Trabajo de Teoría de Antenas- Diseño de acoples

Binomial y de Chebyshev.
antolin.garay@ucuenca.ec,

 Asumiendo que 𝑍𝑛 crece o decrece monotonicamente a través

Abstract— This paper details the design and building of a three-
section Binomial and Chebyshev transformer to match the load of
an antenna to a 50 ohms line. Also it has been make simulated in
QUCS software.
Index Terms— Transformador lambda cuartos, Coeficientes
binomiales, Coeficientes de Chebyshev, sustrato, acople
I. INTRODUCCIÓN
del transformador y 𝑍𝐿 es real además realizando cambios en la
expresión del coeficiente de reflexión total obtenemos:
Γ(𝜃) = 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 [Γ0 cos 𝑁𝜃 + Γ1 cos( 𝑁 − 2)𝜃
+ ⋯ . +Γ𝑛 cos(𝑁 − 2)𝜃
1
+ ⋯ . . + Γ𝑁 𝑐𝑜𝑠𝜃] 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑁 𝑝𝑎𝑟
2 2
Γ(𝜃) = 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 [Γ0 cos 𝑁𝜃 + Γ1 cos( 𝑁 − 2)𝜃

E n la construcción de un acoplador para hacer coincidir

cualquier impedancia de carga real con cualquier
impedancia de línea de transmisión se usan varios
métodos como el transformador lambda cuartos, para las
aplicaciones que requieren más ancho de banda que lo que una
sección de un cuarto de onda puede proporcionar, se pueden
usar transformadores de sección múltiple como el
transformador multisección binomial y el de Chebyshev.
II. MARCO TEÓRICO
A. Transformador multisección
Un transformador multisección consiste de N secciones de
líneas de transmisión de igual longitud
+ ⋯ . +Γ𝑛 cos(𝑁 − 2)𝜃
1
+ ⋯ . . + Γ𝑁−1 𝑐𝑜𝑠𝜃] 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑁 𝑖𝑚𝑝𝑎𝑟
2 2
La importancia de estos resultados radica en el hecho de que
podemos sintetizar cualquier respuesta del coeficiente de
reflexión en función de la frecuencia (𝜃) seleccionando
correctamente la y utilizando suficientes secciones (N)
B. Transformador de acople multisección binomial
La respuesta pasa banda de un transformador de acople
binomial es óptimo en el sentido que para un número de
secciones la respuesta es lo más plano posible cerca de la
frecuencia de diseño este tipo de respuesta es determinado para
un trasformador N secciones para ajustar el primer N-1
derivado de |Γ(𝜃)| para cero en la frecuencia central tal
respuesta puede ser obtenida con el coeficiente de reflexión

Figura 1. Multisecciones de línea de transmisión. Γ(𝜃) = 𝐴(1 + 𝑒 −2𝑗𝜃 )𝑁

Se puede deducir una expresión aproximada para el La magnitud del coeficiente de reflexión es
coeficiente de reflexión total. Los coeficientes de reflexión
parciales son los que siguen |Γ(𝜃)| = 2𝑁 |𝐴||𝑐𝑜𝑠𝜃|𝑁

𝜋 𝜆
𝑍1 − 𝑍0 𝜃= corresponde a la frecuencia central para lo cual 𝑙 = y
Γ0 = 2
𝜋
4
𝑍1 + 𝑍0 𝜃 = 𝛽𝑙 =
2

𝑍𝑛+1 − 𝑍𝑛 Se puede expandir Γ(𝜃) a una expansión binomial

Γ𝑛 =
𝑍𝑛+1 + 𝑍𝑛 𝑁
−2𝑗𝜃 𝑁
Γ(𝜃) = 𝐴(1 + 𝑒 ) = 𝐴 ∑ 𝐶𝑛𝑁 𝑒 −2𝑗𝑛𝜃
𝑍𝐿 − 𝑍𝑁
Γ𝑁 = 𝑛=0
𝑍𝐿 + 𝑍𝑁 Donde
𝑁!
𝐶𝑛𝑁 =
(𝑁 − 𝑛)! 𝑛!
 𝑍𝐿 − 𝑍0 1
Son los coeficientes binomiales 𝐴=
𝑍𝐿 + 𝑍0 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑁 )𝑇𝑁

