Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Conductori 10-5 10-4 10-2 100 102 104 106 107 ρ[Ωm]
(metale)
Izolatori
GaAs Ge Si Se
Semiconductori
𝑙𝑙[𝑚𝑚 ]
Explicatii: R[Ω]=ρ𝑆𝑆[𝑚𝑚 2 ]; ρ- parametrul fizic cu cel mai larg domeniu de valori (10-10÷1018 Ωm).
Din punct de vedere tehnic, cel mai important material semiconductor este siliciul. Face parte
din grupa a patra a sistemului periodic al elementelor ( este tetravalent) si cristalizeaza in structura de
tetraedru. Fiecare din cei 4 electroni de valenta ai unui atom participa la cate o legatura covalenta cu
unul din cei 4 atomi învecinati. La temperatura zero absolut (0 grade K), toti electronii sunt prinsi în
legaturi covalente si materialul se comporta ca un izolator (ca diamantul- forma cristalina a
carbonului). Este cazul reprezentat in figura. (expl: 00 K=-273,150 C)
1
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
O data cu cresterea temperaturii, un numar tot mai mare de legaturi covalente se “rup”:
electronii in cauza devin liberi sa se deplaseze in reteaua cristalina. Intr-o reprezentare plana, reteaua
cu legaturi covalente rupte se prezinta ca in figura.
Locul lasat liber de electronul care a rupt legatura se interpreteaza ca o sarcina pozitiva, q, si se
numeste “gol”. Golul poate fi ocupat de un electron dintr-o legatura covalenta vecina. Aceasta
deplasare a legaturilor libere se interpreteaza ca o deplasare a golurilor.
Eliberarea unui electron din retea este echivalenta cu generarea termica a unei perechi electron-
gol. Orientativ, într-un cristal de Ge la tempetarura camerei (aprox 3000 K) se rup 1013 legaturi/
cm3.Aceste valori sunt mici comparativ cu 1023 cat este numarul electronilor/ cm3, in metale. Totusi,
aceste densitati mici fac posibila conductia semiconductorilor. Se vorbeste de semiconductori
intrinseci respectiv de conductie intrinseca.
Densitatea spatiala a perechilor electron-gol se numeste concentratie intrinseca de purtatori, ni.
Electronii liberi se deplaseaza prin cristal datorita agitatiei termice. Traiectoria lor este in zig-
zag ca urmare a ciocnirilor cu paturile externe ale atomilor sau cu alti purtatori. În medie nu este
favorizata o directie de deplasare (a). Daca insa în cristal actioneaza un camp electric Ē), va( fi
favorizata clar o directie de deplasare. Ia nastere un curent de electroni si un curent de goluri. Spre
deosebire de metale, la semiconductoare rezistenta electrica scade cu cresterea temperaturii.
a) b) Ē
2
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Astfel, pe langa perechile electron-gol,în cristal se vor gasi atatia electroni liberi cati atomi
pentavalenti (donatori) au fost introdusi în retea. Se vorbeste de Si dopat N sau simplu, siliciu N.
Electronii sunt în acest caz purtatori majoritari iar golurile sunt purtatori minoritari. Fiecare atom
donor ionizat este încarcat electric pozitiv, astfel încat cristalul este neutru din punct de vedere
electric.
Spre deosebire de gol, atomul de P ionizat pozitiv este fix in retea si nu participa la curentul
electric. În semiconductori de tip N, numarul golurilor din cristal este mai mic decat la
semiconductori intrinseci, coform relatiei p∙n=ni2(T). La semiconductori intrinseci, p=n=ni(T).
Similar, conductivitatea Si poate fi crescuta prin introducerea în retea a unor atomi trivalenti (B,
Al, Ga, In). Un electron dintr-o legatura covalenta vecina ocupa golul atomului acceptor, lasand în
urma o legatura rupta (gol).
În acest cristal golurile sunt purtatori majoritari iar electronii, purtatori minoritari.
Se vorbeste de semiconductor dopat (smcd de tip P) si de conductie de tip P.
3
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
n0≅ND
ni=pi
𝑛𝑛 2
p0≅𝑁𝑁 𝑖𝑖
𝐷𝐷
4
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Multimea atomilor dintr-un smcd. face ca valorile discrete de energie ale atomilor individuali sa
se grupeze in benzi compacte de energie separate de zone interzise.
Pentru intelegerea functionarii dispozitivelor electronice este importanta ocuparea cu electroni a
celor doua benzi superioare: banda de conductie si banda de valenta.
5
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
6
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
𝑚𝑚 /𝑠𝑠 𝑚𝑚 2
Parametrii μg si μe se masoara in [𝑉𝑉/𝑚𝑚 ]=[V∗s ], se numesc ‘mobilitatea electronilor’ si au valoari
de ordinul 103. Curentul care ia astfel nastere se numeste curent de drift iar marimea lui se apreciaza
prin densitate de curent J.
𝑈𝑈 𝑙𝑙 1 𝑐𝑐𝑐𝑐
R= 𝐼𝐼
= σ∙S = 19,2∙10 −3 (𝛺𝛺∙𝑐𝑐𝑐𝑐 )−1 ∙0,01[𝑐𝑐𝑐𝑐 2 ] = 0,52 ∙ 10−4 Ω.
7
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Distributii neuniforme ale purtatorilor pot sa apara, de exemplu, la injectia de purtatori majoritari sau
minoritari intr-un semiconductor.
Daca presupunem o densitate scazatoare a golurilor in sensul axei Ox, este clar ca golurile vor
difuza in sensul acestei axe.
𝑑𝑑𝑑𝑑
Sensul curentului si al densitatii de curent de difuzie va fi dat de versorul axei Ox, ū: J = -q∙Dg∙𝑑𝑑𝑑𝑑 ∙ ū.
Daca s-ar fi considerat o repartitie similara a electronilor, acestia ar fi difuzat tot spre dreapta
𝑑𝑑𝑑𝑑
dar curentul si densitatea de curent corespunzatoare ar fi fost orientate împotriva lui ū: Je=q∙De∙𝑑𝑑𝑑𝑑 ∙ ū.
Desigur, daca curentii de difuzare si curentii de drift coexista, densitatile de curent se aduna vectorial.
Efectul final al curentilor de difuzie este egalizarea, uniformizarea distributiei purtatorilor de sarcina.
Constantele De si Dg se numesc coeficienti de difuzie pentru goluri respectiv pentru electroni.
Sunt dovedite urmatoarele egalitati (Einstein):
𝐷𝐷𝑔𝑔 𝐷𝐷𝑒𝑒 𝑘𝑘𝑘𝑘
= = = VT (= UT ).
𝜇𝜇𝑔𝑔 𝜇𝜇𝑒𝑒 𝑞𝑞
In aceste relatii k=1,38∙10-23J/K este constanta lui Boltzmann iar VT≅25mV la T=2930K se
numeste tensiune termica. Relatiile se obtin pe baze statistice.
8
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
DIODE SEMICONDUCTOARE
Toate dispozitivele sunt privite din punct de vedere al comportarii la borne (relatii intre tensiuni si
curenti).
Structura (fig 2.1): o jonctiune p-n; retea cristalina continua.
