Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Departamento de Ciencias e Ingeniería de Materiales
Carrera de:
Licenciatura en Ingeniería Electromecánica
Grupo:
1IE141(B) y (C)
Asignatura de:
Ciencia de los Materiales I
Profesor:
Ricardo Mon
Instructor:
Rodrigo Caballero
Informe de Charla#1
“Catorce redes de Bravais”
Realizado por:

Hernández, Bryan 8-922-852 (Lab B)

González, Christian 8-922-626 (Lab C)

González, Jinela 2-741-1412(Lab B)

De Gracia, Roberto 8-928-2015 (Lab B)

Comportamiento eléctrico de los materiales

TEORÍA DE LAS BANDAS

La teoría de bandas está basada de la teoría de los orbitales moleculares, esta teoría
considera el enlace metálico como un caso extremo del enlace covalente donde los electrones
de valencia se comparten de forma simultanea y conjunta por todos los cationes. Al ocurrir
esto los orbitales atómicos desaparecen y se forman orbitales moleculares con parentesco en
sus energías, su proximidad hace lo que se denomina banda de energía. Por su proximidad
los electrones pueden ocupar cualquier posición dentro de la banda de energía por mas que
deben ir llenando los orbitales moleculares en orden creciente de energía. Esta teoría es
aplicada a cualquier tipo de sólido, en especial a los metales porque en ese material es que se
reflejan sus mayores aciertos. La banda de energía se encuentra en cualquier región del
cristal, por eso es que se define la estructura electrónica del solido como un todo. Cuando la
banda esta formada por los orbitales moleculares vacíos este es denominado banda de
conducción, mientras que si la banda esta ocupada por los orbitales moleculares con los
electrones de valencia entonces estos son denominados banda de valencia. Existe la
posibilidad que ambas capas se cubran de forma energética en algunas ocasiones.
 La teoría de las bandas permite explicar el comportamiento eléctrico de los tres tipos
de sustancia que se pueden dar en los materiales, estos tres tipos de sustancias son las
conductoras, las semiconductoras y las aislantes.

Figura 1, Sustancias conductoras donde las bandas están superpuestas.

Cuando se estudian las sustancias conductoras uno lo primero que piensa son en los
metales, en estos casos los electrones están casi libres por ende pueden conducir la corriente
eléctrica y esto se da debido que la banda de valencia se recubre enérgicamente con la banda
de conducción que esta vacía permitiendo que los orbitales moleculares vacíos puedan ocupar
un mínimo aporte de energía.

Figura 2, Sustancias semiconductoras y aislantes donde hay una banda prohibida.

 Al ver las sustancias semiconductoras y las aislantes se puede ver que en ambos casos
se da una banda prohibida en medio de la banda de valencia y la banda de conducción, esto
pasa ya que las bandas en estos casos no se cubren la una a la otra lo que hace muy difícil el
paso de la corriente eléctrica. La diferencia entre las sustancias semiconductoras y las
aislantes es que la anchura de la banda prohibida en los aislantes es tan grande que no permite
el paso de la corriente eléctrica lo que quiere decir que la banda de conducción siempre este
vacía, mientras que en las sustancias semiconductoras la anchura es mucho más chica lo que
permite que los electrones con suficiente energía cinética puedan pasar de la banda de
valencia a la banda de conducción. Los semiconductores como el silicio o el germanio
conducen mayor corriente eléctrica cuando están calientes porque se dan mayor numero de
electrones que tienen suficiente energía cinética para que se dé la conducción de electricidad.

Uno de los parámetros mas importantes de la teoría de las bandas es la del Nivel de
Fermi que trata del máximo de los niveles de energía de electrones disponibles a bajas
temperaturas. Para la determinación de las propiedades eléctricas es un factor fundamental
conocer la posición del Nivel de Fermi con relación a la banda de conducción. Este parámetro
es el estado energético más alto ocupado por los electrones de un solido al cero absoluto en
términos de temperatura. Para esta temperatura tan baja solo los conductores serán capaces
de pasar electrones de valencia a la siguiente banda, en cambio a nivel que vaya subiendo la
temperatura se podrá ver que los semiconductores también serán capaces de pasar energía de
un lado a otro, pero no al nivel de los conductores que se le hace fácil ese trabajo. Los que
jamás lograrán pasar electrones por mayor temperatura que haya serán los aislantes que no
sirven para pasar los electrones a la banda de conducción. Por ende, en el cero absoluto
ningún electrón puede estar por encima de la banda de valencia ya que ninguno tiene energía
por encima del Nivel de Fermi y no hay estados de energía disponibles en el espacio de banda
para los semiconductores y para los aislantes.

