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Chapter 18: Electrical Properties Conducción Eléctrica Conducción Eléctrica
ISSUES TO ADDRESS... Ohm: Resistividad, .m):

-- Una propiedad del material
Caída de voltaje independiente de la geometría
characterized? V=IR Área de sección
(volts = J/C) de la muestra
Transversal al flujo de
C = Coulomb corriente
Resistencia
conductors, semiconductors, and insulators? (Ohms=V/A)) Longitud donde se
mide el Voltaje
imperfections, temperature, and deformation? I=corriente (amps = C/s)
Conductividad,
by impurities (doping) and temperature?

Conductividad; medida de la capacidad del material para dejar
pasar la corriente eléctrica a través de él.
Chapter 18 - 1 Chapter 18 - 2 Chapter 18 - 3
Propiedades eléctricas Conductividad eléctrica: Comparación Ejemplo: Problema de Conductividad

=( - -m)-1 m)-1
Cuál tendrá la mayor resistencia? Cuál es el diámetro mínimo (D) de un alambre de Cu para V < 1.5.
METALES conductores CERÁMICOS La conductividad de Cu es 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
-10
2 Silver 6.8 x 10 7 Vidiro Soda-lime 10 -10-11
D  100 m
Copper 6.0 x 10 7 Concreto 10 -9 - I = 2.5 A +
Alambre de Cu
 Iron 1.0 x 10 7 Aluminum oxide <10-13
V
2D
100 m
SEMICONDUCTORES POLíMEROS < 1.5 V
-14
Silicon 4 x 10 -4 Polystyrene <10 2.5 A
D 2
Análogo al flujo de agua en una tubería. Germanium 2 x 10 0 Polyethylene 10 -15-10-17
4
La resistencia depende de la geometría y tamaño de GaAs 10 -6 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
la muestra. Aislantes Resolviendo se obtiene que D > 1.87 mm
Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 9e.

Estructura de bandas de energía Representación de Estructuras de Conducción & Transporte de Electrones
de electrones Bandas Conductores):
-- Para metales los estados vacíos de energía estan
adyacentes a las bandas de energía
Bandas parcialmente Bandas Solapadas
-- Energía térmic llenas
excita electrones a Energy Energy
estados vaciós de Banda
mayor energía llena
GAP empty
excites electrons band
-- Dos tipos de Banda
filled
estructuras de bandas Parcialmente
filled states
band
filled states
para metales llena
Fig. 18.3, Callister &

Banda filled
Rethwisch 9e. llena band
Adapted from Fig. 18.2, Callister & Rethwisch 9e.
Energía de estructuras de bandas: Metales: Influencia deTemperatura e

Impurezas sobre la Resistividad Estimación de la Conductividad
Aislantes & Semiconductores
-- grain boundaries -- Estimate the electrical conductivity of a Cu-Ni alloy Adapted from Fig.
-- Amplio manda de GAP (> 2 eV) These act to scatter that has a yield strength of 125 MPa. 18.9, Callister &
-- Estrecha banda GAP(< 2 eV) -- dislocations Rethwisch 9e.
-- Pocos electrones excitados -- Más electrones excitados a través electrons so that they 180
Yield strength (MPa)

-- impurity atoms
(10 -8 Ohm-m)
através del la banda de energía take a less direct path. 50
prohibida (GAP)
del band gap -- vacancies 160
Resistivity,
empty 140 40
Energy empty 6 125
Energía conduction conduction 120 30
band
(10 -8 Ohm-m)
band 5 100 20
?
Resistivity,
GAP GAP increases with: 21 wt% Ni 10

4 80
-- temperature
60 0
filled filled 3 d
-- wt% impurity 0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
-- %CW wt% Ni, (Concentration C) wt% Ni, (Concentration C)
filled states
filled states
valence valence 2
i
band band Adapted from Fig. 7.16(b), Callister & Rethwisch 9e.
1 = thermal From step 1:
t
0 -200 -100 0 +
filled filled T (ºC) impurity
CNi = 21 wt% Ni
band band Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 9e. [Adapted from J. O. Linde, Ann.
Physik, 5, 219 (1932); and C. A. Wert and R. M. Thomson, Physics of Solids,
+ deformation
2nd edition, McGraw-Hill Book Company, New York, 1970.]