De donde se obtiene que: ya que |𝐴| = Γ𝑚

Γ𝑛 = 𝐴𝐶𝑛𝑁 𝑍𝐿 − 𝑍0 1
Asumiendo que Γ𝑛 es muy pequeño (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑁 )𝑇𝑁 =
𝑍𝐿 + 𝑍0 Γ𝑚

Usando la siguiente aproximación

𝑍𝑛+1 − 𝑍𝑛 1 𝑍𝑛+1
Γ𝑛 = ≅ ln
𝑍𝑛+1 + 𝑍𝑛 2 𝑍𝑛 1 1 𝑍𝐿 − 𝑍0
sec 𝜃𝑚 ≈ cosh[ cos ℎ−1 ( | |)]
𝑁 Γ𝑚 𝑍𝐿 + 𝑍0
𝑍𝑛+1 𝑍𝐿 − 𝑍0 𝑁 𝑍𝐿 𝑍
ln ≅ 2Γ𝑛 = 2𝐴𝐶𝑛𝑁 = 2(2−𝑁 ) 𝐶𝑛 ≅ 2−𝑁 𝐶𝑛𝑁 ln ln ( 𝐿 )
𝑍𝑛 𝑍𝐿 + 𝑍0 𝑍0 1 𝑍0
= cosh[ 𝑐𝑜𝑠ℎ −1 (| |]
𝑁 2Γ𝑚

Una vez que 𝜃𝑚 es conocido el ancho de banda fracional

puede ser calculado de
∆𝑓 4𝜃𝑚
=2−
𝑓0 𝜋

Los Γ𝑛 pueden ser determinados a partir de

𝑇1 (sec 𝜃𝑚 cos 𝜃) = sec 𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠𝜃

𝑇2 (sec 𝜃𝑚 cos 𝜃) = sec 𝜃𝑚 2 (1 + 𝑐𝑜𝑠2𝜃) − 1
𝑇3 (sec 𝜃𝑚 cos 𝜃) = sec 𝜃𝑚 3 (cos 3𝜃 + 3𝑐𝑜𝑠𝜃)
− 3 sec 𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠𝜃
𝑇4 (sec 𝜃𝑚 cos 𝜃) = sec 𝜃𝑚 4 (cos 4𝜃 + 4𝑐𝑜𝑠2𝜃) + 3
− 4 sec 𝜃𝑚 2 ( 𝑐𝑜𝑠2𝜃 + 1) + 1

D. Línea microstrip
Figura 2. Magnitud del coeficiente de reflexión versus
frecuencia del transformador de acople multisección binomial La línea microstrip es uno de los tipos más populares de líneas
. de transmisión planar, principalmente porque puede fabricarse
mediante procesos fotolitográficos y se puede miniaturizar
fácilmente. Integrado con dispositivos de microondas tanto
C. Transformador de acople multisección Chebyshev pasivos como activos. Un conductor de ancho W se imprime en
un sustrato dieléctrico delgado y conectado a tierra de grosor d
En contraste con el transformador binomial, el transformador y permitividad relativa
de acople multiseccion de Chebyshev optimiza el ancho de
banda a expensas de la ondulación de la banda de paso. Además Para calcular las dimensiones de una línea Microstrip se ocupan
el transformador de Chebyshev es diseñado para igualar Γ(𝜃) a las siguientes expresiones
los polinomios de Chebyshev
Podemos sintetizar la banda de paso de igual onda de
Chebyshev haciendo Γ(𝜃) igual a 𝑇𝑁 (sec 𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠𝜃) donde N es 𝜖𝑟 + 1 𝜖𝑟 − 1 1
el número de secciones en el transformador, en consecuencia 𝜖𝑒 = +
2 2
tenemos: √1 + 12𝑑
𝑊
Γ(𝜃) = 2𝑒 −𝑗𝑁𝜃 [Γ0 cos 𝑁𝜃 + Γ1 cos(N − 2) 𝜃 + … … Para una impedancia dada y una constante dieléctrica relativa
+ Γ𝑛 cos(𝑁 − 2𝑛)𝜃 … . . } constante tenemos
= 𝐴𝑒 −𝑗𝑁𝜃 𝑇𝑁 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑚 𝑐𝑜𝑠𝜃)
𝑊 8𝑒 𝐴 𝑊
𝑍𝐿 − 𝑍0 = 2𝐴 𝑝𝑎𝑟𝑎 <2
Γ(𝜃) = = 𝐴𝑇𝑁 (𝑠𝑒𝑐𝜃𝑁 ) 𝑑 𝑒 −2 𝑑
𝑍𝐿 + 𝑍0
𝑊 2 𝜖𝑟 − 1 0.61 𝑊
= [𝐵 − 1 − ln(2𝐵 − 1) + {ln(𝐵 − 1) + 0.39 − }] 𝑝𝑎𝑟𝑎 >2
𝑑 𝜋 2𝜖𝑟 𝜖𝑟 𝑑

