INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE URUAPAN

ACADEMIA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

TEMA:
2. Tiristores

Presentan:

Nombre Firma

Mares López Víctor Fernando__________________ ________

Mendoza Espinoza Luis Roberto ______________________
Murillo Bañales Jesús__________________________________
Ponce Acosta Dante Heriberto___________________________

Profesor: Fecha:
Esp. Gonzalo Villalobos Tapia 27/02/2018
Resumen:
En el siguiente documento se hablaran sobre diferentes dispositivos de potencia como
son los SCR, DIAC, TRIAC y UGT. Los cuales nos permiten transmitir potencia eléctrica
sin necesidad de tener un elemento mecánico o electromecánico, dándole más vida útil
a nuestros dispositivos, también veremos el comportamiento de las ondas de salida que
se generan.

1
Contenido
Resumen 1
Contenido 2
Índice de figuras 3
Introducción 4
2.1 5
2.1.1 5
2.1.2 5
2.1.3 6
2.1.4 8
2.2 10
2.3 19
2.4 22
Conclusión 29
Referencias 30

2
Índice de figuras
Figura 1.1 Símbolo del SCR 5
Figura 1.2 Circuito y símbolo del TRIAC 6
Figura 1.3 Estructura física del DIAC 6
Figura 1.4 Estructura y símbolo del DIAC 7
Figura 1.5 Curva característica del DIAC 7
Figura 1.6 Circuito UJT 8
Figura 1.7 Onda emisor y voltaje de disparo 9
Figura 2.1 Pulso corto 10
Figura 2.2 Pulso largo 11
Figura 2.3 Generador de tren de pulsos 11
Figura 2.4 Tren de pulsos con mecanismo de tiempo y lógica AND 12
Figura 2.5 Diagrama de bloques convertidor (AUTOR) 13
Figura 2.6 Condiciones de disparo 14
Figura 2.7 Condiciones de disparo 15
Figura 2.8 Desfase correspondiente a grandes rasgos con el ángulo 16
Figura 3.1 Circuito de control de fase con SCR 19
Figura 3.2 Circuito de control de fase con TRIAC 20
Figura 3.3 Diagrama de disparo de TRIAC 21
Figura 4.1 Aislamientos 22
Figura 4.2 paso por cero 23
Figura 4.3 ventajas y desventajas 24
Figura 4.4 conmutación 26
Figura 4.5 resistiva 26
Figura 4.6 Utilizar un SSR sin función de paso por cero 28
Figura 4.7 En este caso se deberá utilizar relés del modelo –V ( G3F-203SL-V, 28
G3H203SL--V) o relés que tengan en su salida transistores MOS FET (G3DZ,
G3RZ, G3FM)

3
Introducción:
Un tiristor es uno de los tipos de dispositivos semiconductores de potencia. Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se
operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un
estado conductor. Para muchas aplicaciones se pueden suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.
Un tiristor es un dispositivo que tiene un funcionamiento y aplicación un poco similar al
de un relevador, sin embargo los tiristores tienen variaciones de funcionamiento, que se
mostrarán en este documento.

4
2.1. Características y parámetros de:
2.1.1 Rectificador controlado de silicio (SCR).
Un modelo sencillo de SCR utilizado en diversos circuitos es un interruptor en serie con
un diodo, como se muestra en la figura 1.1, Cerrar el interruptor controlado por tensión
es equivalente a aplicar una corriente de puerta al SCR, y el diodo impide la corriente
inversa en el modelo. Este sencillo modelo de SCR tiene la importante desventaja de
que necesita que el conmutador controlado por tensión permanezca cerrado durante
todo el tiempo de activación del SCR, lo que requiere disponer de algunos
conocimientos previos sobre el comportamiento del circuito donde se utilice el
dispositivo.

