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PRACTICA 1

TEMA: RECTIFICACIÓN MONOFASICA DE MEDIA ONDA Y RECTIFICACION

MONOFASICA DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE GRAETZ.

OBJETIVOS:
 Rectificar CA monofásica mediante circuitos con diodos en configuración media onda y
onda completa.
 Comprobar la teoría y los cálculos referentes a cada tipo de rectificación.
 Simular los circuitos para verificar aún mejor los resultados de en cuanto a la conversión de
CA monofásica en CC pulsante.

MATERIALES:
 Transformador 110/12 VCA. 1A.
 Cable multipar.
 Sonda de interfaz para el osciloscopio.
 Project board.
 2 Resistencias 1k - 1/2w
 4 Diodos 1A-100v. O un puente de GRAETZ prefabricado 1A.
 Multímetro, osciloscopio.

MARCO TEORICO

1. MATERIAL TIPO N Y P

Son constituidos de Silicio, Germanio (muy sensible a la temperatura) o GaAs (posee mayores
velocidades de operación), en su estado sólido puro no pueden formar el tipo p y n por lo que se
agrega ciertas impurezas con características especiales los cuales debe poseer 3 (trivalente) y 4
(pentavalente) electrones de valencia en su última capa para el tipo p y n respectivamente (Floyd,
2008).
En el caso del tipo n los átomos agregados (Antimonio, Arsénico o fosforo) donan un electrón libre
en cambio que el de tipo p se genera por el material agregado (Boro, Galio o Indio) un vacío
(hueco).
Tales estructuras que se difundieron las impurezas se les conocen como átomos donadores y
átomos aceptadores para la configuración tipo n y p respectivamente.

1.2. PORTADORES MAYORITARIO Y MINORITARIOS

En un material tipo n el electrón se le llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario

(Nashelsky, 2009).

Figura 1 Material de tipo n (a) y p (b) (Nashelsky, 2009)

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2. DIODO

Es la unión del tipo p y n de las formaciones mencionadas, esta unión posee diferentes
comportamientos según como se polarice.

2.1. POLARIZACIÒN EN DIRECTA

Se da cuando el potencial positivó aplicado es al material tipo p y el potencial negativo al tipo n.

Cuando posee esta configuración se deberá tener en cuenta la corriente máxima Imax que soporta
dicho diodo con la configuración en directa.

Figura 2 Configuración en directa.

Con esta configuración el diodo conduce siempre y cuando allá vencido la barrera de
empobrecimiento para que el diodo conduzca, las características del diodo se puede predecir por la
siguiente formula la cual se graficó en la figura 3.

Figura 3 Comportamiento de diodo en directa y inversa.

Donde
ID es la corriente de saturación en inversa.
VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo.
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y construcción
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física.
VT es el voltaje térmico

Donde
K es igual a 1,38(10-23)J/K
T es la temperatura (K)
q es la carga de electrón 1,6(10-19)C

2.3. POLARIZACIÒN EN INVERSA

Se da cuando el potencial positivó aplicado es al material tipo n y el potencial negativo al tipo p.

Cundo esta configurado en inversa el diodo no conducirá y lo que se deberá tener en cuenta en el
diseño es el voltaje en inversa Vin debido a que la barrera de empobrecimiento aumenta hasta un
cierto punto que diodo dejara pasar abruptamente la corriente esta zona es llamada regio zener esta
características es muy útil en algunas aplicaciones y es posible debido al diodo zener.

Figura 4 Comportamiento de la configuración en inversa.

3. RECTIFICACIÒN DE MEDIA ONDA

Este tipo de circuito el diodo deja pasar en un dirección se comportara como un corta y en el otro
sentido como un interruptor abierto.

Figura 5 Configuración de media onda.

Su valor equivalente en corriente directa está dada como

4. RECTIFICACIÒN DE ONDA COMPLETA

Para este efecto se necesitar un puente de diodos en la cual se utiliza 4 diodos como se muestra la
figura 6.

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Figura 6 Puente de diodos.

Se función consiste en que dejara pasar en una y otra dirección de la corriente alterna lo que se
genera que el voltaje pico negativo se invierta, el valor equivalente en corriente directa es:

A) PRIMERA PARTE: PROCEDIMIENTO PARA MEDIA ONDA

1A. Como primer punto se colocara el multímetro en las entradas y salidas del transformador
secundario dando como resultado un valor de 14,3Vrms figura 7.

Vef =14,3Vrms

Figura 7 Voltaje en el primario

2A una vez calculado el valor Vrm a la salida del transformador procedemos a realizar los cálculos,
tomando de referencia el diseño del circuito propuesto figura 9 y el armado correspondiente se
muestra la figura 8.

Figura 9 Circuito propuesto de rectificación de media onda.

Figura 8 Conexión del circuito de media onda.

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3A. Utilizando el osciloscopio se capturara la forma de onda.