Figura 3, Nivel de Fermi en cada una de las sustancias

En caso de la figura 3 se puede ver de color azul la banda de valencia, de color blanco
la banda de conducción y de color celeste el Nivel de Fermi en cada una de las tres sustancias
que son conductores, aislantes y semiconductores en el orden que se puede observar en la
figura.
PIEZOELECTRICIDAD
En 1881 en un estudio de la composición del cuarzo los científicos Pierre y Jacques
Curie observaron por primera vez lo que hoy se conoce como la propiedad de
piezoelectricidad. Al hacer el estudio saltaron chispas que se dieron por la polarización de la
carga que fue causada por someterlo a una acción mecánica de la compresión que hacen que
las cargas de la materia se separen. La piezoelectricidad se puede ver en cristales que son
sometidos a tensiones mecánicas y por ende adquieren una polarización eléctrica en su masa,
apareciendo cargas eléctricas y una diferencia de potencial en su superficie, en general se
puede ver como la capacidad que tienen ciertos materiales como los cerámicos o cristales en
general para generar energía al ser tensionados, accionados o pulsados. Para que se dé la
piezoelectricidad la polarización, que se da cuando se aplica una presión a un material
dieléctrico lo que causa que sus átomos y moléculas cambien de forma y tamaño formando
dipolos eléctricos, debe producir una diferencia de potencial entre los extremos del material.
Una de las principales características que debe tener la materia presente para que se de la
propiedad de la piezoelectricidad es que se debe cristalizar en sistemas que posean disimetría,
dicho de otra manera, que no tenga centro de simetría y por esta razón que no tenga un eje
polar. Existen 21 clases cristalinas que cumplen con la condición de no tener centro de
simetría, pero de las 21 son 20 las que tienen la propiedad de piezoelectricidad en menor o
mayor medida. Hay que tener en cuenta que existen 32 clases cristalinas, pero no todas tienen
disimetría, a su vez los sólidos, líquidos y gases que no tengan disimetría tampoco tendrán la
piezoelectricidad. Estas propiedades también se pueden dar si se deforman debido a la acción
de fuerzas internas que son sometidas al campo eléctrico. El efecto que es causado por esta
propiedad puede ser reversible, ya que si uno deja de someter los cristales a un campo
eléctrico o voltaje exterior estos cristales recuperan su forma original.

Los materiales piezoeléctricos se pueden dar de manera sintética o natural siempre y

cuando no tengan un centro de simetría. Estos materiales existen en dos grupos que pueden
ser de forma natural o de forma ferroeléctrica que son aquellos que se someten a una
polarización. Algunos ejemplos de los materiales naturales son el cuarzo y la turmalina,
mientras que de materiales ferroeléctrico pueden ser el tanatio de litio, nitrato de litio,
bernilita en forma de materiales monocristalinos y cerámicas o polímeros polares bajo forma
de microcristales orientados. Cuando se estudian los ferroeléctricos se debe saber que todo
material ferroeléctrico es considerado un material piezoeléctrico, lo que hace necesario saber
que estos materiales se dividen en dos tipos de grupos que son los de transición orden-
desorden y los de transición de deslizamiento. Aquellos que son de transición orden-desorden
se asocian a la ordenación de iones y suelen estar presentados en cristales con enlaces de H
en los que las propiedades ferroeléctricas se relacionan con el movimiento de los protones.
Los de transición de desplazamiento se asocian, como lo dice su nombre, al desplazamiento
de una subred de iones de un tipo respecto a otra subred, lo cual se da en estructuras parecidas
a la perovsquita. En el segundo tipo de transición se dan desplazamientos asimétricos de los
iones causados por la polarización, esto quiere decir que el campo eléctrico local crece más
rápido que la fuerza elástica recuperadora sobre un ion.

Para poder estudiar las ecuaciones piezoeléctricas se debe aplicar una tensión
mecánica Z que al cambiar la polarización eléctrica genera un campo eléctrico en el material
causando una aparición de cargas en la superficie. También se da un cambio de momento
dipolar debido a que la tensión mecánica cambia el centro de gravedad de cargas positivas y
negativas. Al aplicar un campo eléctrico en el cristal aparece una deformación mecánica en
el cristal lo que hace que el efecto sea inverso. Al ver estos cristales en una sola dimensión
se utilizan estas ecuaciones:

Estas estudian la aparición de una deformación elástica en el material al aplicar un campo

eléctrico y también la polarización eléctrica que se da en el material al aplicar una tensión
mecánica.
Si se quiere tomar en cuenta las tres dimensiones sus ecuaciones ahora vendrían a ser:

En 1970 comenzó lo que fue el estudio y desarrollo de los polímeros piezoeléctricos

donde su fenómeno piezoeléctrico se veía asociado a las fases cristalinas que ordenan las
cadenas poliméricas de tal forma que presenten un alto momento dipolar rodeado de regiones
amorfas. Este tipo de materiales brindo una importancia practica que consistía de su bajo
costo de producción en laminas de un gran tamaño.

Las aplicaciones mas importantes de los materiales piezoeléctricos son los osciladores
electrónicos de precisión que utilizan la frecuencia natural de resonancia mecánica del cristal
excitada por el voltaje externo, el margen de frecuencia depende del modo de vibración y de
su tamaño. Se ve su aplicación también en unas placas piezoeléctricas situadas en el suelo
que permiten aprovechar las pisadas al caminar para generar energía limpia, lo que hace que
por el simple hecho de andar sobre ellas produzca energía. En los encendedores electrónicos
son utilizados ya que en su interior llevan un cristal piezoeléctrico que debe ser golpeado por
el mecanismo de encendido que causa una chispa que es capaz de encender un mechero. No
se debe olvidar que también se utiliza como un sensor de vibración que debido a una fuerza
ejercida se da proporcionalmente un pulso de corriente que son provocadas por las
variaciones de presión producidas por la vibración.
ELECTROSTRICCIÓN

