Transistor Bipolaire

BJT
(Bipolar Junction Transistor)
5
1950 : premier 1947 : premier transistor à
transistor à jonction pointe

2
 Les différents types de transistors
On distingue 2 grandes familles de transistor

– Transistors bipolaires : utilisent simultanément la conduction

par trous et par électrons Transistors Bipolaires à
Jonction
# BJT de type p ou n

– Transistors unipolaires : n’utilisent qu’un seul type de pôles,

électrons ou trous Transistors à Effet de Champ
# à jonction = JFET
# métal-oxyde-semicondcuteur = MOSFET

3
 Transistors bipolaires
 Il existe donc deux types de transistors bipolaires :
NPN et PNP

La flèche entre l’émetteur et la base est orientée dans le sens passant de la jonction
PN donc toujours de p vers n.

Les
premiers
BJT

Utilisations :
• amplificateur linéaire de courant
• commutateur logique 0/1: état bloqué/état saturé 4
 Les transistors à effet de champ
JFET (Junction Field Effect Transistor)
JFET à canal N (le plus utilisé de JFET)

• canal N, grille P+
• porteurs majoritaires :
électrons
• sens du courant : du
drain vers la source
• jonction grille canal
polarisée en inverse
• source : injecte les électrons
• drain : collecte les électrons
• grille : contrôle le flux d’électrons

Utilisations :
• résistance variable commandée par une tension
• courant commandé par une tension
5
 MOSFET 1959
Transistor le plus employé de nos jours (multitude de types différents : à
canal N, à canal P, à appauvrissement, à enrichissement…)
E-MOSFET de puissance à canal N

Les électrons circulent de la source vers le drain ; le flux est contrôlé par le
potentiel de la grille qui opère ainsi comme un robinet.

porte logique : niveau logique de sortie 1 = niveau 1 sur la source

(=courant arrive en entrée) x niveau 1 sur la grille (= grille activée).

6
Transistors Modernes

7
 Transistor bipolaire
Le transistor bipolaire correspond à la juxtaposition de deux
jonctions PN tête-bêche réalisées dans un même semiconducteur.
La connaissance d’une diode à jonction PN est nécessaire pour en
comprendre son fonctionnement

Matériau N Matériau P Matériau N

+ + + - - + + +

+ + + - - + + +

Le fait d’avoir deux jonctions très rapprochées confère à la structure

des propriétés autres que la simple juxtaposition de deux jonctions
tête-bêche 8
 Le Transistor bipolaire

Transistor bipolaire NPN au niveau atomique

Collecteur
Emetteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
ZCE Base ZCE

Les deux jonctions sont généralement appelées : «Emetteur-

Base» (E-B) et «Base-Collecteur» (B-C).

9
 Définitions et symboles
Emetteur

 «L’ Emetteur » est en surface. Il est en

général fortement dopée. Collecteur

 Le «collecteur» est situé en-dessous de « la Base

base » .
Coupe d’un transistor bipolaire
 Emetteur et collecteur sont réalisés dans un au niveau des jonctions
même cristal et ont le même type de dopage
mais pas forcément le même type de dopant, ni
le même niveau de concentration.

 La structure est essentiellement tridimensionnelle mais on supposera

dans la suite pour simplifier l’étude théorique, un modèle unidimensionnel
dont l’orientation est perpendiculaire aux plans parallèles des jonctions E-B
et B-C.
 Le collecteur est important dans les performances électriques du
transistor. Il faut donc minimiser la résistance interne de cette couche d’où
l’utilisation d’une zone très dopée.
10
 Profil de dopage
 Le profil de dopage typique dans une
technologie de transistor bipolaire intégré est :

 un émetteur très dopé,

 une base moyennement dopée,
 un collecteur constitué de deux zones
(faiblement dopée et très dopée).
Concentration des impuretés cm-3

N+

P N+

Profondeur mm 11
Diagramme d’énergie de la structure
à l’équilibre thermodynamique

Emetteur Base Collecteur

E (n) B (p) C (n)

Eg Eg Eg

Cas d’un transistor NPN

12
Diagramme d’énergie de la structure
à l’équilibre thermodynamique

Emetteur Base Collecteur

E (n) B (p) C (n)

