UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E

INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y

COMUNICACIONES

Electrónica de Potencia

Sexto Electrónica “A”

GRUPO N° 3

Integrantes:
 Basantes Mario
 Merino Danny
 Yanchatipán Erika

Docente: Ing. Edgar Patricio Córdova Córdova

SEPTIEMBRE 2019 - ENERO 2020

AMBATO - ECUADOR
2019
 Transistores
BJT

Definición:
Según B.G. Streetman “El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su
denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados
emisor, base y colector.La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente
dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base.” [1]

Según S. Dimitrijev “El transistor bipolar o BJT es un dispositivo electrónico, mediante el cual se
puede controlar una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente, este
dispositivo consta de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines tienen un nombre especial,
es importante no olvidase de esos nombres, los cuales son el colector, la base y el emisor.” [2]

Según Cristian Veloso “El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que
si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra
(emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.” [3]

Símbolo(Terminales)

Figura 13: Símbolo del BJT

Estructuras de Capas

Figura 14: Estructura del BJT

Curva características
 Figura 15: Curva característica del BJT

 Corriente máxima (Imax). - Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo, dado
que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del
mismo.
 𝐈𝐜 (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente
que pasa por la patilla base).
𝐈𝐜 = ß ∗ 𝐈𝐛
 𝐈𝐜𝐪.- Corriente que pasa por el punto Q
 𝐕𝐜𝐞.- Voltaje que pasa por la patilla emisor
 𝐕𝐜𝐞𝐪.- Voltaje que pasa por el punto Q
 𝐕𝐩.- Voltaje pico o máximo
 𝐈𝐞𝐩.-Corriente respectiva del voltaje pico
 𝐕𝐞𝐛𝟏.- Voltaje respectivo del voltaje pico
 Región de corte. - En la región de corte las uniones de emisor y colector están polarizadas en
inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV.
 Región de saturación. - En la región de saturación las uniones de emisor y colector están
polarizadas en directa; la VBE y la VBC tienen tensiones superiores 100mV
 Punto de valle. - Punto en el cual la curva cambia drásticamente
 El punto Q.- Se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga estática,
o zona de trabajo, si Q se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estará saturado,
en el límite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal.
 Recta de carga estática. - Es aquella recta que referencia al punto Q con su respectiva
corriente y voltaje Fuente especificada no válida.

MOSFET

Definición:

Según Antony García “Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación
y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la
constitución del propio transistor.” [4]

Según John Vardalas “Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor
dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de
conductor.” [5]

Según Vicente García “Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación
y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la
constitución del propio transistor.” [6]

Símbolo(Terminales)

Figura 16: Símbolo de MOSFET

Estructuras de Capas

Figura 17: Estructura del MOSFET

Curva características

Figura 18: Curva característica del MOSFET

 Región de corte
Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.
 Región lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión.
Regido pos las siguientes ecuaciones:

Un parámetro característico del MOSFET que depende de la tecnología a través de la

constante k y del tamaño de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).
 Región saturación
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS.
Verifica las siguientes ecuaciones:

siendo ß el parámetro descrito en la ecuación.

En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la gráfica anterior
de la figura 3, y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada
para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores
aunque rara vez se recurre a ellos.

Dispositivos controlados por puertos

IGBT

Definición:

Según Fernando Augeri “El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente
utilizado cada vez más en aplicaciones automotrices en el cual la conmutación de altas corrientes es
un requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor MOSFET y
un transistor BJT (Bipolar).” [7]

Según B. Baliga “Transistor IGBT es un componente electrónico diseñado para controlar

principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y
transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.” [8]

Según Fabio Figueroa “El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina
los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene
una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET
de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.” [9]

Símbolo(Terminales)

Figura 19: Símbolo del IGBT

Estructuras de Capas
 Figura 20: Estructura del IGBT
Curva características

Figura 21: Curva característica del IGBT

La nomenclatura utiliza para determinar los parámetros de la curva: (V), para la tensión y (I) para la
intensidad. Los subíndices mostrados en la gráfica se procederán a mostrar a continuación.
ID: es la corriente que circula por el drenado
VGS: Tensión aplicada a las terminales gate y source
VDS: Tensión aplicada a las terminales drain y source
VDS (ON): Es la tensión necesaria para poner al IGBT en funcionamiento
VRRM: Tensión inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor máximo de
tensión que se puede aplicar durante un cierto periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto.
BVDSS: Tensión drenaje fuente de ruptura con la puerta cortocircuitada con la fuente
En la gráfica se puede observar tres estados en la que entra el IGBT. La zona de corta determina el
comportamiento como un interruptor abierto, mientras la zona de saturación determina la zona de
conducción. La zona de avalancha es un estado en la cual el dispositivo deja de funcionar debido a
un alto voltaje aplicado, fuera de los rangos especificados por el fabricante, en este rango la corriente
de drenaje llega a ser elevada dejando al IGBT inservible.
EL VDS (on) determina el valor mínimo de tensión a aplicar entre D y S para que este entre en
conducción, al sobrepasar este rango entra en funcionamiento y a medida que se varia la tensión VGS
la corriente de drenado incrementara o decrecerá. Si se sobrepasa la BVDSS el dispositivo entrara en
zona de avalancha, de igual forma si se ingresa un voltaje inverso entrara en zona de avalancha.

GTO

Definición:
Según Marcelo Fitte “Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un
solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero
en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos
estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en
la puerta (G).” [10]
Según Muhammad H. Rashid “Tiristor desactivado por compuerta (GTO) son semiconductores
discretos que actúan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser
encendidos y apagados en cualquier momento con una señal de compuerta positiva o negativa
respectivamente.” [11]

Según Marien Barrera “Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación
suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente ID excede IH.” [12]

Símbolo(Terminales)

Figura 1: Símbolo del GTO

Estructuras de Capas

Figura 23: Estructura del GTO

Curva características

Figura 34: Curva característica del GTO

En la siguiente grafica tenemos la siguiente nomenclatura (I) para la corriente y (V) para la tensión.
VAK: se utiliza esta denominación para determinar el voltaje aplicado entre el ánodo y el cátodo.
IAK: determina la corriente entre el ánodo y el cátodo
Cuando la corriente en la compuerta es mayor que cero se realiza el disparo como se puede observar
en la gráfica, en cambio cuando la corriente es menor que cero se realiza un bloqueo.
Al igual que ocurre en la mayoría de semiconductores, también tiene una zona de ruptura al circular
por ella una tensión inversa.
1. DIAGRAMAS Y ESQUEMAS

Diodo
Diodos
DIAC
Interruptores de estado sólido
SCR
Tiristores
TRIAC

BJT
Transistores
MOSFET

IGBT
Dispositivos
controlados por
compuertas
GTO

Figura 4: Clasificación de los interruptores de estado sólido