A – Anod J
A C
C – Catod p n
J – Jonctiune iD
p – zona in care sunt majoritare golurile UD
n – zona in care sunt majoritari electronii
A u D , i D - marimi instantanee
C
iD
uD
Conventie de notare:
[V ] U D - componenta continua
u D - valoare instantanee
ud u d - variatia
UD
uD t [s ]
Caracteristica diodei ( i D = f (u D ) )
I FM = 0,4 A
i D [mA] pentruβ A157
VF = 1,5V
I FM
Pentru diodele cu Siliciu
ID Polarizare directa U D ≅ 0,6V (tipic )
VF
VRRM La Si: U D = 0,6...0,7V
IS UD u D [V ] La Ge: U D = 0,2...0,3V
Polarizare inversa
9
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
U I S - curent rezidual
I D = I S exp D − 1 (2.1 – pag 44) m ∈ [1,2] - parametrul tehnologic; vom lua m=1
mU T °
U T -tensiunea termica: 25mV la 25 C
≥ 100mV
a) U D > 0.1V (polarizare directa) : I S exp − 1
25mV
U 1V
⇒ I D = I S exp D = I S exp ⋅ U D = I S exp(40U D ) (2.3)
UT 25mV
IS
T > T1
T1
U D [V ]
10
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
PFS
ID
U D0 E
U D [V ]
ID
Caracteristica
diodei Variatii presupuse
id
iD = I + id
0 sinusoidale
PFS I D0 D
t u d = U m sin ωt
uD = U D0 + ud
U D0
id = I m sin ωt
11
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Ex: I D = 5mA ⇒ rd = 5Ω
0
La polarizare directa: iD
u d = 0 pentru id >0 Caracteristica
La polarizare inversa: diodei ideale
i D = 0 pentru u D < 0 uD
Observatie: Exista o deosebire esentiala intre dioda si intrerupator, dioda conduce curentul intr-un singur
sens de la anod la catod. Dioda – dispozitiv unidirectional.
Aplicatie
Redresor monofazat monoalternanta(§2.7 pag 52)
+−
Tr :
u1 D
- coboara tensiunea
220V u2 RS uS - separa galvanic partea de forta (reteaua) de sarcina
50 Hz u 2 = U 2 m ⋅ sin ωt
D – dioda ideala
Tr −+
Alternanta :
• + (pozitiva) u2 RS uS = u2
• - (negativa) u2 RS uS = 0
12
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
u 2 (t )
U 2m
u2 C RS uS
Tensiunea redresata
t1 t 2 t3 t 4 t
13
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
O U D0 uD
uD
iD
U D 0 ≅ 0,6V `rd
id
∆u D
= rd
∆iD ∆iD
uD
∆uD
O U D0 uD
−+ D1 ≡ D2
Pentru analiza limitatorului vom folosi pentru diode modelul liniar complet. Deducem caracteristica de
transfer u E = f (u I ) . Se pot distinge trei situatii:
14
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
R
+−
1kΩ
uI uE = uI ;−U D 0 ≤ uI ≤ +U D 0
−+
rd R
La suma de cauze corespunde suma de efecte: ⇒ u E = u E + u E = u I + U D0 ; u I > U D0
' ''
R + rd R + rd
Exemplu: U D 0 = 0,5V ;r d = 5Ω . Se vede ca pentru u I = U D 0 ⇒ u E = u I = U D 0 iar pentru
5Ω 1kΩ
u I = 10V ⇒ u E = 10V ⋅ + 0,5V ⋅ = 50mV + 0,5V = 0,55V
10kΩ + 5Ω 1kΩ + 5Ω
− R
rd R
uE = uI − U D0 ; u I < −U D
U D0 R + rd R + rd
uI rd u E De exemplu, pentru u I = −10V ⇒ u E = −0,55V
15
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
uE
0,5V
uE
0,05V t
0,5V
− 10V − 0,5V
0,5V 10V u I − 0,5V
− 0,5V
0,05V
uI
t
Error! Bookmark not defined.
Observatie: Pentru rd = 0 si u I > U D 0 , caracteristica de transfer este perfect orizontala
Din motive tehnologice, comportarea diodei Zener la polarizare inversa ( u D < 0 ) difera esential de cea a unei
diode redresoare. DZ lucreaza, in general polarizata invers, motiv pentru care se folosesc notatiile:
i Z = −i D ; u Z = −u D .
Caracteristica DZ (vezi fig.2.9)
i D [mA]
U D 0 ≈ 0,6V
VZ 0
C
uZ u D [V ] iD
I zm
uZ uD
Regiunea de
rZ iZ
A
I ZM
i Z [mA]
La polarizare directa ( u D > 0 ) DZ se comporta ca o dioda redresoare obisnuita ( U D 0 ≅ 0,6V ).
La polarizare inversa pentru u Z ≅ VZ 0 ( tensiunea Zener ), apare o strapungere nedistructiva. Practic DZ
pastreaza tensiunea la borne aproximativ constanta, pentru variatii ale curentului i Z in limite largi. Valoarea
I Zm ≅ 5mA (tipic) se stabileste de utilizator;
Daca i Z < I Zm , PF intra in cotul caracteristicii si DZ nu mai stabilizeaza. Valoarea I Zm depinde de puterea
diodei. Exemplu: Dioda PL9V1Z se distruge daca i Z > I Zm ≅ 100mA .
16
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
VZ 0 `rZ iZ
rZ
uZ
Aplicatie:Stabilizator de tensiune cu DZ(§2.8 pag 58) iZ
R
uI , uS
iZ
uI uZ RS uS uI
uS
t
RS - rezistenta de sarcina pe care trebuie sa obtinem u S cat mai constanta. R- rezistenta de balast (pe ea se
pierde tensiunea u i − u S . Schema echivalenta a circuitului pentru regiunea de stabilizare este:
R iS
i Scriem relatii pentru a exprima dependenta
u S = f (u I , i S ) (unde u S -efect iar u I , i S cauze)
VZ 0
iZ u Z − VZ 0 u S − VZ 0
uI uZ RS uS u I = (i Z + i S ) R + u S ; Dar, i Z = =
rZ rZ
uS V
⇒ uI = R − R Z 0 + Ri S + u S / ∆ -intereseaza de
rZ rZ
fapt doar variatiile
17
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
∆u S
∆u I = R − 0 + R∆i S + ∆u S
rZ
rZ R ⋅ rZ
⇒ ∆u S = ∆u I − ∆i S
R + rZ R + rZ
∆u I R + rZ R
Sa consideram “cauzele” pe rand : ∆i S = 0; i S = const. ⇒ S 0 = | i S = const = ≅
∆u S rZ rZ
Exemplu: R = 400Ω rZ = 4Ω ⇒ S 0 = 100
Se numeste factor de stabilizare si arata de cate ori ondulatia tensiunii de iesire este mai mica decat
ondulatia tensiunii de intrare. Consideram cealalta cauza: − ∆i S
∆u R ⋅ rZ
∆u I = 0; u I = const ⇒ − S = = R || rZ ≈ rZ = 4Ω
∆iS R + rZ
Stabilizator ∆u S RS
Ries Acest parametru se numeste rezistenta de iesire “vazuta”
de Rs atunci cand “priveste” spre stabilizator. Acesti parametri pot fi
definiti (calculati) pentru orice stabilizator. Ca urmare orice
stabilizator poate fi reprezentat astfel:
∆iS
Ries
∆u I
∆u I RS ∆u S
S0
stabilizator
∆𝑢𝑢 𝑖𝑖
Este evidenta relatia: ∆𝑢𝑢𝑠𝑠 = 𝑆𝑆0
− 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ ∆𝑖𝑖𝑠𝑠 (∗)
Stabilizatorul este cu atat mai bun cu cat 𝑆𝑆0 este mai mare si Ries mai mica. Ambele cerinte sunt
satisfacute daca 𝑟𝑟𝑧𝑧 este mai mica (adica daca in regiunea de stabilizare caracteristica este mai aproape de
verticala).