Eg

Eg
Eg

Cas d’un transistor NPN

13
 Diagramme d’énergie de la structure
à l’équilibre thermodynamique
 A l’équilibre thermodynamique (transistor non polarisé), les niveaux de
Fermi s’alignent.
Emetteur Base Collecteur
E (n) B (p) C (n)

qVbi1 qVbi2
Eg

Eg
Eg

Cas d’un transistor NPN

14
 Principe de Fonctionnement
En régime dit "normal" de fonctionnement
La Jonction B-C est polarisée en sens inverse : normalement JC ≈ 0 mais
Surprise : La jonction BC polarisée en inverse conduit le courant !!!
car: la Jonction E-B est polarisée en sens direct ce qui implique :
–Injection de minoritaires dans
la base Emetteur Base
Collecteur
–Base très fine : les E B C
minoritaires atteignent la
jonction B/C sans
recombinaison
E dans Z.C.E. de la jonction Entrée Sortie
B-C
- Collecte des minoritaires
dans l’émetteur (deviennent
majoritaires en excès)
Polarisation directe polarisation inverse
- Diffusion vers le contact faible fort
==> JC important
15
Distribution des porteurs minoritaires dans
un transistor bipolaire npn
Emetteur Base Collecteur
nn0=NDE
E B C
pp0=NA
nn0=NDC

Le champ électrique
Champ Champ
E E injecte les électrons
dans le collecteur

La largeur de la base est plus petite que la

longueur de diffusion des porteurs minoritaires

16
 Modes de fonctionnement
Régime E-B C-B
Mode le plus important, exemple pour
le fonctionnement de l'amplificateur
Normal (actif) directe inverse La région où les courbes de courant
sont pratiquement plat.

Barrière de potentiel des jonctions

s'annulent mutuellement.
Saturation directe directe Idéal transistor se comporte comme
un interrupteur fermé.

Courant réduit à zéro.

Cutoff  Idéal transistor se comporte comme
inverse inverse
(Bloqué) un interrupteur ouvert

17
 Fonctionnement du bipolaire
Régime de conduction normal
 On polarise la jonction E-B en direct ( 0,6V pour le silicium), il y aura
injection de porteurs depuis B vers E et depuis E vers la B.
 Et on polarise la jonction C-B en inverse (plusieurs volts), les injections
de porteurs dues à cette polarisation sont très faibles et le champ
électrique dans la zone de charge d’espace est très élevé.

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

 0,6v Plusieurs
volts

18
 Diagramme d’énergie du transistor bipolaire
npn en Régime de conduction normal
 Dans le cas d’une jonction PN polarisée en direct dissymétrique (n +p), la
densité de courant injectée dans la région p est très supérieure à celle
injectée dans la région n.

 Le but de la structure est donc de récupérer cette densité de courant

injectée par l’émetteur dans la base via un champ électrique (créé par la
polarisation inverse de la jonction C-B).  Pour un transistor NPN le
courant collecteur sera proche du courant d’électrons injecté par
l’émetteur.

electrons

VEB

VCB

Potentiel zéro Polarisation active

19
 Effet transistor
Dans la jonction C-B le champ électrique capture tous les
électrons pour les propulser vers le collecteur (l’émetteur ayant
émis ces porteurs).

E B C

n=ND
p=NA
E n=NDC
champ
np(0)
Pn(0)

pn0c=ni2/NDC

pn0=ni2/ND
np0=ni2/NA

Cas d’un transistor NPN

La densité de courant de trous injectée dans l’émetteur ne peut

provenir que de la base puisque le collecteur n’injecte pas de
trous dans la base.

20
 Effet transistor

Les électrons injectés traversent la jonction BC

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ie Ic

21
 Diagramme d’énergie du transistor bipolaire
npn en Régime de conduction normal
 En régime de conduction normal, les niveaux de Fermi pour les électrons
et les trous ne sont plus identiques. On supposera toujours qu’au niveau
des contacts (émetteur et collecteur) le matériau semiconducteur retrouve
l’équilibre thermodynamique grâce aux échanges de porteurs avec le métal
i.e les niveaux de fermi se rejoignent.

