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DIVISION DE INGENIERIA
POSGRADO EN CIENCIAS DE LA INGENIERIA
Sistemas Fotovoltaicos
Presenta:
Este efecto fue muy pequeño y no tenía importancia práctica en ese momento, sin embargo,
permaneció sin ser olvidado. Además, este efecto no se entendió hasta que Einstein dio la
explicación del efecto fotoeléctrico y la naturaleza cuántica de la luz en este conocido
artículo de 1904. Pero incluso este efecto siguió siendo durante mucho tiempo un fenómeno
físico interesante, pero sin significado práctico.
En 1873, Smith desarrolló un método para ir probando continuamente un cable submarino,
mientras iba siendo instalado. Para su circuito de prueba, necesitaba un material
semiconductor con una alta resistencia y para ello seleccionó usar varillas de selenio. El
selenio parecía hacer el trabajo correctamente, excepto en el uso real, donde el dispositivo
dio resultados inconsistentes. Después de investigar, se descubrió que la conductividad de
las varillas de selenio aumentaba significativamente cuando se exponía a una luz intensa.
Smith describió el "Efecto de la Luz en selenio durante el paso de una corriente eléctrica"
en un artículo que fue publicado en el 1873 Edición 20 de febrero de Nature.
El siguiente desarrollo significativo surgió cuando Adams y Day en 1876 estaban
investigando el efecto fotoconductor en Se. Notaron anomalías cuando los contactos de Pt
fueron empujados hacia una barra Se (Fig. 2). Esto los llevó a demostrar que era posible
iniciar una corriente en selenio simplemente por la acción de la luz.
Fig. 2. Muestra de geometría utilizada por Adams y Day para la investigación del efecto
fotovoltaico de Selenio
Las células solares en funcionamiento solo se realizaron después de que la tecnología de
semiconductores hubiera evolucionado. En particular, la disponibilidad de silicio
cristalizado de alta pureza era un requisito previo importante. Incluso hoy en día, el silicio
sigue siendo el material más importante para la producción de celdas solares.
Esto llevó a que las primeras células solares Se de película delgada fueran fabricadas por
Fritts en 1883. Hasta la década de 1940, los dispositivos fotovoltaicos más eficientes
utilizaban Se, Cu2O o Tl2S como capa absorbente con un contacto de metal rectificador
como en la Fig. 3, una estructura muy similar a la demostrada anteriormente por Fritts.
Paso a paso, las celdas solares llegaron a fuentes de alimentación independientes de la red.
La aplicación comenzó con calculadoras y relojes y evolucionó gradualmente a máquinas
más grandes y otros equipos, como máquinas de venta de boletos de estacionamiento.
Aunque el silicio no es un material ideal para las celdas solares debido a su relativamente
baja absorción de luz, dominó el mercado solar desde el principio. Una razón importante
para esto fue el progreso en la tecnología de semiconductores. Durante muchos años, la
industria de las celdas solares vivió bastante cómodamente con los productos de desecho de
la producción de silicio: los cristales de silicio, que no cumplían con los estándares para la
inducción de chips, todavía eran muy útiles para las celdas solares. Sin embargo, en los
últimos años, esta simbiosis se ha convertido en una amenaza para el crecimiento del
mercado de la energía fotovoltaica, ya que el consumo de silicio ha aumentado
considerablemente y solo puede satisfacerse con silicio solar fabricado específicamente. Los
fabricantes de silicio de alta pureza han respondido a esto aumentando la producción de
silicio solar. Este llamado silicio de grado solar tiene una pureza de 99.99 por ciento en
contraste con el silicio de grado electrónico con una pureza de 99.999 por ciento. El último
silicio es necesario para la producción de chips en la industria de semiconductores.
Las obleas de silicio pueden estar hechas de cristales individuales de Czochralski o de
multicristales que se vierten en bloques. También hay métodos que permiten extraer obleas
de silicio o tiras directamente de la masa fundida.
La exploración de sus propiedades condujo a la comprensión del papel de los dopantes de
tipo p y n en el control de las propiedades de los semiconductores y, por lo tanto, a la
revolución de la microelectrónica. La mayoría de las células solares fotovoltaicas
producidas hasta la fecha se han basado en uniones p-n de silicio, aunque ahora se basan en
uniones formadas de manera más controlable al difundir un dopante de polaridad en un
sustrato de oblea de polaridad opuesta.
El proceso EFG (crecimiento definido por alimentación de película definida por el borde),
que se desarrolló ya en 1970 en Mobil Tyco en los Estados Unidos, ha estado en desarrollo
y uso durante mucho tiempo. Posteriormente, la empresa alemana RWE SCHOTT compró
esta empresa y el procedimiento se introdujo en Alemania. El silicio cristalizado se extrae
en forma de un tubo de silicio octogonal de un troquel de grafito, que se funde. Las tuberías
obtenidas se cortan luego en obleas. Este procedimiento omite el costoso procedimiento de
aserrar bloques de silicio.
