Laboratorio de Electrónica I

Paralelo B

Guía de Laboratorio N° 5
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
1. OBJETIVOS
• Conocer los parámetros más importantes del transistor bipolar como base
fundamental para el diseño.
• Comprobar la curva Característica Base-Emisor de un transistor NPN.
• Comprobar la curva Característica Colector-Emisor de un transistor NPN.

2. FUNDAMENTO TEORICO
El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marcó el comienzo de
la era de la electrónica. En apenas 60 años el desarrollo experimentado y el grado de
penetración en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en día es difícil pensar en cómo
sería la vida sin los ordenadores, la telefonía, la radio y la televisión. Y ha sido,
precisamente, el descubrimiento del transistor el “culpable” de esta revolución
tecnológica.
Para el diseño de circuitos es necesario primero conocer los parámetros eléctricos
que lo caracterizan, éstas características están contenidas en el manual que brinda el
fabricante o pueden obtenerse realizando pruebas eléctricas.

CUESTIONARIO

a) Describir el funcionamiento de un transistor, asimismo como se identifican los

pines (base, colector y emisor) en los transistores de construcción (NPN y PNP).
b) Describir las regiones de operación del transistor BJT y las características de cada
una de ellas.
c) ¿Qué tipo de transistores existen? Dibuje sus símbolos.
d) Explicar el significado del parámetro β de un transistor.
e) Investigar las características técnicas de los siguientes transistores: 2N2222, BC
548, 2N3404 y adjuntar la hoja de características.
f) Elegir tres parámetros de la hoja de características que ha buscado y escriba su
valor y significado.
g) Dibujar las curvas características del transistor BJT para Ib vs Vbe y Ic vs Vce.

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3. MATERIALES Y EQUIPOS
• Protoboard y alambres de conexión
• Tres pares de chicotillos con pinzas tipo cocodrilo
• Multímetro
• Osciloscopio
• Generador de funciones
• Fuente de voltaje
• 1 resistencia de 100 KΩ
• 2 resistencias de 1 KΩ
• 1 transistor bipolar 2N2222 (ó similar)

4. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

Desarrollo del laboratorio:

a) Verificación del Dispositivo

Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las
terminales (base, emisor y colector) usando el óhmetro, reporte las mediciones
entre terminales (polarizando directa e inversamente); verifique los resultados
comprobándolos con la configuración indicada en las hojas de especificación del
dispositivo.

Terminales Zpol. directa (Ω) Zpol. inversa (Ω)

Base - Emisor
Base - Colector
Colector - Emisor

b) Curva Característica Base - Emisor

Arme el circuito; coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce= 1 V,
mida Vbe e Ib (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base);
para cada nuevo valor de Vbb reajuste Vcc para mantener Vce= 1 V y complete la
tabla.

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VCC Vbb (Volts) Vbe (Volts) Ib (μA)

0
1K
0.5
100K 1.0
Vce 1.5
Ib 2.0
Vbe
Vbb 2.5
1K
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Vce = 1 V

Ajuste de nuevo Vbb a 0 y repita el procedimiento manteniendo Vce= 3 V, luego

para Vce= 5 V y por último para Vce= 7 V.

Vbb (Volts) Vbe (Volts) Ib (μA) Vbb (Volts) Vbe (Volts) Ib (μA)
0 0
0.5 0.5
1.0 1.0
1.5 1.5
2.0 2.0
2.5 2.5
3.0 3.0
3.5 3.5
4.0 4.0
4.5 4.5
5.0 5.0
Vce = 3 V Vce = 5 V

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Vbb (Volts) Vbe (Volts) Ib (μA)

0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Vce = 7 V

Grafique Ib vs Vbe (las 4 curvas en el mismo gráfico).

c) Curva Característica Colector-Emisor

Arme el circuito; coloque Vcc a +12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente de
base Ib = 3 μA (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base);
ajuste Vcc a cero y complete la tabla.

VCC Vcc (Volts) Vce (Volts) Ic (mA)

0
Ic 1K
1
2
100K
3
Vce
4
Ib
5
Vbb
1K 6
7
8

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10
11
12
13
14
15
Ib = 3 µA

Ajuste de nuevo Vcc en +12 Volts y repita el procedimiento para Ib=7 μA, 8 μA y
12μA.

Vcc (Volts) Vce (Volts) Ic (mA) Vcc (Volts) Vce (Volts) Ic (mA)
0 0
1 1
2 2
3 3
4 4
5 5
6 6
7 7
8 8
9 9
10 10
11 11
12 12
13 13
14 14
15 15
Ib = 7 µA Ib = 8 µA

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Vcc (Volts) Vce (Volts) Ic (mA)

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
Ib = 12 µA

Grafique Ic vs Vce (las 4 curvas en el mismo gráfico).

BIBLIOGRAFÍA
Malvino “Principios de electrónica”
Savant/Karpenter/Roger “Diseño electrónico”
Boylestad/Nashelsky “Electrónica teoría de circuitos”
Millman Halkias “Dispositivos y circuitos electrónicos”

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