 Dans la zone de Emetteur Base Collecteur

charge d’espace de qVbi1 + VEB
la jonction E-B, EC
l’injection crée un
qVbi2 + VCB
excès de porteurs ce EFe EFn
qui implique EFn>EFp EFb
EFp
(chacun des niveaux
se rapproche de la EC
bande des porteurs EV
respectifs.) EFc

Cas d’un transistor

22
NPN EV
 Effet transistor
 Dans le cas de la jonction C-B, c’est l’effet contraire (désertion accentuée par la
polarisation inverse)  EFn<EFp.
 La variation des pseudo-niveaux de Fermi se fera essentiellement dans les zones
où les porteurs sont en faible quantité donc dans les zones où ils sont minoritaires
(le courant restant constant, la diminution de la concentration est compensée par la
variation du gradient du pseudo-niveau de Fermi).

 La différence entre les deux niveaux de Fermi des majoritaires correspond à la

polarisation externe appliquée.
Emetteur Base Collecteur
E B C
 Le potentiel de l’émetteur est pris comme
électrons électrons
référence. La différence totale correspond à la
somme algébrique des différences de potentiel Ec
appliquée à la jonction E-B et à la jonction C-B. VEB
Ev
VCB
 On observe une diminution de la hauteur de la EFermi
barrière d’énergie pour les électrons injectés dans la Régime normal
base et une augmentation de la chute d’énergie pour
les mêmes électrons au niveau de la jonction C-B.

 Pour les trous de la base, la hauteur de barrière a fortement augmentée.

Pratiquement aucun trou ne pourra rejoindre le collecteur.
23
 Effet transistor
Effet des recombinaisons

Le but est de n’avoir aucune perte sur le parcours entre émetteur et

collecteur  les recombinaisons vont jouer un rôle prépondérant. Il y a
trois types de recombinaisons importantes:

 Recombinaisons dans l’émetteur :

 Recombinaisons dans la ZCE de la jonction E-B :

 Recombinaisons dans la base :

24
 Effet transistor
Effet des recombinaisons
 Recombinaisons dans l’émetteur
si l’émetteur est le siège de recombinaisons importantes le modèle à
utiliser est celui de la diode longue. Seulement la densité de courant
jp récupérée au contact sera à comparer avec celle injectée dans
l’émetteur jpE. Le modèle de la diode longue a ainsi tendance à
accroitre la pente du profil et donc à augmenter le courant de base
sans pour autant augmenter le courant collecteur.

25
 Effet transistor
Effet des recombinaisons
 Recombinaisons dans la ZCE de la jonction E-B :
 Ici on a excès de porteurs dû aux injections par rapport à l’équilibre
thermodynamique. La tendance est à la recombinaison : certains des
porteurs quittant la zone quasi-neutre de l’émetteur n’atteindront pas la
zone de base.
Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ib

26
 Effet transistor
Effet des recombinaisons
 Recombinaisons dans la ZCE de la jonction E-B :
 Sur le parcours c’est l’injection de la base qui prend le relais et donc
le courant de base est augmenté. Cette densité de courant est
appelée Jrec.

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ib

27
 Effet transistor
Effet des recombinaisons

Recombinaisons dans la base :

 Si la recombinaison intervient dans la base, une fraction des
porteurs injectés depuis l’émetteur et pénétrant dans la base
disparaît dans cette zone.
 Ces porteurs sont compensés par des trous arrivant au contact
de base.
 La recombinaison augmente donc le courant de base sans
augmenter le courant collecteur : il affecte donc le gain. La
différence s’exprime par : JnE - JnC.

28
 Effet transistor
Gain en courant

 On appelle gain en courant le rapport entre le courant collecteur

et celui injecté depuis le contact de base dans la base.
Emetteur Base Collecteur
iC
 iE iC
iB iB

VBE VCB
 Lorsque les dimensions de la base diminuent, le courant
d’électrons dans la base augmente. Si la base est trop longue par
rapport à la longueur de diffusion des porteurs (ici les électrons),
la densité de courant dans la base disparaît sans atteindre le
collecteur. Le courant collecteur est alors quasiment nul.