Donde
 Con una carga normalizada de 1.31-0.35j y dibujando el circulo
en la carta de Smith y ubicando el punto del valor puramente
𝑍0 𝜖𝑟 + 1 𝜖𝑟 − 1 0.11
𝐴= √ + (0.23 + resistivo obtuvimos 0.65 con lo que obtuvimos
60 2 𝜖𝑟 + 1 𝜖𝑟
377𝜋 𝑍𝑏 = 50 ∗ 0.65 = 32.5
𝐵=
2𝑍0 √𝜖𝑟
Luego de eso se ubicó el punto para calcular la longitud de la
También tenemos la velocidad de fase la cual nos sirve para línea microstrip obteniendo 𝑙 = 0.196𝜆
calcular la longitud de la línea.
Usando el valor de 32.5 como impedancia de carga y 50 como
𝑐 impedancia de línea se procedió a calcular las impedancias de
𝑣𝑝 = cada sección del transformador de acople multiseccion
√𝜖𝑒
binomial

Para n=0
III. DESARROLLO
𝑍𝐿
ln 𝑧1 = ln 𝑧0 + 2−𝑁 𝑐03 ln
A. Diseño del Transformador de acople multiseccion 𝑍0
binomial
32.5
Para obtener las impedancias de cada sección ocupamos los ln 𝑧1 = ln 50 + 2−3 ∗ 1 ∗ ln = 3.858
datos que obtuvimos a partir del documento con 50
𝑍1 = 47.3788
especificaciones de la carga y también los datos de las
Para n=1
características del material utilizado para construir el acople.

Especificaciones de la antena utilizada para acoplar a la línea

𝑍𝐿
ln 𝑧2 = ln 𝑧1 + 2−𝑁 𝑐13 ln
Frecuencia de operación: 2,36GHz 𝑍0
Impedancia de carga: 66∠ − 15° ohms
32.5
ln 𝑧2 = ln 47.37 + 2−3 ∗ 3 ∗ ln = 3.69
50
𝑍2 = 40.31
Para n=2

𝑍𝐿
ln 𝑧3 = ln 𝑧2 + 2−𝑁 𝑐23 ln
𝑍0

32.5
ln 𝑧2 = ln 40.31 + 2−3 ∗ 3 ∗ ln = 3.2
50
𝑍3 = 34.29

Figura 3. Medición de las pérdidas de retorno e impedancia

de carga de la antena. Una vez calculadas las impedancias procedemos a calcular las
dimensiones de las secciones que vamos a dibujar en el circuito
para cada sección de línea microstrip.
Especificaciones de la placa
Dimensiones de 𝑍1
Permitividad relativa del sustrato: 4.4 𝑧1 = 47.3788
Espesor del sustrato: 0.15 cm 𝜀𝑟 = 4.4
377 𝜋
𝛽= = 5.9586
La impedancia de la línea de alimentación es de 50ohms 2𝑧1 √𝜀𝑟
𝑊 2 𝜀𝑟 − 1 0.61
= [𝛽 − 1 − ln(2𝛽 − 1) + [ln(𝛽 − 1) + 0.39 − ]]
𝑑 ℎ 2𝜀𝑟 𝜀𝑟
Primero se procedió a calcular la impedancia de la línea que 𝑊
hará puramente resistiva la carga, esto se realizó normalizando = 2.09
𝑑
la impedancia de carga y ubicándola en la carta de Smith para 𝑊𝑧1 = 2.09(0.15 𝑐𝑚) = 0.3135 𝑐𝑚
obtener el valor resistivo y la longitud de la línea microstrip
𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 − 1 1
𝜀𝑧1 = + ⋅ = 3.3547
2 2
√1 + 12 ( 𝑑 )
𝑊
 𝑅𝐿 13
−
𝑐 Γ = 10 𝑍0 = 10−20 = 4.47% = 0.0447
𝑉𝑝𝑧1 = = 1.637 𝑥 108 ≈ 0.045
√𝜀𝑧1
𝑍𝐿 = 32.5
𝑉𝑝 1.637 𝑥 108 Γ(𝜃) = 2𝑒 −𝑗3𝜃 (Γ0 cos 3𝜃 + Γ1 cos(𝜃) = 𝐴𝑒 −𝑗3𝜃 𝑇3 (sec 𝜃𝑚 cos 𝜃)
𝜆𝑧1 = = = 0.06927𝑚
𝑓 2.363 𝑥 109
Entonces: 𝐴 = Γ𝑚 = 0.05
𝜆 0.06927 𝑚
𝑙𝑧1 = = = 0.017319 𝑚 𝑧
4 4 1 ln 𝐿
𝑧
sec 𝜃𝑚 = 𝑐𝑜𝑠ℎ [ cosh ( 0 )]
−1
= 1.7319 𝑐𝑚 𝑁 2Γ𝑚