Portadores de carga en aislantes y Intrinsic Semiconduction in Terms of
Intrinsic Semiconductors Electron and Hole Migration
semiconductors.
Fig. 18.6 (b), Callister &
Rethwisch 9e.
Pure material semiconductors: e.g., silicon &
Two types of electronic charge germanium
carriers: valence electron hole electron hole
Group IVA materials electron Si atom
pair creation pair migration
Free Electron Compound semiconductors
negative charge III-V compounds - + - +
in conduction band Ex: GaAs & InSb
II-VI compounds
Hole no applied applied applied
Ex: CdS & ZnTe electric field electric field electric field
positive charge The wider the electronegativity difference between Adapted from Fig. 18.11,
vacant electron state in the elements the wider the energy gap.
Callister & Rethwisch 9e.
# holes/m3
the valence band e: Carga del electrón
hole mobility
Move at different speeds - drift velocities # electrons/m3 electron mobility
Intrinsic Semiconductors:
Number of Charge Carriers Conductivity vs T
Intrinsic vs Extrinsic Conduction
Intrinsic:
Intrinsic Conductivity Pure Silicon: -- case for pure Si
-- increases with T -- # electrons = # holes (n = p)
-- opposite to metals
Extrinsic:
-- electrical behavior is determined by presence of impurities
for intrinsic semiconductor n = p = ni that introduce excess electrons or holes
= ni|e|( e + h) -- n p
n-type Extrinsic: (n >> p) p-type Extrinsic: (p >> n)
Ex: GaAs
material band gap (eV) Phosphorus atom Boron atom
Si 1.11 hole
Ge 0.67 4+ 4+ 4+ 4+ conduction 4+ 4+ 4+ 4+
GaP 2.25 electron
CdS 2.40 4+ 5+ 4+ 4+ 4+ 3+ 4+ 4+
valence
For GaAs ni = 4.8 x 1024 m-3 Selected values from Table 18.3,
Callister & Rethwisch 9e. 4+ 4+ 4+ 4+ electron 4+ 4+ 4+ 4+
For Si ni = 1.3 x 1016 m-3 Adapted from Figs. 18.12(a)
no applied Si atom no applied
Adapted from Fig. 18.16, electric field electric field
& 18.14(a), Callister &
Chapter 18 - 16 Chapter 18 - 17 Rethwisch 9e. Chapter 18 - 18
Extrinsic Semiconductors: Conductivity Propiedades ELÉCTRICAS: Resumen
vs. Temperature
Summary Semiconductores:
conductivity and resistivity are: Banda
Doped Silicon: parcialmente
Bandas -- GAP pequeño(< 2 eV)
-- increases doping doped -- material parameters solapadas -- Más electrones excitados
llena a través del GAP
-- reason: imperfection sites undoped -- geometry independent Energía Banda de
lower the activation energy to 3
Banda conducción
concentration (1021/m3)
produce mobile electrons. -- differ in range of conductivity values Banda vacías
Conduction electron
Vacía ?
-- differ in availability of electron excitation states GAP GAP GAP
freeze-out
2 vacía
extrinsic
intrinsic
intrinsic vs resistivity is increased by Banda
extrinsic conduction...
Estados llenos
1 -- increasing temperature Parcialmente
Estados llenos
Banda
Estados llenos
Bandas de
-- extrinsic doping level: -- addition of imperfections llena
Estados llenos
1021/m3 of a n-type donor llena Valencia
impurity (such as P). 0 -- plastic deformation llena
-- for T < 100 K: "freeze-out , 0 200 400 600 T (K) conductivity is increased by
thermal energy insufficient to -- increasing temperature Banda Bandas
excite electrons. Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch llena
9e. (From S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics -- doping [e.g., adding B to Si (p-type) or P to Si (n-type)] llenas
-- for 150 K < T < 450 K: "extrinsic" and Technology. Copyright © 1985 by Bell Telephone
Laboratories, Inc. Reprinted by permission of John Wiley
-- for T >> 450 K: "intrinsic" & Sons, Inc.)
METALES AISLANTES SEMICONDUCTORES
Dependencia de la capacidad de calor

