TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP

Tranzistorul cu Efect de Camp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, in

engleza MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3
terminale :

1. Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,

2. Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
3. Poarta => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.

Figura 1. Tranzistori cu efect de camp

Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de

siliciu. Cand se aplica o tensiune intre poarta si sursa ("+" pe poarta si "–" pe sursa
pentru MOSFET cu canal N) se creaza un camp electric ca intr-un condensator
plan. Campul electric creat atrage langa suprafata electroni.

Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata

Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt

suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea
de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si
conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste.
Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare
tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena
si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu "+" pe drena si "–" pe sursa).

ID = (UGS –VP)× UDS×K

unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.

Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului
langa drena datorita campului invers ce apare intre poarta si drena. Curentul are
valoarea limita:

ID = (UGS –VP)2×K/2

Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa si gila-

sursa

Tranzistor Caracteristici Pret

BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin =<5W

0,5DM

IRF830 UDSmax = 500V/ IDmax = 4,5A/ Pmax =74W/ RDSmin =1,5W 3DM

BUK455-60 UDSmax = 60V/ IDmax = 41A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,04W

3DM

IRF740 UDSmax = 400V/ IDmax = 10A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,55W 4DM

BUZ11 UDSmax = 50V/ IDmax = 30A/ Pmax =75W/ RDSmin = 0,05W

2,5DM

APLICATIE ? "Comutator pentru becuri cu halogen"

Becul cu halogen da o lumina foarte buna cu un randament excelent. Ca orice bec
cu filament in momentul conectarii absoarbe un curent de circa 10 ori mai mare
decat curentul nominal, ceea ce determina scurtarea timpului de viata. Fiindca
becurile cu halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru automobile, este util
un circuit care sa le mareasca timpul de viata.

Circiutul prezentat aici se bazeaza pe faptul ca daca tensiunea pe poarta creste

treptat si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu efect de camp va creste tot
treptat. Timpul de crestere este stabilit de rezistenta R1 si condensatorul C :

t = RC = 100 kW × 10 m F = 1s.

Dioda descarca condensatorul prin bec si TEC la intreruperea alimentarii. Fiinca

rezistenta drena - sursa este 0,05W , caderea de tensiune pe tranzistor va fi :

UTEC = RDS x Ibec = 0,05W x 4A=0,2V

Puterea disipata va avea valoarea => P=UTEC x Ibec = 0,8W destul de mica pentru a
nu fi necesar radiator pentru tranzistor.

s.l. dr.fiz. Marius BARLEA

 STUDIUL TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP

Scopul lucrării
 cunoaşterea structurii interne şi a principiului de funcţionare a TEC
 familiarizarea cu modalităţile practice de ridicare a caracteristicilor TEC
 determinare a parametrilor caracteristici

Consideraţii teoretice
Tranzistorii cu efect de câmp sunt de două tipuri: tranzistori
cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ) şi tranzistori cu efect
de câmp metal-oxid-semiconductor (TECMOS). Uneori
TECMOS-ul mai este denumit tranzistor cu efect de câmp
cu poartă izolată. Fiecare dintre cele două categorii poate fi
cu canal de tip n sau de tip p, cele două tipuri fiind
complementare atât ca structură internă cât şi ca funcţionare.
Simbolurile folosite în schemele electronice pentru TECJ
sunt prezentate alăturat:
În lucrarea de faţă se vor trasa caracteristicile statice şi se vor determina parametrii
unui tranzistor cu canal iniţial de tip n (BF 245). Structura internă unui astfel de
tranzistor precum şi funcţionarea lui fără polarizarea grilei şi cu polarizarea inversă
a joncţiunii (VG < VS) sunt ilustrate în figurile următoare.

