U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA
Y DE TELECOMUNICACIONES.

APELLIDOS Y NOMBRES: MATRICULA:

Chui Altamirano, William Alejandro 17190169

CURSO: TEMA:

LABORATORIO DE Informe Laboratorio n°06

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Circuitos con transistores
II jfet(Efecto campo).

INFORME: FECHAS: NOTA:

final REALIZACIÓN: ENTREGA:

NUMERO: Viernes 09 DE Viernes 16 DE

Noviembre Noviembre
6 DEL 2018 DEL 2018

GRUPO-HORARIO: PROFESOR:
 ING. ALFREDO MEDINA
Viernes (08 pm-10 pm)
CALDERÓN

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

**FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA**

CURSO: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I.

EXPERIENCIA N° 07.

CIRCUITOS CON TRANSISTORES JFET (EFECTO CAMPO).

I. INTRODUCCIÓN:
El transistor de efecto de campo (JFET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de
tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden,
en gran parte, con aquellas correspondientes al transistor BJT.
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor
JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente Ic la es
una función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID ser una función del
voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso la corriente de la salida del
circuito se controla por un parámetro del circuito de entrada, en un caso un nivel de
corriente y en otro un voltaje aplicado.
 Las características principales son:
 La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal
de control.
 Una señal muy débil puede controlar el dispositivo.
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

 Estructura del Transistor JFET:

Los transistores son tres zonas Semi-conductoras juntas dopadas alternativamente
con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de
tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión
afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y
depende de la tensión inversa (tensión de puerta).
  Transistor JFET Canal N: Transistor JFET Canal P:

 Aplicaciones:
 Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono.
 Amplificador de baja frecuencia
 Capacidad pequeña de
acoplamiento.
 Audífonos para sordera,
transductores inductivos.
 Mínima variación de frecuencia.
 Generadores de frecuencia
patrón, receptores.
 Circuito MOS digital
 Integración en gran escala,
computadores, memorias, ETC.

II. PROCEDIMIENTO:
1. Realizamos el siguiente circuito en el protoboard y medimos VDD, VGS, Vo, VS,
VDG, VDS, Vo/Vi.

Circuito N°01:

RD= 1k Ω

RS= 100 Ω

RS(POT)= 1K Ω

RL=1K Ω

Sea el siguiente circuito:

Tenemos las siguientes medidas del Circuito anterior: Q(Transistor)=K30.

Tabla N°01

VDD VGS Vo VS VDG VDS Vo/Vi

17 V -0.17 485 mVpp 135 mVpp 11.4 V 11.3 V 4.95 V

Entonces, comprobamos:
V GS=−V DG +V DS
V GS=(−11.4 ) + ( 11.3 )

V GS=−0.1 V

Donde: En los valores Experimentales, tenemos una diferencia entre (-0.17) y (-0.1).

V GS=−V DG +V DS
III. CONCLUSIONES:
 Los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con un
pequeño margen de error debido a las resistencias o a las características del FET.
 Se pudo comprobar que la corriente del Drenador que depende del voltaje Gate
(D) y de Surtidor (S), obedece casi exactamente a la ecuación de Shockley.
Id=IDss(1-VGS/Vp2)

 Se puede observar que la curva característica a la salida del FET es muy similar a la
de un BJT.
 Puedo decir que para que las mediciones de esta práctica sean aceptables y tengan
el menor número de errores en las mismas con respecto a los cálculos tuvimos que
ajustar las resistencias lo más posible a las calculadas teniendo en algunos casos
que poner las resistencias en serie o en paralelo ya que los valores de las mismas si
se alejaban mucho cambian los valores de corriente y voltaje a rangos que no son
aceptables; es decir que para el Transistor FET funcione correctamente las
resistencias deben ser lo más exactas posibles.
 Los valores de los JFET pueden ser diferentes, aunque sean del mismo tipo por lo
que primero tuvimos que obtener los valores medidos, en este caso utilizamos el
Transistor JFET 2N3921 y el K30 en la experiencia.