Secundario Diodo Resistencia

Escala en el eje vertical (Y) voltaje Escala en el eje horizontal (X) tiempo

4A. Medir el Voltaje Medio sobre la R1 (con un voltímetro CC en paralelo a R1) y la IR1
(con un amperímetro CC en serie a la R1) .
VR1 =6,21Vrms
IR1 = 6.31mA

ANALISIS DE RESULTADOS
En los resultados de cálculo se obtuvieron tomando valores teóricos ya que no se medió la verdadera
resistencia que poseía el elemento resistivo tanto el diodo como la resistencia se espera una pequeña
diferencia entre los valores reales obtenidos con los aparatos, en esta configuración la frecuencia es la
misma en todos los elementos del circuito.
Resultados obtenidos en el calculo Resultados obtenidos
Vef =14.3Vrms Vef =14.3Vrms
Vp =20.22Vp Vp =20,1Vp
Vmax=19,62Vp Vmax=19Vp
F = 60Hz T =60,2Hz
T = 16.66 ms (1/60Hz) F =16,5ms(1/60,2Hz)
VR1=6.245Vrms VR1=6,18Vrms
IR1 =6,245mA IR1 =6,31mA
ID =6,245mA ID =6,31mA
*(El periodo T y la frecuencia F, se obtendrán con relación a la onda en RC, mida el periodo T
en el gráfico de RC y calcule F = 1/T)

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B) SEGUNDA PARTE: PROCEDIMIENTO PARA ONDA COMPLETA

1B. Conectamos el primario del transformador T1 a 120VCA de la red monofásica existente en
el laboratorio, para ello instale un cable y un enchufe en el primario del transformador; medimos
el voltaje eficaz en el secundario del transformador con un voltímetro de CA, y con este valor de
voltaje medido realizamos y detallamos los cálculos.

Vef =14,3Vrms

Figura 10 Voltaje en el transformador del primario.

2B. Una vez realizados los cálculos, procedemos a comprobar el buen funcionamiento de los
diodos a utilizar y armar el circuito de la figura 12.

Figura 11 Armado del circuito de rectificación de onda complete.

Figura 12 Circuito propuesto de rectificación de onda complete.

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3B. Utilizar el osciloscopio para visualizar las ondas correspondientes: Graficar (o fotografiar)
exactamente la forma de onda obtenida en el secundario del transformador y sobre la R1. En
cada onda acotar los valores observados. (Tener en cuenta y citar las escalas en tiempo “X” y
amplitud “Y” que se emplean en el osciloscopio).

Secundario Resistencia

Escala en el eje vertical (Y) voltaje Escala en el eje horizontal (X) tiempo

4B. MEDIR el Voltaje Medio sobre la R1 (con un voltímetro CC en paralelo a R1) y la IR1
(con un amperímetro CC en serie a la RC) (documentar y reportar los resultados).

VRC = 11,72Vrms
IRC = 11,96mA

Figura 13 Voltaje en la Resistencia de onda completa

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ANALISIS DE RESULTADOS
En los cálculos obtenidos se tomaron valores estándares y teóricos lo que pueden variar un poco
con los valores obtenidos con los adecuados instrumentos es decir no se consideró los valores
resistivos de cada elemento, en esta configuración da un peculiar resultado que la frecuencia a la
salida del circuito en este caso la resistencia cambia como se verá en la tabla siguiente.

Resultados obtenidos en el CALCULO Resultados obtenidos en el

(punto 1B) LABORATORIO (punto
Vef =14.3Vrms Vef =14.3Vrms 3B,4B)
Vp =20.22Vp Vp =20.1Vp
Vmax=19,02325Vp Vmax=19,02Vp
F = 120Hz (en la onda RC) T =8ms
T = 8.33 ms (en la onda RC) F = (1/8ms) =125Hz
VR1 =12,111Vrms VR1 =11.72Vrms
IR1 =12,111mA IR1 =11.96mA
ID =6,0553mA ID =6mA
*(El periodo T y la frecuencia F, se obtendrán con relación a la onda en RC, mida el T en el
gráfico de RC y calcule F = 1/T).

CONCLUSIONES
La configuración de un solo diodo (rectificación de media onda) ofrece una onda que para
poder ser tratada a continua necesitaría más elementos para ser transformada a corriente
continua lo que no sucedería en la rectificación de onda completa.

Los resultados obtenidos comparando con los resultados reales vario un 2 a 4% debido a que
no se tomó las características resistivas del diodo y la tolerancia de la resistencia, pero los
resultados son aceptables con tal tolerancia.

La simulación realizada en Multisim fue compatible con los resultados teóricos y

aceptablemente con los reales.

BIBLIOGRAFÌA
Floyd. (2008). Dispositivos Electrònicos. Mèxico: PEARSON.
Nashelsky, R. L. (2009). Electrònica: Teorìa de Circuitos y Dispositivos Electrònicos . Mèxico: PEARSON.

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Anexo 1
Rectificación de media onda

Ilustración 1 Simulación de media onda.

Rectificacion onda completa

Ilustración 2 Simulacion de onda completa

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Anexo 2
Rectificación de media onda diodo

Ilustración 3 Rectificación de media onda en el diodo.

Rectificación de media onda resistencia

Ilustración 4 Onda en los terminales de la resistencia

Voltaje eficaz de media onda en la resistencia

Ilustración 5 Voltaje en las terminales de la resistencia

Corriente eficaz de media onda

Ilustración 6 Corriente en el circuito

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Rectificación de onda completa resistencia

Ilustración 7 Onda en los terminales de la Resistencia

Voltaje eficaz de onda completa en la resistencia

Ilustración 8 Voltaje en los terminales de la resistencia

Corriente eficaz de onda completa

Ilustración 9 Corriente en la resistencia

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Anexo 3
Onda en la entrada del transformador

Ilustración 10 Onda en el secundario

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