo de medición de forma segura para efectuar el
proceso correcto de medición y además de obtener un mejor conocimiento aplicado a la práctica
en laboratorio.
Determinamos la cierta variación en la forma gráfica de cada onda en dichos diodos ya que al
efectuar ciertos rangos de la escala frecuencia afecta evidentemente a nuestra curva o cual hace
generar distorsiones de potencias que se muestran gráficamente en el osciloscopio.
Bibliografía:
http://web.fi.uba.ar/~fbarreiro/Taller%20II%202018/Boylestad.pdf

Introducción a la electrónica de potencia.