Otro desarrollo significativo en el área de semiconductores compuestos III -V fue el uso de
heterouniones formadas a partir de diferentes compuestos III-V o sus aleaciones para
producir la unión rectificadora. Esto, junto con los otros atributos de la tecnología III-V que
facilitan la “band-gap de ingeniería”, ha dado como resultado los dispositivos fotovoltaicos
más sofisticados hasta la fecha. Estos son dispositivos de unión doble y triple que permiten
el apilamiento monolítico de múltiples celdas una encima de otra, por que la convierte
eficientemente en un rango relativamente estrecho de energía de fotones adecuados para su
band gap.
Fig. 5 Celda espacial “tándem” monolítica que utiliza uniones p-n apiladas conectadas por unión de
túnel
Durante muchas décadas se han realizado esfuerzos para reemplazar el silicio con otros
materiales. Los materiales con alta absorción de luz son fuertes, para hacer que las células
sean más delgadas y así ahorrar costos. Los resultados son células de película delgada, que
son más delgadas que el silicio cristalino en un factor de 100.
El segundo material más importante después del silicio cristalino es nuevamente silicio, es
decir, silicio amorfo. Este material es tan diferente del silicio cristalino que puede
considerarse otro material. La primera celda solar hecha de silicio amorfo fue producida por
D. Carlson ya en 1976. Sin embargo, no se cumplieron las altas expectativas para este
material. Las eficiencias del silicio amorfo se mantuvieron significativamente más bajas que
las del silicio cristalino y fueron restringidas por una degradación temporal.
Hoy en día, el silicio amorfo es un componente importante en productos de consumo, en
aplicaciones especiales como fachadas y cada vez más en equipos estándar. Sin embargo, la
cuota de mercado sigue siendo insignificante.
Otro desarrollo significativo ha sido el desarrollo de la celda delgada II-VI y I-III, utilizando
Cds depositador por un baño químico como una capa de ventana de heteorunión, y el
desarrollo de Si heterogeneo amorfo.
Los desarrollos recientes que amplían considerablemente la base de la energía fotovoltaica
de los enfoques semiconductores de unión homogénea o heterounión convencionales
incluyen semiconductores nanocristalinos sensibilizados por colorantes y celdas solares
orgánicas(1)
Otro material de película delgada, que todavía está al comienzo de su introducción en el
mercado extranjero, es el CIS (diselanuro de indio de cobre), que también se conoce como
CIGS, si, como es común hoy en día, contiene galio adicional. Las primeras células solares
de película delgada CIS fueron introducidas en 1976 por L. Kazmerski. Estas células
exhiben una alta estabilidad y alcanzan, al menos en el laboratorio, un alto nivel de
eficiencia. En Alemania, el IPE (Institut fur phovoltaik) de la Universidad de Stuttgart ha
contribuido al desarrollo significativo de este material. Otro material de película delgada, a
partir del cual se fabrican las celdas solares hoy en día, es el CdTe. Las llamadas células
solares de micromorfas (Una estructura de material de silicio amorfo y microcristalino)
También los módulos de tinte están disponibles hoy para aplicaciones de nicho. Una
tecnología completamente nueva incluso utiliza procesos de impresión: una "tinta" que
contiene nanopartículas que se imprimen en una lámina de metal, lo que permite reducir
significativamente los costos de producción (Nanosolar, San José, California y
Luckenwalde, Alemania).
Como se mencionó anteriormente, la producción industrial de celdas y módulos solares
comenzó en Alemania con pequeñas series para suministrar energía a los satélites. Los
proyectos piloto y los sistemas fuera de la red marcaron el comienzo de su uso en la Tierra.
En 1981, el Instituto Fraunhofer para Sistemas de Energía Solar, que hoy es el segundo
instituto de investigación solar más grande del mundo, fue fundado bajo A. Goetzberger.
Esto fue seguido por la fundación del ISFH (Instituto de Investigación de Energía Solar)
Para 1985, muchas cosas increíbles ya estaban siendo alimentadas por energía solar,
incluidos automóviles (1955), satélites de comunicaciones (1962), una nave espacial (1967)
y edificios comerciales (1974).También fue en este momento que una universidad en Nueva
Gales del Sur estableció un nuevo récord de eficiencia solar del 20 por ciento.en Hameln en
1987; en 1988 se fundó el ISET (instituto de tecnología de energía solar) bajo W. Kleinkauf
en Kassel (hoy IWES, Instituto Fraunhofer para tecnología de energía eólica y sistemas de
energía) y en 1991 se fundó el ZAE (centro de investigación de energía aplicada) en Baviera.
En la Universidad de Constanza, un fuerte grupo de investigación en fotovoltaica se
desarrolló bajo la guía del profesor Bucher. Todas las principales instituciones, incluidas las
dos grandes instituciones de investigación HMI (ahora Helmholtz Center Berlin, HZB) y
Forschungszentrum Jülich (Jülich Research Center) colaboran en la Research Association
Solar Energy (hoy Renewable Energy Research Association, FVEE), que se fundó en 1990.
