Lista de Exercícios - P2 Eletronica I

A lista de exercícios também foi baseada na 11ª Edição do livro do Boylestad.

Capítulo 6: 10, 11, 12, 14, 29, 30, 31, 35, 36, 38.

Capítulo 7: 1, 2, 3, 6, 9, 12, 15, 20, 22.

*Nota: asteriscos indicam os problemas mais difíceis.

Dados IDSS = 12 mA e |VP| = 6 V, esboce uma distribuição

Desenhe a estrutura básica de um JFET de canal p. provável das curvas características do JFET (semelhante
b) Aplique a polarização apropriada entre dreno e fonte à Figura 6.11).
e esboce a região de depleção para VGS = 0 V. Comente resumidamente as polaridades das várias tensões
Utilizando as curvas características da Figura 6.11, deter- e sentidos das correntes para um JFET de canal n versus
mine ID para os seguintes valores de VGS (com VDS > VP): um JFET de canal p.
VGS = 0 V
b) VGS = –1 V
Dadas as curvas características da Figura 6.54:
VGS = –1,5 V
Esboce a curva característica de transferência direta-
d) VGS = –1,8 V
mente das curvas de dreno.
VGS = – 4 V
Utilizando a Figura 6.54 para estabelecer os valores de
VGS = – 6 V
IDSS e VP, esboce a curva característica de transferência
Usando os resultados do Problema 2, trace as curvas ca-
utilizando a equação de Shockley.
racterísticas de ID versus VGS.
Compare as curvas dos itens (a) e (b). Há alguma
Determine VDS para VGS = 0 V e ID = 6 mA utilizando
diferença considerável?
as curvas da Figura 6.11.
Dados IDSS = 12 mA e VP = – 4 V, esboce a curva carac-
b) Utilizando os resultados do item (a), calcule a resis-
terística de transferência para o transistor JFET.
tência do JFET para a região ID = 0 mA até 6 mA, com
b) Esboce as curvas características de dreno para o dis-
VGS = 0 V.
positivo do item (a).
Determine VDS para VGS = –1 V e ID = 3 mA.
Dados IDSS = 9 mA e VP = – 4 V, determine ID quando:
d) Utilizando os resultados do item (c), calcule a resis-
VGS = 0 V
tência do JFET para a região ID = 0 mA até 3 mA, com
b) VGS = –2 V
VGS = –1 V.
VGS = – 4 V
Determine VDS para VGS = –2 V e ID = 1,5 mA.
d) VGS = – 6 V
Utilizando os resultados do item (e), calcule a resistên-
Dados IDSS = 16 mA e VP = –5 V, esboce a curva caracte-
cia do JFET para a região ID = 0 mA até 1,5 mA, com
rística de transferência utilizando os dados da Tabela 6.1.
VGS = –2 V.
Determine o valor de ID da curva em VGS = –3 V e compare
Definindo o resultado do item (b) como ro, determine
ao valor determinado utilizando a equação de Shockley.
a resistência para VGS = –1 V utilizando a Equação 6.1
Repita para VGS = –1 V.
e compare com os resultados do item (d).
Para um dado JFET, se ID = 4 mA quando VGS = –3 V,
h) Repita o item (g) para VGS = –2 V utilizando a mesma
determine VP se IDSS = 12 mA.
equação e compare com os resultados do item (f).
Dados IDSS = 6 mA e VP = – 4,5 V:
Com base nos resultados dos itens (g) e (h), é pos-
Determine ID em VGS = –2 V e –3,6 V.
sível concluir que a Equação 6.1 parece uma apro-
b) Determine VGS em ID = 3 mA e 5,5 mA.
ximação válida?
Dado um ponto Q de IDQ = 3 mA e VGS = –3 V, determine
Utilizando as curvas características da Figura 6.11:
IDSS se VP = –6 V.
Determine a diferença na corrente de dreno (para
Um JFET de canal p tem como parâmetros de dispositivo
VDS > VP) entre VGS = 0 V e VGS = –1 V.
IDSS = 7,5 mA e VP = 4 V. Esboce as curvas características.
b) Repita o item (a) entre VGS = –1 V e –2 V.
Repita o item (a) entre VGS = –2 V e –3 V.
d) Repita o item (a) entre VGS = –3 V e – 4 V. Defina a região de operação para o JFET 2N5457 da Figura
Há uma mudança drástica na diferença entre os valores 6.20 utilizando a faixa de IDSS e VP fornecida. Isto é, esboce
de corrente de dreno quando VGS se torna mais negativa? a curva de transferência definida pelo valor máximo de IDSS
A relação entre a variação de VGS e a variação resultante e VP, e a curva de transferência para o valor mínimo de IDSS
de ID é linear ou não linear? Explique. e VP. Depois sombreie a área resultante entre as duas curvas.
Quais são as principais diferenças entre as curvas carac- Para o JFET 2N5457 da Figura 6.20, qual é a especificação
terísticas de coletor de um TBJ e as curvas características de potência em uma temperatura operacional usual de
de dreno de um JFET? Compare as unidades de cada eixo 45 °C usando-se o fator de redução de 5,0 mW/°C?
com a variável de controle. Como IC reage a um aumento Defina a região de operação para o JFET da Figura 6.54
de IB versus mudanças em ID a um aumento negativo de se VDSmáx = 30 V e PDmáx = 100 mW.
VGS? Compare o espaçamento entre as curvas de IB com o
das curvas de VGS. Compare VCsat com VP na definição da
região não linear para níveis baixos de tensão de saída. Utilizando as curvas da Figura 6.22, determine ID em
Descreva, com suas próprias palavras, por que IG é VGS = – 0,7 V e VDS = 10 V.
efetivamente igual a zero ampère para um transistor JFET. Em relação à Figura 6.22, o lugar geométrico dos valores
b) Por que a impedância de entrada de um JFET é tão alta? de pinch-off é definido pela região de VDS < |VP| = 3 V?
Por que o termo efeito de campo é apropriado para esse Determine VP para as curvas da Figura 6.22 utilizando IDSS