Figura 1.1 Símbolo del SCR

Los tiristores de control de fase o rectificador controlado de silicio (SCR) por lo general
opera a la frecuencia de línea, y se desactiva por conmutación natural. El voltaje en
estado activo, VT, por lo común varía desde aproximadamente 1.15V para 600V, hasta
2.5V para dispositivos de 4000V. Los dispositivos utilizan una compuerta amplificadora,
en la que se dispara un tiristor auxiliar T A mediante una señal de compuerta, y de allí la
salida amplificada de TA se aplica como señal de compuerta al tiristor principal T M.

2.1.2 TRIAC.
Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control
de fase de corriente alterna. Se puede considerar como si fueran dos SCR conectados
en antiparalelo, con una conexión de compuerta común, como se muestra en la Figura
1.2.

5
 Figura 1.2 Circuito y símbolo del TRIAC

Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus

terminales como ánodo y cátodo. Si la terminal MT 2 es positiva con respecto a la
terminal MT1, el TRIAC se puede activar aplicando una señal de compuerta positiva
entre la compuerta G y la terminal MT1. Si la terminal MT2 es negativa con respecto a la
terminal MT1, se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta, entre la
compuerta G y la terminal MT1.

2.1.3 DIAC.

Si a la estructura de la figura 1.3 se le quita la capa N4 y el terminal de puerta,

obtenemos un nuevo elemento compuesto por dos tiristores en antiparalelo.

Figura 1.3 Estructura física del DIAC

6
Dicho elemento está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, y
se le conoce como DIAC, diodo de corriente alterna. En la figura 1.4 se representa la
estructura resultante, y su símbolo, siendo el nombre de sus terminales los de A1 y A2.

Figura 1.4 Estructura y símbolo del DIAC

La curva característica del DIAC es igualmente simétrica respecto del origen, pero sólo
cuenta con una curva, ya que no dispone de terminal de puerta. Otra diferencia
respecto del TRIAC es que la tensión a la que se produce el cebado es
considerablemente menor y suele estar alrededor de los 30 voltios. Esta curva se
representa en la figura 1.5.

Figura 1.5 Curva característica del DIAC

7
Debido a su comportamiento bidireccional ya su bajo valor de tensión de cebado, se
suele emplear como elemento de disparo de un tiristor o un TRIAC.
2.1.4 UJT.
El transistor monounión (UJT) se utiliza comúnmente para generar señales de disparo
en los SCR. En la figura 1.6 aparece un circuito básico de disparo UJT. Un UJT tiene
tres terminales como emisor E, base uno B1 y base dos B2. Entre B1 y B2 la monounión
tiene las características de una resistencia ordinaria.

Figura 1.6 Circuito UJT

Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd, se carga el capacitor C a través de

la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT está en estado abierto. La
constante de tiempo del circuito de carga es τ 1=RC. Cuando el voltaje emisor VE, el
mismo que el voltaje del capacitor ʋC, llega al voltaje pico, VP, se activa el UJT y el
capacitor C se descarga a través de RB1 a una velocidad determinada por la constante
de tiempo τ2=RB1C. τ2 es mucho menor que τ1. Cuando el voltaje emisor VE se reduce al
punto del valle Vʋ el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de
carga, Las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo aparecen en la figura
1.7.

8
Figura 1.7 Onda emisor y voltaje de disparo

9
2.2. Circuitos de descarga.
El circuito de potencia está sujeto a un voltaje alto, por lo general mayor de 100V, y el
circuito de compuerta se mantiene a un bajo voltaje, típicamente de 12 a 30V. Se
requiere de un circuito de aislamiento, que se puede llevar a cabo ya sea mediante
transformadores de pulso, o mediante acopladores ópticos.

En la figura 2.1 Aparece un sencillo arreglo de aislamiento con transformadores

conmutador Q1, el transistor se satura y el voltaje de cd Vcc aparece a través del
primario del transformador, produciendo un voltaje pulsado sobre el secundario del
transformador: el cual es aplicado entre la compuerta del tiristor y su cátodo.