Dimension de 𝑍2 32.2
1 ln ( )
−1
= 𝑐𝑜𝑠ℎ [ cosh ( 50 )]
𝑍2 =40.3113 3 2(0.045)
𝛽 = 7.00

𝑊 = 1.29409
= 2.689
𝑑
A=0.045
𝑊𝑧2 = 2.689(0.15) = 0.4034 𝑐𝑚 𝜃𝑚 = 50.6°

𝜀𝑒𝑧2 = 3.4274 Para 𝑇3 , tenemos:

2(Γ0 cos 3𝜃 + Γ1 cos 𝜃)

𝑣𝑝𝑧2 = 1.62 𝑥 108
= 𝐴 sec 3 𝜃𝑚 (cos 3𝜃 + 3 cos 𝜃)
− 3𝐴 sec 𝜃𝑚 cos 𝜃
𝜆𝑧2 = 0.06858
cos 3𝜃 = 2Γ0 = 𝐴 sec 3 𝜃𝑚
𝜆𝑧
𝑙𝑧2 = 2 = 0.0171
4 0.045 sec 3 50.6°
Γ0 = = 0.08798
2
= 1.71 𝑐𝑚
cos 𝜃 = 2Γ1 = 3𝐴(sec 3 𝜃𝑚 − sec 𝜃𝑚 )
Dimensiones de 𝑧3
z3 = 34.298 3(0.045)(sec 3 (50.6°) − sec(50.6°)
Γ1 =
2
𝛽 = 8.2312
Γ1 = 0.1576
𝜆𝑧3 = 1.7 𝑐𝑚
Γ3 = Γ0 = 0.08798
𝑊
= 3.4
𝑑 Γ2 = Γ1 = 0.1576

𝑊𝑧3 = 3.40865(0.15) = 0.511 𝑐𝑚 Para 𝑛 = 0

𝜀𝑒𝑧3 = 3.49 ≈ 3.5 ln 𝑧1 = ln 𝑧0 + 2Γ0

= ln 50 + 2(0.08798)
𝑣𝑝𝑧3 = 1.6 𝑥 108 = 4.08798
𝑧1 = 59.61
𝜆 = 0.0677
𝜆 Para 𝑛 = 1
𝑙𝑧3 = = 0.016 ln 𝑧2 = ln 𝑧1 + 2Γ1
4 = ln 59.61 + 2(0.1576)
=4.403
De igual manera procedemos a calcular las impedancias de 𝑧2 = 81.69
cada sección del acople de Chebyshev.
𝑛=2
ln 𝑧3 = ln 𝑧2 + 2Γ2 = ln 81.69 + 2(0.7876)
 ln 𝑧3 = 4.718
𝑧3 = 111.959
𝑧1 = 59.61

Ahora se procede a calcular las dimensiones de cada sección

Para Z1:

A=1.793
𝑊
= 1.40
𝑑

𝑊 = 1.4(0.15) = 0.21148 𝑐𝑚 Figura 4. Simulación para el acople binomial

𝜀𝑒 = 3.249

3 𝑥 108
𝑣𝑝 = = 1.66 𝑥 108
√𝜀𝑐

1.66 𝑥 108
𝜆= = 0.07025
2.363 𝑥 109

𝜆 Figura 5. Resultados obtenidos al ejecutar la simulación del

= 0.01756 = 1.75cm
4 acople binomial
Para Z2:

