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12/9/2019 TRIAC Y DIAC | ELECTRONICA DE POTENCIA

ELECTRONICA DE POTENCIA

Una breve introduccion a la electronica de potencia

TRIAC Y DIAC

Filed under: TRIAC Y DIAC — Deja un comentario


marzo 25, 2010
DIAC

Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en
contraparalelo, cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor
especificado, entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa
que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podrá recortar todos
los picos positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del diac. Si es puesto en serie,
solamente dejará pasar corriente cuando lleve más tensión que la del gatillado para triacs en circuitos
de corriente El diseño de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de
dispositivos tiristores que pudieran controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna,
incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una sola pastilla semiconductora, y ambos
controlados por un solo gate. Las características de compuerta(gate) del TRIAC son muy diferentes
de aquellas para dos SCR en contraparalelo, para los SCR, se debe aplicar una señal positiva de
control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el
Gate 2 y el terminal Principal 2 sea negativo. Este método de operación requiere de dos circuitos
separados de compuerta.

TRIAC

En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 están conectados juntos y se pueden operar con solamente un
circuito de control conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo más fácil de
gatillado para control de corriente alterna, es poner en conducción en ambos sentidos al TRIAC basta
con darle al gate un poco de señal de la misma corriente(polaridad) que haya en ese momento en el
Terminal Principal 2. También es posible con polarización negativa en el terminal de compuertas
durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una señal
positiva de manera similar a como se controla un SCR.
https://electronicadepotencia22.wordpress.com/2010/03/25/triac-y-diac/ 1/3
12/9/2019 TRIAC Y DIAC | ELECTRONICA DE POTENCIA

Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con
voltaje superior al nivel de umbral del TRIAC(punto en el cual el triac no sabe si conducir o no),
obtendremos lo que se conoce como QUADRAC.

CIRCUITO DE DISPARO

En la figura se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor RF es


un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador
T1 es un transformador de aislamiento, y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y
el primario, para este caso aísla el circuito de potencia C.A. del circuito de disparo.

La onda senoidal de C.A. del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de


este, a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v
sincronizada con la línea de C.A.

Cuando la alimentación de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se


dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al
devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendiéndolo
durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2
( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la figura 2(b), (c),(d).

La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1, que forman un divisor de voltaje,
entre ellos se dividen la fuente de C.D. de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeño
en relación a R1, entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el
transistor pnp Q1 conduzca, con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de
R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT
se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.

Por otra parte si RF es grande en relación a R1, entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el
caso anterior, esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1
con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C1 se reduce,
por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan
después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

Esta informacion fue extraida del la pagina h p://ccpot.galeon.com/enlaces1737094.html

https://electronicadepotencia22.wordpress.com/2010/03/25/triac-y-diac/ 2/3
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