Sunteți pe pagina 1din 9

Comunicación Óptica

Preguntas sobre fuentes

Problema 1
Dada la ganancia de un diodo laser como indicado en el gráfico debajo. Se sabe que las pérdidas en
el material semiconductor son α=135 cm-1 (no incluido la luz que escapa a traves los espejos). La
índice de refracción del material semiconductor es de 3.5. La cavidad del laser tiene longitud L=150
µm. ¿Qué es la densidad de portadores de umbral Nth en el laser? ¿Qué será la longitud de onda de
la luz generada en el laser?

Problema 2
Dado un LED de emisión de superficie GaAs. La potencia óptica de salida generada por el
LED es 3 mW y sigue una distribución Lambertiana. Suponga que un trozo de fibra de 5
km está pegado al dispositivo semiconductor. El otro extremo de la fibra está ubicado junto
al detector con un pequeño espacio de aire. Calcule la potencia óptica que brilla en el
detector, en µW y en dBm. Se dan los siguiente parámetros:
Indice refracción del aire: 1
Indice de refracción del vidrio: 1.5
Diámetro de la fibra: 200 µm
Diámetro de la superficie del LED: 90 µm
Apertura numérica de la fibra: 0.28
Atenuación de la fibra: 1.2 dB/km
Indicación: La potencia óptica sufre la refracción de Fresnel en el interfaz vidrio-aire
cercano al detector.

Problema 3
Los modos longitudinales de un laser de inyección GaAs emitiendo a una longitud de onda
de 0.87 µm están separados en frecuencia por 278 GHz. El largo de la cavidad óptica es
150 µm. Determine el número de modos longitudinales emitidos y el índice de refracción
del GaAs.

Problema 4
Dada un gas en equilibrio. Temperatura ambiental (T = 300 K). Calcule la densidad de
fotones a longitudines de onda de 1550 nm y a 10 µm. ¿Que puedes concluir?
(Cuidado: en el curso hay un error en el cálculo de A/B @ 1550 nm)

Problema 5 (Propiedades de un diodo láser típico)


Longitud de onda = 1.5 m
Largo de cavidad L = 150 m
Profundidad de cavidad = 0.2 m
Ancho de la región activa w = 2 m
Fracción de la potencia óptica en la región activa = 0.35
Indice de refracción de la cavidad n = 3.3
Pérdida interna por unidad de largo = 40 cm-1
Constante de ganancia a = 2.5x10-16 cm2
Densidad de portadores a transparencia NT = 1 x 1018 cm-3
Tiempo de vida de portadores en umbral e = 2.2 nsec
Eficiencia de cuantum = 50%
Indicaciones:
1) La densidad de portadores a transparencia NT es la densidad de portadores para la cual
comienza la inversión de la población. Esto no es igual a la densidad de portadores a
umbral Nth. Esta última es la densidad de portadores para la cual la ganancia total es igual a
la pérdida total y comienza la acción del laser.
2) La ganancia puede ser escrita como función de la densidad de portadores : g = a(N-NT)
con a la constante de ganancia.
Calcule
a) reflectividad de la cara R (=razón de la potencia reflejada en el interfaz semiconductor –
aire)
b) densidad de portadores de umbral (primero intente encontrar la ganancia de umbral)
c) corriente de umbral
d) pendiente de la curva P-I en la región donde hay efecto laser.

Problema 6
En el gráfico se muestran las curvas de la potencia total de salida vs la corriente aplicada
para un LED GaAlAs. Calcule la eficiencia con la cual los electrones inyectados son convertidos a
fotones a temperatura 30º C y a nivel de corriente 150mA. Longitud de onda = 820 mn.

In the curve below is plotted the total output power vs applied current for a typical GaAlAs LED.
Calculate the efficiency with which injected electrons are being converted to emitted photons at the
temperature 30° C and at a current level of 150 mA. Wavelength = 820 nm.
Problema 7
En el gráfico se muestran las curvas de la potencia total de salida vs la corriente aplicada para un
láser de inyección GaAlAs.
Estime la tasa a la cual los electrones inyectados están siendo convertidos en fotones en la región
donde hay efecto láser, a temperatura 30º C. Longitud de onda = 820 nm.