A fines de la década de 1990, cuando los fondos estatales se redujeron significativamente,
el mercado fotovoltaico casi colapsó. Además de otras circunstancias, los dos fabricantes
más grandes de celdas solares alemanas, Siemenns y AEG, se vieron obligados a reducir su
producción en Alemania y a comprar empresas más grandes en los EE. UU. Así, la
producción de células solares en Alemania casi se detiene. Sin embargo, en los últimos años,
Alemania ha vuelto a su posición de liderazgo.
Contrariamente a la producción de celdas solares, la infraestructura para investigación y
desarrollo se expandió continuamente en los últimos 20 años. Sin embargo, no se debe
suponer que este fue un desarrollo planificado por el estado. En cambio, especialmente en
los primeros días, los grupos de trabajo y las instituciones se fundaron por iniciativa de
investigadores individuales que tuvieron el coraje de abandonar su lugar de trabajo seguro
debido a la importancia de las energías renovables. A mediados de la década de 1970, la
Asociación Intersolar fue fundada por W. Bloss, E. Hahne y G. Legner en la Universidad
de Struttgart en cooperación con el DFLVER (hoy DLR (Ingreso Aeroespacial Alemán).
Un papel clave para el desarrollo de la energía fotovoltaica en Alemania es la promoción
del mercado. La promoción del mercado de la energía solar comenzó en la década de 1990
con el programa 1000 techos, que logró grandes éxitos y que desde entonces se ha adoptado
en muchos otros países. Poco después siguió el programa 100 000 techos en 1998/1999 y la
Ley de Energía Renovable (EEG) en 2000. El EEG es el instrumento más apropiado para
promover la energía fotovoltaica: el mercado se desarrolló rápidamente y la industria
fotovoltaica se retiró a Alemania. Una técnica diferente que también permite extraer las
obleas directamente de la masa fundida es el procedimiento Evergreen. Aquí el silicio crece
entre dos hilos resistentes al calor que se sumergen en una masa fundida. La compañía
Evergreen Solar en Massachusetts, Estados Unidos, llevó el procedimiento al mercado y en
2009 produjo aproximadamente 100 MW de módulos(2).
En 2000 los científicos de los Laboratorios Sandia en Nuevo México inventaron un
"inversor sin isla" que podría desconectar automáticamente una casa de la red cuando este
último se apaga por alguna razón. Esto significa que en un corte de energía, los trabajadores
de servicios públicos pueden realizar reparaciones de forma segura sin que ninguna casa
exporte energía a la red. Por supuesto, con un sistema puro conectado a la red, cuando se
corta la energía de la red pública, también lo hace el suyo. En 2006 existe nuevo récord
mundial alcanzado en tecnología de células solares: la nueva célula solar rompe la barrera
de luz solar a electricidad "40 por ciento eficiente".
En 2008 se rompe nuevo récord alcanzado en eficiencia de células solares. Los científicos
del Laboratorio Nacional de Energía Renovable (NREL) del Departamento de Energía de
los Estados Unidos han establecido un récord mundial en eficiencia de células solares con
un dispositivo fotovoltaico que convierte el 40.8% de la luz que lo golpea en electricidad.
Sin embargo, fue solo bajo la energía concentrada de 326 soles que esto se logró. La célula
solar metamórfica de triple unión invertida fue diseñada, fabricada y medida
independientemente en NREL. En 2015 Las celdas solares tan delgadas como el papel se
fabrican con una impresora industrial. Estos tienen una eficiencia de conversión de energía
del 20%, y una sola tira puede producir hasta 50 vatios por metro cuadrad, esta es una gran
noticia para los 1.3 billones de personas en los países en desarrollo, ya que las tiras son
flexibles y económicas de producir. En 2016 se descubre la energía solar sin sol. Un equipo
de investigación de la Universidad de California, Berkeley, y la Universidad Nacional de
Australia descubrieron nuevas propiedades del nanomaterial. Una de estas propiedades se
llama dispersión hiperbólica magnética, lo que significa que el material se ilumina cuando
se calienta. Si se combina con células termo-fotovoltaicas, podría convertir el calor en
electricidad sin la necesidad de la luz solar.
https://www.elmundo.es/ciencia/2016/07/26/5796b40fe2704e3d478b4645.html Bertrand
Piccard completa el primer vuelo de cero emisiones en todo el mundo con Solar Impulse 2,
el avión con energía solar más grande y poderoso del mundo hasta la fecha. En 2018 Alta
Devices, un fabricante de PV de arseniuro de galio (GaAs) especializado con sede en EE.
UU., Afirmó haber alcanzado un récord de eficiencia de conversión de células solares de
29.1%, según lo certificado por Fraunhofer ISE CalLab de Alemania.
