SECCIÓN TEC.

DEL DEPARTAMENTO DE ENERGIA Y

ELECTRONICA

CARRERA DE TECNOLOGIA EN ELECTROMECANICA

NRC:
4231

ASIGNATURA:

INSTRUMENTACION Y SENSORES

PRÁCTICA Nro. 2
TEMA:
SENSOR FOTOELECTRICO

INTEGRANTES:

CAJAMARCA KAROL

DOCENTE:

ING. ADRIAN AVILA

FECHA:
2019/04/26
 1. TEMA: SENSOR FOTOELECTRICO
2. OBJETIVOS

2.1.-GENERAL:
Verificar el funcionamiento del sensor fotoeléctrico determinando sus características y efectos
para la aplicación en circuitos electrónicos.
2.2.-ESPECÍFICOS:

 Reconocer la estructura externa y datasheet del transductor fotoeléctrico.

 Ensamblar circuitos para comprobar el funcionamiento de la fotorresistencia
mediante diferentes niveles de luz.
 Analizar el comportamiento de la fotorresistencia ante diversos niveles de luz.

3. MARCO TEÓRICO
3.1-¿Qué es la fotorresistencia (LDR)?
El LDR (Light Dependent Resistor) o fotoresistencia es una resistencia que varía su
resistencia en función de la luz que incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea la intensidad
de la luz que incide en la superficie del LDR menor será su resistencia y cuanto menos luz
incida mayor será su resistencia.

3.2.-¿Cómo funciona un LDR?

Cuando la LDR no está expuesta a radiaciones luminosas los electrones están firmemente
unidos en los átomos que la conforman pero cuando sobre ella inciden radiaciones luminosas
esta energía libera electrones con lo cual el material se hace más conductor, y de esta manera
disminuye su resistencia.
Las resistencias LDR solamente reducen su resistencia con una radiación luminosa situada
dentro de una determinada banda de longitudes de onda. Las construidas con sulfuro de
cadmio son sensibles a todas las radiaciones luminosas visibles, las construidas con sulfuro
de plomo solamente son sensibles a las radiaciones infrarrojas.
3.3.-Material de Fabricación
Los materiales fotosensibles más utilizados para la fabricación de las resistencias LDR son,
el sulfuro de talio, el sulfuro de cadmio, el sulfuro de plomo, y el seleniuro de cadmio.
3.4.- Valor Óhmico
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en la oscuridad
valores cercanos al MegaOhm (1MΩ) y expuestas a la luz mediremos valores en el entorno
de los 100Ω.
3.5.- Símbolo

3.6.-Aplicaciones
Se emplean en iluminación, apagado y encendido de alumbrado (interruptores
crepusculares), en alarmas, en cámaras fotográficas, en medidores de luz. Las de la gama
infrarroja en control de máquinas y procesos de contaje y detección de objetos.
3.7.-Principales características de las fotoresistencia
o Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz
brillante.
o Disipación máxima, (50 mW-1W).
o Voltaje máximo (600V).
o Respuesta Espectral.
o El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima de segundo.
3.8-Ventajas de las fotoresistencias
o Alta sensibilidad (debido a la gran superficie que puede abarcar).
o Fácil empleo.
o Bajo costo.
o No hay potencial de unión.
o Alta relación resistencia luz-oscuridad.
3.9.-Desventajas de las fotoresistencias
o Respuesta espectral estrecha.
o Efecto de histéresis.
o Estabilidad por temperatura baja para los materiales más rápidos.
 o La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de
oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en
aplicaciones en las que la señal luminosa varía con rapidez.
o Respuesta lenta en materiales estables.
4. MATERIALES
 Fotoresistencia
 Led
 Transistor 2n2222
 CI LM741
 Resistencias
 Fototransistor
 Lámpara de 6Vdc
 Fuente de Alimentación
 Voltímetro, amperímetro
 Protoboard
 Cables de conexión
5.-PROCEDIMIENTO
5.1.-Coloque la lámpara cerca de la Fotoresistencia (2 cm). Mida la resistencia de tenia con
diferentes niveles de intensidad y anótelos en la tabla 1.