29
 Bilan des courants
 Dans le cas du transistor NPN, les électrons générés sont envoyés vers le
collecteur et les trous vers l’émetteur. L’effet est donc de diminuer le courant
injecté depuis le contact de base et d’augmenter le courant collecteur 
augmentation du gain. Cet effet apparemment bénéfique possède des limites
puisque ce courant n’est pas piloté par la jonction E-B.
Plusieurs composantes de courants

•Electron de derive E-B

Ces composants,
•Electron de diffusion E-B sont les plus grands
•Trous de derive E-B (Discuter pourquoi les
•Trous de diffusion E-B autres sont petites.)
•Electron de derive C-B
•Electron de diffusion C-B
•Trous de derive C-B
•Trous de diffusion C-B

30
 Courant de Collecteur

Courant inverse C-B : ce courant est

a priori très faible mais peut
cependant être fortement augmenté iC
par la présence de génération dans
la zone de charge d’espace de la
jonction C-B. Le champ électrique y
est très fort et tout porteur généré
est évacué.

dn( x)  nB (0)  0  qV
qDn ABE kTBE
iC  qDn ABE  qDn ABE   e
dx  0  xB  xB
qVBE Emetteur Base Collecteur
iC  I S e kT
iE iC
iB

31 VBE VCB
 Courant d’Emetteur Efficacité d’injection

E1 i
Composantes du courant d’émetteur
(NPN):
i
– Injection h+ minoritaires de B vers E E
iE2
qVBE
iE 2  I S 2e kT
courant très petit

– Injection e- de E vers B :
Emetteur Base Collecteur
iE1  iC
qVBE iE iC
iE  iE1  iE 2  iC  iE 2  I SE e kT iB

VBE VCB
Efficacité d’injection :
iE1 iC Gain de courant base
  1 commune
iE1  iE 2 iE
32
 Courant de la base

Trous injectés de B vers E : ip,E

Courant de recombinaison dans B : iBR
Trous générés dans Z.C.E. de jct. iE
B/C (ionisation par impact)
Courant de fuite de la jonction B/C

ip,E iBR
Gain en courant du transistor
Définition: iB
le gain classique du transistor
bipolaire est le gain en émetteur
commun qui signifie que l’émetteur Emetteur Base Collecteur
est la borne commune au
quadripôle équivalent comme iE iC
représenté sur la figure. iB

iC VBE
Le gain, ß, s’exprime par:  VCB
iB 33
 Les limites

Emetteur Base Collecteur

E B C

34
Région Base
 2 ( nB ( x))  nB ( x)
Dn  0
x 2
 B0
x x
LB  Dn B 0

 nB ( x)  Ae LB
 Be LB

Conditions aux limites:

qVBE
 nB ( x  0)  nB ( x  0)  nB 0  nB 0 (e kT
 1)  A  B
xB xB

 nB ( x  xB )  nB ( x  xB )  nB 0  0  nB 0  Ae LB
 Be LB

qVBE xB qVBE xB

 nB 0  nB 0 (e  1)e
kT LB
nB 0  nB 0 ( e  1)e
kT LB
A , B
x  x 
2sinh  B  2sinh  B 
 LB   LB 

35
  kTBE x x  xB  
qV
nB 0 (e  1) sinh  B   sinh  
  LB   LB  
 nB ( x) 
x 
sinh  B 
 LB 

n  qVkTBE 
 nB ( x)  B 0 (e  1)  xB  x   x  pour x  1
xB  

36
Région Emetteur
 2 ( pE ( x '))  pE ( x ')
DE  0
x '2
 E0
LB  Dn B 0
x' x'

 pE ( x ')  Ce LE
 De LE

Conditions aux limites:

qVBE
 pE ( x '  0)  pE ( x '  0)  pEo  pEo (e kT
 1)  C  D
xE xE

 pE ( x '  xE )  0  Ce LE
 De LE
qVBE
 x  x'
pE 0 (e kT
 1) sinh  E 
 pE ( x ')   LE 
 xE 
sinh  
 LE 
pE 0 qVkTBE
 pE ( x ')  (e  1)  xE  x '  pour x  1
xE
 x ''
Région Collecteur:  p ( x '')   p e LC
C C0
37
 Mode Bloquage:

