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Pre reporte práctica #1: Dispositivos no lineales

1) Elabore una figura similar a la figura 2 pero para el caso del átomo de boro
(trivalente)

2) Haga diagramas que ilustren los conceptos expuestos en la sección c, “Construcción


del diodo por unión pn”

3) Investigue el valor de barrera potencial para los diodos de silicio y germanio

Barrera Potencial:

Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los
electrones libres en la zona de deplexión, el campo eléctrico trata de devolverlos a la zona n.
La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al
equilibrio.

El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
"Barrera de Potencial” que a 25 ºC equivalen a un valor de:

 0.3 V para diodos de Ge.


 0.7 V para diodos de Si.

4) Mencione los diferentes tipos de diodos.

Según Charles Schuler, existen diodos rectificadores, diodos de regulación de tensión,


emisores de luz (DEL), diodos Zener, diodo varicap o varactor, detector, entre otros.

Bibliografía:

Aranzabal, A. (2019). 2015. Recuperado 19 Agosto 2019, de: https://www2.uned.es/ca-


bergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/02_semiconduc/diodos.pdf

Schuler, C. (1994). Electrónica, principios y aplicaciones. Barcelona: Editorial Reverté.

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