importante dispositivo de três terminais? e ID em algum valor de VGS. Isto é, simplesmente substitua
na equação de Shockley e resolva para VP. Compare os
resultados com o valor presumido de –3 V das curvas.
Utilizando IDSS = 9 mA e Vp = –3 V para as curvas da Figura
6.22, calcule ID em VGS = –1 V utilizando a equação de
Shockley e compare com o valor mostrado na Figura 6.22.
Calcule a resistência associada com o JFET da Figura
6.22 para VGS = 0 V, de ID = 0 mA até 4 mA.
Repita o item (a) para VGS = –0,5 V de ID = 0 até 3 mA.
Definindo ro para o resultado do item (a) e rd para o item
(b), use a Equação 6.1 para determinar rd e compare
com o resultado do item (b).
Esboce a construção básica de um MOSFET tipo de-
pleção de canal p.
b) Aplique a tensão apropriada dreno-fonte e esboce o
fluxo de elétrons para VGS = 0 V.
Quais as semelhanças entre a estrutura do MOSFET tipo
depleção e um JFET? E quais as diferenças?
Explique, com suas próprias palavras, por que a aplicação
de uma tensão positiva no terminal de porta de um MOS-
FET tipo depleção de canal n resulta em uma corrente de
dreno maior do que IDSS.
Dado um MOSFET tipo depleção com IDSS = 6 mA e
VP = –3 V, determine a corrente de dreno em VGS = –1 V, 0 V,
1 V e 2 V. Compare a diferença nos valores de corrente
entre –1 V e 0 V com a diferença entre 1 V e 2 V. Na região
de VGS positiva, a corrente de dreno aumenta a uma taxa
significativamente maior do que para valores negativos?
A curva de ID se torna cada vez mais vertical com valores
positivos crescentes de VGS? A relação entre ID e VGS é linear
ou não linear? Explique.
Esboce a curva de transferência e as curvas de dreno de
um MOSFET tipo depleção de canal n com IDSS = 12 mA
e VP= –8 V para VGS = –VP até VGS = 1 V.
Dados ID = 14 mA e VGS = 1 V, determine VP se IDSS =
9,5 mA para um MOSFET tipo depleção.
Problemas 10 e 20.
Dados ID = 4 mA em V GS = –2 V, determine IDSS se
VP = –5 V.
Considerando que 2,9 mA seja um valor médio para o IDSS
do MOSFET 2N3797 da Figura 6.31, determine o valor
de VGS que resultará em uma corrente máxima de dreno de
20 mA, se VP = –5 V.
Se a corrente de dreno para o MOSFET 2N3797 da Figura
6.31 é 8 mA, qual é o máximo valor de VDS permitido
utilizando o valor especificado para máxima potência?
Qual é a principal diferença entre a construção de um
MOSFET tipo intensificação e um MOSFET tipo de-
pleção?
b) Esboce a construção de um MOSFET tipo intensifica-
ção de canal p com a polarização apropriada aplicada
(VDS > 0 V, VGS > VT) e indique o canal, o sentido do
fluxo de elétrons e a região de depleção resultante.
Descreva resumidamente a operação básica de um
MOSFET tipo intensificação.
Esboce a curva de transferência e as curvas de dre-
no de um MOSFET tipo intensificação de canal n se
VT = 3,5 e k = 0,4 × 10–3 A/V2.
b) Repita o item (a) para a curva de transferência, com
VT mantido em 3,5 V, mas com k aumentado 100%,
valendo agora 0,8 × 10–3 A/V2.
Dados VGS(Th) = 4 V e ID(ligado) = 4 mA em VGS(ligado) =
6 V, determine k e escreva uma expressão geral para ID
no formato da Equação 6.15.
b) Esboce a curva de transferência para o dispositivo do
item (a).
Determine I D para o dispositivo do item (a) em
VGS = 2 V, 5 V e 10 V.
Dada a curva de transferência da Figura 6.55, determine
VT e k e escreva uma equação geral para ID.
Dados k = 0,4 × 10–3 A/V2 e ID(ligado) = 3 mA com VGS(ligado)
= 4 V, determine VT.
 Problema 38.
A corrente de dreno máxima para o MOSFET tipo inten-
sificação de canal n 2N4351 é 30 mA. Determine VGS para
esse valor de corrente, se k = 0,06 × 10–3 A/V2 e VT é o
valor máximo.
A corrente do MOSFET tipo intensificação aumenta a uma
taxa aproximadamente igual à do MOSFET tipo depleção
para a região de condução? Revise detalhadamente o for-
mato geral das equações, e, se sua base matemática inclui
cálculo diferencial, calcule dID/dVGS e compare seu valor.
Esboce a curva característica de transferência de um
MOSFET tipo intensificação de canal p, se VT = –5 V e
k = 0,45 × 10–3 A/V2.
Esboce a curva de ID = 0,5 × 10–3 (V2GS) e ID = 0,5 × 10–3
(VGS – 4)2 para VGS de 0 V até 10 V. O valor VT = 4 V influi
significativamente no valor de ID para essa região?
Descreva, com suas próprias palavras, por que o VMOS
FET pode suportar uma corrente e uma potência maio-
res do que os dispositivos de construção convencionais.
b) Por que o VMOS FET apresenta valores de resistência
de canal reduzidos?
Por que é desejável um coeficiente de temperatura
positivo?
Quais são as vantagens relativas da tecnologia UMOS em
relação à VMOS?
Descreva, com suas próprias palavras, a operação do
circuito da Figura 6.45 com Vi = 0 V.
Se o MOSFET “ligado” da Figura 6.45 (com Vi = 0
V) possui uma corrente de dreno de 4 mA, com VDS =
0,1 V, qual é o valor aproximado de resistência do dis-
positivo? Se ID = 0,5 A para o transistor “desligado”,
qual é o valor aproximado de resistência do dispositi-
vo? Os valores de resistência resultantes sugerem que
o valor desejado de tensão de saída será obtido?
Faça uma pesquisa bibliográfica sobre a lógica CMOS e
descreva a faixa de aplicações e as principais vantagens
dessa técnica.
*Nota: asteriscos indicam os problemas mais difíceis.