Observatie: 𝑅𝑅𝑠𝑠 nu reprezinta, in general o simpla rezistenta, ci un aparat care trebuie alimentat cu o
tensiune constanta. In acest caz variatiile ∆𝑢𝑢𝐼𝐼 si ∆𝑖𝑖𝑠𝑠 nu sunt sincronizate si efectele lor nu se compenseaza ca
in relatia *. In cazul cel mai defavorabil, variatiile ∆𝑢𝑢𝐼𝐼 si ∆𝑖𝑖𝑠𝑠 isi cumuleaza efectele, rezultand o variatie ∆𝑢𝑢𝑠𝑠
mai mare.
18
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
19
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
np pn
Regiunea n
Regiunea saturata
Regiunea p
n p0 pn 0 x
Analiza detaliata a proceselor dinamice din jonctiunea pn arata ca Cd poate fi exprimata astfel:
Cd=Cd0∙exp(UD/UT) unde Cd0 este capacitatea de
r[Ω] C[ pF ]
difuzie la uD=0 iar UT tensiunea termica. In figura se
prezinta dependenta rezistentei dinamice (rd) si a rd Cd
capacitatilor (Cb si Cd) de tensiunea aplicata pe
jonctiune (dioda). Evident, la polarizare directa
predomina capacitatea Cd care poate creste pana la Cb
sutimi de μF. La polarizare inversa este preponderenta
capacitatea de bariera, Cb.
Se poate intocmi acum o schema echivalenta uD
care sa descrie mai exact comportarea jonctiunilor 0
(diodelor) la variatii. Astfel, la frecvente joase si
curenti mici, modelul se poate limita la rezistenta dinamica rd. Daca frecventa variatiilor creste,
trebuie introduse in schema capacitatile Cd si Cb. Acestea intervin in paralel si conteaza prin suma lor
numita capacitatea jonctiunii Cj.La polarizare directa, Cj≅Cb. In sfarsit, daca PFS in jurul caruia se
produc variatiile este plasat la un curent mare, rezistentele de volum ale zonelor N si P (rn respectiv
rp) nu mai pot fi neglijate. Suma acestor rezistente, rs, trebuie inseriata cu modelul dinamic pentru
curenti mici.
rd
rs = rn + rp
C j = Cb + Cd
20
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
A Ls rs
Cc Cj rd
Comutarea diodelor
Trecerea unei diode din starea de conductie in starea de blocare,
sau invers- din blocare in conductie- se numeste comutare. Acest R id
proces nu are loc instantaneu ci presupune desfasurarea unor regimuri
tranzitorii. Pe formele de unda tranzitorii se pot defini anumiti timpi
uI ud
de comutare. Este de dorit ca timpii de comutare sa fie cat mai mici.
De aceea se acorda atentie mai ales timpilor de comutare inversa (din
conductie in blocare), comutarea directa (din blocare in conductive)
fiind mai rapida.
Tensiunea de intrare, uI variaza brusc
intre nivelurile VF (polarizare directa) si - VF u I
VR(care asigura blocarea diodei). Imediat t
dupa ce uI da comanda de blocare, curentul prin
dioada trece pe valoarea (-VR/R). Acest curent − VR
este asigurat de sarcina ce intra sau iese dintr-un
anumit volum, dar si de recombinarile din acest Q
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑄𝑄 𝑉𝑉𝑅𝑅 VF
volum 𝑖𝑖𝐷𝐷 = 𝑑𝑑𝑑𝑑 + 𝜏𝜏 = − 𝑅𝑅 (τ - durata de viata a τ
R
purtatorilor). I S ⋅τ t
Curentul ramane constant cat timp mai
exista sarcina in exces (stocata) in regiunile
neutre. Astfel, din conditia Q=0 rezulta VF
V +V − τ
ca timpul de stocare t s = τ ln F R . iD R
𝑅𝑅𝑉𝑉 VF
Abia dupa acest interval, incepe R
“caderea” la zero (de fapt la -Is aproximativ 0) a IS t
curentului. La o noua comanda uI=VF, incepe un
proces tranzitoriu de “ridicare” a curentului la tS
VR tC tr
valoarea VF/R. Timpul de cadere tc si timpul de −
R
ridicare tr se definesc de regula intre momentele
care marcheaza 10% si 90% din variatie. Cum ts+tc>>tr, este clar ca durata comutarii inverse (≅ts+tc)
iar nu timpul de comutare directa (tr) limiteaza performanta diodei in aplicatii bazate pe comutare.
21
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
22
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul este un element “activ”, in sensul ca poate amplifica semnalele. Denumirea
“bipolar” arata ca in functionarea acestor dispozitive intervin purtatori de ambele polaritati.
Efectul de tranzistor
IC
gol; electron care se deplaseaza sub actiunea
tensiunilor de polarizare. EB si EC sunt surse de tensiune C
U BC
constanta, cate determina tranzistorul sa lucreze in regiunea
activa: jonctiunea BE e polarizata direct iar jonctiunea BC,
invers. (UBC= -UCE+UBE=-5V+0,6 V=-4,4 V). Campul creat de
sursa EB face ca electronii din Emitor sa difuzeze spre Baza. B +E
1µm = 5V
Deoarece Baza este slab dopata si ingusta, majoritatea − C
IB
covarsitoare a electronilor ajunsi in Baza difuzeaza mai departe
in Colector. Tipic, doar un electron din 200 se “recombina” in +
Baza. IB este un current de goluri iar IE si IC sunt in esenta −
E B = 0,6V
curenti de electroni. Se defineste castigul static in curent: IE E
𝐼𝐼
β = h21e = 𝐶𝐶 = 100 ÷ 500 (domeniul uzual).
𝐼𝐼𝐵𝐵
Datele de catalog arata ca β difera mult de la un tranzistor la altul. Astfel, pentru BC 171,
𝐼𝐼
β=110...850 (anexa B5). Alte relatii intre curentii tranzistorului: IE=IB+IC; Cum IB= β𝐶𝐶 este neglijabil
fata de IC⇒IE≅IC.
La valori mici ale tensiunii UCE, curentul IC depinde puternic de tensiune. Este vorba de
regiunea de saturatie in care ambele jonctuni sunt polarizate direct. Pentru UCE>0.6 V, Ic≅const;
pentru IB dat. Aceasta e regiunea activa in care IC depinde practic doar de IB: IC= βIB. Daca pentru
UCE=constant, scadem IB, pentru IB<0, tranzistorul intra in regiunea de blocare, unde ambele
jonctiuni sunt polarizate invers.
23
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
I C [mA]
s
0,6V
a
t
I B= 15µA
u
r Regiunea
I B= 10 µA
a Activa
I B= 5µA
t
i I B= 0
e
blocare U CE [V ]
24
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
+ EC
+ EC = 10V
RC
RC = 1kΩ
RB = 300kΩ C
IB IC
IC
U CE RB β ⋅ IB
IB
U CE
U BE +
B − U BE 0
EB E
EB
Schema echivalenta in care tranzistorul s-a inlocuit cu modelul static pentru regiunea activa.
In circuitul de intrare, se poate scrie relatia: EB = RBIB + UBE0 = 300kΩ∙ 10μA + 0,6V = 3V +
+0,6V = 3,6V.
Altfel spus, daca fixam EB=3,6V impunem implicit un curent de baza IB=10μA. Dintre
caracteristicile tranzistorului, am selectat cea pentru care IB=10 μA.
In circuitul de iesire, este valabila relatia EC=RC∙IC+UCE, I C
U CE [V ]
dreapta de sarcina. De exemplu, daca β=500⇒ 𝐼𝐼𝐶𝐶0 = β𝐼𝐼𝐵𝐵0 =500∙10 dreapta de sarcina
0
μA=5mA. ⇒ 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 =EC-RC∙IC=10-1kΩ∙5mA=5V. Se observa ca PFS
este fixat in mijlocul regiunii active. Daca se modifica EC, dreapta de sarcina se deplaseaza paralel cu
ea insasi si permite alegerea unui alt PFS. Pentru un tranzistor cu β mai mic, caracteristica ce
corespunde lui IB=10 μA va fi situata la valori mai mici ale curentului IC. PFS depinde de β.