In the curve below is plotted the total output power vs applied current for a typical GaAlAs
injection laser.
Estimate the rate at which injected electrons are being converted to emitted photons in the lasing
region of operation, at a temperature of 30° C. Wavelength = 820 nm.
Problema 8
Un láser tiene un largo físico (front-to-back) de 100 µm. El material del láser tiene un índice de
refracción de 3.5. Calcule la distancia (en nm) entre los diferentes peaks de resonancia cerca de la
longitud de onda nominal 1.3 µm.

A laser has a physical length (front-to-back) of 100 µm. The laser material has a refractive index of
3.5. Calculate the spacing in wavelength (nm) between resonant longitudinal modes around the
nominal wavelength (free space wavelength) 1.3 µm.

Problema 9
Dada una fibra con índices de refracción de núcleo y manto: n1 = 1.48 y n2 = 1.46. El diámetro del
núcleo es 50 µm. Esta fibra está acoplada a un LED fuente con un patrón de radiación Lambertiana.
La fibra está ubicada junto al LED. La potencia total emitida por el LED es –20 dBm. Cual es la
cantidad de potencia acoplada dentro de la fibra?

Given a fiber with core and cladding indices of n1 = 1.48 and n2 = 1.46. The core diameter is 50
µm. This fiber is coupled to a LED source with a Lambertian radiation pattern. The fiber is located
just next to the LED. The total power emitted by the LED is –20 dBm. What is the amount of power
coupled into the fiber?
Problema 10
(Propiedades de un diodo láser típico)
Longitud de onda λ = 1.3 µm
Largo de cavidad L = 150 µm
Profundidad de cavidad = 0.2 µm
Ancho de la región activa w = 2 µm
Fracción de la potencia óptica en la región activa Γ = 0.3
Indice de refracción de la cavidad n = 3.5
Pérdida interna por unidad de largo α = 40 cm-1
Constante de ganancia a = 2.5x10-16 cm2
Densidad de portadores a transparencia NT = 1 x 1018 cm-3
Tiempo de vida de portadores en umbral τe = 2.2 nsec
Eficiencia de cuantum η = 50%
Indicaciones:
1) La densidad de portadores a transparencia NT es la densidad de portadores para la cual comienza
la inversión de la población. Esto no es igual a la densidad de portadores a umbral Nth. Esta última
es la densidad de portadores para la cual la ganancia total es igual a la pérdida total y comienza la
acción del laser.
2) La ganancia puede ser escrita como función de la densidad de portadores : g = a(N-NT) con a la
constante de ganancia.
Calcule
a) reflectividad de la cara R (=razón de la potencia reflejada en el interfaz semiconductor – aire)
b) densidad de portadores de umbral (primero intente encontrar la ganancia de umbral)
c) corriente de umbral
d) pendiente de la curva P-I en la región donde hay efecto laser.

(Properties of a typical laser diode)