Propiedades Térmicas Capacidad de calor con la Temperatura
La habilidad de un material de absorber calor Capacidad de calor...
-- Incrementa con la temperatura
Contenido... Cuantitativamente: La energía requerida para producir un -- Para sólidos alcanza un límite al valor de 3R
aumento de una unidad en temperatura por mol de material.
responden los materiales a la aplicación de calor? R = Constante 3R Cv = constante
Capacidad Cambio de calor (J/mol)
de los gases
Cómo definimos y medimos... de calor = 8.31 J/mol-K
-- Capacidad de calor? (J/mol-K) Cambio de temperatura(K)
-- Expansión térmica?
-- Conductividad térmica? Dos formas de medir la capacidad de calor: Adapted from Fig. 19.2,
-- Resistencia al choque térmico? D= h /KB Callister & Rethwisch 9e.
Cp : Calor específico a presión constante. 0 T (K)
h Constante de Planck (6.62 x 10 J s 034
D Temperatura de Debye
Cv : Calor específico a volumen constante. Kb: Contante de Boltzmann (1.38064852(79)×10 J/K
Cómo difieren las propiedades térmicas de : Frecuencia (1/s)
(usualmente menor a Tamb.)
metales, cerámicos y polímeros ? Cp usualmente > Cv Perspectiva atómica:
-- La energía es almacenada como vibraciones atómicas.
-- Al aumentar T, la energía promedio de las vibraciones atómicas
Unidades
incrementa.
Vibraciones atómicas Calor específico: Comparación Expansión Térmica
Las vibraciones atómicas son en forma de ondas de red o Material cp (J/kg-K) Los materiales cambian de tamaño al cambiar T
fonones. Polímeros at room T
Polipropileno 1925 cp (Calor específico): (J/kg-K)
Polietileno 1850 Cp (Calor específico): (J/mol-K)
1170 Tinicial
Poliestireno
Teflón 1050 inicial
Tfinal > Tinicial
Porqué es cp Tfinal
increasing cp
Cerámicos
Magnesia (MgO) 940 significativamente mayor en final
Alumina (Al2O3) 775 los polímeros ?

Vidrio 840 final inicial
(Tfinal Tinicial )
Metales inicial
Aluminio 900
Coeficiente de expansión térmica lineal (1/K o 1/°C)
Acero 486 Selected values from Table 19.1,
Tungsteno 138 Callister & Rethwisch 9e.
Adapted from Fig. 19.1, Oro 128

Perspectiva atómica: Expansión Comparación del Coeficiente de

térmica
Expansión térmica: Ejemplo
Expansión Térmica
Material (10-6/°C) Un alambre de Cu de 15 m de longitud es enfriado
at room T
Polímeros desde 40 a -9°C. Cuantificar el cambio en longitud que
Polímeros tienen los
Polipropileno 145-180
mayores valores de experimentará?
Polietileno 106-198
debido a sus enlaces For Cu
Polistireno 90-150
Teflon 126-216 secundarios débiles.
Metales Porqué
Aluminio 23.6 generalmente disminuye Re-arreglando ecuación 17.3b
increasing
Acero 12 con el incrementa de

Tungsteno 4.5 la energía de enlace?
Oro 14.2
Curva asimétrica: Curva simétrica: Cerámicos
-- Incremento de T, -- incremento de T, Magnesia (MgO) 13.5 Selected values from Table 19.1,
-- Incrementa separación -- No incrementa la separación Alúmina (Al2O3) 7.6 Callister & Rethwisch 9e.
interatómica promedio interatómica Vidrio Soda-lima 9
-- Hay expansión térmica -- No hay expansion térmica Sílice (crist. SiO2) 0.4
Fig. 19.3, Callister & Rethwisch 9e. Chapter 18 - 28 Chapter 18 - 29 Chapter 18 - 30
Conductividad térmica:
Conductividad térmica Tensiones térmicas
Comparación
La habilidad de un material de transportar calor. Mecanismo de Ocurren debido a :
Material k (W/m-K) transferencia de energía
Ley de Fourier Metales -- Contracción/expansión térmicas restringidas
Gradiente de temperatura Aluminio 247 --Gradientes de temperaturas que conducen a
Vibraciones
Flujo de Acero 52 cambios de dimensiones diferenciales.
atómicas y
calor Tungsteno 178
movimiento de
(J/m2 s) Oro 315
Conductividad térmica(J/m K s) electrons libres
Cerámicos
Tensiones térmicas 
increasing k
Magnesia (MgO) 38
T1 T2 Alumina (Al2O3) 39
T2 > T1 Vibraciones atómicas
Vidrio Soda-lima 1.7
x1 Flujo de calor x2
Sílice (crist. SiO2) 1.4
Polímeros
Perspectiva atómica: Vibraciones atómicas y electrones Polipropileno 0.12
libres en regiones más calientes transportan energía a las Polietileno 0.46-0.50 vibración/rotación
regiones más frías. Poliestireno 0.13 de cadenas de
Teflón 0.25 moléculas
Selected values from Table 19.1, Callister & Rethwisch 9e.
Problema ejemplo Problema ejemplo (cont.) Resistencia al choque térmico (TSR)