En 2018 Alta Devices, filial del estadounidense Hanergy Group, fabricante de productos
fotovoltaicos de arseniuro de galio (GaAs), ha logrado otro nuevo récord de eficiencia de
conversión de células solares del 29,1%, certificado por instituto alemán Fraunhofer ISE
CalLab. El récord anterior de Alta Devices lo estableció en julio en el 28.9% y fue
certificado por el NREL (Laboratorio Nacional de Energía Renovable).
La NASA también está probando la tecnología solar de Alta Devices en la Estación Espacial
Internacional para evaluar la tecnología de Alta para futuras misiones de la NASA, incluida
la alimentación de CubeSats.
El CEO de Alta Devices, Jian Ding, dijo que “el interés de la NASA en nuestro trabajo
demuestra que nuestra tecnología soporta algunos de los entornos más desafiantes que
soportan los sistemas autónomos en el espacio y en tierra. Nuestro compromiso continuo
con la innovación nos permite seguir liderando la producción mundial de células solares
livianas, flexibles y altamente eficientes de última generación».
Para cada sustancia hay una frecuencia mínima o umbral de la radiación electromagnética por debajo
de la cual no se producen fotoelectrones por más intensa que sea la radiación.
La emisión electrónica aumenta cuando se incrementa la intensidad de la radiación que incide sobre
la superficie del metal, ya que hay más energía disponible para liberar electrones.
El efecto fotoeléctrico
Para entender la diferencia entre efecto fotoelectrico y efecto fotovoltaico en primer lugar
debemos comprender el significado del efecto fotoeléctrico. Es el proceso por el cual se
liberan electrones de un material debido a la incidencia de la radiación electromagnética.
Diagrama efecto fotoelectricoCuando los fotones llegan al material, su energía puede ser
absorbida por los electrones de dicho material. De este modo los electrones adquieren un
nivel energético superior. Además si ese nivel es superior al que necesitan para abandonarlo,
entonces generan un par electrón-hueco. El hueco se comporta como una carga positiva.
Parte de la energía del fotón se utilizará para liberarlo de la estructura cristalina a la que
pertenece, mientras que el resto servirá para aumentar su velocidad (energía cinética).
Si la energía de los fotones es baja, los electrones no serán capaces de abandonar el material.
En dicho caso no se producirá el fenómeno de fotoemisividad.
Efecto fotoelectrico
La mayoría de los dispositivos fotovoltaicos hasta la fecha se han formado utilizando una
unión semiconductora p-n. La diferente función de trabajo de las regiones de tipo p y n da
como resultado una región de transición en su interfaz donde esta diferencia de función de
trabajo es acomodada por un campo eléctrico incorporado (Fig. 6). Los tratamientos
elementales de la energía fotovoltaica enfatizan la importancia de este campo en la
separación de los portadores de carga, aunque este no es el mecanismo fundamental para
impartir direccionalidad a los portadores en la mayoría de los dispositivos fotovoltaicos.
La luz es absorbida por electrones excitantes desde la banda de valencia del semiconductor
hasta la banda de conducción, a lo largo del volumen de la unión p – n. Cuando funcionan
como una celda solar, los electrones excitados hacia la banda de conducción fluyen desde el
lado tipo p hacia el lado tipo n, mientras que los agujeros que quedan en la banda de valencia
fluyen en la dirección opuesta. Aunque este flujo está en una dirección donde es asistido por
el campo, el campo no es la fuente de direccionalidad.
Figura 1. Una unión p – n formada al unir las regiones aisladas de tipo p y n. También se muestra el
diagrama de banda de energía correspondiente en equilibrio térmico.
Figura 2. Procesos de pérdida de eficiencia en una célula solar de unión p – n: (1) pérdida de
termmalización; (2) pérdida de unión; (3) pérdida de contacto; (4) pérdida de recombinación
Un diodo con voltaje aplicado cero en equilibrio térmico está en equilibrio con una radiación
de cuerpo negro que abarca a su temperatura. En cada longitud de onda por encima del
intervalo de banda, el diodo absorbe una fracción de la radiación incidente del cuerpo negro
dada por su absorción espectral y emite la misma fracción, de acuerdo con la ley de
Kirchhoff. La fuente física de esta radiación de brecha superbanda emitida es
predominantemente una recombinación radiativa de banda a banda dentro del diodo. Gran
parte de la luz emitida durante esta recombinación se reabsorbe, se refleja internamente, etc.
dentro del diodo, con solo una fracción llegando al exterior, equilibrando la entrada.
Si ahora se aplica un voltaje a un diodo de alta calidad, el producto de las concentraciones
de electrones y huecos aumentará exponencialmente en todo el volumen del diodo. Esto
aumenta exponencialmente la tasa de recombinación radiativa en todo momento. Como la
misma fracción de esto se reabsorbe internamente, se refleja, etc., como antes, la luz emitida
aumenta exponencialmente por el mismo factor. En un dispositivo perfecto, cada fotón
emitido correspondería al flujo de un electrón en los terminales del diodo, lo que permitiría
calcular el mejor producto posible de corriente y voltaje del dispositivo. De esta forma, se
calcula una eficiencia de conversión limitante del 31% para una celda de unión p – n.