La electrostricción es una propiedad que se da en todos los dieléctricos y está dada

como un efecto que se puede ver en todos los materiales que se encuentran sujetos a un campo
eléctrico. Cuando estos materiales sufren de polarización sus nubes de iones y electrones se
desplazan causando el desarrollo de una deformación mecánica en el material. Esto se da
cuando una diferencia de campo eléctrico o de potencial que hace que el material se polarice,
sus moléculas y átomos se distorsionen y el material cambie de tamaño. Este es el resultado
de los enlaces entre los iones que varían sus longitudes o de las distorsiones que se dan debido
a la orientación de los dipolos permanentes que se encuentran en el material. Cuando la
electrostricción es cuadrática la piezoelectricidad es lineal con el voltaje, esto se da ya que el
efecto piezoeléctrico está relacionado con la electrostricción en las estructuras cristalinas que
no tienen un centro de simetría.

SUPERCONDUCTIVIDAD
Control de la conductividad en los metales
La conductividad eléctrica se denota por el símbolo Ω (ohm) y es la habilidad que tiene un
material para transportar la corriente eléctrica. Mientras mas conductivo sea un material, mas
electrones dejara pasar a través de este. En un metal esto es el resultado del movimiento de
partículas cargadas eléctricamente. Los átomos de elementos metálicos se caracterizan por la
presencia de electrones de valencia, los cuales son electrones en la órbita exterior del átomo
que son libres para moverse. Son estos electrones libres que permiten que el metal deje fluir
una corriente eléctrica.
 La transferencia de energía es mas fuerte cuando hay poca resistencia. Imaginémonos por
ejemplo una mesa de Billard. La primera colisión va a ser la mas fuerte y de allí el resto de
las colisiones solo llevan una fracción de la energía inicial. De la misma manera, los
conductores mas efectivos de electricidad son los metales que tienen solamente un electrón
de valencia que esta libre para moverse y causa una fuerte reacción de repeler otros
electrones. Este es el caso en los metales más conductivos, como por ejemplo plata, oro y
cobre, que tienen cada uno un electrón de valencia que se mueve con poca resistencia y fuerte
reacción de repeler.

Aquí podemos observar como el electrón de valencia del cobre está solo en la última orbita
Los metales semiconductores tienen un mayor numero de electrones de valencia (por lo
general 4 o más), aunque puedan conducir electricidad, no son muy eficientes en eso. Sin
embargo, cuando son calentados o dopados con otros elementos semiconductores como el
silicón o el germanio, estos se vuelven extremadamente buenos conductores. Cuando a la
estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración, esos
elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo Para hacer
posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio
o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas".
Los semiconductores extrínsecos se dividen en dos tipos, tipo N y tipo P. Si los átomos
añadidos tienen cinco electrones en su última capa el semiconductor se denomina de TIPO
N, por ser potencialmente más negativo que uno sin dopar. En este tipo de materiales tenemos
un quinto electrón que no se recombina con los demás y que, por tanto, está libre y vaga por
el elemento produciendo corriente. Cuando al dopar introducimos átomos con tres electrones
de valencia en un elemento de átomos con cuatro estamos formando un semiconductor TIPO
P, viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente positiva que tienen estos
elementos. Estos átomos "extraños" que hemos añadido se recombinan con el resto, pero nos
queda un hueco libre que produce atracción sobre los electrones que circulan por nuestro
elemento. También se produce una circulación de estos huecos colaborando en la corriente.

Este dibujo nos ayuda a comprender más el comportamiento de materiales semiconductores

tipo N y p
Otra manera de controlar la conductividad de los metales es sometiéndolos a temperaturas
extremadamente bajas. El resultado es lo que llamamos un material superconductor. Este tipo
de material será detalladamente descrito próximamente en la investigación.

Superconductividad

En 1911 mientras se estudiaban las propiedades de la materia a muy bajas temperaturas el

físico neerlandés Heike Kamerlingh Onnes y su equipo descubrieron que la resistencia
eléctrica del mercurio se tornaba despreciable debajo de los 4.2 kelvin. Esta fue la primera
observación registrada del fenómeno de superconductividad.
En esta grafica de resistencia eléctrica vs temperatura podemos observar el comportamiento
de la resistencia del mercurio cuando pasa de 4.2 kelvin. Claramente vemos que tan
despreciable es la resistencia antes de los 4.2 kelvin.

Por debajo de cierta temperatura critica los materiales pasan por una transición a ser
superconductores. Aquí se caracteriza por tener dos propiedades básicas: Primeramente, no
ofrecen ninguna resistencia a la corriente, sin resistencia la corriente puede fluir libremente.
La segunda propiedad es que debido a que un material superconductor es perfectamente
diamagnético, este no permite que los campos magnéticos externos pasen a través de él, sino
que rodean al material, en el caso de que este campo externo no sea lo suficientemente fuerte.
A este fenómeno de repulsión de campo magnético se le conoce como efecto Meissner por
el físico que lo observo por primera vez en 1933.

En esta figura vemos como cuando la temperatura es menor que la temperatura critica del
material, el campo magnético ya no es capaz de penetrarlo.