25
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
U CE I β ⋅I
PFS: 𝐼𝐼𝐶𝐶0 =2mA; 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶0 B B B
=5V. Presupunem ca dispunem de un
tranzistor cu β=500. Pentru a scrie mai usor relatiile de +
calcul, redesenam schema inlocuind tranzistorul cu modelul − U BE 0
0 0
static. Din circuitul colectorului rezulta: RC=(EC-𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 )/ 𝐼𝐼𝐶𝐶 .
Evident, trebuie sa alegem tensiunea de alimentare pentru a putea calcula rezistenta RC. Pentru ca
0
UCE sa poata creste si scadea cu cantitati aproximativ egale in jurul valorii 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 , alegem
0 0
EC=2∙𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 =10V.⇒ RC=(10V-5V)/2mA=2,5kΩ. Similar, din circuitul bazei rezulta: RB=(EC-𝑈𝑈𝐵𝐵𝐵𝐵 )/ 𝐼𝐼𝐵𝐵0
in care 𝐼𝐼𝐵𝐵0 = 𝐼𝐼𝐶𝐶0 /β. Tinand seama ca EC>>UBE0, se obtine relatia mai simpla:
RB≅EC∙β/𝐼𝐼𝐶𝐶0 =10V∙500/2mA=2,5MΩ. Cu aceasta “proiectarea” schemei de polariazre e gata. Stiind
insa ca β poate fi mult diferit de la un tranzistor la altul, ne intrebam ce s-ar intampla daca schimbam
tranzistorul cu un exemplar avand β=200(de exemplu). Aceasta schema fixeaza curentul de baza la
𝐸𝐸𝐸𝐸 10𝑉𝑉
valoarea 𝐼𝐼𝐵𝐵0 ≅ 𝑅𝑅𝑅𝑅 =2,5𝑀𝑀𝑀𝑀 =4μA. Ca urmare, cata vreme tranzistorul lucreaza in regiunea activa, 𝐼𝐼𝐶𝐶0 =β𝐼𝐼𝐵𝐵0
depinde esential de β. Pentru β=200 rezulta 𝐼𝐼𝐶𝐶0 =0,8mA si 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 0
=EC-𝐼𝐼𝐶𝐶0 ∙RC=8V. Similar, pentru un
tranzistor cu β=800 s-ar fi obtinut 𝐼𝐼𝐶𝐶0 =3,2mA respectiv 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 0
=2V. In concluzie, la aceasta schema PFS
este puternic dependent de β.
In continuare, se prezinta o schema la care dependenta PFS de β este partial eliminata. Pentru a
putea face comparatii, impunem acelasi PFS ca in cazul EC
0 EC
precedent: 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 =5V; 𝐼𝐼𝐶𝐶0 =2mA. Alegem EC=2∙ 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 0
=10V.
0
Pentru β=500 rezulta RC = (EC-𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 ) / ( 𝐼𝐼𝐶𝐶0 +𝐼𝐼𝐵𝐵0 ) ≅ (EC -𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶
0
) RC
0 0 0 0 0
/ 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 2.5kΩ , respectiv RB = (𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 -UBE0) / 𝐼𝐼𝐵𝐵 ≅𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 /(𝐼𝐼𝐶𝐶 /β) = RB
RB RC
0
1.25MΩ. Spre deosebire de schema precedenta, aici 𝐼𝐼𝐵𝐵 nu este
fixat rigid ci depinde de PFS: 𝐼𝐼𝐵𝐵0 =(𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶
0
-UBE0)/RB≅𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶 0
/RB. Cu I C I I C
β ⋅I
aceasta expresie aproximativa pentru 𝐼𝐼𝐵𝐵0 se poate scrie: U CE
B B
I
0 0 0 𝑅𝑅𝑅𝑅
=EC/(1+β∙𝑅𝑅 ).
B
β I C0 0
U CE I B0 I C0
26
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
IB
U EC curentilor si tensiunilor este exact invers. U [V ] CE
tranzistorul npn, cat si pentru pnp, sageata din simbol arata sensul real al
curentului de emitor IE.
27
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
28
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Modelul π simplificat
Uneori este util ca variatia iC sa se exprime in raport cu tensiunea variabila de intrare. Se
𝑢𝑢𝑢𝑢𝑢𝑢
introduce astfel parametrul numit transconductanta: ic=h21e∙ ℎ11𝑒𝑒 ⇒ic=gm∙ube
ℎ 21 𝑒𝑒 ℎ 21 𝑒𝑒 𝐼𝐼 0 [𝑚𝑚𝑚𝑚 ] 𝑚𝑚𝑚𝑚
gm= = 25
𝐸𝐸
= 25[𝑚𝑚𝑚𝑚 = 40 ∙ 𝐼𝐼𝐸𝐸0 [mA] ⇒gm in [ ].
ℎ 11 𝑒𝑒 ℎ 21 𝑒𝑒 ∙ 0 ] 𝑉𝑉
𝐼𝐼 𝐸𝐸 [𝑚𝑚𝑚𝑚 ]
0 𝑚𝑚𝑚𝑚
Exemplu: 𝐼𝐼𝐸𝐸 = 1mA
⇒gm = 40 𝑉𝑉 .
Modelul exprimat cu ajutorul lui gm se numeste model π (simplificat):
B ib ic C
h11e g m ⋅ ube
ube
ie
E
29
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
1
Reactantele condensatoarelor sunt neglijabile la variatii XCi= 𝜔𝜔𝜔𝜔𝜔𝜔 ≅0; ω-pulsatia semnalului.
Daca nu se aplica semnal la intrare, eg=0, nu se obtine semnal variabil nici la iesire, uies=0. In
acest caz, T lucreaza in PFS determinat de R1,R2, Rc, RE1, RE2, si Ec. Procedand ca in cursul anterior,
se poate calcula PFS (𝐼𝐼𝐶𝐶0 =1mA, 𝑈𝑈𝐶𝐶𝐶𝐶
0
=6V).
La variatii ne intereseaza urmatoarele marimi: rezistenta de intrare Rin, rezistenta de iesire Ries
si amplificarea de tensiune Au=uies/ui. Pentru a calcula aceste marimi, intocmim o schema echivalenta
pentru variatii. In acest sens tinem seama ca:
- rezistentele se comporta la fel in curent continuu si la variatii (c.a)-respecta legea lui
Ohm
- condensatoarele conteaza,practic, ca niste scurtcircuite la variatii (Xci≅0);
- sursa de tensiune continua conteaza ca scurtcircuit la variatii(∆Ec=0);
- tranzistorul conteaza la variatii prin schema sa pentru semnal mic.
u*
R2 R1 h11e RC RS
uies
Cg ui
ie E
RE1
30
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Exemplu:
5𝑘𝑘Ω||5𝑘𝑘Ω 2,5𝑘𝑘Ω
𝐴𝐴𝑢𝑢 = − =− = −25
0,1𝑘𝑘Ω 0,1𝑘𝑘Ω
Semnul (-) arata ca uies este in antifaza fata de ui. Ca amplitudine, uies este de 25 de ori mai
mare.
𝑢𝑢 ∗
𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 ≜ � = R C = 5kΩ (Explicatie: daca eg=0, rezulta ib=0 ⇒ ic=0 si curentul i* se inchide
𝑖𝑖 ∗ 𝑒𝑒𝑒𝑒 =0
doar prin Rc).