-- Una barra de latón está libre de tensiones a Tamb. (20°C). Ocurre debido a: calentamiento y enfriamiento no uniforme
La tension térmica puede ser
-- La barra es calentada, pero previniendo su alargamiento. 0 Asuma que la capa superior es rápidamente enfriada desde T1 a T2
directamente calculada
-- A cuál temperatura la tensión alcanza -172 MPa? Enfriamiento rápido
Solución: T 2
Trata de contraerse durante el enfriamiento Tensión desarrollada en la superficie
T0 Condiciones originales Note que = -ethermal y sustituyendo se obtiene
compress Resiste a la contracción T1
0
Paso 1: Asumir expansion térmica sin restricciones Diferencia de temperature que puede Diferencia de T crítica
producirse por el enfriamiento: para fractura (set = f)
0 Rearreglando y resolviendo paraTf tenemos: Velocidad de temple
(T1 T2 )
Tf 20°C k
-172 MPa (porque es compresión)
Paso 2: Comprimir la barra a la dimensión original set equal
f k
0 (Velocidad de temple)p ara fractu ra (TSR)
E
Respuesta: 106°C100 GPa
20 x 10-6/°C
TSR cuando es grande
Sistema de protección térmica Resumen Propiedades Magnéticas
Re-entry T
Distribution Las propiedades térmicas de los materiales incluyen
Space Shuttle Orbiter Capacidad calórica:
-- energía requerida para incrementar la T de un material en 1 grado TEMAS...
-- La energía en almacenada como vibraciones atómicas
reinf C-C silica tiles nylon felt, silicon rubber Coeficiente de expansión térmica:
(1650°C) (400-1260°C) coating (400°C)
Chapter-opening photograph, Chapter 23, Callister 5e
Fig. 19.2W, Callister 6e. (Fig. 19.2W adapted from L.J.
-- el tamaño del material cambia con cambio en T Cómo se puede explicar el fenómeno de magnetismo?
(courtesy of the National Aeronautics and Space
Administration.) Korb, C.A. Morant, R.M. Calland, and C.S. Thatcher, "The
Shuttle Orbiter Thermal Protection System", Ceramic
-- Polímeros tienen los mayores valores
Silica (400-1260 C): Bulletin, No. 11, Nov. 1981, p. 1189.) Conductividad térmica: clasifican las propiedades magnéticas de los materiales?
-- Gran escala de aplicaciones -- microstructure: -- Habilidad de un material para transportar calor
~90% porosidad! -- Materiales tienen los mayores valores Cómo trabajan los almacenadores magnéticos?
Fibras de Silica Resistencia al choque térmico:
-- Habilidad de un material para enfriar rápidamente sin fracturar
afecta el comportamiento de superconductores?
-- es proporcional a
100 m
Fig. 19.3W, Callister 5e. (Fig. 19.3W courtesy the Fig. 19.4W, Callister 5e. (Fig. 219.4W courtesy
National Aeronautics and Space Administration.) Lockheed Aerospace Ceramics
Systems, Sunnyvale, CA.)
Chapter 18 - 37 Chapter 18 - 38 Chapter 18 -
3
Generacion de un Campo Magnético--

