Informe

Electrónica.

Enmanuel Sibada.
Ing: Electrónica I
C.I: 26.023.929
  Conductores
Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el calor y
la electricidad. Son buenos conductores los metales y malos, el vidrio, la madera,
la lana y el aire.

 Semiconductores
Son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más
utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después
del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

 Cristales de Silicio
Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando
una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes",
que son las uniones entre átomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de
fuerzas que mantiene unidos los átomos de silicio.

 Energía térmica y creación de huecos

Se conoce como energía térmica a aquella energía liberada en forma de calor,
es decir, se manifiesta vía calor, pasa de un cuerpo más caliente a otro que
presenta una temperatura menor. Puede ser transformada tanto en energía
eléctrica como en energía mecánica.

 Creación de huecos.
Es la ausencia de un electrón en la banda de valencia .Tal banda de valencia
estaría normalmente completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o
casi completa) es característica de los aislantes y de los semiconductores. La
noción de "hueco" en este caso es esencialmente un modo sencillo y útil para
analizar el movimiento de un gran número de electrones.

 Corriente de huecos

En un material conductor ya que en este lo que circulan son los electrones

libres y en cambio, en un semiconductor la corriente fluye gracias a los hoyos o
huecos como tú le llamas en las uniones covalentes del germanio o del silicio
según sea de lo que está constituido el elemento. En el semiconductor, como se
desprendieron al aplicarse un potencial los electrones de valencia que se liberaron
de sus uniones covalentes pueden formar una corriente pero como hay huecos,
otros electrones de valencia se desplazan para llenarlos y no necesitan un
potencial muy elevado para que los electrones de valencia se desplace a una capa
continua (Banda prohibida o banda de valencia) ya que el hueco lo atrae y le
proporciona la fuerza necesaria para dar el salto. El hueco que queda al romperse
una unión covalente actúa sobre él como una carga positiva y se considera así
como movimiento de una carga positiva.

 Recombinación Radiactiva (Banda-a-Banda)

La recombinación radiactiva es el mecanismo de recombinación dominante en los
semiconductores de banda prohibida de energía directa. La luz producida por un
diodo emisor de luz (LED) es el ejemplo más evidente de recombinación radiactiva
en un dispositivo semiconductor. Las células de concentración y espaciales se
hacen típicamente de materiales de banda prohibida directa y la recombinación
radiactiva domina. Sin embargo, la mayoría de las células solares terrestres están
hechas de silicio, que es un semiconductor de banda prohibida indirecta y la
recombinación radiactiva es extremadamente baja y generalmente despreciada.
Las características clave de recombinación radiactiva son:
En la recombinación radiactiva, un electrón de la banda de conducción combina
directamente con un agujero en la banda de valencia, liberando un fotón; y
El fotón emitido tiene una energía similar a la banda prohibida y, por tanto, está
sólo débilmente absorbido de manera que puede salir del semiconductor.

 La Recombinación a Través de los Niveles de los Defectos

La recombinación a través de defectos, también llamado Shockley-Read-Hall o, no
se produce en un material perfectamente puro, sin defectos. La recombinación
SRH es un proceso de dos pasos. Los dos pasos involucrados en la
recombinación SRH son:
En la recombinación radiactiva, un electrón de la banda de conducción combina
directamente con un agujero en la banda de valencia, liberando un fotón; y
El fotón emitido tiene una energía similar a la banda prohibida y, por tanto, está
sólo débilmente absorbido de manera que puede salir del semiconductor.
La velocidad a la que un se mueve en el nivel de energía en la zona prohibida
depende de la distancia del nivel de energía introducido desde cualquiera de los
bordes de la banda. Por lo tanto, si una energía se introduce cerca de cualquiera
de los bordes de la banda, la recombinación es menos probable que el electrón es
probable que ser re- emitido a la borde de la banda de conducción en lugar de
recombinarse con un agujero que se mueve en el mismo estado de energía de la
banda de valencia. Por esta razón, los niveles de energía cerca de mediados de
brecha son muy eficaces para la recombinación.

 La Recombinación a Través de los Niveles de los Defectos

La recombinación Auger implica tres portadores. Un electrón y un agujero se
recombinan, pero en lugar de emitir la energía en forma de calor o como un fotón,
la energía se da a un tercer portador, un electrón en la banda de conducción. Este
electrón luego se termaliza de vuelta al borde de la banda de conducción.
La recombinación Auger es la más importante a altas concentraciones de
portadores ocasionado por un dopaje alto o un alto nivel de inyección bajo luz
solar concentrada. En las células solares basadas en silicio (la más popular), La
recombinación Auger limita la vida útil y la eficiencia final. Cuanto más fuertemente
dopado está el material, más corto es el tiempo de vida de La recombinación
Auger.

