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Universidad Simón Bolívar

Sede Litoral
CRONOGRAMA DE ACTIVIDADES
ASIGNATURA: Introducción a los Circuitos Electrónicos – Código: TI-2127
Semana Fecha Contenido Evaluaciones
1 21/01/19-
Diodos semiconductores
25/01/19
2 28/01/19-
Aplicaciones del diodo
01/02/19
3 04/02/19-
Transistores de unión bipolar
08/02/19
4 11/02/19- Primer Parcial
Ejercicios de Síntesis y aplicaciones
15/02/19 25%
5 18/02/19-
Polarización de DC de los BJT
22/02/19
6 25/02/19-
Análisis de AC de un BJT
01/03/19
7 04/03/19-
Transistores de efecto de campo
08/03/19
8 11/03/19- Segundo Parcial
Ejercicios de Síntesis y aplicaciones
15/03/19 25%
9 18/03/19-
Polarización y Análisis de los FET
22/03/19
10 25/03/19-
Amplificadores operacionales
29/03/19
11 01/04/19- Aplicaciones del amplificador Tercer Parcial
05/04/19 operacional 30%
12 08/04/19- Proyecto final
Actividades de Aplicación
12/04/19 20%
La entrega del 50 % de las notas se hará en la semana 8, la semana 12 se entregaran las
notas finales para un total del 100% de las notas evaluadas.

Contenido:
Diodos semiconductores: Descripción de los materiales y de los mecanismos de
conducción en dispositivos electrónicos. La unión P-N. Modelo circuital del diodo: región
directa y región de ruptura inversa.
Aplicaciones del diodo: Circuitos rectificadores. El diodo Zener. Circuitos reguladores
de voltaje. Otros circuitos con diodos: recortadores, fijadores, duplicador de voltaje.
Transistores de unión bipolar: Principio de funcionamiento del transistor bipolar de
juntura.
Polarización de DC de los BJT: Polarización (DC) de circuitos con transistores bipolares.
La línea de carga. Comportamiento para grandes señales. Modelos de pequeña señal de
los BJT.
Análisis de AC de un BJT: Análisis AC de pequeña señal de las configuraciones básicas
Colector Común, Emisor Común, Base Común.
Transistores de efecto de campo: Principio de funcionamiento del transistor de efecto de
campo de juntura (JFET). Principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo
de compuerta aislada (MOS-FET).
Polarización de los FET: Polarización (DC) de circuitos con transistores de efecto de
campo. La línea de carga. Comportamiento para grandes señales. Modelos de pequeña
señal de los MOSFETs. Análisis AC de pequeña señal de las configuraciones básicas
Drain Común, Source Común, Gate Común.
Amplificadores operacionales: Fundamentos de amplificadores operacionales. Algunas
limitaciones de los amplificadores operacionales reales.
Aplicaciones del amplificador operacional: Configuraciones circuitales básicas con
amplificadores operacionales ideales.

Profesores
Sección 1: Prof. David Leal dleal@usb.ve

La información del curso estará disponible también en la página Web:


https://sites.google.com/a/usb.ve/david-leal/home/docencia/cursos/

Bibliografía
BOYLESTAD, R. & NASHELSKY, L. (2003). “Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos.
HORENSTEIN, M. (1997). “Microelectrónica, circuitos y dispositivos”. Prentice-Hall,
México, segunda edición en español.
BISHOP, G.D (1983) "Electronics for technicians" Macmillan Technician Series