Generación de un campo magnético
dentro de un material sólido
Origenes de Momentos Magnéticos
Momentos magnéticos provienen del movimiento de
Creado por corriente a través de una bobina : electrones y de espines sobre electrones
B0 N = Número total de vueltas
= Longitud de cada vuelta(m) B
B = Magnetismo Inducido (tesla) Momentos magnéticos
I = corriente (Amper)
H H = Campo magnético aplicado(A-vueltas/m)
Campo dentro del material
magnético electrón electrón
B0 = Densidad del flujo magnético en vacío
I aplicado
(tesla) B= H espin
H
nucleos
Cálculo del campo magnético aplicado, H: corriente Permeabilidad de un sólido Adapted from Fig. 20.4,
I Movimiento del electron Espín del
en el Orbital electrón
Permeabilidad relativa (adimensional) Momento magnético atómico neto :
Cálculo de la densidad de flujo magnético en vacío, B0:
-- sums de todos los momentos de todos los electrones.
B0 = 0H
Permeabilidad en vacío ...
(1.257 x 10-6 Henry/m)
Dominios en Materiales
Tipos de Magnetismo Respuestas magnéticas para los 4 tipos
Ferromagnéticos & Ferrimagneticos
Campo magnético
Campo magnético
aplicado(H ) Cómo se aplica (H) incrementan los dominios magnéticos
No aplicado(H = 0)
(3) Ferromagnético ej. Fe3O4, NiFe2O4 camban de forma y tamaño por movimiento de bordes de
Ninguno
(4) Ferrimagnético ej. ferrite( ), Co, Ni, Gd dominios.
opuestos
(1) diamagnético Bsat
( m es tan grande como106 !) Adapted from Fig.
20.5(a), Callister &
B (tesla)
Rethwisch 9e.
H
Inducción Magnética
(2) paramagnético ( m ~ 10-4) H Fig. 20.13, Callister &
e.g., Al, Cr, Mo, Na, Ti, Zr Dominios con Rethwisch 9e.
(Adapted from O. H. Wyatt
H Momento magnético
alineados
and D. Dew-Hughes, Metals,
vacío ( m = 0)
rAl azar
i (B)
Ceramics and Polymers,
(2) paramagnético Adapted from Fig. alineado crecen a Cambridge University Press,
(1) diamagnético ( m ~ -10-5) 20.5(b), Callister &
Cambridge, 1974. Reprinted
Rethwisch 9e. H expensas de los

with the permission of the
ej., Al2O3, Cu, Au, Si, Ag, Zn Cambridge University Press.)
pobremente
H (amper-vueltas/m) H alineados
alineados
Alineado
(3) ferromagnético Adapted from Fig. 0
Plot adapted from Fig. 20.6, Callister & Rethwisch 9e. (4) ferrimagnético 20.7, Callister & Campo magnético aplicado (H)
Values and materials from Table 20.2 and discussion in Rethwisch 9e.
Section 20.4, Callister & Rethwisch 9e.
H=0
Histeresis y Magnetización
Materiales Magnéticos duros y blandos Almacenadores Magnéticos
Permanente
El fenómeno de histéresis magnética Materiales Magnéticos duros: B transferidas y almacenadas digitalmente en un medio magnético
-- Grandes coercitividades
-- usado para magnetos permanentes que consiste de un cabezal de lectura/escritura
B
Etapa 2. Aplicar H -- adiciones se partículas o huecos para
Etapa 3. Remover H, alineamiento --
Duros
los dominios se alinean inhibir movimiento de paredes de dominios
permanece! => magnetos aplicando un campo magnético que
permanentes! magnéticos
alinea los dominios magnéticos en
Adapted from Fig. 20.14, -- ejemplo: aceros al tungsteno-- H pequeñas regiones de un medio de
H Hc = 5900 amp-vueltas/m) grabación.
Etapa 4 . Coercitividad,HC
H negativa necesario para Etapa 1. Inicial (estado no magnetizado)
demagnetizar! Materiales de magnéticos -- o recuperación de datos
de un medio, cambiando el sentido
blandos: de la magnetización
Etapa 6 . Se Cierra -- Pequeñas coercivitividades
Etapa 5. Aplicar H -,se el lazo de histéresis -- Usados para motores eléctricos Fig. 20.23, Callister &
Rethwisch 9e.
alinean los dominios -- ej.: Hierro comercial 99.95 Fe Fig. 20.19, Callister & Rethwisch 9e.
(From K. M. Ralls, T. H. Courtney, and
Coercitividad: Intensidad del campo magnético que se debe aplicar a un J. Wulff, Introduction to Materials Science
and Engineering. Copyright © 1976 by
material para reducir su magnetización a cero luego de que la muestra ha John Wiley & Sons, New York. Reprinted by
permission of John Wiley & Sons, Inc.)
sido magnetizada hasta saturación
Tipos de medios de almacenajes Magnéticos Porpiedades Críticas de Materiales
Superconductividad
Semiconductores
granular/perpendicular): Encontrado en 26 metales y cientos de aleaciones & compuestos
-- CoCr granos de la aleación TC = Temperatura crítica- si T > TC no superconductividad
(regiones oscuras) separadas por Mercury
bordes de granos de capas de
Fig. 20.24, Callister
& Rethwisch 9e.
JC = Densidad de corriente crítica-Si J > JC no superconductividad
80 nm
óxidos segregantes (regiones claras)
(Courtesy of Seagate
Recording Media)
HC = Campo magnético crítico- si H > HC no superconductividad
-- Dirección de magnetización de Copper
cada grano es perpendicular al plano (normal)
del disco
Cinta de grabación(Medio Particulado):
Fig. 20.25, Callister