La razón fundamental por la que una unión p – n funciona bien como celda solar no se debe
al campo en la unión. Más bien, se debe al hecho de que la región de tipo n permite el
contacto selectivo con la banda de conducción (estados excitados), mientras que la región
de tipo p permite el contacto selectivo con la banda de valencia (estado fundamental). El
campo de unión es incidental a la operación. Esto se ha demostrado mediante la simulación
de dispositivos donde los operadores recolectados se oponen a todos los campos del
dispositivo. Los dispositivos como Si: H amorfo dependen en gran medida de los campos
integrados para mejorar el proceso de conversión en lugar de hacer posible la conversión.
En una unión p – n estándar, se establece un contacto selectivo con todo el rango de energías
correspondiente a la banda de conducción y a las correspondientes a las energías de la banda
de valencia. Un desarrollo interesante de esta característica se aplica a las celdas "portadoras
calientes", donde el contacto negativo debe hacerse a una sola energía en la banda de
conducción y el positivo a una sola energía en la banda de valencia(1).
Dependiendo de la energía del fotón, un electrón puede ser impulsado a un estado energético
mayor en un átomo o bien, puede ser liberado del electrón. Los electrones liberados son
capaces de moverse a través del cristal de acuerdo con el fenómeno que se pueda presentar
que pueda provocar que el electrón se mueva, como la temperatura, difusión o el campo
eléctrico.
Dopaje
Partiendo del hecho de que los semiconductores deben vencer una energía mayor que los
conductores para conducir electrones, es que nace el dopaje, el cual es una utilizada para
variar el número de electrones y huecos en semiconductores mejorando así la conductividad
del material.
Tipo N: Este tipo de dopaje ocurre cuando materiales semiconductores del grupo IV
de la tabla periódica se dopan con átomos del grupo V. Esto provoca que aumente la
conductividad de un semiconductor mediante el aumento del número de electrones
disponibles.
Tipo P: Este tipo de dopaje ocurre cuando materiales semiconductores del grupo IV
de la tabla periódica se dopan con átomos del grupo III. Esto provoca que aumente la
conductividad de un semiconductor mediante el aumento del número de huecos
presentes.
Figura 5. Ejemplificación de dopaje tipo n y tipo p
Aunque los materiales tipo n y tipo p son interesantes y útiles, la verdadera utilidad comienza
cuando se forma una unión entre los materiales tipo n y tipo p. La Figura 3 muestra una unión
pn formado por poner las impurezas tipo en un lado y las impurezas tipo n del otro. Hay
muchas formas de completar esta estructura, la forma más común es mediante unión difusa.
Cuando un electrón abandona el lado n por el lado p, deja un ion donante positivo en el lado
n, justo en la unión. De manera similar, cuando un agujero deja el lado p por el lado n, deja
un ion aceptor negativo en el lado p. Si grandes cantidades de agujeros y electrones viajan a
través de la unión, quedan grandes cantidades de iones positivos y negativos fijos en los
límites de la unión. Estos iones fijos, como resultado de la ley de Gauss, crean un campo
eléctrico que se origina en los iones positivos y termina en los iones negativos. Por lo tanto,
el número de iones positivos en el lado n de la unión debe ser igual al número de iones
negativos en el lado p de la unión.
El campo eléctrico a través de la unión, por supuesto, da lugar a una corriente de deriva en la
dirección del campo eléctrico. Esto significa que los agujeros viajarán en la dirección del
campo eléctrico y los electrones viajarán opuestos a la dirección del campo, como se muestra
en la Figura 3. Observe que, tanto para los electrones como para los agujeros, el componente
de corriente de deriva es opuesto al componente de corriente de difusión.
¿Qué sucede cuando un fotón se pone en contacto con una unión pn?
Cuando un fotón es absorbido por una unión pn, este liberará un EHP. Dado que el campo se
dirige desde el lado n de la unión al lado p de la unión, el campo hará que los electrones sean
barridos rápidamente hacia el lado n y los agujeros sean barridos rápidamente hacia el lado
p. Una vez fuera de la región de unión, los portadores generados ópticamente se convierten
en parte de los portadores mayoritarios de las regiones respectivas, con el resultado de que
aparecen concentraciones excesivas de portadores mayoritarios en los bordes de la unión.
Estos portadores mayoritarios en exceso luego se difunden desde la unión hacia los contactos
externos, ya que la concentración de los portadores mayoritarios se ha mejorado solo cerca
de la unión.
La adición de portadores de carga mayoritaria en exceso a cada lado de la unión da como
resultado un voltaje entre los terminales externos del material o un flujo de corriente en el
circuito externo o ambos. Si se conecta un cable externo entre el lado n del material y el lado
p del material, una corriente, IO, fluirá en el cable desde el lado p hacia el lado n. Esta
corriente será proporcional al número de EHP generados en la región de unión. Esto se puede
observar mejor en la Figura 12 y 13.