Determine VD e VGS para a configuração com polarização

Para a configuração com polarização fixa da Figura 7.75: fixa da Figura 7.79.
Esboce a curva de transferência do dispositivo.
Sobreponha a equação do circuito no mesmo gráfico.
Para a configuração com autopolarização da Figura 7.80:
Determine IDQ e VDSQ.
Esboce a curva de transferência para o dispositivo.
Utilizando a equação de Shockley, determine IDQ e,
Sobreponha a equação do circuito no mesmo gráfico.
depois, VDSQ. Compare com as soluções do item (c).
Determine IDQ e VGSQ.
Para a configuração com polarização fixa da Figura 7.76
Determine VDS, VD, VG e VS.
determine:
Determine IDQ para o circuito da Figura 7.80 utilizando
IDQ e VGSQ utilizando uma análise puramente matemática.
uma análise puramente matemática. Isto é, estabeleça
Repita o item (a) utilizando uma análise gráfica e
uma equação de segundo grau para ID e escolha a solução
compare os resultados.
compatível com as características do circuito. Compare
Determine VDS, VD, VG e VS utilizando os resultados do
com a solução obtida no Problema 6.
item (a).
Para o circuito da Figura 7.81, determine:
Dado o valor de VD na Figura 7.77, determine:
VGSQ e IDQ.
ID.
VDS, VD, VG e VS.
VDS.
Dada a leitura VS = 1,7 V para o circuito da Figura 7.82,
VGG.
determine:
Determine VD e VGS para a configuração com polarização
IDQ.
fixa da Figura 7.78.
VGSQ.
IDSS.
VD .
VDS.

Problemas 1 e 37. Problema 3.

