Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
LABORATORIO Nº 12
Alumnos :
1
Aplicaciones con Transistores MOSFET
Transistores MOSFET
Los MOSFET están compuestos de un diodo MOS y dos uniones P-N colocadas a los lados del
diodo MOS. Es un dispositivo muy importante para circuitos integrados avanzados tales como
microprocesadores y memorias semiconductoras. La causa de este desarrollo radica en su bajo
consumo de potencia y un alto rendimiento de trabajo, otro hecho importante es que el MOSFET
se puede reducir fácilmente de tamaño sin perder sus características y ocupa menos espacio que
un transistor bipolar para las mismas consideraciones.
En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como IGFET, y pueden
ser de canal N o canal P. El MOSFET posee un electrodo de compuerta de metal que esta
separado del material semiconductor por una capa de material aislante formada por dióxido de
silicio (SiO2) llamado también “sílice” o “sílica”.
1. Objetivos
2. Equipos y Materiales
2
3. Reconocimiento físico de un MOSFET
Tipo:………….……………………….. Tipo:………………………………………
3.2 En la figura se muestra el encapsulado de un MOSFET, identifique con la ayuda del manual las
características principales.
a) Código: IRF840
b) Encapsulado:……………….
c) Señalar sus terminales
Descripción y
BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación
3.3 En la figura se muestra el encapsulado de un MOSFET, identifique con la ayuda del manual las
características principales.
e) Código: BS170
f) Encapsulado:……………….
g) Señalar sus terminales
Descripción y
BVDSS BVGS ID VGS PD
aplicación
3
3.4 ¿Cómo se usa el multímetro para verificar si un MOSFET está operativo?
………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………….
4. Polarización de MOSFET
4.2 Aplique a VDD un valor de 12 V y varíe la tensión de la fuente VGS desde 0 hasta 12 V, y
anote el valor de la corriente ID para cada caso, complete la tabla.
VGS 0 2 4 6 8 10 12
ID
……………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………
…………
4
5. Simulación de circuitos con MOSFET canal P
Implemente el siguiente circuito utilizando software de simulación de circuitos.
Considere:
5
5.1 Determine el voltaje VG, que permita VD (voltaje drenador) = VDD / 2.
5.2 Mida la corriente ID para cuando el FET opere en la condición indicada en el punto 5.1.
6. Observaciones y Conclusiones
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………