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concentración cercana al colector. Estos electrones en la base III. TIPOS DE TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
son llamados portadores minoritarios debido a que la base está A. Transistores NPN
dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
La región de la base en un transistor debe ser mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
constructivamente delgada, para que los portadores puedan La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la
útil del portador minoritario del semiconductor, para movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base Los transistores NPN consisten en una capa de material
debe ser menor al ancho de difusión de los electrones. semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal
del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Region Inversa
V. DESARROLLO
𝛽1 = 375
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni
en la región de corte entonces está en una región intermedia, la 𝛽2 = 375
región activa. En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β 140625
𝛽𝑇 =
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las 10000
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es 𝑅1 = 1𝑘
utilizar el transistor como un amplificador de señal. Commented [JPOG3]: Mantener el formato.
𝑅2 = 1𝑘
4
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶
𝐼𝐶 0.0045 Datos
𝐼𝐵 = = = 3.2 ∗ 10^ − 8𝐴
𝛽𝑡 140625 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶 12
𝑉𝐶𝐸 = = = 4𝑉
𝐼𝐸 = 3.2 ∗ 10 − 8 + 0.0045 = 0.004500032𝐴 3 3
𝐼𝐸 = 2𝑚𝐴
4 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝛽 = 375
0.0045𝑅𝐸 = 4.6 − 500(3.2 ∗ 10 − 8)
Malla de entrada
4.6 − 500 (3.2 ∗ 10 − 8)
𝑅𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 + 𝐼𝑅𝑐 + 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸𝑅𝐸 = 0
0.0045
𝑅𝐸 = 1022.218𝛺 𝐼𝐸 = 𝐼𝑐
4 = 0.0045(𝑅𝑐 + 1022.218) 𝐼𝑐
𝛽=
𝐼𝐵
𝑅𝑐 = 133.329𝛺
𝐼𝑐 2𝐸 − 3
𝐼𝐵 = = = 5,333𝐸 − 6𝐴
𝛽 375
5
𝑉𝐶𝐶 12
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = 𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = 3𝐸 − 3𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 3250 + 750
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐸 =
10
Malla de entrada
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐸
𝐼𝐵 =
𝛽
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝛽𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑣𝐶𝐶 − 𝑣𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽𝑅𝐸
Malla de salida
VI. CONCLUSIONES
Damos como conclusión que al realizar la práctica los
valores de los cálculos eran aproximados teniendo un
desfase de variaciones .
Hemos aprendido como actúa un transistor BJT
El desarrollo de los cálculos confirman la practica ya que
con ella podemos visualizar el comportamiento del
circuito.
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