𝑧2 = 81.63

𝐴 = 2.39
𝑊
= 0.74555
𝑑
𝑊 = 0.74555(0.15) = 0.111834

𝜀𝑒 = 3.111

𝑣𝑝 = 1.700

𝜆
= 0.01799 = 1.7 cm = 1.8 𝑐𝑚 Figura 6. Simulación para el acople de Chebyshev
4

Para Z3:

𝑧3 = 111.959

𝐴 = 3.22668
𝑊
=0.3185
𝑑

𝑊 = 0.04777 𝑐𝑚 ≈ 0.05 𝑐𝑚

𝜀𝑒 = 2.97
Figura 7. Resultados obtenidos al ejecutar la simulación del
𝑣𝑝 = 1.74 𝑥 108 acople de Chebyshev
𝜆
= 0.01841 = 1.84 𝑐𝑚
4

Luego de simular y obtener buenos resultados en nuestra

Con los cálculos obtenidos se procedió a simular ambos simulación procedimos a construir los acoples para esto
acoples en el software Qucs utilizamos material microstrip y conectores sma.
 IV. RESULTADOS
Al probar el acople binomial junto con la antena obtuvimos los
siguientes resultados:
Como podemos ver en la figura 7 en la gráfica de las pérdidas
de retorno se amplió el ancho de banda correspondiente a la
frecuencia de trabajo de la antena. Además en la figura 8
podemos apreciar que la impedancia en la frecuencia de
resonancia se acerca demasiado al punto en donde es puramente
real.
Figura 8. Gràficas de las pérdidas de retorno y la impedancia
correspondientes a los resultados obtenidos al probar el acople
binomial
Figura 9. Gràficas de la carta se Smith donde se aprecia la
impedancia asignada a cada frecuencia.
Como podemos ver en la gráfica de las pérdidas de retorno al
aplicar el acople de Chebyshev se amplió el ancho de banda en
la frecuencia central especificada. Además, en la gráfica de la
carta de Smith podemos ver que la reactancia correspondiente
a la antena con acople de Chevishev ahora es inductiva. Lo que
antes era capacitiva, pero podemos ver que además de eso el
valor de impedancia correspondiente a la frecuencia de trabajo
de la antena se acerca demasiado al punto donde es puramente
real.
Figura 10. Gràficas de las pérdidas de retorno y la impedancia
correspondientes a los resultados obtenidos al probar el acople
de Chebyshev.
Figura 11. Gráficas de la carta se Smith donde se aprecia la
impedancia asignada a cada frecuencia.
V. CONCLUSIONES
Al probar el trabajo realizado se vio un cambio significativo
en la impedancia antes del acople y después del acople tanto en
el ancho de banda como en el acople de impedancias.

Los resultados de la simulación son similares a los resultados

finales al probar el acople conectado a la antena. Se puede
considerar que no se obtuvieron los resultados deseados, pero
se obtuvo un cambio positivo al acoplar las líneas.

Estos tipos de acople que realizamos tanto el binomial como de

Chebishev nos dan idea de cómo podemos aplicar estos
métodos para que no haya perdidas de potencia y para evitar
que haya reflexiones en la línea, así como también para ampliar
el ancho de banda de nuestra antena.

VI. REFERENCIAS

[1] David M. Pozar. (1993). Microwave Engineering. ISBN

[2] Constantine A. Balanis. (1982). Antenna Theory: Analysis and Design.

USA: ISBN.

VII. BIOGRAFÍAS

Alex F. Chuya Machuca, nació en Machala-Ecuador el

13 de junio de 1994. Realizó sus estudios secundarios en
la Unidad Educativa Ochoa León, donde obtuvo el título
de Bachiller en Químico Biólogo. Actualmente estudia
en la Universidad de Cuenca

Galo R. Aguirre Cobo, nacido en Quito – Ecuador el 11

de Julio del 1983. Completo sus estudios de segundo nivel
en los EE.UU. Actualmente estudia Ingeniería en
Electrónica y Telecomunicaciones en la Universidad de
Cuenca.

Cinthya L. Campoverde, nació en Cuenca-Ecuador el 1

de abril de 1996. Realizó sus estudios secundarios en el
Colegio “Herlinda Toral” donde obtuvo el título de
Bachiller en Físico Matemático. En el año 2014 ingresó a
la Universidad de Cuenca.