Informe
Práctica N°1 Principio De Operación Del BJT
Leonidas J. Sánchez N
CI: 27.289.742
Instituto Universitario Politécnico “Santiago Mariño”
Maracay – Edo. Aragua.
Resumen
Un transistor es un componente
electrónico fabricado a partir de
materiales semiconductores. Hay
diferentes tipos de transistores, en esta
práctica utilizaremos un transistor BJT
tipo NPN. Un transistor tiene 3
terminales, la base (B), el colector (C) y
el emisor (E) y por lo tanto tenemos tres
corrientes que circulan por él : la
intensidad de la base, la intensidad del
colector y la intensidad del emisor. En un
transistor NPN las corrientes circulan por
el transistor tal y como se muestran en la
figura del cuadro adjunto. Cuando
montamos un transistor en un circuito, la
corriente principal es la que circula desde
el colector al emisor activando el circuito.
Para que esto sea posible es necesario
que el transistor reciba una corriente
pequeña por la base, de lo contrario el
circuito no funcionará. La clave es que el
transistor es capaz de activarse con
pequeñas corrientes en la base, que se
amplifica en el colector y que permite la
activación del circuito.
Introducción
El transistor es un nuevo
componente utilizado en las prácticas de
electrónica. Este es un dispositivo
semiconductor de tres terminales y que
se utiliza para una variedad de funciones
de control en los circuitos electrónicos.
Entre alguna de las funciones podemos
incluir la amplificación, oscilación,
conmutación y la conversión de
frecuencias. En el reporte siguiente
podremos ver los elementos de un
transistor, las ventajas de la utilización de
los transistores electrónicos, los tipos de
transistores, como realizar un test en un
transistor, aplicaciones de los
transistores y sus encapsulados o
materiales que están compuestos.
Fue ideado teóricamente por el alemán
Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carácter
tecnológico y el desconocimiento acerca
de cómo se comportan los electrones
sobre la superficie del semiconductor no
se pudieron fabricar hasta décadas más
tarde. También se llama mosfet a los
aislados por juntura de dos
componentes.
Objetivo general
Conocer cómo se componen los
transistores teniendo como
ayuda manuales y documentación de
estos para su análisis de medición.
Diferentes zonas del transistor BJT

Objetivos específicos  Emisor: que se diferencia de las otras

 Identificar los terminales de un dos por estar fuertemente dopada,
transistor bipolar. comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal
 Con la utilización de instrumentos de
funciona como emisor de portadores
medición electrónica, determinar las
terminales para transistores NPN o de carga. Tipo P.
PNP.
 Base: la intermedia, muy estrecha,
 Conocer sus aplicaciones en que separa el emisor del colector.
componentes para electrónica así Tipo N.
como conocer su documentación.
 Colector: de extensión mucho mayor.
Tipo P
Marco Teórico

El transistor de unión bipolar (también

conocido por sus siglas BJT) se trata de
un dispositivo electrónico sólido, formado
por 2 uniones PN próximas entre ellas
que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. Se
le llama bipolar porque la conducción es
debida al desplazamiento de portadores
de 2 polaridades (huecos: positivos; Representación gráfica transistor
electrones: negativos). Este tipo de
BJT P-N-P, N-P-N
dispositivo es utilizado para un gran
número de aplicaciones, principalmente La región de la base en un transistor
en electrónica analógica y digital con debe ser constructivamente delgada,
tecnología TTL o BICMOS, a pesar de para que los portadores puedan
tener una gran limitación debido a su difundirse a través de esta en mucho
impedancia de entrada muy baja. menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor,
para minimizar el porcentaje de
Su composición está basada en 2 portadores que se recombinan antes de
uniones PN en un cristal semiconductor, alcanzar la unión base-colector. El
separados por una fina franja, espesor de la base debe ser menor al
delimitando dentro del mismo 3 regiones: ancho de difusión de los electrones.
Regiones operativas del transistor
Los transistores bipolares de juntura
tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en
que son polarizados:
 REGIÓN ACTIVA:
Cuando un transistor no está ni en su
región de saturación ni en la región de
corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente,
es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.
 REGIÓN INVERSA:
Al invertir las condiciones de polaridad
del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento
en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la
mayoría de los TBJ son diseñados para
maximizar la ganancia de corriente en
modo activo, el parámetro beta en modo
inverso es drásticamente menor al
presente en modo activo.
 REGIÓN DE CORTE:
Un transistor está en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de
emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y
el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito. (Como no hay
corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0
(Ib =0)
 REGIÓN DE SATURACIÓN:
Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de
emisor = corriente máxima,(Ic = Ie = I
máxima)
En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos,
ver ley de Ohm. Este caso normalmente
se presenta cuando la corriente de base
es lo suficientemente grande como para
inducir una corriente de colector β veces
más grande. (Recordar que Ic = β * Ib)
Materiales
 Protoboard
 Resistencias: 1KΩ; 10KΩ; 4.7KΩ
 Condensador 100 μF
 Transistor NPN 2N222
 Multímetro
Desarrollo:
El transistor NPN es un dispositivo
electrónico que esta compuesto por tres
regiones semi-conductoras inter-
conectadas N-P-N. Este elemento tiene
por lo tanto tres pines de conexión. El
transistor es bipolar. Las uniones PN o
NP están compuestas por materiales
semi-conductor.