Problema 2. Problema 4.
Problema 5. Problema 9.

Para o circuito da Figura 7.83, determine:

ID .
VDS.
VD.
VS.
Determine VS para o circuito da Figura 7.84.

Problemas 6, 7 e 38.

Problema 10.

Problema 8.
Problema 11.
Para o circuito da Figura 7.85, determine:
VG.
IDQ e VGSQ.
VD e VS.
VDSQ.
Repita o Problema 12 com RS
de seu valor no Problema 12). Qual é o efeito de um
RS menor sobre IDQ e VGSQ?
Qual é o valor mínimo possível de RS para o circuito
da Figura 7.85?
Para o circuito da Figura 7.86, VD = 12 V. Determine:
ID.
VS e VDS.
VG e VGS.
VP.
Determine o valor de RS para o circuito da Figura 7.87 de Problema 15.
modo a estabelecer VD = 10 V.

Para o circuito da Figura 7.88, determine:

IDQ e VGSQ.
VDS e VS.

Problemas 16 e 39.

Dado VDS = 4 V para o circuito da Figura 7.89, determine:

ID .
VD e VS .
VGS.

Problemas 12 e 13.

Problema 17.
Problema 14.
Para o circuito da Figura 7.90:
Determine IDQ.
Determine VDQ e VDSQ.
Calcule a potência fornecida pela fonte e dissipada pelo
dispositivo.
Determine VD e VGS para o circuito da Figura 7.91 usando
as informações fornecidas.

Para a configuração com autopolarização da Figura 7.92,

determine:
IDQ e VGSQ.
VDS e VD.
Para o circuito da Figura 7.93, determine:
IDQ e VGSQ.
VDS e VS.
Problema 20.
Para o circuito da Figura 7.94, determine:
IDQ.
VGSQ e VDSQ.
VD e VS.
VDS.

Problema 21.

Problema 18.

Problema 22.

Para a configuração com polarização por divisor de tensão

da Figura 7.95, determine:
Problema 19. IDQ e VGSQ.
VD e VS .
 Problema 23.

Para o circuito da Figura 7.96, determine:

VG. IB.
VGSQ e IDQ. VD. Problema 25.
IE. VC.
Para o circuito combinado da Figura 7.97, determine:
VB e VG.
Projete um círculo de polarização por divisor de tensão
VE.
utilizando um MOSFET tipo depleção com IDSS = 10 mA
IE, IC e ID.
e VP = – 4 V, de modo que o ponto Q se situe em IDQ = 2,5
IB.
mA usando uma fonte de 24 V. Além disso, estabeleça VG
V C, V S e V D .
= 4 V e use RD = 2,5RS com R1
VCE.
comerciais de resistência.
VDS.
Projete um circuito como o que aparece na Figura 7.39 utili-
zando um MOSFET tipo intensificação, com VGS(Th) = 4 V e
Projete um circuito com autopolarização utilizando um k = 0,5 × 10–3 A/V2 para um ponto Q em IDQ = 6 mA. Utilize
transistor JFET com IDSS = 8 mA e VP = – 6 V para con- uma fonte de 16 V e valores comerciais de resistência.
seguir um ponto Q em IDQ = 4 mA usando uma fonte de
14 V. Considere que RD = 3RS e use valores comerciais de
O que as leituras para cada configuração da Figura 7.98
resistências.
sugerem sobre a operação do circuito?
Apesar de as leituras da Figura 7.99 sugerirem, à primeira
vista, que o circuito se comporta adequadamente, determi-
ne a possível causa para o estado indesejável em que ele
se encontra.
O circuito da Figura 7.100 não está operando adequada-
mente. Qual é a causa específica para sua falha?

Para o circuito da Figura 7.101, determine:

IDQ e VGSQ.
VDS.
VD .
Para o circuito da Figura 7.102, determine:
IDQ e VGSQ.
VDS.
VD .

Repita o Problema 1 utilizando a curva universal de pola-

rização para o JFET.
Repita o Problema 6 utilizando a curva universal de pola-
rização para o JFET.
Repita o Problema 12 utilizando a curva universal de
polarização para o JFET.
Problema 24.
 Problema 29.

Problema 30. Problema 32.

Problema 31.
Problema 33.
Repita o Problema 16 utilizando a curva universal de
polarização para o JFET.
Desenvolva uma análise do circuito do Problema 16 utili-
zando o Multisim.
Desenvolva uma análise do circuito do Problema 1 utili- Desenvolva uma análise do circuito do Problema 33 utili-
zando o PSpice para Windows. zando o Multisim.
Desenvolva uma análise do circuito do Problema 6 utili-
zando o PSpice para Windows.