La física convencional no explica adecuadamente el estado de la superconductividad ni

tampoco la teoría cuántica elemental del estado solido que trata a el comportamiento de los
electrones separadamente de los iones en la red cristalina. No fue hasta 1957 cuando 3
científicos estadounidenses: John Bardeen, Leon Cooper y John Schrieffer, establecieron la
teoría microscópica de la superconductividad. De acuerdo a la teoría BCS, los electrones se
agrupan en pares mediante vibraciones en la red cristalina formando “pares de cooper” que
se mueven en el interior del solido sin fricción. El sólido puede visualizarse como una red
cristalina de iones positivos inmersa en una nube de electrones. Cuando un electrón pasa por
esta red cristalina, los iones se mueven un poco por la atracción de la carga negativa de los
electrones. Este movimiento genera un área eléctricamente positiva que en consecuencia
atrae a otros electrones. La energía de las interacciones de los electrones es muy débil y los
pares de cooper pueden fácilmente separarse por energía térmica. Lo cual explica por que la
superconductividad pasa en temperaturas bajas. Sin embargo, la teoría BCS no ofrece
explicación para la existencia de superconductores de alta temperatura cuya temperatura
critica esta alrededor de los 80 kelvin y mas donde otros mecanismos de acoplamiento de
electrones deben llevarse a cabo.

En estas figuras vemos los comportamientos descritos de los electrones al pasar por la red
cristalina de los iones positivos y vemos como en temperaturas menor a la critica la red
cristalina se distorsiona por el paso de los pares de cooper.

Otra teoría aceptada es la de Ginzburg-Landau la cual a diferencia de la teoría BCS se enfoca

en el material a una escala macroscópica basándose en la ruptura de simetrías en la transición
de fase. La principal ventaja de esta teoría es tiene una mucho mayor predicción de las
propiedades de sustancias que no son homogéneas lo cual puede ser imposible si se ve desde
una perspectiva microscópica.

Ya sabemos que el estado de superconductividad puede destruirse mediante un incremento

en la temperatura o mediante la aplicación de un campo magnético lo suficientemente fuerte
que logre penetrar y disipe el efecto Meissner. Pero una distinción se hace entre dos tipos de
superconductores. Los materiales tipo 1 permanecen en su estado superconductor solo para
campos magnéticos débiles, después de cierto rango, el campo penetra el material quitándole
sus propiedades superconductoras. Los materiales tipo 2 toleran esta penetración del campo
magnético a pesar de que este pueda ser fuerte lo que ayuda a que puedan permanecer con
sus propiedades. Este comportamiento se explica por la existencia de un estado donde áreas
superconductoras y no superconductoras coexisten en el material. Los superconductores tipo
2 han ayudado al desarrollo de tecnologías como magnetos para aceleradores de partículas.
Otras maneras en las cuales podemos clasificar a los superconductores son según:

 Material: Elementos puros, superconductores orgánicos, cerámicas y aleaciones.

 Teoría que los describe: Convencionales si siguen el comportamiento de la teoría
BCS o no convencionales en caso contrario.
 Temperatura critica: Alta temperatura si su temperatura critica es mayor de 77 kelvin
o de baja temperatura si su temperatura critica es menor de 77 kelvin.

Los superconductores nos ofrecen soluciones a varios problemas de la actualidad. Por

ejemplo, en trenes de levitación magnética ya que los imanes superconductores son unos de
los electroimanes mas poderosos conocidos. También en máquinas de resonancia magnética
nuclear de hospitales.

En la figura podemos observar el prototipo del nuevo tren de levitación magnética construido
por China
Entre otras aplicaciones tenemos:
 Transformadores
 Motores y generadores
 SQUID (Dispositivo superconductor de interferencia cuántica)
 SMES (Almacenamiento de energía magnética superconductora)

Acelerador de partículas, otra aplicación de los superconductores

 SEMICONDUCTORES

Como la misma palabra indica, no son aislante ni conductores. Los semiconductores pueden
ser definidos como aquellos materiales que se comportan como conductores solo en
determinadas condiciones, en otras condiciones se comportan como aislantes. Por eso se dice
que están en un punto intermedio entre los conductores y los aislantes. Esto quiere decir que,
de acuerdo a determinados factores, el semiconductor actúa a modo de aislante o como
conductor. Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son
conductores, pero por debajo de esa temperatura, son aislantes.

Otros factores que pueden influir en la conductividad de los semiconductores son la presión,
presencia de un campo magnético o eléctrico o una radiación incidiendo sobre el
semiconductor.

En electrónica son muy importantes ya que muchos componentes electrónicos se fabrican

con semiconductores debido a su fiabilidad, su eficiencia y bajo coste.
Para entender cómo funcionan los semiconductores tenemos que conocer como están
formados los átomos de los elementos. Todo átomo se compone de protones, con carga
positiva, y los neutrones, solo con masa y sin carga eléctrica. Fuera del núcleo, girando sobre
órbitas se encuentran los electrones, con cargas negativas

Cualquier átomo tiene el mismo número de protones en su núcleo que electrones girando en
órbitas alrededor del núcleo. La carga positiva de los protones se anula con la negativa de los
electrones, por eso el átomo, en su estado normal, tiene carga eléctrica nula.

