IDENTIFICAR LAS TÉCNICAS DE FABRICACIÓN DE C.I.

QUE FIGURAN EN EL PAPER "INTEGRACIÓN DE LA FOTÓNICA Y LA

ELECTRÓNICA", COMPARAR Y JUSTIFICAR PORQUÉ SE USAN EN FOTÓNICA

TÉCNICAS DE FABRICACION DE C.I

 Tecnología de integración de semiconductores

Consiste en la emisión de fotones con la energía de la banda prohibida al caer electrones y huecos. Su creación
mas importante es el láser semiconductor que remplazo a los gases voluminosos y dando paso al laser integrado
con un modulador.

 Integración usando tecnología InP

Como sabemos un haz de luz posee una amplitud, frecuencia, fase y una polarización y estos pueden ser
manipulados haciendo uso de amplificadores ópticos, moduladores de fase además tiene una integración en
conjunto .

 Process Design Kits (PDK):

Una ventaja importante del diseño con bloques de construcción estandarizados es que permiten la reutilización
de componentes y subcircuitos que se ponen a disposición de los diseñadores. El desarrollo de los PDK es muy
similar lo que en electrónica se conoce como PCells, celdas parametrizadas, los cuales representan una parte o
un componente del circuito que depende de uno o más parámetros, las cuales pueden reemplazar una cantidad
diversas de transistores con diferentes longitudes de ancho y largo.

 Integración Heterogénea:

Para poder llevar la fotónica a niveles de micrómetros se combinan el wafer de InP con el molde del wafer CMOS
eliminando el sustrato InP y el procesamiento a escala del wafer de las conexiones que unen la capa óptica y la
de aislamiento, reduciendo las capacitancias parásitas y aumentando la eficiencia.

 Integración basada en Silicio (IMOS)

El objetico es desarrollar circuitos fotónicos que se pueden crear sin comprometer la electrónica. Este método
permite que las guías de ondas puedan estar revestidas en materiales de bajo índice permitiendo que los
componentes puedan volverse más pequeños permitiendo una mayor densidad de integración y mejor
eficiencia de energía.

COMPARACIÓN ENTRE LA INTEGRACION FOTONICA Y ELECTRONICA

Si desarrollamos la fotónica sola o en combinación con la electrónica esto nos permite el mejoramiento de los niveles
de potencia y disipación de los circuitos. En sus inicio la electrónica fue incrementando gracias a los transistores de igual
manera se ha visto el incremento de componentes fotónicos en un sustrato .

 El nivel de potencia en fotónica tiene una mayor disipación y el patrón de tierra se reduce.
 La característica de la temperatura afecta tanto a la electrónica como la fotónica .
 Si introducimos nodos a los wafers en la electrónica generaría una curva de aprendizaje de fabricación mas
rápida
 Los bloques de construcción para fotónica son grandes y operan a nivel más alto que los transistores.
 La integración electrónica con transistores operan a más nivel de potencia.