Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
EEA Jonctiunea PN Print PDF
EEA Jonctiunea PN Print PDF
Analogică (EEA)
1. Dispozitive Electronice
Dispozitive electronice:
1. Procese fizice
Joncţiunea P-N
Joncţiunea P-N este un semiconductor eterogen format din două regiuni
distincte
• una este dopată cu impurităţi acceptoare, iar
• cealaltă cu impurităţi donoare;
Cele două regiuni formează o singură reţea cristalină.
Analiză (2)
© Analog Devices
Tip P Ge dopat cu Ga
Tip N Ge dopat cu As
wanda.fiu.edu
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Nivelul Fermi în semiconductor (2)
Tip P Ge dopat cu Ga
Tip N Ge dopat cu As
wanda.fiu.edu
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Tip P Ge dopat cu Ga
Tip N Ge dopat cu As
wanda.fiu.edu
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
In regiunile neutre există purtători mobili de sarcină în număr mare, iar
conductibilităţile electrice vor fi:
- în regiunea p: p q p p p
- în regiunea n: n q n p n
unde :
μp mobilitatea purtătorilor de tip p
pp concentraţia purtătorilor de tip p
μn mobilitatea purtătorilor de tip n
pn concentraţia purtătorilor de tip n
Joncţiunea P-N
2. Echilibru termodinamic
Aproximaţii:
ni2
p p n p p pnp ni2 p p Na np
Na
ni2
nn pn nn pn ni2 nn N d pn
Nd
Model unidimensional
Concluzie:
• pentru semiconductorul P: 2 qN a qp p
• pentru semiconductorul N: 1 qN d qnn
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Se determină variaţia lui u(x) în
regiunea de trecere:
u2(x) şi u1(x)
Zona 2
d 2u2 ( x) qp p
dx 2
du 2 ( x)
cu condiţiile la limită: u2 ( x) x l 0 0
p
dx xl p
du2 ( x) qp p qp p l p
Integrând: x C1 C1
dx
x l p u2 ( x) 12 p x l p 2 C2
du2 ( x) qp p qp
dx
C2 0 u2 ( x)
1 qp p
x l p 2
2
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Zona 1
d 2u1 ( x) qpn
dx 2
du1 ( x)
cu condiţiile la limită: u1 ( x) x ln 0 0
n
dx x ln
du1 ( x) qn qnn ln n
Integrând: n x C3 C3
dx
du1 ( x)
n x ln u1 ( x)
qn 1 qnn
x ln 2 C4
dx 2
C4 U 0 u1 ( x) U 0
1 qnn
x ln 2
2
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Racordarea soluţiilor:
• Pentru: x= 0 u1 (0) u2 (0)
U0
1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
2
lp
2
ln
2
nnln2 p p l p2
du1 ( x ) du 2 ( x ) qp p qnn
lp ln
dx x 0 dx x 0
lp nn
nnln p p l p
ln pp
1q l 2 p 2p l 2 nn2
U0 nn pp
2 nn p p 2 nn p p 2
Se deduce lungimea zonei de trecere:
2U 0 p p nn
l
q p p nn
Observaţii:
• lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic;
• regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu
impurităţi.
du kT dp kT dn
Dar: E du
dx q p q n
kT p( x) kT n( x)
u ( x) ln ln
q pc q nc
pc, nc constante de integrare
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Înălţimea barierei de potenţial (2)
Concentraţiile de purtători:
qu ( x ) qu ( x )
p ( x ) pc e kT
n( x) nc e kT
Condiţii la limită:
x u 0 p pp ; n np pc p p ; nc n p
x u U0 p p n ; n nn
qU 0 qU 0
pn p p e kT
nn n p e kT
kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0 ln ln ln 2 ln
q np q pn q ni q ni2
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
N a 1015 / cm3 ;
N d 1018 / cm3 ; U 0 0,777 V
ni2 10 20 / cm 6
W 1 W 2 2 1 qU 0
2 1
pn n e kT ne kT p pe kT p pe kT
2 1
2 1 1 2 1 2 1
n(l p ) n p n e kT ne kT ne kT e kT nn e kT
Joncţiunea P-N
3. Joncţiunea P‐N cu tensiune aplicată
iD i pM i pm inM inm 0
iD i pM i pm inM inm 0
Aplicare tensiune directă:
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere,
în zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de şi nu
pătrund mai mult de . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternică în ambele zone şi se obtine curentul direct
care este un curent de recombinare.
iD i pM i pm inM inm 0
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Concluzii:
Curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele
joncţiunii.