Pero no todos los átomos son iguales. Cada elemento tiene diferentes átomos, pero todos
están formados por las mismas partículas: protones, neutrones y electrones. Solo se
diferencian en el número de ellas. El número de protones o electrones determina el número
atómico del elemento.

Los electrones son las partículas que realmente importan para estudiar la conducción
eléctrica. La corriente eléctrica es un movimiento de electrones. Si movemos los electrones
de los átomos de un material a otro, conseguiremos generar corriente eléctrica por él.
Es importante entender que en un conductor, es posible mover los electrones de un átomo
otro, mientras que en los aislantes o no se pueden mover o son muy difíciles de mover.
Dentro de todos los electrones de un átomo, los electrones que más fácil nos resultaría
hacerles abandonar el átomo son los que se encuentran en la última capa u órbita del átomo.

Cada órbita o capa en la que giran los electrones está situada en lo que se llama una banda de
energía. Los electrones que están girando en una banda, tiene la misma energía que esa
banda. Para pasar un electrón de una banda de energía a otra necesitamos suministrarle
energía para que se produzca el salto. Los electrones más cercanos al núcleo están muy
unidos a él y tienen poca energía. Los más externos son las que tienen más energía, pero los
que resulta más fácil hacerles abandonar el átomo, porque precisamente son los más alejados
y menos unidos al núcleo.

Para que un electrón de las capas más próximas al núcleo sea capaz de abandonar el átomo,
tendríamos que ir pasándolo de capa en capa hasta llegar a la última capa. Es
decir, necesitaríamos ir suministrándole energía para pasar de una capa a otra hasta llegar a
la más externa. Inicialmente, tienen poca energía y pasarían a mucha energía al llegar a la
capa más externa. Esto sería muy difícil de hacer, por este motivo, estos electrones no se usan
para abandonar el átomo y provocar corriente eléctrica. Solo se usan los electrones de la
última capa, llamados electrones de valencia. Estos son los que utilizaremos para hacerles
abandonar el átomo, que pasen a otro y provocar corriente eléctrica por el material.
Estos electrones de la última capa, la más externa o de valencia, todavía tenemos que lograr
que abandonen esta capa para que dejen por completo al átomo. Es como si tuvieran que
saltar una última capa. Esta capa la llamaremos de banda conducción. Sería esa capa de
conducción, la que tendría que saltar un electrón de la última capa para hacerle abandonar
por completo el átomo.

Para lograr dicho salto, es necesario aplicarle energía al sistema. Hay materiales que esta
capa de conducción, sería muy grande, les costaría mucho abandonar el átomo, incluso
estando en la última capa o banda. Estos materiales son los aislantes. Si es muy fácil hacerles
saltar esta capa, que pasen de la de valencia a la de conducción, se llamaría conductor.

En los aislantes un electrón de la capa de valencia no podríamos pasarlo a la de conducción,

es demasiado difícil o ancha. En los conductores no hay capa prohibida, los electrones de
valencia pasarían muy fácilmente a la de conducción.

Los semiconductores tienen una dificultad intermedia para pasar los electrones de valencia a
la de conducción. En la mayoría de ellos es necesario suministrarles energía en forma de
calor, por ejemplo, para que pasen de la de valencia a la de conducción. Es decir, convertirles
en materiales conductores.

Un semiconductor se caracteriza por tener una banda prohibida, entre la de conducción y la

de valencia, pero no muy ancha.

Características de Semiconductores
Tenemos que decir que cuando arrancamos un electrón al átomo, este se desequilibra,
pasando a tener carga positiva. Esto es lo que se conoce como ionización, ya que lo
convertimos en un ión positivo o catión. Si, por el contrario, el átomo no tiene su última capa
llena y, por cualquier circunstancia le llega un electrón nuevo a esta capa, quedará cargado
negativamente. Se convierte en un Ion negativo o anión.

El carbono, el silicio, el germanio y el estaño tienen en su última capa 4 electrones, se les

llama tetravalente, porque pueden ceder 1, 2, 3 o 4 electrones.

Lógicamente un material está formado por millones de átomos, unidos mediante enlaces.
Todos los semiconductores son materiales que tienen su átomos unidos por enlaces
covalentes. Comparten los electrones de su última capa de 2 en 2.

Uno de estos electrones compartidos entre dos átomo por medio el enlace covalente, será el
que tengamos que arrancar. Una vez este electrón abandona el átomo, deja un hueco o
espacio
Producción de pares electrón-hueco

Cuando un electrón se marcha del átomo rompe el enlace covalente de pares de electrones y
dejará un hueco vacío. Este hueco puede lo ocupará, otro electrón que hubiera abandonado
otro átomo cercano a él. Así que se van generando huecos y estos huecos se van rellanando
por otros electrones de otros átomos. Así es como pasa la corriente por los semiconductores,
pares electrón-hueco.