 Pares de electrón-huecos

Este hueco se forma cuando la banda pierde un electrón; si no, el hueco estaría
completo. Cuando la banda esta completa o casi completa es gracias a los
aislantes o insulares. El hueco de electrón y el electrón es uno de los portadores
de carga que ayuda a que la corriente eléctrica pase a los semiconductores. El
hueco no es más, que la falta de un electrón en un semiconductor.

 Impurificación

La impurificación consiste en añadir materiales que donen electrones de

conducción a los cristales semiconductores, en el caso de la impurificación de tipo
n o que desequilibren el número de electrones en el sentido de robar uno del
cristal en el caso de la impurificación p.

Para conseguir materiales semiconductores de tipo n se deben utilizar materiales

pentavalentes, es decir con cinco electrones de conducción en la última capa.
Cuatro de estos electrones se unen a los del germanio o silicio en forma de enlace
covalente quedando un electrón libre para la conducción eléctrica. El electrón
sobrante es ahora un electrón de conducción y el material donante en un ion
positivo.

 Semiconductor tipo P: Cuando al dopar introducimos átomos con tres

electrones de valencia en un elemento de átomos con cuatro estamos
formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del exceso de
carga aparentemente positiva (porque los átomos siguen siendo
neutros, debido a que tienen igual número de electrones que de
protones) que tienen estos elementos. Estos átomos "extraños" que
hemos añadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre
que produce atracción sobre los electrones que circulan por nuestro
 elemento. También se produce una circulación de estos huecos
colaborando en la corriente.

 Semiconductor tipo N: Sin embargo, si los átomos añadidos tienen cinco

electrones en su última capa el semiconductor se denomina de tipo N, por
ser potencialmente más negativo que uno sin dopar. En este tipo de
materiales tenemos un quinto electrón que no se recombina con los demás
y que, por tanto, está libre y vaga por el elemento produciendo corriente.

 Polarización de diodo

Los diodos semiconductores, al igual que ocurría con las antiguas válvulas
termoiónicas, actúan de forma similar al funcionamiento de una válvula hidráulica
del tipo anti retorno.

Válvula anti retorno. La flecha estampada en su cuerpo metálico. Indica el único

sentido en que puede circular el fluido cuando se. Conecta a un circuito
hidráulico. Arriba la flecha azul identificada. Como “A” señala el sentido de
circulación permitido.
Abajo laFlecha roja identificada como “B” muestra que si el fluido. Hidráuli
co una vez que ha pasado a la parte izquierda de la válvula. Intenta ir hacia atrás
por el mismo camino, no podrá hacerlo porque. En ese sentido contrario al normal
se encontrará bloqueada la. Entrada de la válvula.

Cuando se instala una válvula anti retorno en un circuito hidráulico, el fluido sólo
puede circular en un sentido, porque se bloquea en sentido inverso, ya que en ese
caso su mecanismo interno se cierra automáticamente. De forma similar, para que
la corriente eléctrica pueda fluir a través de un diodo, es necesario polarizarlo
“directamente”. Para ello el polo negativo (–) de la batería o fuente de fuerza
electromotriz se conecta al cátodo “K” o parte negativa (N) del diodo, mientras que
el polo positivo (+) de la propia batería se conecta al ánodo “A” o parte positiva (P)
del propio diodo.

 Polarización Directa

Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del
diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con
mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.

Si ahora aplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la

barrera de potencial interna, ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión
aplicada externamente corresponderá una barrera interna menor y podremos
llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.
 Polarización Inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa
el diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto.

Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, esto quiere

decir que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi
todos los casos), tanto en polarización directa como en polarización inversa.

VI crea un campo eléctrico en el mismo sentido que el de la unión, aumenta el

campo eléctrico total, aumenta la diferencia de potencial y disminuye la corriente
de mayoritarios. Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de
electrones hacia la zona n, ensanchándose la zona de transición. Pero estos h+ y
e- provienen de zonas donde son minoritarios. El resultado es que fluye una
pequeña corriente I0, debida únicamente a los pares e-h+ que se generan por
agitación térmica llamada CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN

 Grafica I-V del diodo

 Diodo Zener
Un diodo es un componente electrónico que está formado por una combinación de
material semiconductor de tipo p con uno de tipo n (diodo de unión PN). Es muy
empleado en rectificación de señales AC procedentes de transformadores, entre
otras muchas aplicaciones.

 Circuitos recortadores y Sujetadores

Son todo tipo de circuitos que se encargan de recortar una porción de una señal
alternante. También puede ser la de limitar el valor máximo que puede tomar una
señal de referencia o bien una señal de control, en cuyo caso estos circuitos son
también reconocidos como circuitos limitados.
Estos circuitos utilizan dispositivos de una o más uniones PN como elementos de
comunicación.

 Sujetadores:
Los circuitos sujetadores añaden una componente continua a una señal de
entrada AC desplazando el valor de la señal.