Figura 2.1 Pulso corto.

Cuando se elimina el pulso de la base del transistor Q1, el transistor se desactiva

apareciendo un voltaje de polaridad opuesta inducido en el primero del transformador
por lo que el diodo de marcha libre Dm conduce. Durante esta reducción transitoria, un
voltaje inverso correspondiente se induce en el secundario.

10
 Figura 2.2 Pulso largo.

El ancho del pulso se puede hacer más largo, conectando un capacitor C a través de la
resistencia R, tal y como se muestra en la figura 2.2. El transformador conduce
corriente unidireccional y el núcleo magnético se saturará, limitando por lo tanto el
ancho del pulso. Este tipo de aislamiento es adecuado para pulsos típicamente de 50
ms a 100ms.
En esta situación, a menudo resulta necesario disparar los tiristores en forma continua.
Se puede obtener un tren de pulsos, cosa que resulta preferible, mediante un
embobinado auxiliar, tal y como se muestra en la figura 2.3

Figura 2.3 Generador de tren de pulsos.

Cuando se activa el transistor Q1, también se induce un voltaje en el embobinado

auxiliar N3 en la base del transistor Q1, de tal forma que el diodo D1 queda con
polarización inversa y Q1 se desactiva. Entretanto el capacitor C1 se carga a través de
R1 y vuelve a activar a Q1. Este proceso de activación y desactivación continuará
siempre que exista una señal de entrada v1 al condensador aislador. En vez de utilizar
el embobinado auxiliar como oscilador de bloqueo. Se podría generar un tren de pulsos

11
mediante una compuerta lógica AND con un oscilador (o un mecanismo de tiempo). Tal
y como se muestra en la figura 2.3 En la práctica, la compuerta AND no puede excitar
directamente al transistor Q1, y normalmente se conecta una etapa intermedia antes del
transistor.

Figura 2.4 Tren de pulsos con mecanismo de tiempo y lógica AND.

 Circuitos de disparo.

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores es una parte integral

del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en
que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una
función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir
entonces que los circuitos de disparo son elementos claves para obtener la salida
deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de
energía eléctrica.

12
 Figura 2.5 Diagrama de bloques convertidor (AUTOR).

El diseño de un circuito excitador requiere el conocimiento de las características

eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal
de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes,
puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores
donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad,
alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación
de compuerta que se disponen comercialmente son más conveniente. Las partes
componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores
controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito
sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador
del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el
circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente nos
da una idea integral, de la interrelación de estos componentes para este caso tenemos
subrayadas las partes correspondientes al circuito de pulsos.

13
Para precisar las condiciones de disparo se usa la gráfica:

Figura 2.6 Condiciones de disparo.

Cuando el disparo se realiza en alterna la excursión máxima de la tensión de puerta

debe permanecer por debajo del valor máximo admisible. Cuando el disparo se realiza
en alterna la excursión máxima de la tensión de puerta debe permanecer por debajo del
valor máximo admisible.

- Disparo por pulso. Se considera que impulsos de una duración de una o varias
decenas de microsegundos, según el tiristor, hacen que el disparo coincida con
el obtenido en corriente continua.

El cebado por impulsos permite obtener una potencia de pico superior a la

potencia media de puerta admisible, y pueden aplicarse tolerancias mayores al
circuito de cebado. Además, puede reducirse a un valor mínimo el retardo entre

14
la señal de puerta y la subida de la corriente anódica, lo que hace posible una
sincronización muy precisa.

Por último, se limita la disipación debida al aumento de la corriente residual hasta

cerca del nivel de cebado.