Wavelength λ = 1.3 µm
Cavity length L = 150 µm
Cavity depth d = 0.2 µm
Active region width w = 2 µm
Optical mode confinement factor Γ = 0.3
Cavity index of refraction n = 3.5
Internal loss per unit length α = 40 cm-1
Gain constant a = 2.5x10-16 cm2
Carrier density at transparency NT = 1 x 1018 cm-3
Carrier lifetime at threshold τe = 2.2 nsec
Quantum efficiency η = 50%
Hints:
1) Carrier density at transparency NT is the carrier density for which population inversion starts.
This is not equal to the carrier density at threshold Nth. This last one is the carrier density at which
total gain equals total losses and the laser action starts.
2) The gain can be written as a function of carrier density: g = a(N-NT) with a the gain constant.
Calculate
a) the facet’s reflectivity R (=ratio of the power reflected at the interface semiconductor – air)
b) the carrier density at threshold (try to find the gain at threshold first)
c) the current at threshold
d) the slope of the P-I curve
Problema 11
Dado un laser Fabry-Perot de 1310. A temperatura de operación normal la densidad de
corriente umbral para el dispositivo es 2 x 103 A/cm2. La constante de ganancia a = 2.5 x
10-16 cm2. La densidad de portadores a transparencia NT es igual a 1 x 1018 cm-3. El ancho
de la región activa d es igual a 0.2 µm. La longitud de la cavidad L es 150 µm. La vida
media de los portadores umbral es τe = 1.88 nsec. El factor de confinamiento Γ = 0.3.
Índice de refracción del material semiconductor: 3.5.
Calcule:
a) La densidad de fotones en la cavidad (en cm-3 por segundo) cuando sale 1 mW de luz de
una cara del laser
b) El corriente en mW que se debe inyectar al laser para que salga 1 mW de luz del laser

Indicaciones:
1) La densidad de portadores a transparencia NT es la densidad de portadores para la cual
comienza la inversión de la población. Esto no es igual a la densidad de portadores umbral
Nth. Esta última es la densidad de portadores a la cual la ganancia total se iguala a la
pérdida total y comienza la acción láser.
2) La ganancia puede escribirse como función de la densidad de portadores: g = a(N-NT)
con a la constante de ganancia.
3) La corriente en un láser fluye ortogonalmente al plano de la región activa.

Problema 12
Un laser está modulado variando la corriente inyectada. La variación del corriente causa
una variación en el índice de refracción n del material semiconductor. Si la variación
relativa del índice de refracción dn/n es de 1%, cual es el valor del chirp dλ/λ?

Problema 13
La eficiencia total de un láser de inyección, con una región activa de GaAs, es de 18%, el
voltaje aplicado al dispositivo es de 2,5V y la separación entre la banda de energía para el
GaAs es de 1,43eV.
Calcule la eficiencia de potencia externa del dispositivo.
Nota:
* La eficiencia total se define como el número de fotones generados dividido por el número
de eléctronos inyectado.
* La eficiencia de potencia se define como la potencia de la luz generada dividida por la
potencia electrica aplicada al dispositivo.

Problema 14
Compare la razón de la densidad de corriente umbral a 20ºC y a 80ºC, para un láser de
inyección de AlGaAs, con T0=160K, y la misma razón para un dispositivo de InGaAsP, con
T0=55K.
Problema 15
Los modos longitudinales de un laser de inyección GaAs emitiendo a una longitud de onda
de 0.87 µm están separados en frecuencia por 278 GHz. Determine el largo de la cavidad
óptica y el número de modos longitudinales emitidos. El índice de refracción del GaAs es
3.6.

The longitudinal modes of a GaAs injection laser emitting at a wavelength of 0.87 µm are separated
in frequency by 278 GHz. Determine the length of the optical cavity and the number of longitudinal
modes emitted. The refractive index of GaAs is 3.6.

Problema 16
Un láser de inyección tiene una región activa GaAs con un salto de energía de 1.43 eV.
Estime la longitud de onda de las emisiones ópticas del dispositivo y su ancho de línea en
Hertz cuando el ancho espectral es 0.1 nm.

An injection laser has a GaAs active region with a bandgap energy of 1.43 eV. Estimate the
wavelength of optical emission from the device and determine its linewidth in Hertz when the
measured spectral width is 0.1 nm.