Los dos materiales que más se usan para fabricar semiconductores son el Germanio y el
Silicio. Por la cantidad de impurezas que posean, se pueden clasificar en intrínsecos y
extrínsecos.
Semiconductores Intrínsecos

Son los que prácticamente carecen de

impurezas; un átomo de impureza por cada 10 elevado a 11 átomos del semiconductor.
Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones de
valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta
manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa., formando una red cristalina,
en la que la unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha
red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el material en circunstancias normales se
comporta como un aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta).
A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía
calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina,
convirtiéndose en electrones libres

Estos semiconductores, que se pueden considerar casi puros, la conducción se realiza por
pares electrón-hueco, producido por generación térmica, de modo que cuanto mayor es el
calor, mayor es la cantidad de portadores de carga libre generados (electrones-huecos) y
menor su resistividad, siendo esta a temperatura ambiente (27ºC) de:

- Germanio = 60 ohmios por centímetro.

- Silicio = 150.000 ohmios por centímetro.

El Germanio tiene un ancho de banda prohibida de 0,72 eV (electrón voltios) y el Silicio de

1,12 eV.
Los semiconductores intrínsecos se usan como elementos sensibles a la temperatura, por
ejemplo, una termorresistencia (PTC o NTC)
Semiconductores Extrínsecos

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de

impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros elementos con el
fin de aumentar su conductividad.

Los extrínsecos son los que poseen un átomo de impureza por cada 10 elevado a 7 átomos de
semiconductor. Además estos átomos de impurezas, más numerosos que en los intrínsecos,
suelen tener 3 o 5 electrones de valencia, con el fin de que les sobre o les falte un electrón
para completar los enlaces covalentes con los átomos del material semiconductor

Al tener portadores independientes de la generación térmica, la resistividad de estos es menor

que la de los intrínsecos. Este tipo de semiconductores no se suelen usar para conducción por
calor, para eso están los intrínsecos.

- Germanio = 4 ohmios por centímetro.

- Silicio = 150 ohmios por centímetro.

Según la impureza se dividen en:

 Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia)

como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4
electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces
covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el paso de electrones que no
pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P también se le denomina donador de
huecos (o aceptador de electrones).

 Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5

electrones de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán
fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo, el material
tipo N se denomina también donador de electrones.
 MANUFACTURA Y FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Primero comenzaremos definiendo que es un dispositivo semiconductor, que no es
mas que un dispositivo que se puede comportar como conductor o como aislante dependiendo
de factores como el campo eléctrico, el campo magnético, presión, radiación, temperatura,
etc. Normalmente se utiliza en el campo de la electrónica y los materiales más utilizados son
el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Antes de la utilización de los dispositivos
semiconductores se usaban tubos al vacío. Estos consistían en tubo que se usaba para
amplificar o modificar una señal mediante el control del movimiento de los electrones en un
espacio vacío o de muy baja presión, utilizando la presencia de ciertos gases especialmente
para esto.

Estos dispositivos semiconductores son fabricados como dispositivos individuales

discretos, es decir como circuitos integrados, que como podemos saber por nuestros cursos
de fundamentos de electrónica y circuitos lógicos que son miles o millones de dispositivos
ajustados en una sola pieza o sustrato semiconductor.

Sabemos que los dispositivos electrónicos semiconductores son dopados con

diferentes elementos y esto pueden ser clasificados como:

 Tipo N: Se le llaman así cuando posee átomos de impurezas que permiten la aparición
de electrones sin huecos asociados a los mismos semiconductores. Los átomos de
este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser del
Grupo V de la tabla periódica, como el Arsénico y el Fósforo. De esta forma, no se
ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al
semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos
que conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria para separarlo
del átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal
de silicio.
A continuación, presentaremos un ejemplo de un dopaje con fósforo:
  Tipo P: Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como
ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que
"aceptan" o toman un electrón. Suelen ser del grupo III de la tabla periódica, como
el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo
que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres
electrones en su última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a
tomar electrones de los átomos próximos, generando finalmente más huecos que
electrones, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos
los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
A continuación, se presenta un ejemplo de dopaje con Boro:

Estos dopajes son modificaciones mecánicas en una rejilla monocristalina del silicio.

El silicio monocristalino es el material base de la industria electrónica y está

compuesto de silicio en el que la estructura cristalina de la totalidad del sólido es continua
sin bordes de grano, como el nombre monocristal lo indica. Como podemos saber de lo que
hemos estudiado en este curso, cuando se tiene un policristal, o sea, que tiene deformaciones
en su estructura física, podemos llevarlo a un monocristal con diferentes tipos de
tratamientos, en este caso, el tipo de tratamiento que se usa es el proceso Czochralski.

El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el

semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté
justamente por encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se
introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del
mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del
semiconductor fundido, éste se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina
orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va
elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa
el lingote de la varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo.
 Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de
rotación, es posible extraer un solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de
estas propiedades se puede regular el grosor de los lingotes.

Estos dopajes se conocen como tipo de manufacturas para materiales

semiconductores.
La fabricación de materiales semiconductores tiene varios puntos:
Un exceso de humedad provoca corrosión, condensación sobre las superficies y
inadecuada implantación de fotorresistencias, provocando fallos en el proceso de
ensamblado. Para conseguir las condiciones adecuadas de trabajo en las salas secas y las salas
limpias, los deshumidificadores son imprescindibles.

