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Diodo semiconductor

- Los dispositivos semiconductores están formados a partir de


materiales tipo n y tipo p

- A los dispositivos electrónicos semiconductores también se les llama


dispositivos de estado sólido.

- El diodo se forma de la unión de un material tipo n con un material


tipo p

- Es decir un material con portadores mayoritarios de electrones a un


material con portadores mayoritarios de huecos.
- Al unir los materiales, los iones
positivos y los iones negativos se
juntan en la región de la unión.

- En la unión solo hay iones positivos y


negativos

- Existen menos portadores libres en la


unión y en toda su región

- Por ello se llama región de


empobrecimiento o agotamiento

- Sin polarización el flujo de carga de


electrones y huecos se cancela
<

- Si se aplica una diferencia de potencial a


los terminales diodo, con la terminal
positiva al material tipo n y la terminal
negativa al material tipo p, se dice que el
diodo esta polarizado inversamente.

- Los iones positivos y negativos en la


región de empobrecimiento aumenta
(aumenta la barrera) por los potenciales
aplicados (por lo que no hay paso de
corriente)

- La dirección de la corriente va en contra


del símbolo del diodo
<

• La corriente en condiciones de
polarización en inversa se llama
corriente de saturación inversa y está
representada por Is.

• La corriente de saturación raramente


sobrepasa los micro-amperios

• Saturación se refiere a que alcanza su


límite máximo en poco tiempo y
permanece estable
>

- La condición de polarización directa también


se llama “encendido”

- Se obtiene al colocar una diferencia de


potencial a las terminales del diodo, con el
terminal positivo al material tipo p y el
terminal negativo al material tipo n

- La brecha se reduce por lo que se agilita el


paso de portadores mayoritarios del
material p al material n

- La brecha se reduce en función del voltaje


aplicado
La física de estado sólido explica el comportamiento del diodo mediante la ecuación de Shockley

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1
Donde:
𝐼𝐷 es la corriente del diodo
𝐼𝑆 es la corriente de saturación inversa
n es un factor de idealidad (generalmente 1)
𝑉𝑇 es el voltaje térmico

𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞
Donde:
k es la constante de Boltzman (1.38𝑥10−23 𝐽/𝐾)
T es la temperatura absoluta
q es la carga de un electrón (−1.6𝑥10−19 𝐶)
El diodo comercial aleja sus características de lo ideal debido a:

• El material de construcción

• La resistencia del cuerpo

• La resistencia de los contactos externos (cada punto contribuye con un voltaje adicional con la misma
corriente)

El voltaje en polarización directa es pequeño debido a que se considera que no hay caída de voltaje (en la
realidad si hay pequeñas caídas)

La corriente de saturación inversa es más grande que la ideal


Región Zener

• En polarización inversa si el voltaje aplicado es


demasiado negativo el diodo cambiará sus
características de funcionamiento

• El diodo cede y la corriente empieza a


incrementarse en sentido opuesta a la flecha
del símbolo del mismo

• El valor de voltaje al que esto sucede se


denomina voltaje Zener y su símbolo es Vz
Región Zener

• A más voltaje inverso los portadores minoritarios


responsables de la corriente de saturación adquieren más
velocidad, por tanto más energía cinética

• Se genera entonces la zona de ruptura o avalancha.

• Puede llevar incluso a la destrucción del dispositivo

• El máximo potencial de polarización en inversa que se


puede aplicar antes de entrar a la región Zener se llama
voltaje inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje de
reversa pico (denotado como valor PRV).
Diodo semiconductor

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