i pM
i pM i pm i pm 1 i pm f (u D ) 1
i pm
Cu condiţia: f(0)=1
i D i pm f (u D ) 1 inm f (u D ) 1 I 0 f (u D ) 1
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune (2)
Densitatea curentului
electric este aceeaşi în
orice secţiune:
Similar în zona P
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune (3)
Condiţii la limită:
Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă: U 0 U 0 uD
2U 0' p p nn uD Polarizare directă: l < l0
l l0 1
q p p nn U0 Polarizare inversă: l > l0
qU 0' qU 0 qu D qu D
p(l n ) p p e kT
ppe kT
e kT
pn e kT Condiţiile la limită de tip
Shockley;
qU 0' qU 0 qu D qu D
uD>0 apare o injecţie de
n(l p ) nn e kT
nn e kT
e kT
npe kT
purtători
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune (4)
Densitatea de curent: j D jn j p
j n j n camp jn dif j p j p camp j p dif
În semiconductorul de tip P: p>>n
dn dn
j D qp p E p qDn qn n E p qp p E p qDn
dx dx
curent de câmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de câmp de goluri – neglijabil
dp
jD qn n En qD p
dx
dp dp dn
qp p E p qD p j D qD p qDn
x l p dx x ln dx x l n dx x l p
p p p0 1 dj p j p ( x) qD p
dp
0
t p q dx dx
p p0 1 d dp d 2 p( x) p( x) pn
Rezultă: qD p 0 cu: p p ( x ) şi: 0
p q dx dx dx 2 L2p
x x
p ( x) p n Ae Be
Lp Lp
Soluţia:
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune (6)
;
x x
p( x) pn Ae Be
Lp Lp
Soluţia:
cu condiţia la limită: x
x p( x) pn B 0 p( x) pn Ae
Lp
x ln p (l n ) p n e kT
A p n (e kT
1)e
Lp
x ln
qu D
p ( x ) p n p n (e 1)e
Lp
kT
Pentru uD= 0 p(x)=p0 (echilibru termodinamic)
dx x l n Lp Lp
x l n
qDn n p qu D
Analog: jn (l p ) (e kT
1)
Ln
qD p p n qu D
qDn n p qu D
Rezultă: jD (e kT
1) (e kT
1)
Lp Ln
Considerând A aria transversală a joncţiunii: iD Aj D
qD p pn qDn n p qukTD
iD A (e 1)
L p
L n
qu D
considerăm: i D I 0 (e kT
1)
qD p qD n
I 0 A p n n p
Lp Ln
I0 curentul de saturaţie
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune (8)
;
kT kT
Pentru: u D 0 u D ( 26mV )
q q
qu D
Pentru: uD 0 u D
kT
q
iD I 0
Semnificaţia curentului de saturaţie:
qD p pn qDn n p qD p ni2 qDn ni2 qD
I 0 A A A p 1 qDn 1 ni2
L L L N Ln N a L N Ln N a
p n p d p d
W W
Deoarece: ni ct.T e
2 3 kT
I 0 ct.T e 3 kT
5. Caracteristica diodei reale
Caracteristica diodei
Caracteristica ideală a diodei:
qu D
iD I 0 e kT
1
1
Coeficient de multiplicare în avalanşă: M m
u
1 D
U str
dioda ideala;
Joncţiunea P-N
6. Regimul dinamic al joncţiunii PN
Determinarea PSF
PSF (Punctul Static de Funcţionare)
UD, ID
Ecuaţii: E RiD u D
M I D ,U D
iD iD uD
PSF
dreapta de funcţionare statică
qukTD q U kT
D ud
qUkTD qukTd
iD I 0 e 1 I 0 e 1 I 0 e e 1
qUkTD qu d qUkTD qu d kTD
qU
I 0 e 1
1 I0 e
1 I 0 e
kT kT
qU D
qud
Rezultă: id I 0 e kT
kT
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Rezistenţa dinamică
ud kT 1 kT
rd
id q qU D
kT
q( I D I 0 )
I 0e
La polarizare directă: kT
U D 0, U D 0,026 V
q
rd
kT
kT vT
rd
vT 26
; mV
q( I D I 0 ) qI D I D ID ID mA
kT
La polarizare inversă: U D 0, U D
q
kT
rd foarte mare
qI 0
Capacitatea de barieră
Sarcina acumulată în regiunea de trecere
(sarcină electron ●concentraţie● volum):
nn
Qb qN a AL p qN a A l
nn p p
nn u
Qb qN a A l0 1 D u D Qb Cb
nn p p U0
Cb 0
În funcţie de profilul de impurităţi Cb m Cu m având valori
uD
se obţin relaţii de forma: 1 cuprinse între 0,3 si 0,5.
U0
uD Q dp Cd
qU D
dQdp q
C dp qApn L p e kT
du D kT componenta determinată de goluri;
M
Aq 2 pn L p n p Ln qU D
Cd e kT ct.I D (din PSF).
kT
N a N d ; p p 2 nn ;
Pentru o jonctiune P-N: ni2 ni2
n p p n pn
p n
qU D qU
Aq 2 pn L p 2
q qApn D p L p kTD
Cd C d
p
e kT
e ;
kT kT L p D p
q
Cd pID
kT
7. Variante constructive ale diodelor
Parametri:
• curentul maxim direct admisibil – 50 - 100 mA
• tensiunea invers maxim admisibilă – 20 – 100 V
• putere disipată maxim admisibilă – 150 mW
Parametri:
• curentul maxim direct admisibil –10 mA – 100 A
• tensiunea invers maxim admisibilă – 10 – 1000 V
• putere disipată maxim admisibilă – 0,1 – 100 W
(se pot utiliza şi sub forma de punţi redresoare)
Diode varicap
cu utilizare în circuite acordate, oscilatoare, filtre, la care
se foloseşte dependenţa capacităţii de barieră a diodei de
tensiunea inversă aplicată; capacitatea de barieră este
proporţională cu aria joncţiunii:
Cb 0
Cb m
UD
1
U 0
Diode Zener
se bazează pe fenomenul de multiplicare în avalanşă.
tensiunea stabilizată este cuprinsă între 3V şi 100V iar
curentul prin diodă este de ordinul a 10 - 100 mA, în funcţie
de puterea diodei.
Fotodiode (fotoelemente)
Sunt diode cu joncţiuni sau de tip
Schottky la care radiaţiile luminoase
pot pătrunde prin capsulă şi sunt
absorbite de materialul semiconductor
– ca urmare se intensifică procesul de
generare de perechi electron-gol şi se
modifică curentul de saturaţie al
diodei. Se foloseşte numai cu
polarizare inversă.