1. El control de la humedad previene

 La corrosión sobre los puntos del circuito
 La condensación sobre la superficie de microchips
 La degradación de los equipos
 La inadecuada adhesión de fotorresistencias
Además, el control de la humedad es obligado en las siguientes áreas:
2. Área de ensamblado

En la producción de semiconductores y circuitos integrados, el exceso de humedad afecta,

negativamente, al proceso de soldadura e incrementa los defectos. Los componentes de
polímero fotosensibles, llamados fotorresistencias, son utilizados para enmascarar pistas de
circuitos en el proceso de grabado. Debido a su naturaleza higroscópica absorben humedad
provocando el corte o puente entre pistas, originando fallos en el circuito.
3. Área de fabricación de obleas

Durante la fabricación de obleas, los centrifugadores recubren la oblea con un revelador,

provocando la evaporación rápida del disolvente y, por tanto, el enfriamiento de la superficie
de la oblea. Esto origina condensación de vapor de agua del aire sobre la superficie. Esta
cantidad extra de agua causa la alteración de las características del ‘developer’. El polímero,
también, absorbe humedad lo que provoca que la resistencia aumente. Controlando la
humedad relativa se elimina la posibilidad de enfriar la superficie de la placa por debajo del
punto de rocío del aire ambiental, previniendo fallos y deshechos por calidad.
4. Salas de fotolitografía

Un excesivo nivel de humedad dentro de la sala de fotolitografía provoca que la sílice

absorba humedad, causando la inapropiada implantación de las fotorresistencias. Esta
situación puede originar fracturas y defectos en la superficie.

Todos estos puntos mencionados son puntos que se tienen en cuenta en las fabricas de
dispositivos semiconductores al momento de diseño de la misma.
Ahora a continuación, mencionaremos consideraciones que se toman para la manufactura del
material como tal.

Aleación

El dopante que queremos introducir se pone en contacto con el semiconductor, a los

cuales se le pone a una temperatura alta para poderse producir la aleación. El dispositivo
ocupa un 1% del espesor total de la oblea, por tanto, hay un 99% que no se aprovecha, esta
zona "muerta" además da problemas de funcionamiento del dispositivo. En esta sección no
se controla la introducción de dopantes y se tiene que reducir la zona muerta.

Difusión Planar-Epitaxial

Partimos de un cristal fuertemente dopado, al cual se le hace crecer una capa epitaxial,
de semiconductor con un dopado menor. Posteriormente se oxida el Si, de forma que
obtenemos SiO2. Se abren huecos en el óxido para que las impurezas entren donde nosotros
queremos. El dopante se introduce en todas las direcciones de forma que no es igual el área
de la superficie a la proyectada. Con este proceso hemos resuelto el problema de la zona
muerta. En esta sección tenemos problemas de difusión lateral y si esta dimensión se reduce
puede hacer que tengamos una unión en los dispositivos.
Crecimiento de cristales

El primer problema que tenemos es conseguir Si con un alto grado de pureza, para
poder fabricar Si cristalino. La densidad efectiva de átomos debe ser 10 23, para el purificado
se hace reaccionar con clorhídrico en fase vapor, y después de varias reacciones (Destilación
fraccionaria), obtenemos lo que se llama Si electrónico. Una vez conseguido esto ya podemos
darle una estructura cristalina.

Los dispositivos que usan estos materiales semiconductores son:

1. Diodos
Es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente
circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica, sino
que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una
a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización

inversa).

2. Transistores
Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglésde transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

3. Mosfet
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-
Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)
se debe a la constitución del propio transistor.
 AISLAMIENTO Y PROPIEDADES DIELECTRICAS

AISLAMIENTO
Aislamiento eléctrico quiere decir, la implementación de un material que no es conductor (se
resiste al paso de la corriente) y alberga a un material conductor, para que no esté expuesto
al medio.
Existen distintos tipos de aislamiento para conductores eléctricos dependiendo de la utilidad
que se le dé al conductor. Por lo tanto, los materiales correspondientes al aislamiento deben
cumplir con características específicas.
 cables conductores
Con el pasar del tiempo se fueron diseñando diferentes aislamientos que pudieran soportar
altas temperaturas y tengan mejor aislamiento. Se diseñó un material capaz de recuperarse
de forma rápida y fácil luego de sufrir deformaciones mecánicas, corresponden a los
elastoméricos, polietileno, termoplásticos.
El polietileno da lugar al mejor grupo de propiedades que se pueden esperar en un aislamiento
sólido: alta rigidez dieléctrica, bajo factor de potencia y constante dieléctrica, alta resistividad
volumétrica. Sus propiedades mecánicas son buenas. Su temperatura de operación equivale
al 75°C y tensiones de 600V o 1KV.
Otro material corresponde al papel aislante se coloca en las capas con un espesor de
aislamiento adecuado. Entra en un secado de vacío que extrae humedad y luego a un proceso
de impregnación con aceite con altas propiedades dieléctricas. Y se le aplica una cubierta de
plomo. Ésta cubierta se dilata cuando el compuesto se expande. Cuando el cable se enfría, el
compuesto se contrae, pero la cubierta de plomo no por la inelasticidad, dando como
resultado formación de cavidades llenas de aire.
Es el aceite que le da las buenas propiedades dieléctricas, aunque sea viscoso hay riesgo que
haya diferencia de en temperaturas a lo largo del cable o desniveles, por emigración del
aceite. Y se da un empobrecimiento dieléctrico en ciertas zonas y hay un rompimiento de
rigidez.
-Factor de potencia, % 0.5 – 2
-Constante dieléctrica, SIC 3 – 5
-Constante de resistencia de aislamiento, K,
-M^-km 3 000
-Rigidez dieléctrica, c.a., kV/mm 22
-Rigidez dieléctrica, Impulsos, kV/mm 73