𝑢𝑢 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑢𝑢 𝑢𝑢
Se poate calcula si amplificarea fata de sursa de semnal, eg: 𝐴𝐴𝑢𝑢𝑢𝑢 = ∙ 𝑢𝑢 𝑖𝑖 = 𝐴𝐴𝑢𝑢 ∙ 𝑒𝑒 𝑖𝑖
𝑒𝑒𝑔𝑔 𝑖𝑖 𝑔𝑔
𝑢𝑢 𝑖𝑖 𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖
Dar 𝑒𝑒 = 𝑅𝑅 . Deci Aug=Au∙ 𝑅𝑅
𝑔𝑔 𝑔𝑔 +𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑔𝑔 +𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖
Comentarii (v. pag. 89 si seminarul).
31
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
32
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
In functie de tensiunile care polarizeaza cele doua jonctiuni( JBE- jonctiunea baza-emitor; JBC-
jonctiunea baza-colector) se disting 4 regimuri de functionare ale tranzistorului. Aceste regimuri sunt
precizate in tabel, pentru un tranzistor npn.
Regimul de functionare UBE UBC Precizari
JBE-polarizata direct
Activ normal >0 <0
JBC-polarizata invers
JBE-polarizata invers
Activ invers <0 >0
JBC-polarizata direct
Saturat (Saturatie) >0 >0 JBE si JBC polarizate direct
Blocat (Blocare) <0 <0 JBE si JBC polarizate invers
Tot cu referire la un tranzistor npn, in figura se prezinta cele trei conexiuni in care poate fi montat
un tranzistor. Astfel, in functie de electrodul de referinta („comun” intre intrare si iesire) avem
conexiunea „Emitor Comun”(EC), „Baza Comuna”(BC) sau „Colector Comun”(CC). Cea mai
utilizata este conexiunea EC.
IC C E IE IC C IE E
B IB B IB
U CE U EB U CB U EC
U BE IB U BC IC
IE
E E B B C C
EC BC CC
In toate conexiunile este valabila relata IE=IC+IB. In conexiunea EC, curentul de baza comanda
curentul de colector. Factorul de amplificare in curent
β=IC/IB se noteaza si cu βN, sau βF atunci cand 2
U CE = 1V
𝛽𝛽/𝛽𝛽(10𝑚𝑚𝑚𝑚, 25°𝐶𝐶)
33
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
MODELUL EBERS-MOLL
Modelul Ebers-Moll exprima functionarea statica a tranzistorului bipolar in toate regimurile de
functionare. Aplicand principiul superpozitiei, se I EN n p n I CI
exprima curentii la terminale in functie de tensiunile E I E IC C
I
arbitrare ale jonctiunilor. Curentii IEN si ICI sunt ai I ET CT
E IE IC C
B'
RBB'
IB
B B
Aceste trei relatii sunt echivalente cu circuitul alaturat (modelul Ebers-Moll al tranzistorului). Cu
ajutorul acestor relatii se pot trasa caracteristicile tranzistorului in toate cele trei conexiuni.
Se mai pot observa urmatoarele relatii:
34
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
0,998 499
𝐼𝐼𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸 𝛼𝛼𝐼𝐼 𝐼𝐼𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸
∝𝐼𝐼 = ; ⇒ 𝛽𝛽𝐼𝐼 = = ;
𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 1 −∝𝐼𝐼 𝐼𝐼𝐸𝐸𝐸𝐸 − 𝐼𝐼𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸
0,5 1
Elementul RBB` din model tine seama de faptul ca intre baza externa (terminalul accesibil al
tranzistorului) si baza interna B` exista o rezistenta electrica.
( I ECS ) Pentru
I EF U BC = 0
I ES
U BEF
U BE
Pe baza ultimei expresii a lui IC, se pot reprezenta caracteristicile din figura, in regim activ normal,
𝑈𝑈
UBC<<-UT, exp( 𝑈𝑈𝐵𝐵𝐵𝐵 )≅0 si expresia lui IC IC
𝑇𝑇
devine: IC=αN∙IE+ICB0 (4) unde ICB0≅ICS.
Ultima expresie arata ca la tensiuni -UBC mari, IE > 0
IC e independent de UBC ⇒ caract. orizontale.
Saturatie
ACTIV
Limita dintre regimul activ si starea de blocare
corespunde conditiei UBE=0. Cand -UBC scade, U BE = 0
termenul exponential din expresia lui IC IE = 0
conteaza tot mai mult si IC scade, la o valoare
BLOCARE − U BC
data a lui IE. In functie de valoarea − I CB 0
parametrului IE, exista o valoare UBC>0
(-UBC<0) pentru care IC se anuleaza. In domeniul de blocare poate fi remarcata caracteristica pentru
IE=0 pentru care IC=ICB0.
Se poate defini si ca o caracteristica de transfer in conexiunea BC: IC=f(IE,UBC) in care UBC este
luata ca parametru. Din (3) se vede ca pentru UBC=0, IC= αN∙IE. In schimb, in regimul activ normal, la
UBC<<-UT, este valabila relatia (4), astfel ca la IE=0 ⇒ IC= ICB0. ICB0 se numeste curent rezidual de
colector (vezi pag.313) sau curent rezidual in conexiunea BC.
35
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
IC Pentru
U BC << −U T
Pentru
U BC = 0
I CB 0
IE
Caracteristicile de intrare in conexiunea EC au expresia generala IB=f(UBE, UCE) in care UCE
este luata ca parametru. Astfel, daca se scade (2) din (1) si se tine seama ca UBC=UBE-UCE, pentru
𝑈𝑈
regimul activ normal (UCE>>UT) se obtine: IB≅IES(1- αN) exp( 𝐵𝐵𝐵𝐵 ) ceea ce reprezinta caracterstica
𝑈𝑈 𝑇𝑇
unei diode.
I B [ µA]
PentruU CE = 1V
20
10
U BE [V ]
0,5
Caracteristicile de iesire in conexiunea EC au expresia generala IC=f(UCE, IB) in care IB se
considera parametru. Calitativ, ele au fost prezentate in
legatura cu PFS. O expresie cantitativa a acestor I C [mA]
caracteristici se obtine daca in (4) substituim IE=IC+IB. U BC = 0
I B = 20 µA
∝ I
Rezulta IC= N ∙IB+ CB 0 =βN∙IB+ICE0 (5) unde ICE0 este
1−∝ 1−∝
SATURATIE
N N
Regimul
curentul rezidual in conexiunea EC iar βN- factorul de 15µA
activ -normal
amplificare.
10 µA
Dupa (5), in regimul activ normal, caracteristicile ar
trebui sa fie paralele cu axa UCE. Practic se constata insa o
5µA
crestere a lui IC cu tensiunea UCE in special la curenti I CE 0
mari(vezi fig. 3.7). Aceasta comportare se explica 0
− I CB 0
prin efectul Early: cand polarizarea inversa a JBC creste, BLOCARE U CE [V ]
regiunea de sarcina spatiala a jonctiunii se lateste, latimea
bazei scade si creste numarul purtatorilor care provenind din emitor difuzeaza in colector. Ca urmare,
IC creste.
Caracteristica de transfer in conexiunea EC, IC=f(IB, UCE), in care UCE=constant, este, conform
relatiei (5), o dreapta. Avand in vedere valoarea relativ mica a lui ICE0 aceasta dreapta trece prin
origine (vezi fig. 3.14). Trebuie inteles faptul ca relatia (5) reprezinta o dreapta doar daca
βN=constant. Dar, s-a aratat ca pentru un domeniu larg de valori ale lui IC, valoarea lui βN se modifica
substantial: la curenti IC mici, βN scade deoarece, procentual, numarul recombinarilor in baza creste,
iar la curenti mari, βN scade deoarece baza se comporta de parca ar fi mai puternic dopata decat este
in realitate (a se vedea in acest sens si comentariile la figura 3.14).