În vecinătatea joncţiunii există o regiune sărăcită de purtători de sarcină ca urmare

a difuziei electronilor şi golurilor. Se poate observa că în cazul polarizării inverse
regiunea sărăcită de purtători de sarcină va determina îngustarea canalului
conductor dintre sursă şi drenă.
O familie de caracteristici ID=ID(UDS) este prezentată în figura următoare. Privind o
singură curbă pentru o valoare dată a tensiunii U GS, se poate observa că la valori
mici ale tensiunii UDS tranzistorul se comportă ca o rezistenţă ohmică, dependenţa
ID=ID(UDS) fiind liniară. La tensiuni UDS mai mari se constată o limitare a
curentului de drenă, el rămânând aproape constant pe o plajă largă a tensiunii UDS.
Dependenţa curentului de drenă de tensiunea de negativare a grilei, I D=ID(UGS),
având drept parametru o valoare a tensiunii U DS corespunzătoare porţiunii plate a
caracteristicii ID=ID(UDS), are expresia analitică:
 U 
ID  IDSS 1  GS  , unde IDSS este curentul de drenă de saturaţie pentru
 UT 
UGS=0.
Pe lângă tensiunea de blocare se mai definesc alţi doi parametri ai tranzistorului cu
efect de câmp, parametri necesari în proiectarea circuitelor electronice
(amplificatoare, oscilatoare etc.): panta de semnal mic (transconductanţa) şi
rezistenţa de ieşire (sau rezistenţa de drenă) în vecinătatea punctului static de
funcţionare, definite de relaţiile:
 ΔID   ΔUDS 
g m    şi rd   
 ΔU GS  UDS const.  ΔID  UGS const.
în care UDS, UGS şi ID se calculează conform figurii de mai sus.

Schema de lucru (montajul experimental)

Schema de lucru folosită la studiul diodei stabilizatoare este prezentată mai jos:
Componente şi echipamente necesare:

 tranzistor BF 245 1buc

 rezistori 1k 1
buc
47 k 1 buc
 sursă dublă de tensiune (0 – 30V)
cu posibilitate de reglaj din 0,1V în
0,1V
 multimetru electronic
 placă de montaj cu conductoare de
conexiune

Metodologia efectuării lucrării

a)  Se notează parametrii de catalog ai tranzistorului BF 245 şi
 semnificaţiile lor fizice.
 Se identifică terminalele tranzistorului conform catalogului.
 Se măsoară valorile exacte ale rezistenţelor
 Se realizează schema de lucru prezentată în figura alăturată.
b) Caracteristici de transfer
 Pentru două valori fixe (5V şi 10V) ale tensiunii UDS se ridică punct
cu punct caracteristicile de transfer, ID = f(UGS), ale tranzistorului. Se
recomandă ca tensiunea de grilă să fie modificată cu pasul de 0,1V în
intervalul –1.5V  +0,5V. Datele experimentale se trec într-un tabel de
formatul celui de mai jos.

UDS = 5 V UDS = 10 V
UGS [ V ]
ID [mA]

Observaţie: pentru curenţi mici de drenă se va folosi Rd = 47kiar pentru curenţi

mari Rd = 1kPentru
 fiecare măsurătoare mai întâi se fixează tensiunea de grilă
şi apoi se ajustează tensiunea de drenă la valoarea dorită.
c) Caracteristici de ieşire
 Pentru tre valori fixe (0V, +0,4V şi +0,8V) ale tensiunii U GS se ridică
punct cu punct caracteristicile de ieşire, I D = f(UDS), ale tranzistorului.
Se recomandă ca tensiunea de drenă să fie modificată în intervalul 0V
 20V. Pasul de variaţie al tensiunii de drenă va fi de 0,15V în
intervalul 0V  1V, de 2V în intervalul 2V  5V şi de 5V în intervalul
5V  20V Datele experimentale se trec într-un tabel de formatul celui
de mai jos.

UGS = 0 V UGS = – 0,4 V UGS = – 0,8 V

UDS [ V ]
ID [mA]

d) Determinarea parametrilor tranzistorului

 Se reprezintă grafic caracteristicile statice ale tranzistorului. Din
grafice se determină parametrii de semnal mic ai tranzistorului:
- tensiunea de blocare UT
- panta gm pentru UDS = 5V şi ID = 3 mA
- rezistenţa de ieşire rd pentru UDS = 5 V şi UGS = – 0.4V
- IDSS
- rezistenţa canalului în vecinătatea originii sistemului de
coordonate pentru cele trei valori ale tensiunii U GS (determinarea
se face din panta caracteristicilor de ieşire între 0 şi 0,5 V)