~ 500 nm
~ 500 nm
& Rethwisch 9e.

(Courtesy of Fuji Film
Inc., Recording Media
Division) 4.2 K Fig. 20.26, Callister &
Rethwisch 9e.
TC = Temperatura crítica Fig. 20.27, Callister &
Rethwisch 9e.
-- Acicular (forma de agujas) -- Tabular (forma de placas) = temperatura por debajo de la cual el material es superconductor
partículas de aleación metálica partículas ferrimagnéticas de
ferromagnética ferrita-bario Chapter 18 - 49 Chapter 18 - 50 Chapter 18 - 51
Efecto Meissner Avances en Superconductividad Resumen

Superconductores expelen los campos magnéticos Investigación sobre materiales superconductores se
estancó por muchos años.
Se asumió TC,max era alrededor de 23 K Un campo magnético se produce cuando fluye una corriente
Muchas teorías sostenían que es imposible incrementar TC más eléctrica a través de una bobina de alambre.
allá de ese valor
1987- se descubrieron nuevos materiales TC > 30 K
cerámicos de la forma Ba1-xKxBiO3-y Inducción Magnética (B):
Comenzó una Carrera enorme en este campo
YBa2Cu3O7-x TC = 90 K -- Se induce un campo magnético interno en el material situado entre un
Tl2Ba2Ca2Cu3Ox TC = 122 K campo magnético externo (H).
normal superconductor Difíciles de elaborar debido a que el estado de oxidación es
Fig. 20.28, Callister &
muy importante. -- Los momentos magnéticos resultan de las interacciones de los
Rethwisch 9e.
Esta es la razón porque un superconductor puede electrones con el campo magnético aplicado
El mayor problema es que estos materiales cerámicos son
flotar encima de un magneto inherentemente frágiles.

Resumen Propiedades ópticas Propiedades ópticas
La luz tiene características tanto de partícula como
de onda
Temas... Fotón Un cuantum de unidad de luz
-- ferrimagnético y ferromagnético (Grandes susceptibilidades
magnéticas) Qué fenómenos ocurren cuando el la luz incide sobre
el material?
-- paramagnético (pequeñas y positivas susceptibilidades magnéticas
Qué determina los colores característicos de los materiales?
-- diamagnético (pequeñas y negativas susceptibilidades magnéticas) E energía de un fotón
Porqué unos materiales son transparentes y otros son Longitud de onda de la radiación
ferrimagnéticos y ferromagnéticos: translúcidos u opacos? Frequencia de radiación
-- Duros: Coercitividad alta -- Blandos: Coercitividad pequeña Cómo opera un láser? 34
h Constante de Planck (6.62 x 10 J s)
-- particulados -Fe2O3 en película polimérica (cinta) c Velocidad de la luz en un vacío (3.00 x 108 m/s)
-- Películas delgadas de CoPtCr or CoCrTa (discos duros)
Refracción Reflectancia interna total Ejemplo: Diamante en aire

