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Inversores conmutados en carga

Tipos de inversores:
 Inversores de conmutación natural -. También son conocidos como
inversores conmutados por la red, por ser esta la que determina el fin
del estado de conducción en los dispositivos electrónicos. Su aplicación
es para sistemas FV conectados a la red. Actualmente están siendo
desplazados por los inversores de conmutación forzada tipo PWM,
conforme se desarrollan los transistores de tipo IGBT para mayores
niveles de tensión y corriente.
 Inversores de conmutación forzada o auto conmutados -. Son para
sistemas FV aislados. Permiten generar CA mediante conmutación
forzada, que se refiere a la apertura y cierre forzados por el sistema de
control. Pueden ser de salida escalonada (onda cuadrada) o de
modulación por anchura de pulsos (PWM), con los que se pueden
conseguir salidas prácticamente senoidales y por tanto con poco
contenido de armónicos.
Con los inversores tipo PWM se consiguen rendimientos por encima del
90%, incluso con bajos niveles de carga.
Inversor autónomo
• Son inversores cuya tensión y frecuencia de salida son propios y no están
regidas por otras fuentes externas de energía, es decir que dichos
parámetros son generados acorde al diseño adoptado y son los que
entregan a la carga.
Inversor no autónomo
• Estos no tienen una tensión y frecuencia propias, debido a que no
operan en forma independiente, sino que trabajan interconectados con
una red de energía eléctrica (que de hecho es de tensión senoidal y
normalmente trifásica), es decir trabajan en paralelo para alimentar a
las cargas conectadas a dicha red. Es la red la que impone su forma de
onda senoidal y frecuencia, mientras que el inversor entrega energía a
la red sin modificar dichos parámetros y por tanto trabaja en
Conmutación natural
Inversores de frecuencia fija.
 Se emplean en Fuentes Conmutadas, ya sean con tensión de salida fija
o variable; UPS; Suministros Residenciales o cargas puntuales; etc. Por
ejemplo, las fuentes conmutadas en sus diferentes tipos, por su elevado
rendimiento se emplean en PC, televisores, etc. trabajando a una
frecuencia de conmutación del orden de los 25KZ y en ciertos casos
hasta 45Kz.
Inversores de frecuencia variable.
 Una de las aplicaciones de estos inversores monofásicos se encuentra
en los generadores o fuentes conmutadas de señales alternas. Dentro
de estos inversores se cuentan los implementados con el modo de
control por PWM, donde la tensión y frecuencia de salida son variables.
La aplicación fundamental es con salida trifásica para el control de la
velocidad de los motores asincrónicos trifásicos a cupla constante, lo
cual se logra manteniendo la relación tensión –frecuencia V/f constante,
es decir a medida que se varía la frecuencia, se varía la tensión en la
misma relación.
MOSFET
 Un MOSFET es un dispositivo de potencia controlado por voltaje, el cual
requiere sólo una pequeña corriente de entrada. Dentro de sus
características encontramos que el tiempo de conmutación para estos
dispositivos es del orden de nanosegundos por lo que su velocidad de
conmutación es muy rápida. Está formado por tres terminales, el gate,
drain y source.
 Tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal
N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, en el MOSFET de canal N la
parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) además
que el sustrato es de tipo P y difusiones de tipo N mientras que en el
MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al
drenaje (drain) y el sustrato es de tipo N y difusiones de tipo P.
IGBT
• El IGBT es un dispositivo híbrido que utiliza la tecnología de un transistor
TBJ con la de un dispositivo MOSFET, el cual es utilizado como un
conmutador para alta tensión en donde el flujo 90 de la corriente a
través del dispositivo es controlada por una fuente de voltaje de alta
impedancia normalmente de valores bajos lo que permite proveer una
corriente elevada con una pérdida de energía en la parte del control
baja.
• Consta de tres terminales, GATE o puerta, Colector y Emisor, el IGBT
puede representarse tanto como un tbj como en la figura a, o como en
la figura b un MOSFET.