Laboratorio Nº 01: AMPLIFICADOR

MULTIETAPA
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú

INTRODUCCIÓN

El pressente informe describe los objetivos ,materiales y procedimientos para llevar a cabo las
simulaciones de la serie de Fourier,primero se dara a conocer los objetivos del tema,luego se explicara la
parte teórica con respecto a la serie de fourier respondiendo luego a una serie de preguntas
teóricas,finalmente se procedera a simular el pulso diente de sierra con cierta amplitud y frecuencia en el
programa Matlab.

I. OBJETIVO

Diseñar, simular, implementar y analizar, Figura 1

la ganancia y respuesta en frecuencia de un
amplificador linear

II. TEORÍA
Análisis de baja frecuencia:
En la región de baja frecuencia, los
condensadores externos de acoplo y
desacoplo fijan la frecuencia de corte
inferior. Los modelos que se utilizan para
determinar esta 𝑓𝐿 están basados en el
análisis de redes RC. En la red RC de la
figura 1.a es fácil observar que el
condensador se comporta como un
cortocircuito a frecuencias muy altas (figura
1.b) y un circuito abierto a frecuencias muy
bajas (figura 1.c).
Respuesta a baja frecuencia de
amplificadores básicos
La red RC analizada en el apartado anterior
constituye una buena base para extender los
conceptos establecidos al caso de
amplificadores con condensadores externos
de acoplo y desacoplo. Cuando se analiza
los efectos de un condensador para
determinar la 𝑓𝐿 de un amplificador, las
reactancias del resto de los condensadores
son muy bajas, prácticamente un
cortocircuito, en comparación con las
impedancias del circuito. Bajo esta
hipótesis, se puede deducir una ecuación
basada en el principio de superposición en
la cual la 𝑓𝐿 se obtiene analizando la
aportación individual de cada uno de los
condensadores supuesto el resto de los
condensadores externos en cortocircuito. La
expresión de la frecuencia de corte de un
amplificador es:
1
𝑓 = ∑𝑖 2𝜋𝐶 𝑅 (1)
𝑖 𝑖0

donde 𝐶𝑖 es un condensador externo y 𝑅𝑖0 la

resistencia vista a través de los terminales
de este condensador, supuesto el resto de
condensadores externos en cortocircuito.
Una justificación intuitiva de la ecuación 1
se podría obtener analizando una red RC
con múltiples condensadores.
Respuesta a baja frecuencia de
Como ejemplo de aplicación de la ecuación
amplificadores BJT
1, en la figura 2 aparece un amplificador
bipolar con tres condensadores externos 𝐶𝑆 , El análisis de esta sección empleará la
𝐶𝐸 y 𝐶𝐶 . La 𝑓𝐿 viene dada por tres configuración de polarización por medio
términos: del divisor de voltaje para el BJT, aunque
los resultados se pueden aplicar a cualquier
1 1 1
𝑓= + + configuración de BJT. basta encontrar la
2𝜋𝐶𝑆 𝑅𝑆0 2𝜋𝐶𝐸 𝑅𝐸0 2𝜋𝐶𝐶 𝑅𝐶0
resistencia equivalente apropiada para la
1 1 combinación RC. Los capacitores 𝐶𝑆 , 𝐶𝐸 y
= + 𝐶𝐶 determinarán la respuesta en baja
2𝜋𝐶𝑆 (𝑅𝑆0 + 𝑍𝑖 ) 2𝜋𝐶𝐸 (𝑅𝐸0 ||𝑍𝑒 )
1 frecuencia de la red de la figura
+
2𝜋𝐶𝐶 (𝑅𝐶0 + 𝑍0 )

El primer término corresponde a 𝐶𝑆 . La

resistencia asociada a este condensador está
constituida por 𝑅𝑠 en serie con la
resistencia equivalente vista a la entrada del
amplificador, supuesto el resto de los
condensadores en cortocircuito, que
corresponde con la impedancia de entrada
del amplificador. La resistencia asociada al
término

𝐶𝐸 es la 𝑅𝐸 en paralelo con la impedancia

equivalente vista desde el emisor del
transistor. Por último, la resistencia
asociada al término 𝐶𝑐 es la resistencia de
carga en serie con la impedancia de salida.
Las expresiones de 𝑍𝑖 , 𝑍0 y 𝑍𝑒 se indican
en la figura 2.
 Elementos importantes para el diseño de
un transistor BJT
Ganancia de voltaje, 𝑨𝒗
Una de las características más importantes
de un amplificador es la ganancia de voltaje
de pequeña señal de CA, que se determina
por
V0
Av =
Vi
Para amplificador de transistor, la ganancia
de voltaje sin carga es mayor que la
ganancia de voltaje con carga.
Ganancia de corriente, 𝑨𝒊
La ganancia de corriente está definida por
I0
AI =
Ii
Aunque se recibe menos atención que la
ganancia de voltaje es, sin embargo, una
cantidad importante que puede tener un
impacto significativo en la eficiencia global
de un diseño. En general
Para amplificadores BJT, la ganancia de
corriente oscila entre los valores apenas
menores que 1 y un nivel que puede
exceder los 100.
Impedancia de entrada, 𝒁𝒊
Para el extremo de entrada, impedancia de
entrada 𝑍𝑖 se define por la ley de Ohm
como se indica
Vi
𝑍𝑖 =
Ii
Para el análisis de pequeña señal una vez
que se ha determinado la impedancia de
entrada, el mismo valor numérico puede
utilizarse para modificar los niveles de la
señal aplicada.
La impedancia de entrada de un
amplificador de transistor BJT es de
naturaleza puramente resistiva y,
dependiendo de la manera en que se emplee
el transistor, puede variar de unos ohm
hasta el orden de los mega ohm.
Impedancia de entrada, 𝒁𝟎
La impedancia de salida se define en forma
natural para el conjunto de salida de las
terminales, pero la manera en la cual se
define es bastante diferente esta se define
como:
V0
𝑍0 =
I0
En particular para las frecuencias de rango
bajo y medio (normalmente <100 KHz) la
impedancia de un amplificador de transistor
BJT es resistiva por naturaleza
 III. RESPUESTAS A PREGUNTAS
VI. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
1. Haciendo uso del software
MATLAB, elabore un programa
que permita realizar lo siguiente:
 .

La señal asignada es un pulso diente de

sierra inpar ,amplitud 10 vpp ,periodo
20 mseg.

2. Para cada grupo de trabajo se le

asignará una función.

VII. SIMULACIÓN
IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS
Cada alumno simulara…la funcion que le toca
Se enuncia el data sheet de los componentes
de manera independiete y en la practica de
mas pronunciados:
laboratori se elige el mejor, que se usara para el
informe final……………………….

……………………………
V. EQUIPOS Y MATERIALES
BASICOS
 1 Osciloscopio
 1 Generador de Señales de Baja VIII. BIBLIOGRAFÍA
Frecuencia
 1 Multímetro Digital [1] file:///C:/Users/Alumno/Download
 1 Fuente DC s/Tema3%20(1).pdf

Lista de componentes [2] https://electronicauaa.files.wordpr

ess.com/2014/12/respuesta-en-
 Resistencias baja-y-alta-frecuencia-
amplificadores-bjt.pdf
10 KΩ, 100 KΩ, 68 KΩ, 2.2 KΩ, 3.9 KΩ,
3.3 KΩ, 100 Ω ,68 KΩ ,22 KΩ ,1.5 KΩ y
680 Ω [3] http://www.elo.jmc.utfsm.cl/sriq
uelme/apuntes/modelaje%20bjt/
 capacitores
modelaje%20bjt.pdf