MOSFET

Ideas Generales

• El nombre hace mención a la estructura interna: METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

FIELD EFFECT TRANSISTOR (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO
SEMICONDUCTOR)

• Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo de portador

• Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”

• Los más usados son los MOSFET de canal N

• La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor movilidad tenemos
menores resistencias de canal en conducció

Comparaciones entre FET`s y BJT

• El funcionamiento de los FETs se basa en el movimiento de un solo tipo de portadores,

mientras que en los BJT participan los dos tipos de portadores en cada configuración.

• Con la tecnología actual, el MOSFET es el elemento fundamental en la fabricación de

los circuitos integrados. Su proceso de fabricación es mas simple, pudiéndose colocar
mas de 200 millones en un chip.

• Con los MOSFETs es posible implementar circuitos integrados sin necesidad de otros
componentes, como resistencias o condensadores.

• El MOSFET se utiliza tanto en circuitos integrados digitales como analógicos, e inclusive

se implementan chips con ambos tipos de circuitos, denominados circuitos híbridos.

• El BJT tiene aplicaciones específicas, generalmente de mayor potencia.

TIPOS DE TRANSISTORES MOSFETs

G : Compuerta(Gate)
D : Drenador (DRAIN)

S : Fuente (SOURCE)

ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO Ó

ACUMULACIÓN
 Se fabrica sobre un sustrato tipo p (Body,B).
 Se difunden dos regiones n+, altamente dopadas: Source y Drain.
 Se "hace crecer" una capa fina (entre 2nm y 50nm) de dióxido de Silicio (SIO2), que es
un aislante, cubriendo el área entre Source y Drain,la cual, al depositarse metal sobre
ella, define el terminal Gate(G).
 Se deposita metal para crear los otros tres terminales (S), (D) y (B).

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO

Ó ACUMULACION
En la grafica se muestran las tensiones de polarización normales pero en el caso que la tensión
de la compuerta es nula ,la corriente de fuente y el drenador es nula .Por esa razón el MOSFET
de enriquecimiento esta normalmente en corte cuando la tensión de la compuerta es 0. Por esta
razón, el MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte cuando la tensión de puesta
es cero. La única forma de obtener corriente es mediante una tensión de puerta positiva.Cuando
la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la región p, y éstos se recombinan con los
huecos cercanos al dióxido de silicio. Cuando la tensión de puerta es lo suficientemente positiva,
todos los huecos próximos al dióxido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a
circular desde la fuente hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina capa de inversión
tipo n. Cuando existe, los electrones libres pueden circular fácilmente desde la fuente hacia el
drenador. La VGS mínima que crea la capa de inversión de tipo n se llama tensión umbral (en
inglés: threshold voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de
drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th), una capa de inversión tipo n conecta la
fuente al drenador y la corriente de drenador es grande. Los valores típicos de VGS(th) para
dispositivos de pequeña señal puede variar entre 1 y 3 V. El MOSFET de enriquecimiento se
clasifica porque su conductividad mejora cuando la tensión de puerta es mayor que la tensión
umbral. Los dispositivos de enriquecimiento están normalmente en corte cuando la tensión de
puerta es cero.

MOSFET polarizado
POLARIZACION DEL MOSFET

𝑅2 1
𝑉𝑅2 = 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 × 𝑅1+𝑅2 ≅ 3 𝑉𝐷𝐷

𝑅
𝑉𝑅2 = 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 × 𝑅𝐺
1

𝑅2 × 𝑅1
𝑅𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2

MALLA DE ENTRADA
CURVA DE ENTRADA

DONDE:
K=depende de la geometría del transistor
𝑊
𝐾=𝐶×
2𝐿

W= Ancho del canal

L= Longitud del canal

CIRCUITO DE SALIDA

𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 )
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑅𝑆

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) + 𝑉𝐷𝑆

𝑉𝐷𝐷 1
𝐼𝐷 = − × 𝑉𝐷𝑆
(𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

Según el datasheet del 2N7000

𝑉𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴
𝑉𝑃 = −8𝑉

El circuito de la derecha es el equivalente simplificado por Thevenin donde:

 𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 × 𝑅1+𝑅2

𝑅2 × 𝑅1
𝑅𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2

Para considerar que el circuito está correctamente polarizado consideramos:

En el circuito de entrada:

Usando los valores de polarización:

𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝐺 = 0.3𝑉𝑃 + 𝑅
2 𝑆
10𝑚𝐴
𝑉𝐺 = 0.3𝑉𝑃 + 𝑅𝑆
2
10𝑚𝐴
𝑉𝐺 = 0.3(−8) + 𝑅𝑆
2
𝑉𝐺 = −2.4 + 5𝑚𝐴𝑅𝑆 ……………………………………………………..(1)

En el circuito de Salida:

Usando los valores de polarización:

𝑉 𝐼
𝑉𝐶𝐶 = 2𝐶𝐶 + 𝐷𝑆𝑆
2
(𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )
𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐷𝑆𝑆
= (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )
2 2
12 10𝑚𝐴
= (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )
2 2
(𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) = 2𝐾……………………………………………..………………(2)

Como la corriente que pasa por el gate debe ser casi nula se escogen valores altos
de resistencias de entradas para no alterar el circuito.

Considerando para 𝑅1 = 1𝑀 𝑦 𝑅2 = 1𝑀

𝑅𝐺 = 500𝐾
𝑉𝐺 = 6𝑉

Usando estos valores en (1)

6 = −2.4 + 5𝑚𝐴𝑅𝑆
𝑅𝑆 = 1.6𝐾

Usando esto en (2)

(𝑅𝐷 + 1600) = 2000
𝑅𝐷 = 400