La luz transmitida distorsiona la nube de electrones n: Indice de refracción Cuál es el ángulo crítico c para que la luz pase del
Nube n2 < n1 diamante al aire (n1 = 2.41) (n2 = 1)?
Luz no Luz
+ + de electrones
ransmitida
transmitida distorsionada Solución: Al ángulo crítico,
n2
1 = ángulo incidente y
vacío. n1 = ángulo refractado
2
c(velocidad de la luz en vacío) Rearreglando la ecuación
n = índice de
v(velocidad de la luz en el medio) c = ángulo crítico
refracción
-- Adicionando grandes iones(ej., Pb) al vidrio Material n c existe cuando 2 = 90°

decrece su velocidad de la luz.
-- La luz puede ser
Vidrios típicos . 1.5 -1.7 Para 1 > c la luz es
través de un prisma transparente Plásticos 1.3 -1.6
internamente reflectada Sustituyendo tenemos:
PbO 2.67
Diamante 2.41 Cables de fibra óptica son nubes en materiales de bajo n por tanto el
Selected values from Table 21.1,
material experimenta total reflectancia y no escapa de la fibra óptica.

Propiedades ópticas de Metales:
Interacción de la luz con sólidos Reflexión de Luz por Metales
Absorción
La luz incidente es deflectada, absorbida, dispersada, y/o
transmitida: I0  IT  IA  IR  IS Transiciones electrónicas desde un estado excitado
Absorción de fotones por transiciones de electrones:
produce un fotón.
Energía del electrón
Reflectada: IR Absorbida: Energía del electrón
IA Estados vacíos
Transmitida: IT Estados vacíos
E = h requerido!
IR
Incidente: I0 Dispersada: IS conducción
fotón emitido de Transición electrónica
la superficie de
Estados llenos
Transparente Translucente Opaco freq. un metal
Fig. 21.10, Callister & Constante de Planck Estados llenos
Rethwisch 9e. of
10-34
(Specimen preparation
P.A. Lessing.) (6.63 x J/s) incident
Adapted from Fig. 21.4(a),
light
Estados de electrones vacíos están adyacentes a los llenos Adapted from Fig. 21.4(b),
Monocristal Policristalino Policristalino Los electrones cerca de la superficie absorben la luz visible.
denso pororso
Reflexión de luz para metales (cont.) Reflectividad de no metals Dispersión de luz en polímeros
Reflectividad = IR /I0 varía entre 0.90 y 0.95. La luz pasando por un sólido tienen un índice de Para polímeros altamente amorfos y libre de poros
Superficies del metal luce brillante refracción n: Poca o ninguna dispersión
2
n 1 Estos materiales son transparentes
R reflectivi dad Polímeros semicristalinos
La mayoría de la luz absorbida es reflejada a n 1
la misma longitud de onda Las zonas amorfas y cristalinas tienen diferentes
índices de refracción
Ej: Para diamante n = 2.41 Dispersión de luz en los bordes
Color de la luz reflejada depende de la Polímeros altamente cristalinos son opacos
longitud de onda Ejemplos:
Poliestireno (amorfo) claro y transparente
Ej: Cu y Au absorben luz en azul y verde, => luz Polietileno de baja densidad para cartones de leche
17% de luz es reflejada
reflejada tiene un color oro opaco
Absorción de luz en semiconductores Color de No-metales Color de No-metales
Absorción de luz de frecuencia por transiciones
El color es determinado por la distribución de longitudes Ejemplo 2: Rubí = zafiro (Al2O3) + (0.5 to 2) at% Cr2O3
electrónicas ocurre si h > Egap de ondas: -- zafiro es transparente y
Energía del electrón sin color (Eg > 3.1 eV) 80
Ejemplo para fotones de energía : zafiro
Transmitancia (%)
Estados vacíos -- Luz transmitida 70
Luz azul: h = 3.1 eV -- Luz re-emitida por transiciones electrónicas -- adición de Cr2O3 : rubí
60
Luz roja: h = 1.8 eV
50
Longitud de onda , (= c/
Egap azul y naranja/amarillo/verde
Ejemplo 1: Sulfato de cadmio(CdS), Eg = 2.4 eV 40
son absorbidos 0.3 0.5 0.7 0.9
Energía del fotón -- absorbe alta energía de luz visible (azul, violeta)
incidente h -- el color resulta de la luz rojo/naranja/amarillo que es transmitida la luz roja es transmitida
Estados llenosAdapted from Fig. 21.5(a),
Fig. 21.9, Callister & Rethwisch 9e.
Si Egap < 1.8 eV, toda la luz es absorbida; material es opaco (ej., Si, GaAs) Rubí de un color rojo from The Optical Properties of Materials, by
A. Javan. Copyright © 1967 by Scientific American, Inc.
profundo
Si Egap > 3.1 eV, no hay absorción el luz; el material es transparente y sin All rights reserved.)
color (ej., diamante)