Un material semi-conductor puede
funcionar como conductor y como
aislante de acuerdo a la polarización
eléctrica que se conecte. El
transistor NPN tiene dos funciones
básicas, ser un interruptor electrónico o
un amplificador. Este tipo de transistor
también se puede clasificar como BJT.
El transistor NPN está compuesto por
tres capas de materiales semi-
conductores, este arreglo es como un
pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos
materiales son cristales de silicio que se
encuentran dopados de forma distinta.
Cuando un cristal de material semi-
conductor, (Silicio ó Germanio), se »
dopa » con Boro, produce un cristal
semiconductor con sólo 3 electrones
disponibles de 4, por lo tanto se genera
un » hueco » eléctrico. En cambio,
cuando el cristal es dopado con
impurezas como arsénico, ( el arsénico
tiene 5 electrones en su última capa ), el
cristal se queda con un electrón de más.
En resumen:
 El material o capa N – tiene un
electrón de más.
 El material o capa P – le falta un
electrón (hueco).
Aplicaciones del transistor NPN
Un transistor NPN, que también se llama
BJT, puede ser usado para dos cosas. El
transistor puede funcionar como un
interruptor controlado electrónicamente o
como un amplificador con ganancia
variable. El transistor es también la base
para el desarrollo de sistemas digitales
como compuertas lógicas. Las
compuertas lógicas son la base de los
sistemas embebidos. Entonces podemos
plantear que el transistor es la base de la
tecnología digital actual. Regresando a
las aplicaciones comunes, la más usada
es el uso del transistor NPN como
interruptor electrónico, para este
funcionamiento, el transistor debe de
operar en las zonas llamadas corte y
saturación.
Transistor NPN como amplificador
Existen dos tipos de transistores, los
bipolares que se controlan mediante una
entrada de corriente y los de efecto de
campo que son activados mediante una
entrada de voltaje. Para un amplificador
electrónico se utiliza una pequeña
corriente en la base del transistor para
controlar una corriente mayor entre el
colector y el emisor.
Para este tipo de transistores bipolares,
la amplificación es entonces respecto de
la corriente. La corriente del colector es
proporcional a la corriente en la base
multiplicada por la «beta» del transistor.
Entonces este es el factor de ganancia
en un transistor npn.
Ic = hFE*Ib
Ic = Corriente de colector
hFE = Beta del transistor
Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la
corriente del colector y puede llegar a
variar, es por eso que no es
recomendable el uso de transistores
como amplificadores electrónicos y se
recomienda mejor el uso de
amplificadores operacionales.
Por ejemplo, en el transistor 2N2222A, el
cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe
puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector
y del voltaje colector-emisor. (VCE).
Para determinar la corriente en el emisor
Ie, se puede usar la siguiente ecuación.
Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic
en saturación al mantener su tensión
colector-base positiva.
A continuación se muestran esquemas
de polarización y algunas fórmulas
para poder implementar estos circuitos.
La polarización con una fuente (con
resistencia de emisor)

Un transitor NPN es principalmente un

interruptor digital que también puede
funcionar como amplificador. Esta
formado por cristales de silicio que tienen
impurezas. Cuando estas impurezas son
Boro, se le conoce como material P.
Cuando las impurezas son por ejemplo,
La polarización con dos fuentes (con
Arsénico, se le conoce como material N.
resistencia de emisor)
Estos dos cristales poseen electrones de
más y carecen de electrones lo que
permite hacer fluir una corriente bajo
ciertas condiciones eléctricas.

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

BJT

 La selección del punto de trabajo de La polarización con divisor de tensión

un transistor se realiza a través de (con resistencia de emisor)
diferentes circuitos de polarización
que fijen sus tensiones y corrientes.

 La polarización con una fuente

sin resistencia de emisor es poco
recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones
se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor. Auto polarización (con resistencia de
emisor)
 La polarización con una fuente es
mucho más estable aunque el que
más se utiliza con componentes
discretos es el circuito de auto
polarización.

 La polarización de colector-base
asegura que el transistor nunca entra