Figura 7. La unión pn iluminada mostrando geometría deseable y la creación de un EHP.
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑙 − 𝐼𝑜 (𝑒 𝑘𝑇 − 1)
Para una muy buena aproximación, la corriente de una celda es directamente proporcional a
la irradiación en la celda. Por lo tanto, si la corriente de la celda se conoce en condiciones de
prueba estándar, Go = 1 kW/m2 en AM 1.5, entonces la corriente de la celda en cualquier
otra irradiancia, G, está dada por:
𝐺
𝐼𝑙 (𝐺) = ( ) 𝐼𝑙 (𝐺𝑜 )
𝐺𝑜
3. Panel Fotovoltaico y cómo funciona
Para obtener un voltaje de salida adecuado, las celdas fotovoltaicas se conectan en serie para
formar un módulo fotovoltaico. Dado que los sistemas fotovoltaicos se operan comúnmente
a múltiplos de 12 volts, los módulos generalmente están diseñados para un funcionamiento
óptimo en estos sistemas. El objetivo del diseño es conectar un número suficiente de celdas
en serie para mantener el Voltaje máximo (Vm) del módulo dentro de un rango cómodo de
voltaje de la batería / sistema bajo condiciones de irradiancia promedio.
Con voltajes de circuito abierto de celda única de silicio típicamente en el rango de 0.5 - 0.6
voltios, esto sugiere que un módulo debe constar de 33–36 celdas conectadas en serie. Con
cada celda individual capaz de generar aproximadamente 2–3 volts, esto significa que el
módulo debe ser capaz de generar 70–100 volts.
4. Sistemas fotovoltaicos
Sistemas electrónicos asociados
Un sistema fotovoltaico comúnmente incluye componentes como controladores de carga,
rastreadores de máxima potencia (MPT, por sus siglas en inglés), amplificadores de
corriente lineal e inversores.
En casi todos los sistemas con almacenamiento de batería, un controlador de carga es esencial
componente. El controlador de carga debe apagar la carga cuando la batería alcanza un estado
prescrito de descarga y debe apagar la matriz FV cuando la batería está completamente
cargada.
Para obtener tanta energía como sea posible del módulo fotovoltaico, es deseable operar el
módulo para producir la máxima potencia. Si observamos la Figura 16, podemos darnos
cuenta que hay un punto en la curva característica del panel fotovoltaico donde éste producirá
su máxima potencia.
Figura 11. Curva Característica de un módulo fotovoltaico con sus puntos de potencia máxima
La operación de máxima potencia es un problema desafiante, ya que requiere que la carga
del sistema sea capaz de usar toda la energía disponible del sistema fotovoltaico en todo
momento. Esto no solo significa que el sistema la carga debe ser máxima cuando la salida
del sistema fotovoltaico es máxima, pero también significa que la carga del sistema debe
ajustarse bastante rápidamente al inicio o dispersión de Cubierto de nubes. Por esto es por lo
que es deseable utilizar un rastreador electrónico de máxima potencia entre el punto de
generación y la carga. El MPT emplea un bucle de retroalimentación para medir la potencia
de salida y cambiar el voltaje como se requiera para maximizar la potencia.
Las posibles configuraciones de los sistemas fotovoltaicos autónomos pueden abarcar desde
sistemas simples, tales como un generador fotovoltaico operando un consumo DC, hasta
sistemas con almacenamiento y con consumo en DC o en DC+AC. La incorporación de un
inversor en el sistema fotovoltaico para posibilitar la utilización de consumo en corriente
alterna tiene un efecto con una disminución del rendimiento de operación del sistema a
potencias muy inferiores a la potencia nominal del inversor, debido a la curva de rendimiento
típica de inversores autónomos. Por ejemplo, en un sistema fotovoltaico autónomo en el que
todos los consumos sean en corriente alterno con un inversor de 1 kW de potencia nominal,
el encendido de una única lámpara de bajo consumo de 18 W de potencia haría operar al
inversor a muy bajo rendimiento. Esta es la razón del diseño de sistemas con consumo en
DC, normalmente la iluminación, y en AC para el resto de los consumos.
Los sistemas FV también pueden operar en combinación con otras fuentes de energía
(renovable o no) como los sistemas eólico-fotovoltaicos o eólico-diesel-fotovoltaico, para
sistemas autónomos híbridos.
La energía solar fotovoltaica es inherentemente una tecnología descentralizada. La potencia
eléctrica puede instalarse allí donde se necesite. Cada casa, escuela, centro comercial o
transmisor puede contar con su propio sistema independiente. Sin embargo estos sistemas
descentralizados necesitan de una cierta “vigilancia” por parte de los usuarios. Esta
vigilancia puede reducirse en el caso de sistemas descentralizados. Un sistema
descentralizado tiene todos los módulos, baterías, inversores y sistemas de control
necesarios para, por ejemplo, dar suministro a un pueblo entero. En este caso se puede
disponer de personal adecuado para el mantenimiento del sistema.