 Aislamiento para transformadores de potencia

 Aislamiento en centrales eléctricas
El aislamiento en este caso debe soportar cargas mecánicas, la cual es la que se transmite al
apoyo. Se aisla eléctricamente los apoyos soportando tensión, tanto por el material como la
superficie y aire que rodea al aislador.
Características de los aislantes para el uso en líneas eléctricas son:
 Adecuada tensión de perforación: alta rigidez dieléctrica para que sea una alta tensión
de perforación.
 Adecuada tensión de contorneamiento: debe ser alta esta tensión para evitar las
descargas entre conductores y apoyo a través de los aislantes.
 Resistencia a la variación de temperatura. Ya que está a la intemperie está expuesto a
otra temperatura y no puede darse una transferencia.
 Ausencia de envejecimiento durante el periodo de vida útil.
 Resistencia combinada adecuada a esfuerzos eléctricos y mecánicos.
Materiales en aisladores
Aislamiento de porcelana.
 Resistente a compresión
 Buen aislamiento para líneas eléctricas aéreas.
Aislamiento de vidrio
 Elevada dureza, resistencia mecánica
 Estabilidad ante cambios de temperatura
 Costo inferior a la porcelana
Aislamiento compuesto
 Se refiere al vidrio y cerámica, resulta una solución eficaz y económica, para los
problemas de contaminación del aislamiento.
 Figura #. Material de los aisladores para centrales eléctricas
Tipos de aisladores
Aisladores de campana
 Se emplean en entornos de tensión baja y media.
 Pueden ser de vidrio y porcelana
 No suelen encontrarse de forma aislada, sino varios unidos formando una cadena.
También se denominan aisladores de disco.
Aisladores de barra
 Se emplean en entornos de tensión elevada.
 Pueden ser de porcelana y mixtos
 Tiene forma alargada capaz de resistir a los elevados esfuerzos de flexión y
compresión, debido a altas demandas de tensión.

Figura # aislamiento de barra

 PROPIEDADES DIELECTRICAS DE LOS MATERIALES
Material dieléctrico

Hace referencia a un material con baja conductividad o altos en resistividad y con una buena
constante dieléctrica. Todos los materiales dieléctricos tienen características aislantes, pero
no todos los aislantes tienen propiedades dieléctricas. Si a un material dieléctrico se le
aumenta el campo eléctrico que pasa por el dieléctrico, entonces este material puede ser
conductor ya que ha sobrepasado el campo de ruptura.

 No tiene electrones libres en su estructura

 Sus electrones están fuertemente ligados a los núcleos
 Sus moléculas tienen igual número de cargas positivas y negativas
Los materiales dieléctricos que se utilizan tienen diferentes grados de permitividad. Estos
pueden ser sólidos, líquidos o gases.

Figura #. Materiales dieléctricos solidos

Los sólidos corresponden a los materiales dieléctricos más utilizados al ser muy buenos
aislantes. Tales como: la porcelana, cristal, madera.
Entre los de tipo gaseoso, está el aire, nitrógeno y hexafluoride de sulfuro.
Los materiales dieléctricos tienen una gran utilidad, para los condensadores es necesario ya
que se requiere la separación física de sus placas para poder disminuir el campo eléctrico y,
por ende, la diferencia de tensión entre sus placas.
No se puede aumentar de forma indefinida el campo eléctrico al que está sometido el material
dieléctrico, ya que se puede generar una descarga eléctrica.
Esta máxima intensidad de campo eléctrico existe hasta la ruptura por lo tanto se debe
conocer la rigidez dieléctrica que depende de:
 Espesor de material: la rigidez aumenta mientras aumenta el espesor del material
 Homogeneidad del material: que no sea homogéneo puede causar ciertas variaciones.
En un material sólido, si existe una imperfección pueden darse descargas eléctricas.
Si es liquido o gaseoso, se puede afectar la rigidez.
 Nivel de tensión
 Presión de los gases
En el caso de los transformadores de potencia, consiste en establecer las características y
dimensiones de cada aislamiento utilizados, para poder considerar que el material que se esté
utilizando es el correcto.
Para determinar la calidad del asilamiento, los materiales dieléctricos se evaluarán en base a
unos criterios planteados. Tales como:
 Espesor del cartón de bobinas entre núcleos
 Espesor del espació entre la bobina de alta y baja tensión
 Espesor y distancia de fase
 Espesor del aislamiento de la bobina a núcleo
Pruebas dieléctricas básicas a materiales dieléctricos
Se efectúan pruebas de resistencia de aislamiento que ha sido desarrollada para poder
establecer el aislamiento eléctrico que corresponde a un valor para poder conocer el
aislamiento del material dieléctrico.
Existen diferentes métodos para poder conocer esta calidad de aislamiento. Estos pueden
ser: medición por espectroscopía dieléctrica de baja frecuencia, medición de corriente de
polarización. Pueden darse ciertas variaciones por varios factores de diseño. Temperatura o
sequedad.