36
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
In legatura cu curentii reziduali ICB0, ICE0 trebuie retinuta si puternica crestere o data cu cresterea
temperaturii jonctiunilor (a se vedea comentariile la figura 3.13 si figura B5.4).
I C [mA]
I B [ µA]
37
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Limita regiunii de saturatie (hasura galbena) este atinsa cand UBC=0, adica atunci cand UCE=UBE.
Curentul de baza care duce PFS la limita regiunii de saturatie are I C [mA]
𝐸𝐸𝐸𝐸
( ) 5mA
valoarea IBLSAT ≅ 𝑅𝑅𝑅𝑅
𝛽𝛽
= 200
= 25μA. Acest curent corespunde
5 I BSat
𝐸𝐸𝐸𝐸−𝑈𝑈𝐵𝐵𝐵𝐵 0
la RB= ≅376kΩ. Astfel, circuitul permite cresterea in I BLSat
𝐼𝐼𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵
continuare a lui IB (prin scaderea lui RB) dar cresterile lui IC vor Regiunea Activa
fi tot mai mici (IC este limitat la valoarea 5mA). Rezulta ca in 1,8 PFS
regiunea de saturatie β este mai mic decat in regiunea activa.
U BC = 0
Pentru o saturare profunda, se forteaza un curent de baza
𝐸𝐸𝐸𝐸
IBSAT=(5÷10) IBLSAT=(5÷10) 𝛽𝛽𝛽𝛽𝛽𝛽 . In aceste conditii la 6,4 10V U CE [V ]
un tranzistor cu Si, se obtin urmatoarele tensiuni tipice:
UCEsat=0,2V; UBEsat=0,7V; UBCsat=0,5V. + EC
La un tranzistor cu Ge, lucrurile se petrec la fel, dar tensiunile RC
tipice regiunii de saturatie sunt mai mici: UCEsat=0,1V; I CB 0 2kΩ
UBEsat=0,3V; UBCsat=0,2V. RB
EB I B IC
In continuare urmarim functionarea tranzistorului in regiunea
de blocare. Un circuit care permite blocarea tranzistorului se − 1MΩ IE = 0
+
prezinta in figura.
Sursa EB are polaritatea astfel aleasa incat sa poata polariza invers JBE (adica sa asigure UBE<0).
Cealalta jonctiune, JBC era polarizata invers si in regiunea
I C [mA]
activa (UBC<0), datorita sursei EC.
38
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Conditia de blocare profunda a tranzistorului este UBE = -0,1V. Din circuit se poate scrie relatia:
EB=-UBE+ICB0∙RB.=-(-0,1V)+10nA∙1MΩ=0,11 V.
Se vede ca o tensiune foarte mica asigura blocarea tranzistorului. Exista insa un risc: curentul ICB0
isi dubleaza valoarea la fiecare crestere a temperaturii cu 18oC. Ca urmare, pentru EB fixat, o data cu
cresterea temperaturii, tensiunea UBE poate deveni nula sau chiar pozitiva, astfel incat tranzistorul
paraseste regiunea de blocare si intra in regim activ.
39
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
iar Cbc se incarca peste RB si RC, timpul de intarziere (delay-time, td) are expresia:
ti(=td)≅RB∙Cbe+(RB+RC)∙Cbc.
Valoarea tipica a lui ti este de cateva ns (1÷10ns).
Timpul necesar cresterii curentului de la 0,1ICS la 0,9ICS se numeste timp de ridicare (rise-time), tr.
In acest interval de timp tranzistorul lucreaza in regim activ. Expresia analitica a lui tr se obtine
𝑚𝑚
folosind modelul de control prin sarcina a tranzistorului. Se obtine: tr=𝜏𝜏 r∙ln𝑚𝑚 −0,9 unde m=β∙IB1/ICS>1
este un factor de spracomanda a intrarii in saturatie. Se vede ca tr creste daca IB1 creste (saturarea e
mai profunda). 𝜏𝜏 r este o constanta de timp care depinde de Cbc, de durata de viata a purtatorilor
minoritari din baza, etc. Valoarea tipica a lui 𝑡𝑡r este de (20÷30)ns. Suma tcd=ti+tr se numeste timp de
comutare directa.
Dupa ce se da comanda de blocare (iB trece de la valoarea IB1 la valoarea –IB2), curentul iC ramane
inca la nivelul ICS pana cand este executata sarcina in exces stocata in regiunea bazei. Intervalul
corespunzator este numit timp de stocare, ts. Orientativ acesta are valori de (60÷80)ns ⇒(Storage-
time).
Dupa ce curentul ic incepe sa scada, se defineste timpul de cadere, tc (fall-time). Pentru acesta se
𝑘𝑘+1
obtine expresia: tc= 𝜏𝜏r∙ln𝑘𝑘+0,1, unde k=𝛽𝛽∙IB2/ICS este un factor de comanda la blocare. Tipic, acest
timp este de ordinul zecilor de ns. Impreuna, ts+tc=tci reprezinta timpul de comutare inversa. Este de
retinut ca tci>>tcd.
40
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
ID
D
RD
+
− Rp p p
ED −
+E G
G
U GS
S
Deoarece grila este negativata fata de sursa (UGS<0) jonctiunile pn sunt polarizate invers si in
jurul lor se creaza zone saracite in purtatori. Deplasand cursorul potentiometrului RP in sus,
negativarea creste si canalul se ingusteaza pana la strangularea lui completa. Odata cu negativarea tot
mai puternica a portii, curentul de drena ID (care are sensul contrar deplasarii electronilor) se tot
micsoreaza pana la anulare. In felul acesta tensiunea de intrare UGS≤0 controleaza curentul ID. pentru
a atrage electroni, drena este la un potential mai mare decat sursa (UDS>0).
41
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Simboluri de circuit
D D
U DS U DS
G G
U GS U GS
S S
Sensul sagetii din simbol precizeaza tipul canalului (si al tranzistorului). Se observa ca tensiunile
UGS, UDS si curentul ID au semne contrare penteu cele doua tipuri de tranzistoare. Deoarece
jonctiunile sunt polarizate invers, curentii de grila sunt practic nuli.
Caracteristicile de drena. Caracteristica de transfer
ID=f(UDS, UGS)
UGS - se ia ca parametru, caracteristica de drena
I D [mA]
U DSsat= U GS −V P
U DS= const
− 2V
5 0
U DS = const
− 3V
5 10 U DS [V ] − 3V − 2V − 1V
VP VP U GS [V ]
42
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Aplicatie:Amplificator cu TEC-J
Parametrii tranzistorului: ED
VP=-4V; ID
IDSS=8mA; RD
C2
Tensiuni si rezistente: D
EP=30V; C1
ES=-6V; G
RG=10MΩ, uies
RD=10kΩ; S
RS=4kΩ; RG
uin RS
(∗)In curent continuu:
Determinam PFS, adica ( 𝐼𝐼𝐷𝐷0 , 𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 0 0
, 𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 ).
Presupunem ca tranzistorul lucreaza in ES
regiunea de saturatie astfel ca putem folosi, ca
o prima ecuatie, expresia caracteristicii de transfer. A doua legatura intre ID si UGS, inlocuiesc
tensiunile in [V], curentii in [mA] si rezistentele in [kΩ]. se obtine sistemul:
𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 2
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 8 ∙ �1 − � (∗)
� −4
0
𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 = −(−6) − 𝐼𝐼𝐷𝐷 ∙ 4 ∙ 𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 (∗∗)
Din rezolvarea sistemului se obtine o solutie corecta(𝐼𝐼𝐷𝐷0 = 2𝑚𝑚𝑚𝑚, 𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺
0
= −20𝑉𝑉) si una falsa(𝐼𝐼𝐷𝐷0 =
3,1𝑚𝑚𝑚𝑚).