Problema 17
La reflectividad de potencia de las caras a cada lado de la cavidad óptica de 350 µm de
largo de un láser de inyección es 0.25 en un extremo y 0.423 en el otro. La longitud de onda
es 1.3 µm. A temperatura de operación normal la densidad de corriente umbral para el
dispositivo es 2 x 103 A/cm2. La constante de ganancia a = 2.5 x 10-16 cm2. La densidad de
portadores a transparencia NT es igual a 1 x 1018 cm-3. El ancho de la región activa d es
igual a 0.2 µm. La vida media de los portadores umbral es τe = 1.88 nsec. Asuma el factor
de confinamiento Γ = 1.
Calcule:
a) La densidad umbral de portadores Nth
b) La ganancia umbral gth
c) El coeficiente de pérdida α en la cavidad óptica.
Indicaciones:
1) La densidad de portadores a transparencia NT es la densidad de portadores para la cual
comienza la inversión de la población. Esto no es igual a la densidad de portadores umbral Nth. Esta
última es la densidad de portadores a la cual la ganancia total se iguala a la pérdida total y comienza
la acción láser.
2) La ganancia puede escribirse como función de la densidad de portadores: g = a(N-NT) con
a la constante de ganancia.
3) La corriente en un láser fluye ortogonalmente al plano de la región activa.

The power reflectivity of the facets at either end of the 350 µm long optical cavity of an injection
laser is 0.25 at one end and 0.423 at the other end. Wavelength = 1.3 µm. At normal operating
temperature the threshold current density for the device is 2 x 103 A/cm2. The gain constant a
equals 2.5 x 10-16 cm2. Carrier density at transparency NT equals 1 x 1018 cm-3. The width of the
active region d equals 0.2 µm. Carrier lifetime at threshold τe = 1.88 nsec. Assume the optical mode
confinement factor Γ = 1.
Calculate:
a) The carrier density at threshold Nth
b) The gain factor gth at threshold (ganancia de umbral)
c) The loss coefficient α in the optical cavity
Hints:
1) Carrier density at transparency NT is the carrier density for which population inversion starts.
This is not equal to the carrier density at threshold Nth. This last one is the carrier density at which
total gain equals total losses and the laser action starts.
2) The gain can be written as a function of carrier density: g = a(N-NT) with a the gain constant.
3) Current in a laser flows orthogonally to the plane of the active region

Problema 18
La densidad de corriente umbral para un láser de AlGaAs es 3000 A.cm-1 a
temperatura15°C. Estime la corriente umbral requerida a temperatura 60°C cuando el
coeficiente de temperatura umbral T0 para el dispositivo es 180K. Las dimensiones de la
cavidad óptica son: d= 0.3 µm, w = 20 µm, L = 100 µm.

The threshold current density for a stripe geometry AlGaAs laser is 3000 A.cm-1 at a temperature of
15°C. Estimate the required threshold current at a temperature of 60°C when the threshold
temperature coefficient T0 for the device is 180K. The dimensions of the optical cavity are: d= 0.3
µm, w = 20 µm, L = 100 µm.

Problema 19
Dado un LED de emisión de superficie GaAs. La potencia óptica de salida generada por el
LED es 5.44 mW. Suponga que un trozo corto de fibra está pegado al dispositivo
semiconductor. El otro extremo de la fibra está ubicado junto al detector con un pequeño
espacio de aire. Calcule la potencia óptica que brilla en el detector. Se dan los siguiente
parámetros:
Indice refracción del aire: 1
Indice de refracción del vidrio: 1.5
Diámetro de la fibra: 200 µm
Diámetro de la superficie del LED: 90 µm
Apertura numérica de la fibra: 0.3
Indicación: La potencia óptica sufre la refracción de Fresnel en el interfaz vidrio-aire
cercano al detector.

Given a surface-emitting GaAs LED. The optical output power generated by this LED is 5.44 mW.
Suppose now a short piece of fiber is butted against the semiconductor device. The other end of the
fiber is placed close to a detector with a small air gap. Calculate the optical power shining on a
detector. Following parameters are given:
Refractive index air: 1
Refractive index glass: 1.5
Diameter fiber: 200 µm
Diameter surface LED: 90 µm
NA fiber: 0.3
Hint: The optical power undergoes Fresnel refraction at the glass-air interface close to the
detector.