Tabla 5.1
Nivel de voltaje en la lámpara Resistencia Medida(Ω)
En obscuridad 100
0V (al ambiente) 93.5
1V 96.0
2V 95.9
3V 94.7
4V 93.0
5V 91.8
5.2.- Implemente el circuito de la figura siguiente coloque RF = 10K.
Pase la mano sobre la fotoresistencia y observe la variación en el voltaje
de salida. Describa lo que sucede.

Al aumentar la luz en la Fotoresistencia el voltaje a la salida del operacional está

saturado porque la ganancia aumenta, pero al estar en la obscuridad el voltaje baja
ya que la ganancia se hace menor que 1.
Vo= -Rf*Vin/RLDR
Nivel de voltaje en la lámpara Condición normal(V) de salida Condición tapada(V) de salida

1V 6.1 6
2V 6.2 5.9
3V 6.3 6.1
4V 6.5 6.3
5V 6.7 6.5
Tabla5.2
5.3.- Arme el circuito indicado en la figura.

5.3.-Pase la mano por encima de la Fotoresistencia y examine el efecto de la

sombra en el estado de la lámpara.
Con luz en la Fotoresistencia baja la resistencia, aumenta la corriente en la base y el
transistor se cierra esto hace que se prenda el foco, y al estar en obscuridad la resistencia
 aumenta baja la corriente de la base y el transistor se abre y el foco se apaga.
Nivel de voltaje en la lámpara Condición normal(V) Condición tapada(V)

7V 7.27 1.33
Tabla 5.3
5.4.- Intercambie las posiciones de la resistencia R2 y la Fotoresistencia. Cómo se
comporta ahora el circuito.
Con luz baja la resistencia y hace que la corriente de la base disminuye el transistor se trata
de abrir y la lámpara casi se apaga, cuando está en la obscuridad aumenta la resistencia la
corriente de la base aumenta y el transistor trata de cerrarse y la lámpara se prende.
Nivel de voltaje en la lámpara Condición normal(V) Condición tapada(V)

7V 7.32 7.0
Tabla5.4

6.- ANÁLISIS DE RESULTADOS

Análisis de tabla 5.1

Análisis de tabla 5.2

7.- COMENTARIOS Y CONCLUSIONES
7.1.-Qué aprendió en esta práctica?
Las fotorresistencias8 son un sensor que varía su resistencia en función de la luz que incide sobre su superficie.
7.2.- ¿Qué habilidades desarrollo con esta práctica?
La utilización de instrumentos de medición junto con la interpretación de datos obtenidos.
7.3.- ¿Qué equipo(s) empleó para la realización de la práctica?
 Multímetro
 Fuente de voltaje variable
7.4.- ¿Qué procedimientos se le complicaron?
Interpretar el datasheet de los elementos electrónicos.
7.5.- Mencione algo para mejorar ya sea modificando el o los procedimientos o sugiriendo
nuevos experimentos.
Realizar circuitos que se aplican en la vida diaria o con fines en el sector industrial que serán útiles
en nuestro futuro laboral.
8- RECOMENDACIONES
La información de cada uno de los elementos electrónicos son de suma importancia es
recomendable investigar si no se tiene el conocimiento necesario de la estructura interna, ya
sea el datasheet o fuentes bibliográficas que ayuden a realizar una conexión correcta.

9.- BIBLIOGRAFIA

 Machado Toranzo, N., Lussón Cervantes, A., Carralero, O., Leysdian, L., Bonzon
Henríquez, J., & Escalona Costa, O. (2015). Ingeniería Energética, 36(2), 190-
199.

 http://www.ingmecafenix.com/electronica/fotoresistencia