Estas tres razones explican la preferencia que se otorga, siempre que sea
posible, a este modo de disparo que procura al mismo tiempo una disipación
menor y un aumento en la precisión. Este tiempo de retardo disminuye cuando
se aumenta la amplitud del impulso de control, y tiende hacia 0,2 y 0,5 ms para
impulsos de 500 mA o más. En la práctica, conviene tener en cuenta los
principios siguientes para la obtención de los mejores resultados (en los casos
más generales): · El circuito de puerta debe recibir con preferencia la señal de
ataque de un generador de corriente. · La corriente de control debe ser bastante
superior al valor mínimo IGT especificado y, por ejemplo, de 3 a 5 IGT.

Figura 2.7 Condiciones de disparo.

El tiempo de subida ha de ser lo más breve posible, desde 0,1 a 1 ms, sobre
todo si el tiristor tiene que soportar una fuerte rampa de corriente después del
cebado.

La duración del impulso debe ser tal que la corriente de control permanezca por
encima de IGT mientras no se alcance la corriente de enganche de ánodo.

15
- Disparo por trenes de onda. En funcionamiento en corriente alterna sobre carga
inductiva con un TRIAC (o dos tiristores en montaje en antiparalelo), la corriente
en el elemento inductivo se prolonga más allá de la duración del primer semiciclo
de tensión en que ha tenido lugar el cebado (este desfase se corresponde a
grandes rasgos con el ángulo del cos de la carga).

Puede entonces suceder que esta corriente no se haya anulado todavía cuando
se transmita el siguiente impulso de disparo; en consecuencia, el TRIAC (o uno
de los tiristores) permanecerá cebado durante el paso de este impulso y sólo se
bloqueará tras su paso, sin posibilidad de que se vuelva a cebar antes del
semiciclo siguiente, que es de la misma polaridad que el primero: de ello se
sigue un efecto de rectificación que puede ser perjudicial para los circuitos.

Figura 2.8 Desfase correspondiente a grandes rasgos con el ángulo.

Para evitar este fenómeno, es preciso adoptar una de las dos decisiones
siguientes:

 Prolongar la duración de cada impulso (c).

 Enviar trenes de impulsos que se repitan hasta el fin de cada
semiciclo (d).

- Circuito sincronizador. Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en

sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo

16
 (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos
los semiciclo.

- Entrada de señal de control. Esta señal es la que determina el retraso del ángulo
de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema
realimentado. Para este último caso, la señal se genera por la interacción de la
señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional,
proporcional + integrador, etc.).

- Circuito base de tiempo. En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera

promedio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador,
con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de
disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por
programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por
programación.

-
- Generador de pulsos de disparo. En los circuitos analógicos, la base de tiempo
se genera promedio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un
condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera
un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera
por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también
por programación.

- Circuito de aislamiento de disparo. Fundamentalmente se utilizan dos técnicas.

Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo
semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra
técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de
disparo y receptor en el circuito de compuerta.

17
 - Protección de la compuerta. Se utilizan circuitos de protección contra disparos
por tensiones espurias. Más adelante, desarrollaremos con más amplitud, estos
elementos que componen el circuito de disparo.

Como elementos de disparo se utilizan el transistor unión (UJT) y el PUT.

El UJT designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos

extremos se obtienen los terminales base 2 (B2) y base 1 (B1). Esta barra de silicio
consta de un grado de dopado característico que le proporciona una resistencia llamada
resistencia interbases (RBB).

18
2.3. Circuitos de control de fase.
Cuando la forma de onda de la tensión alterna, cae sobre una carga en forma completa,
esto es sin ningún tipo de recorte, sobre la carga aparece una corriente, con lo cual se
genera potencia sobre la carga; si de alguna manera se recorta la forma de onda de la
tensión alterna, esto es lo mismo que decir se controla la fase, sobre la carga ya no
aparecerá la misma cantidad de corriente que aparecía cuando sobre la carga caía la
tensión alterna completa, por lo que tampoco se generará sobre la carga la misma
potencia, entonces mediante el control de fase se controlará la cantidad de potencia
que genera una carga conectada a una fuente de corriente alterna; de aquí que muchas
veces se utilicen en forma indiferente los términos control de fase o control de potencia,
en este caso aquí se le llamará control fase potencia y como esta tarea lo realizará el
tiristor SCR, se le llamará SCR control fase potencia.
En la figura se le ha añadido una resistencia variable R V tal como se puede apreciar,
será mediante esta resistencia variable que se logrará el control de fase con el tiristor
SCR.