Solutia corecta se recunoaste prin faptul ca VP< UGS0<0. In schimb, la solutia falsa UGS0=6V-
3,1mA∙4kΩ ≅ - 6V <VP.
Tensiunea UDS0 poate fi aflata din ecuatia:
0
𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 =ED-RD∙𝐼𝐼𝐷𝐷0 -RS∙𝐼𝐼𝐷𝐷0 -ES=30V-10kΩ∙2mA-4kΩ∙2mA+6V=8V. solutia completa este (2mA, -2V,
8V).
Verificam daca presupunerea ca tranzistorul lucreaza in regiunea de saturatie este corecta (altfel
calculele nu ar fi valabile). La limita regiunii de saturatie, UDSsat=UGS-VP. pentru caracteristica pe
0
care se afla PFS calculat, putem scrie UDSsat=-2-(-4)=2V. evident, 𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 =8V>UDSsat.Deci presupunerea
initiala a fost justa si PFS este corect calculat.
(∗)In curent alternativ:
Comportarea la variatii a amplificatorului poate fi analizata pe baza schemei echivalente:
Rin G D Ries
i*
uin RG U gs g m ⋅ U gs RD uies
ie S
RS
43
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Simbol de circuit
B
U DS
G
U GS
S
44
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
I D [mA]
U DSsat= U GS −V P
U DS= const
I D [mA]
10 U GS= −10V
Ramura fizic imposibila
R.Lin R. Sat.
− 8V
5 − 6V 0
U DS = const
− 4V
−5 − 10 U DS [V ] VP − 3V − 2V − 1V
U GS [V ]
Pentru a atrage golurile, drena trebuie sa fie negativizata fata de sursa (UDS < 0). Cu cat
negativizarea grilei este mai puternica (UGS<0) cu atat canalul indus este mai larg si ID este mai mare
pentru UDS dat. Ca si la TEC-J, in planul caracteristicilor de drena se pot distinge doua regiuni: o
regiune liniara in care ID depinde si de UDS si de UGS, conform relatiei: ID=K[2 (UGS-VP) – UDS –
UDS2]
O regiune de saturatie in care curentul ID depinde, practic, doar de UGS conform relatiei:
ID=K(UG-VP)2 pentru |UGS|>VP
Reprezentarea grafica a ultimei relatii este numita caracteristica de transfer. Deoarece pentru
inducerea canalului, trebuie indeplinita relatia
UGS <VP (tensiunea de prag), numai una din cele D
doua ramuri ale parabolei este fizic realizabila.
Parametrul K este dependent de tehnologie: I D [mA] U DS > 0
K=(1...10)mA/V2. B
Relatiile precedente sunt valabile si pentru un
TEC-MOS cu canal indus de tip ‘n’ cu precizarea G
ca tensiunile si curentii au sensuri schimbate. 0
U DS = const
Simbolul de circuit si caracteristica de transfer se U GS > 0
prezinta alaturat. Ramura fizic realizabila a S
parabolei (pentru care se creaza canalul intre drena
si sursa corespunde pozitivizarii grilei peste nivelul 2 VP 6 U GS [V ]
45
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
ED
G
RG = 10 MΩ S
uin RG 2 = 11kΩ RS 1kΩ uies
In curent continuu:
Determinam PFS al tranzistorului (𝐼𝐼𝐷𝐷0 , 𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺
0 0
, 𝑈𝑈𝐷𝐷𝐷𝐷 ). Mai intai calculam valoarea parametrului
𝐼𝐼𝐷𝐷∗ 10
K= (𝑈𝑈 2 = ≅1,1 mA/V2. Desi RG este foarte mare, pe ea nu apare cadere de tensiune deoarece
𝐺𝐺𝐺𝐺 −𝑉𝑉𝑃𝑃 ) 9
curentul de grila este nul.
Ca urmare,potentialul grilei, VG depinde doar de difuzorul de tensiune (RG1, RG2):
𝑅𝑅𝐺𝐺2
VG=ED𝑅𝑅 +𝑅𝑅 = 11𝑉𝑉. Acum putem exprima tensiunea UGS=VG-VS=VG-ID∙RS.
𝐺𝐺1 𝐺𝐺2
Cea de-a doua ecuatie este reprezentata de caracteristica de transfer ID=k(UGS-VP)2. Daca se
elimina UGS intre cele doua ecuatii iar tensiunile se inlocuiesc I D [mA]
in [V] si rezistentele in kΩ rezulta o ecuatie pentru ID in [mA]: E = I (R + R ) + U
10 ID2-169ID+640=0. Solutia adevarata este ID0=5,73mA
D D D S DS
46
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Rin G D Ries
i*
uin RG U gs g m ⋅ U gs RD uies
RG1 RG 2 S
RS
47
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
1
In optica, oscilatiile sunt definite prin lungimea de unda si prin frecventa 𝜆𝜆 = 𝑐𝑐 ∙ 𝑇𝑇 = 𝑐𝑐 ∙ 𝜈𝜈 .
Undele radio, microundele, domeniul optic, razele X si razele gamma sunt unde electromagnetice.
1
Viteza de propagare a undelor electromagnetice in vid este c= in care 𝜖𝜖0 si 𝜇𝜇0 sunt
∙𝜇𝜇
�𝜖𝜖 0 0
permitivitatea, respectiv permeabilitatea magnetica a vidului. Domeniul optic cuprinde frecventele si
lungimile de unde din figura:
c ≅ 3 ⋅108 m / s
IR Vizibil UV
DIODA ELECTROLUMINISCENTA(LED)
Denumirea LED este acronimul expresiei “Light Emitting Diode”si desemneaza diodele care
daca sunt strabatute de curent, emit radiatie luminoasa de o anumita culoare. Pentru explicarea
acestei comportari se foloseste teoria benzilor (zonelor) energetice.
Dintre numeroasele benzi permise si interzise ale corpului solid, pentru
tehnica electronica doua sunt importante: Banda de Valenta (BV) n E
corespunzatoare electronilor de valenta – cei mai indepartati de nucleu-
si banda de conductie (BC). BV si BC sunt separate printr-o banda BC
interzisa (BI). Prin introducerea unor impuritati in semiconductor, se
pot crea niveluri energetice in interiorul BI. Impuritatile care cedeaza Nivel donor
electroni in BC se numesc donoare si semiconductorul rezultat este de EG
tip n (vezi figura). BI
Impuritatile care accepta electroni din BV generand acolo goluri,
BV
se numesc acceptoare si semiconductorul rezultat este de tip p.
La revenirea unui electron din BC in BV este emis un foton (cuanta
48
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
de lumina). Frecventa si lungimea de unda ale radiatiei emise, depind de saltul energetic ce
1
caracterizeaza tranzitia electronului din BC in BV: 𝜆𝜆 = 𝑐𝑐 ∙ 𝑇𝑇 = 𝑐𝑐 ∙ 𝜈𝜈 .