Si 1.8 eV < Egap < 3.1 eV, Absorción parcial de luz; material es coloreado
Luminiscencia Fotoluminiscencia Catododoluminiscencia

Luminiscencia reemisión de luz por un material Átomo de Hg
Usado en dispositivos de tubos de rayos X (Ej. TVs, monitores de
Material absorbe luz a una frecuencia y reemite la luz a otra computadoras)
frecuencia menor.
El tubo en su interior es recubierto con un material fosforado.
Estados atrapados(donor/aceptor) introducidos por
impurezas/defectos Luz UV El material se fósforece bombardeado con electrones.
Si el tiempo de residencia en el Los electrones en átomos de fósforo son excitados a mayores
Banda de conducción estado atrapado es relativamente estados de energía
electrodo electrodo
largo (> 10-8 s)
-- fosforescencia Arcos entre electrodos excitan los electrones en átomos de Hg Fotón (luz visible) es emitido por la caída de regreso de los
en la lámpara a altos niveles de energía. electrones a estados más bajos de energía (tierra)
Para tiempos de residencia cortos (< Cuando los electrones regresan a sus estados de origen, la luz Color de la luz emitida (i.e., fotón de longitud de onda)
Estados Eemission 10-8 s) UV es emitida depende de la composición del material fosforado
Eg atrapados -- fluorescencia La superficie interna de tubos esta revestida con un material ZnS (Ag+ & Cl-) azul
Ejemplo: Juguetes que brillan en la que absorbe UV y reemite luz visible. (Zn, Cd) S + (Cu++Al3+) verde
Nivel obscuridad. Juguetes cargados al
activador - Ej, Ca10F2P6O24 con 20% of F reemplaza por Cl - Y2O2S + 3% Eu rojo
exponerlos a la luz . Reemisión de
Ajuste de color dopando con cationes metálicos
la luz con el tiempo fosforescencia
Banda de valencia Sb3+ azul
Mn2+ rojo-naranja
Caminos de excitación y de la
El LASER Laseres de onda continua
caída electrónicas
El láser es generado por las ondas que estan en fase Mas electrones en estados excitados de energía que en estado Materiales incluyen semiconductores (e.g., GaAs), gases (e.g.,
(coherente) y viajan paralelas unas a otras de tierra CO2), etc)
Usos
LASER
1. Soldadura
Light
2. Perforaciones
Amplification by 3. Corte cirugía de ojos
Stimulated 4. Tratamientos de superficie
Emission of 5. Escrituras ceramicos, etc.
Radiation 6. Fotolitografía
( Amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación)
Fig. 21.14, Callister & Rethwisch 9e.
Aplicaciones de laser de
Resumen Resumen
Semiconductores
La radiación de luz que incide sobre un material puede
Reproductor de Disco compacto (CD) ser reflejada absorbida,dispersada y/o transmitida Propiedades ópticas de no metals:
Usa luz roja
Reproductores de alta resolución (DVD) -- Para Egap < 1.8 eV, absorción de todas las ondas de radiación
-- transparente, translucente, opaca de luz: Opacos
Usan luz azul --Para Egap > 3.1 eV, no absorción de radiación de luz visible:
La luz azul tiene longitud de onda más corta que la Transparentes
luiz roja por lo tanto produce mayor densidad de -- Para 1.8 eV < Egap < 3.1 eV, absorción de algunos rangos de
-- opacos y altamente reflectivos debido a la estructura de la longitudes de ondas de la radiación
almacenamiento. -- color determinado por la distribución de longitudes de ondas
energía de banda electrónica
Comunicaciones usando fibras ópticas transmitidas
Celdas solares
-- luminiscencia, fotoconductividad, diodos de emisión de luz,
celdas solares y fibras ópticas

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Chapter 18 - 76 Chapter 18 - 77 Chapter 18 - 78

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