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2: TRISTOR DE CONDUCCION INVERSA (RTC)

 Funcionamiento: Estos se utilizan con cargas inductivas de tal manera que se


optimice el funcionamiento de la carga a su vez mejorar los requerimientos de
apagado del tiristor al activarse el diodo del montaje.

 Aplicación: Cambiadores de frecuencia, Inversores.

 Bidireccional.

3: TIRISTOR DE INDUCCION ESTATICA (SITH).

 Funcionamiento: Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje


positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al
aplicarle un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de
portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja
resistencia en estado activo, así como una baja caída de potencial, y se
puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más altas.

 Aplicación: Regulación de velocidad de motores.


 Unidireccional
4: RECTIFICADOR FOTOACTIVADO CONTROLADO DE SILICIO (LASCR)

 Funcionamiento: Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz


sobre el disco de silicio. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la
radiación producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo
eléctrico. La estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas
(por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un
circuito puede ser reconocido por la simbología que muestra la figura I. Como se
observa el mismo cuenta con tres terminales Puerta (G), Ánodo (A), Cátodo (K)
y una ventana transparente por donde entra la luz.

 Aplicación: Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente,


por ejemplo, transmisión de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de
potencia reactiva estática o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece
total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto
como unos cuantos cientos de kilovoltios.

 Unidireccional

5: TIRISTOR ABIERTO POR MOS (MTO)


 Funcionamiento: Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, que puede
ser activado mediante la aplicación de un pulso negativo a su puerta con respecto
al ánodo. El impulso negativo se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya fuga
de corriente a través de la unión base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende.
La acción regenerativa en Q1 Q2 ÿ convierte la conducción en MCT on completo
dentro de un tiempo muy corto y la mantiene incluso después del pulso de entrada
se elimina. El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading dando una alta
capacidad de dI = dt y la facilidad de protección contra la sobretensión. ¿La
resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de un tiristor
equivalente debido a la degradación de la eficiencia de la inyección de N? emisor
= p-base de la unión. Además, la corriente de pico MCT es mucho más alto que
el promedio o calificación de la corriente eficaz. MCT se mantendrá en el estado
ON hasta que la corriente se invierte el dispositivo o un pulso a su vez-off se aplica
a su puerta. La aplicación de un impulso positivo a su puerta se apaga la
realización de un MCT. El impulso positivo se convierte en el NMOSFET (Off-
FET), desviando así la base de Q2 (PNP) hacia el ánodo de la MCT y la ruptura
del enganche de la acción SCR. Esto evita que la realimentación en el SCR y
apaga la MCT. Todas las células dentro del dispositivo se apagan al mismo tiempo
para evitar un súbito aumento en la densidad de corriente. Cuando el FET Off-
están activados, la sección de SCR es muy corto y esto se traduce en una alta dV
dt = calificación de la MCT. La corriente más alta que se puede apagar con la
aplicación de un sesgo de la puerta se llama controlable corriente máxima. El
MCT se puede controlar la puerta si el actual dispositivo es menor que el actual
máximo controlable. Para corrientes de dispositivo más pequeño, el ancho del
pulso de apagado no es crítico. Sin embargo, para las grandes corrientes, el pulso
de la puerta tiene que ser más amplia y más a menudo tiene que ocupará la
totalidad del tiempo de parada del interruptor.
 Aplicación: El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales
se encuentran en la zona de ac-dc y la conversión de corriente alterna-alterna,
donde la entrada es de 60 Hz de corriente alterna. Funcionamiento variable del
factor de potencia se logró mediante el MCT como una fuerza conmutado de
interruptor de alimentación. Debido a la frecuencia de conmutación es baja, las
pérdidas de conmutación son insignificantes. Debido a la caída directa es baja, las
pérdidas de conducción son también pequeñas. La MCT también se utiliza en los
interruptores. Comparación de los MCT con otros dispositivos de potencia
 Unidireccional.
6: TIRISTOR ABIERTO POR EMISOR (ETO).

 Funcionamiento: Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de


encendido, este pulso enciende el transistor npn que a su ves enciende al
transistor pnp y retiene al MTO. Para apagar el MOT se aplica un pulso de
voltaje en la compuerta MOSFET al encenderse esta, se pone en corto en emisor
y la base del transistor npn detenido así el proceso de retención.

 Aplicación:
 Unidireccional.

7: TIRISTOR CONMUTADO DE COMPUERTA INTEGRADA (IGCT).

 Funcionamiento: El encendido se realiza aplicando una corriente de encendido


a su compuerta, Se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso.

 Aplicación: Se utiliza en motores de media tensión, interconexiones de redes


eléctricas y compensadores estáticos.

 Unidireccional.