𝑐𝑐 ℎ∙𝑐𝑐
∆𝐸𝐸 = ℎ ∙ 𝜈𝜈=h∙ 𝜆𝜆 ⇒ λ= ∆𝐸𝐸
- 𝜆𝜆 -Lungimea de unda
- h - Constanta lui Planck (6,626∙10-34 Js)
- ∆𝐸𝐸 - Intervalul (saltul) energetic
- 𝑐𝑐 - viteza luminii
Exemplu: aliajul GaAsP prezinta o banda interzisa de EG=1,9 eV. (1eV=1,6∙10-19 J reprezinta
energia pe care o castiga un electron care strabate o Φ[W ]
diferenta de potential de 1V). Banda radiata se va situa intre
640 ÷700 nm. Daca lungimea de unda centrala λ0=650nm Φ max
culoarea va fi rosie. Pentru λ0=610 nm culoarea va fi
galbena. Φ max
(−3dB)
2
Caracteristica spectrala (tipica) a radiatiei emise, se
prezinta in figura. Banda la 3dB se defineste la o scadere a
fluxului luminos la jumatate din valoarea maxima. Fluxul λ1 λ0 λ2 λ[nm]
luminos se defineste prin puterea (energia in unitatea de
timp) ce strabate o anumita sectiune:
Φ /2
10log Φmax =−10∙log2≅-3dB; B3dB=λ2−λ1≅5%∙ λ0
max
Diodele laser au o caracteristica spectrala ingusta, tipic de doar cativa nm.
I F [mA]
I F max
TON TOFF TON
I Fmed
t
T
49
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
UF
IF
DZ RE U E
EC
R
R1
(TTL )
R1 = R2 = 1kΩ
R2
50
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Optocuplorul
Optocuplorul este un dispozitiv care realizeaza separarea galvanica intre un circuit electric numit
transmitator (Tx) si altul numit receptor (Rx). Prin “separare galvanica” se intelege faptul ca intre Tx
si Rx nu exista o cale de curent, nici in curent continuu, nici in curent alternativ. Aceasta separare este
utila in multe aplicatii. Cateva exemple:
- in electronica de putere se separa partea de forta de partea de comanda si semnalizare;
- in electronica medicala se separa galvanic senzorii aplicati pe corpul pacientului de eventualele
tensiuni periculoase pentru acesta;
- in domeniul comunicatiilor se separa liniile dintre emitor si receptor, etc.
Fata de transformatorul de tensiune care, si el, realizeaza o separare galvanica, optocuplorul are
avantajul miniaturizarii si faptul ca semnalul se transmite intre Tx si Rx atat in curent alternativ cat si
in curent continuu. La transformator cuplajul se face prin campul magnetic variabil (in curent
alternativ) iar la optocuplor transmiterea semnalului intre Tx si Rx se realizeaza prin fluxul de lumina
constant (in curent continuu) sau variabil (in curent alternativ).
Φ, S Curba de
sensibilitate
Spectrul
emitatorului
λ0 λ[nm]
IL I FD
LED FOTODETECTOR
optocuplor
51
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
IC
IL I FD IL I FD
IC
saturatie
(Fotocurentul,
in general)
∆I C
∆I L
IL
∆I C
CTR = lim
∆I L → 0 ∆I L
Caracteristica IC=f(IL) are o portiune liniara, pe care se poate defini, ca raport de variatii, CTR.
Uzual IL ia valori de ordinul m. Asadar exista si optocuploare care lucreaza la curenti de ordinul
zecilor de mA. Daca la primele optocuploare CTR are valori de 0,01÷0,1, in prezent CTR are valori
uzuale de ordinul miilor (103), la frecvente de taiere de ordinul MHz.
Aplicatie: optocuplor pentru cititor de banda perforata. In momentele in care banda perforata
obtureaza calea optica (IF≅0), in sensul ca prin fototranzistor trece doar curentul de intuneric), prin
𝐸𝐸−𝑈𝑈 10𝑉𝑉−1,6𝑉𝑉
LED circula curentul I= 𝑅𝑅 𝐷𝐷 = 3,3𝑘𝑘Ω =2,45 mA
52
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
IF
IL
Banda perforata
UD U CE
3,3kΩ R
330kΩ RE
uies
E = +10V
uies [V ] perforatie
8
Tensiunea Uies este o reprezentare a secventei de perforatie, luand valori 0V si RE∙IF = 330Ω ∙
24,5 mA= 8V (secventa de 0 si 1 logic).
Dispozitive fotodetectoare
53
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
λ.mic −
+
λ.mediu −
+
λ.mare −
+
(IR) p+ n n−
UD I
− +
Structura unei fotodiode se prezinta in figura, cu evidentierea mecanismului de generare a diodei.
In stratul p+ (puternic dopat cu goluri, p), sub efectul unei radiatii cu 𝜆𝜆 mic (albastru), se creaza
perechi electron-gol. In regiunea de sarcina spatiala (saracita in purtatori) are efect radiatia cu 𝜆𝜆
mediu (rosu).
In stratul n- (puternic dopat cu electroni, n), actioneaza radiatia cu 𝜆𝜆 mare (IR). Campul electric
intens din regiunea sarcinii spatiale duce la deplasarea golurilor spre zona p+ si a electronilor spre
stratul n-. Acesti purtatori generati datorita iluminarii pot produce un curent extern (fotocurent), IP.
De observat ca IP circula ca un curent invers prin dioda. Ecuatia fotodiodei se obtine daca din
curentul normal al unei diode se scade fotocurentul IP datorat iluminarii:
𝑢𝑢
I=IS[exp(𝑚𝑚 𝑈𝑈𝐷𝐷 )-1]-IP
𝑇𝑇
Nivelul de iluminare poate fi masurat in [W/m2] sau in Lux [lx]. Daca jonctiunea pn lucreaza in
cadranele I sau III, se va numi fotodioda, iar daca e utilizata in cadranul IV se va numi celula solara.
I
I0 UR U
E=0 U G ( RS = ∞)
− IR
E>0
− 1 / RS
I SC ( RS = 0)
De obicei fotodioda lucreaza polarizata invers. Fara iluminare, prin ea trece un curent infim, I0
(curentul de intuneric). Curentul invers creste cu incidenta luminoasa.
Pentru cadranul IV exista doua situatii limita: RS=∞ ⇒ lucrand in gol, celula solara furnizeaza o
tensiune Ug. Cand RS=0, celula furnizeaza curentul de scurtcircuit ISC=Ip (pentru iluminarea data). In
general, conectata in paralel cu o rezistenta Rs finita, dioda furnizeaza pe aceasta o putere
fotoelectrica (aria hasurata din figura).
54
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Emitorul
p −
Baza +
n colectorul
metal
Contactele bazei (poate sa lipseasca) si emitorului sunt astfel facute incat sa existe o deschidere
cat mai mare pentru radiatia incidenta. Jonctiunea BC are suprafata mare si este polarizata invers.
Perechile electron-gol formate prin absorbtie fotonica se vor separa: golurile vor difuza spre E iar
electronii spre colector.
I C [mA]
E=
10 1 3000lx
1000lx
100
300lx
−1
10
100lx
30lx
10 −2
10 20 30 40 50
U CE [V ]
Curentul de colector are expresia IC=(1+𝛽𝛽)∙Ip, unde Ip este fotocurentul iar 𝛽𝛽 = 100 ÷ 1000 este
factorul de amplificare in curent. In planul caracteristicilor de iesire, parametrul iluminare tine locul
curentului de baza. Fototranzistoarele sunt dispozitive mai lente decat fotodiodele si de aceea se
utilizeaza doar pana la frecventa f≤100 kHz.
Observatie: unitatea de iluminare numita Lux [lx] corespunde unui flux luminos de 1 lumen
repartizat uniform pe o suprafata de 1m2.
55
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE
Cand fotodioda este iluminata, curentul de colector al tranzistorului este mare si tensiunea de
iesire este scazuta. In lipsa iluminarii tranzistorul este blocat si tensiunea de iesire este aproximativ
egala cu tensiunea EC. Fata de fototranzistoare, fotodiodele au tolerante mai mici ale fotocurentului
deoarece nu intervine factorul aleator 𝛽𝛽. In plus, caracteristica Ip=f(ɸ) este mai lineara la fotodiode.
De aceea combinatia fotodioda-amplificator cu tranzistor este preferabila utilizarii unui
fototranzistor.
+ EC
RC
iesire
56