Otro tipo de instalaciones fotovoltaicos de conexión a red son las centrales FV de generación
eléctrica, con potencias nominales superiores a los 100 kWp, suelen disponer de una
conexión a la red eléctrica en medio o alta tensión, disponiendo de un centro de
transformación en el que se eleva la tensión de salida de los inversores fotovoltaicos
adecuándola a la tensión de la línea eléctrica. Las compañías eléctricas pueden construir
centrales FV en un tiempo mucho menor que las centrales convencionales debido a la
facilidad de instalación y conexión del generador FV. Las centrales FV, además de generar
energía eléctrica, también puede ser utilizadas para laminar los picos de demanda de
consumo eléctrico que normalmente ocurren simúltaneamente con los picos de generación
FV, al mediodía. En otros pueden ser utilizadas para mejor de la calidad de la red en redes
locales muy alejadas de los puntos de generación o incluso para el control voluntario de
generación de energía reactiva(3).
1.2. Aplicaciones
Aplicaciones
Los sistemas fotovoltaicos autónomos son aquellos que intentan cubrir una determinada
energía de la energía solar mediante conversión fotovoltaica, sin estar conectados a la red
eléctrica. La energía solar fotovoltaica se ha utilizado en una multitud de aplicaciones que
pueden ir desde satélites artificiales hasta calculadoras de bolsillo. Las principales
aplicaciones de la energía solar fotovoltaica en sistemas autónomos se pueden clasificar en:
Electrificación de viviendas y edificios.
Iluminación autónoma
Aplicaciones agrícolas
Bombeo y tratamiento de agua.
Señalización y comunicaciones
Otras aplicaciones específicas: producción de hidrógeno, aplicaciones ambientales,
oxigenación del agua, protección catódica de tuberías, aplicaciones espaciales o suministro
de vehículos eléctricos, entre muchos otros, ya que la versatilidad de los sistemas
fotovoltaicos permite su uso en un número creciente de aplicaciones.
La Figura 19 muestra los diferentes subsistemas que pueden estar presentes en un sistema
fotovoltaico autónomo. La complejidad del sistema, e incluso los diferentes subsistemas que
lo componen, dependen mucho de la aplicación y las limitaciones específicas de cada
instalación. Las instalaciones de electrificación fotovoltaica son modulares en la mayoría de
los casos, con la posibilidad de realizar extensiones o modificaciones en ellas después de su
ejecución. Esta posibilidad permite aumentar las instalaciones que aumentan su tamaño con
el tiempo, satisfaciendo las diferentes necesidades que puedan surgir, aunque es cierto que
en los casos en que esta expansión es previsible, deberían tratar de usar equipos compatibles
con las sucesivas extensiones planificadas. Además de la generación fotovoltaica, en los
denominados sistemas híbridos, se pueden obtener combinaciones de sistemas eólicos y
solares, diésel solar, etc.
Figura 14. Esquema general de instalaciones fotovoltaicas autónomas.
Los sistemas fotovoltaicos conectados a la red eléctrica han sido objeto de creciente interés
en los últimos años en todos los países industrializados. En la actualidad, solo un porcentaje
muy pequeño de electricidad se utiliza en instalaciones aisladas de redes eléctricas.
Un sistema de conexión a la red fotovoltaica es un tipo de instalación que involucra tres
elementos: los módulos fotovoltaicos, el inversor y la línea de alimentación. En este tipo de
sistemas, la energía generada por los módulos fotovoltaicos va directamente a un inversor
DC / AC que convierte el voltaje directo en corriente alterna, inyectando la energía producida
en la red eléctrica. Las instalaciones fotovoltaicas son instalaciones eléctricas de bajo voltaje
(que luego pueden conectarse a sistemas de alto voltaje).
Si opta por una instalación fija, sin seguimiento solar, el ángulo óptimo de inclinación del
generador fotovoltaico puede relacionarse con la latitud de un lugar determinado mediante la
siguiente ecuación donde ambos ángulos se expresan en grados y φ es la latitud de sitio:
𝛽𝑜𝑝𝑡=3.7+.69𝜑
La tensión máxima del sistema se alcanza en la situación de circuito abierto del campo de los
módulos fotovoltaicos. Este voltaje es importante ya que define el valor del voltaje máximo
existente en el generador y que el inversor debe soportar.
Como se verá, la forma de conectar los módulos entre sí (número de paneles en serie y
número de ramas en paralelo) está determinada por las condiciones de los valores de voltaje
y las corrientes que queremos alcanzar, por las características de cada módulo , ya que existen
módulos de diferentes voltajes, debido a la influencia de los elementos de sombreado, y por
el tipo de inversor o inversores que se requieren. La configuración del sistema y las
conexiones deben corresponder a la potencia y las características técnicas del inversor(4).