Figura 3.1 Circuito de control de fase con SCR

19
R es para limitar la corriente a través de la compuerta del SCR, el diodo es para
proteger la compuerta del SCR de la parte negativa de la corriente alterna que le llegará
mediante este circuito, RL es la carga sobre la cual circulará la corriente alterna cuando
el SCR se active, generando una tensión VRL sobre la carga, será la forma de onda de
esta tensión la que se controlará mediante el SCR control fase potencia.

En la figura se muestra como un circuito con TRIAC controla la fase haciendo que La
parte positiva de la onda pase por el triac siempre y cuando haya habido una señal de
disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de arriba hacia abajo, de
igual manera, La parte negativa de la onda pasará por el triac siempre y cuando haya
habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de
abajo hacia arriba. Para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma
patilla.

Figura 3.2 Circuito de control de fase con TRIAC

El triac controla el paso de la corriente alterna a la carga, pasando continuamente entre

los estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando
la corriente no circula). Si se varía el potenciómetro, se varía el tiempo de carga de un
capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de
alimentación y la que se aplica a la compuerta como se muestra en la figura

20
Figura 3.3 Diagrama de disparo de TRIAC

21
2.4. Relevadores de estado sólido.
El relé de estado sólido (SSR) es un elemento que permite aislar eléctricamente el
circuito de entrada o mando y el circuito de salida.

Las diferentes partes que forman un SSR son:

*Circuito de entrada
*Aislamiento
Está asegurado generalmente por un acoplamiento óptico con semiconductor (Foto
acoplador, fototriac,....)

Figura 4.1 Aislamientos

*Detector paso por cero (En algunos modelos):

Un relé de estado sólido con función de paso por cero opera cuando la tensión de la
carga (tensión alterna) se acerca o alcanza el punto cero. Los relés con esta función
tienen una buena inmunidad a los parásitos de entrada y producen unas bajas
radiaciones parásitas al conmutar tensiones bajas.

22
 Figura 4.2 paso por cero

Los relés de estado sólido con la función de detección de paso por cero son adecuados
para cargas resistivas, capacitivas y cargas inductivas con un factor de potencia entre
0.7 y 1

*Circuito de salida
Salida CA con tiristores antiparalelos o triacs, salida CC con transistor bipolar o MOS
FET, salida CA-CC con transistor MOS FET (ya que tiene igual ganancia en directo que
en inverso.

23
 Figura 4.3 ventajas y desventajas

Para utilizar un relevador de estado sólido es necesario tomar una serie de

precauciones antes de utilizarlo

*No aplicar una tensión o corriente excesiva en los circuitos de entrada y salida del
SSR.

*Asegurarse que los tornillos de conexión están correctamente apretados

*Permitir una correcta ventilación del SSR, en el caso de que el SSR esté montado en
un panel de control donde la ventilación no sea suficiente se deberá instalar un sistema
de ventilación.

*Cuando se instale el SSR directamente en un panel de control, de manera que el panel

es usado de disipador, el panel debe ser de un material con una baja resistencia
térmica como aluminio o acero

24
Protección de SSRs

Los relés de estado sólido son bastante sensibles a las perturbaciones y transitorios
eléctricos, así como a las sobrecargas en tensión y en corriente.