Mode Saturation:

38
Mode polarisation inverse:

Mode direct actif:

39
 Mode directe actif
•Injection par diffusion des Electrons •Flux d’Electron ateind le collecteur
Minoritaires de l’émetteur vers base
•Injection des trous majoritaires
de la base vers l’emetteur Trous générés dans
Z.C.E. de jct. B-C
(ionisation par impact)
 
-n- J nE -p- J nC -n-
Ne contribuent
pas au courant
collecteur
Courant dela


J pE J jonction B-C
C
G

E
 
J J RB 
J pco
R

•Recombinaison des
électrons trous dans la •Courant de fuite de la
Z.C.E. de la jct B-E jonction B-C
Courant de recombinaison dans
B: (compensation des h+
consommés par la rec. avec e-)
40
 Mode directe actif
Emetteur Base Collecteur

J RB , J pE , J R : Courants de la jonction B  E 
Ne contribuent ni à l’action

J pco , J G : Courants de la jonction B  C  du transistor ni au gain
41
 Gain en courant de la base commune
J C J nC  J G  J pC 0 J C J nC
0     
J E J nE  J R  J pE J E J nE  J R  J pE

J nE J nC J nE  J pE
    T 
J nE  J pE J nE J nE  J R  J pE
Facteur d’efficacité
d’injection de l’émetteur

Facteur de transport
de la base

Facteur de recombinaison

42
 Besoins pour les dispos bipolaires
•Fort gain
•Efficacité d’émetteur forte
•Vitesse élevée

Demandes et Problèmes d’un BJT

Demandes Problèmes

émetteur fortement dopé Diminution du Gap:

=> injection par la Base

Base peu dopée

Forte résistance Base
Base étroite
Solution:Transistors Bipolaire à hétéro-jonction

•Emetteur fortement dopé en utilisant un SC à gap plus grand que celui de la Base
•Base peut être fortement dopée et étroite sans augmenter la résistance de base
•Collecteur peut être choisi tel que la tension de claquage soit élevée
43
 Dispositifs Bipolaires
Si peut être combiné avec:
TBH avec Si: •Silicium amorphe (Eg=1.5 eV)
•Si/SiGe très prometteur •SiC (Eg=2.2 eV)
avec fréquence de coupure •Polysilicium (Eg=1.5 eV)
de l’ordre de 100 GHz

•Qualité de l’interface excellente

=> TBH de hautes performances
TBH GaAs/AlGaAs •Composants intégrés
• ft =150 GHz monolithiquement avec dispo
optoélectronique

•InGaAs/InAlAS et InGaAs/InP •Accord de maille avec InP

TBHs •Intégration avec composants
•Les valeurs de ft > 180 GHz optoélectroniques

•Haute fréquence
•Filière GaN/AlGaN •Évacuation thermique (puissance)
44
 Dispositifs Bipolaires: Applications

Applications numériques Logique saturée (intégration élevée)

•Les « dispos » sont utilisés en mode •Integrated Injection Logic (I2L)
saturé et non saturé •Transistor-Transistor Logic (TTL)

Bipolaire : mémoires statiques

Applications mémoires
MOS : mémoires dynamiques

Combinaisons des 2 technologies:

Applications Bi-CMOS On a l’avantage des 2:
=>fort développement

MMIC (Microwave Millimeter Propriétés HF, puissance

Integrated Circuit) => amplificateurs, convertisseurs A/N
46
 Propriétés technologiques

 Base fine pour éviter les

recombinaisons
 Base faiblement dopée pour limiter le
courant de trous
 Emetteur fortement dopé pour favoriser
l’effet transistor
 Composant contrôlé par le courant de
base : Ic = f(Ib)
 Composant utilisant les porteurs
majoritaires et minoritaires
 Composant utilisant la jonction BC en
inverse pour accélérer les électrons
majoritaires de l’emetteur

47