10 aplicaciones de los sistemas fotovoltaicos:
A pesar de la tasa de crecimiento de un solo dígito del mercado global en 2018, la energía
solar fotovoltaica se ha convertido en la tecnología energética de más rápido crecimiento en
el mundo, con mercados a escala de gigavatios en un número creciente de países. La demanda
de energía solar fotovoltaica se está extendiendo y expandiendo a medida que se convierte
La opción más competitiva para la generación de electricidad en un número creciente de
mercados, para aplicaciones residenciales y comerciales y cada vez más para proyectos de
servicios públicos, incluso sin tener en cuenta los costos externos de los combustibles fósiles.
Once países agregaron más de 1 GW de nueva capacidad durante el año, frente a 9 países en
2017 y 7 países en 2016, y los mercados de todo el mundo han comenzado a contribuir
significativamente al crecimiento global. Para fines de 2018, al menos 32 los países tenían
una capacidad acumulada de 1 GW o más, en comparación con los 29 países del año anterior.
Figura 16. Capacidad global de energía solar fotovoltaica y adiciones anuales, 2008-2018
Todavía hay desafíos que abordar para que la energía solar fotovoltaica se convierta en una
importante fuente de electricidad en todo el mundo, incluida la inestabilidad normativa y
normativa en muchos países, los desafíos financieros y la necesidad de integrar la energía
solar fotovoltaica en los mercados y sistemas de electricidad de manera justa y sostenible.
Pero la energía solar fotovoltaica ya desempeña un papel importante y creciente en la
generación de electricidad en varios países. En 2018, representó el 12,1% de la generación
total en Honduras y partes importantes también en Italia (casi 8,2%), Grecia (8,2% ),
Alemania (7.7%) y Japón (6.5%) . A fines de 2018, había suficiente capacidad en
funcionamiento en todo el mundo para producir cerca de 640 TWh de electricidad por año, o
un 2.4% de la generación anual de electricidad global.
En la mayoría de los países, todavía existe la necesidad de esquemas de apoyo para la energía
solar fotovoltaica, así como de marcos regulatorios adecuados y políticas que rijan las
conexiones a la red. Las políticas gubernamentales, en particular las licitaciones continuaron
impulsando la mayor parte de mercado global en 2018. Las compras corporativas de energía
solar fotovoltaica se expandieron considerablemente, y el autoconsumo fue un motor
importante del mercado para los nuevos sistemas distribuidos en Europa y los Estados
Unidos. Aunque todavía es una parte insignificante del mercado anual, una cantidad de
productos puramente competitivos Los sistemas ("sin subsidio") se construyeron en 2018; El
interés en este segmento es significativo y crece rápidamente.
Por sexto año consecutivo, Asia eclipsó a todas las demás regiones para nuevas instalaciones,
a pesar de los descensos en los tres principales mercados de la región (China, India y Japón)
. Solo China representó alrededor del 45% de las adiciones globales, pero esto disminuyó de
casi 54 % en 2017.Asia fue seguida por América. Los cinco principales mercados nacionales
- China, India, Estados Unidos, Japón y Australia - fueron responsables de aproximadamente
tres cuartos de la capacidad recién instalada (por debajo del 84% en 2017); los siguientes
cinco mercados fueron Alemania, México, la República de Corea, Turquía y los Países Bajos.
El tamaño del mercado anual requerido para clasificarse entre los 10 principales países
continuó aumentando, llegando a 1.330 MW en 2018 (frente a los 954 MW en 2017).
Figura 17. Capacidad global de energía solar fotovoltaica, por país y región, 2008-2018
Hacia el sur, varios países de América Latina y el Caribe están viendo una rápida expansión
de las instalaciones anuales, gracias a la abundancia de recursos solares y un clima político
favorable. Las grandes empresas están acudiendo a la región con expectativas de expansión
masiva.
El primer país de la región en adiciones en 2018 fue México, que se ubicó entre los 10 mejores
del mundo por primera vez. México agregó más de 2.7 GW (en comparación con los 285
MW instalados en 2017), lo que aumentó su total capacidad de cinco veces a casi 3.4 GW.
Este crecimiento sustancial en la capacidad resultó de la conexión a la red de varios proyectos
muy grandes y de un aumento significativo en proyectos distribuidos bajo el esquema de
medición neta de México.(5)
Figura 18. Adiciones de capacidad global de energía solar fotovoltaica, acciones de los 10 principales
países y el resto del mundo, 2018
4. Sector mexicano
En el 2012, México se hizo parte del Acuerdo de París, que tiene como objetivo es
reforzar la respuesta mundial a la amenaza del cambio climático manteniendo el aumento
de la temperatura mundial en este siglo muy por debajo de los 2 grados centígrados por
encima de los niveles preindustriales, y proseguir los esfuerzos para limitar aún más el
aumento de la temperatura a 1,5 grados centígrados. Además, el acuerdo tiene por objeto
aumentar la capacidad de los países para hacer frente a los efectos del cambio climático
y lograr que las corrientes de financiación sean coherentes con un nivel bajo de emisiones
de gases de efecto invernadero (GEI) y una trayectoria resistente al clima.