El origen de los fenómenos transitorios puede ser:

- Electromagnético radiado

- Eléctrico conducido por los hilos de la red de alimentación

para prevenir estos fenómenos es primordial dimensionar correctamente el ssr con

relación a su aplicación, para explotar así el conjunto de las características del ssr con
un margen de seguridad suficiente.

para escoger un relé de estado sólido es necesario tener en cuenta los siguientes
factores:

- Especificaciones de tensión y corriente de la entrada

- El tipo de carga a conectar

- La corriente y la tensión de la carga

- La temperatura ambiente de funcionamiento, vibraciones.

- Encapsulado

- Tipo de conexión eléctrica (Terminales de tornillo, patillas para el soldado directo de

los hilos, etc)

-Homologaciones
- Otras especificaciones como la rigidez dieléctrica, fiabilidad (tiempo medio entre
fallos), etc

Diferentes tipos de cargas

25
Cuando se produce una conmutación de OFF a ON se producen picos en la corriente
que pueden destruir los dispositivos semiconductores de potencia de los SSR.

Figura 4.4 conmutación

El valor del pico de corriente en la conmutación depende del tipo de carga

Carga resistiva

La relación entre el pico de corriente en la conmutación y la corriente nominal es 1. En

este caso la corriente y la tensión están en fase de manera que no hay problemas en el
funcionamiento del SSR Una típica carga resistiva es un calentador que se suele
combinar con un controlador de temperatura con salida en tensión

Figura 4.5 resistiva

Lámparas incandescentes:

26
La relación entre el pico de corriente en la conmutación y la corriente nominal es de 10
a 15 veces. Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el
doble que el valor máximo del pico de corriente en el transitorio.

Utilizar un fusible en serie con la lámpara para proteger al relé en el encendido de la

lámpara y en el caso de producirse un cortocircuito como consecuencia de la rotura del
filamento

Al ser una carga inductiva aparece un desfase entre la tensión y la corriente y se utiliza
un filtro RC (Se explica en la sección de protección en la salida) para mejorar el
funcionamiento.

Motor

Cuando un motor arranca la corriente es de 5 a 10 veces mayor que la corriente

nominal. Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el doble
que el máximo valor de la corriente en el arranque.

Al ser una carga inductiva aparece un desfase entre la tensión y la corriente y se utiliza
un filtro RC (Se explica en la sección de protección en la salida) para mejorar el
funcionamiento.

Transistor

Cuando el SSR conmuta a ON la corriente que pasa por el SSR es de 10 a 20 veces la

corriente nominal durante un tiempo de 10 a 500ms Se debe seleccionar un SSR cuya
resistencia a picos de corriente sea el doble que el máximo valor del pico de corriente.

Rectificador de media onda

27
En este caso cuando se utiliza un SSR con función de paso por cero el relé no
conmutará a ON, hay dos posibles soluciones:

1.- Conectar una resistencia de absorción, que absorba un 20% de la corriente en la

carga aproximadamente.

Figura 4.6 Utilizar un SSR sin función de paso por cero

Rectificador de onda completa

La corriente en la carga tendrá una forma rectangular como la que se muestra a

continuación.

Figura 4.7 En este caso se deberá utilizar relés del modelo –V ( G3F-203SL-V, G3H203SL--V) o relés
que tengan en su salida transistores MOS FET (G3DZ, G3RZ, G3FM)

28
Conclusión
En esta investigación el problema fue en encontrar los circuitos de descarga ya que lo
único encontrado eran los circuitos de disparo una vez ya asesorados por el profesor
pudimos continuar, los tiristores son normalmente usados en diseños donde se tiene
corrientes o voltajes muy altos ya que estos lo soportan y eso aplicado en una empresa
ayuda económicamente para la empresa al no tener que estar remplazando materiales
quemados.

29
Referencias
(Coloque la lista de las fuentes consultadas en formato APA)

Nota: - Referenciar el texto con la fuente correspondiente en el contenido del trabajo.

- Llenar con letra arial 12, interlineado 1.5 y justificado texto, subtemas en
negritas y cursiva, temas arial 16 negritas y nombres de figuras en arial 10 como
aparece en el ejemplo.

30