Juntura P - N

Material tipo P Material tipo N

𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
𝑝𝑝0 ≈ 𝑁𝐴 𝑛𝑝0 = 𝑛𝑛0 ≈ 𝑁𝐷 𝑝𝑛0 =
𝑁𝐴 𝑁𝐷

Material tipo P Material tipo N

WP WN
Zona de Deplexion

E
_ +
NA _ + ND
_ +
_ +
_ +
_ +
_ +
+
WP xP 0 xn WN
 JUNTURA P-N EN EQUILIBRIO

Concentración
de portadores

P (NA) + N (ND)
𝑝𝑝0 +
𝑛𝑛0
+
Corriente por Difusión + Corriente por Campo
+
+
𝑛𝑝0 𝑝𝑛0
+
𝑥
𝑊𝑃 −𝑥𝑃 0 𝑥𝑛 𝑊𝑁
𝐸

Huecos por Difusión Huecos por Campo

Electrones por Campo Electrones por Difusión

 Huecos por Difusión Huecos por Campo

En equilibrio 𝐽𝐷𝑝 = 𝐽𝜇𝑝

Campo que establece la 1 𝑑𝑝𝑛 𝑥

condición de equilibrio 𝐸 𝑥 = 𝑈𝑇
𝑝𝑛 𝑥 𝑑𝑥

𝑁𝐴 𝑁𝐷
Tensión de juntura para 𝑉𝑗0 = 𝑈𝑇 𝑙𝑛 2
equilibrio 𝑛𝑖
 𝑝𝑛 𝑥𝑛 = 𝑝𝑛0
Concentraciones de huecos
de la juntura en equilibrio
𝑝𝑛 −𝑥𝑝 = 𝑝𝑝0

Relación entre los huecos de −𝑽𝒋𝟎

la zona N y la zona P en 𝑼𝑻
𝒑𝒏𝟎 = 𝒑𝒑𝟎 𝒆
equilibrio

Relación entre los electrones −𝑽𝒋𝟎

de la zona P y la zona N en 𝒏𝒑𝟎 = 𝒏𝒏𝟎 𝒆 𝑼𝑻
equilibrio
 JUNTURA P-N EN EQUILIBRIO

Concentración
de portadores

P (NA) + N (ND)
𝑝𝑝0 +
𝑛𝑛0
+
+
+
+ 𝑝𝑛0
𝑛𝑝0
+
𝑥
𝑊𝑃 −𝑥𝑃 0 𝑥𝑛 𝑊𝑁
𝐸
−𝑉𝑗0
−𝑉𝑗0
𝑝𝑛0 = 𝑝𝑝0 𝑒 𝑈𝑇
𝑛𝑝0 = 𝑛𝑛0 𝑒 𝑈𝑇
𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉𝑗0 = 𝑈𝑇 𝑙𝑛 2
𝑛𝑖

• Con la juntura en equilibrio en la zona de deplexion se establece un

potencial Vj0
• Las concentraciones de huecos y electrones en los bordes de la zona de
−𝑉𝑗𝑜
𝑈𝑇
deplexion están relacionadas por la exponencial 𝑒
 JUNTURA P-N CON POLARIZACION DIRECTA
Concentración
de portadores

+
𝑃 𝑝𝑛 𝑥𝑛 𝑁
𝑛𝑝 −𝑥𝑝 +
+
+
+
+
𝑛𝑝0 + 𝑝𝑛0
+ 𝑥
𝑊𝑃 −𝑥𝑝 𝑥𝑛 𝑊𝑁

𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑉𝐷 𝑈𝑇
𝑛𝑝 −𝑥𝑝 = 𝑛𝑝0 𝑒 𝑈𝑇 𝑝𝑛 𝑥𝑛 = 𝑝𝑛0 𝑒

• Como consecuencia de la tensión VD se produce:

• Una inyección de huecos [ 𝑝𝑛 𝑥𝑛 ] de la zona P a la N

• Una inyección de electrones [ 𝑛𝑝 −𝑥𝑝 ] de la zona N a la P

 Concentración
de portadores

+
𝑛𝑝 −𝑥𝑝 + 𝑝𝑛 𝑥𝑛
+
+
+
+
𝑛𝑝0 + 𝑝𝑛0
+ 𝑥
𝑊𝑃 𝐿𝑛 −𝑥𝑝 𝑥𝑛 𝐿𝑝 𝑊𝑁

𝑉𝐷
• Podemos calcular como se distribuyen los electrones y huecos inyectados
aplicando la ecuación de continuidad en la zona N y P
𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑑𝑝𝑛 𝑑𝑛𝑝 𝑈𝑇 𝑈𝑇
𝐸=0 = =0 𝑝𝑛 𝑥𝑛 = 𝑝𝑛0 𝑒 𝑛𝑝 −𝑥𝑝 = 𝑛𝑝0 𝑒
𝑑𝑡 𝑑𝑡

𝑝𝑛 𝑥
• La solución de la ecuación de
continuidad nos dará 𝑛𝑝 𝑥
 𝑥+𝑥𝑝 −𝑥+𝑥𝑛
𝐿𝑝
𝑛𝑝 𝑥 = 𝑛𝑝 −𝑥𝑝 − 𝑛𝑝0 𝑒 𝐿𝑛 + 𝑛𝑝0 𝑝𝑛 𝑥 = 𝑝𝑛 𝑥𝑛 − 𝑝𝑛0 𝑒 + 𝑝𝑛0

Concentración
de portadores

+
𝑛𝑝 −𝑥𝑝 + 𝑝𝑛 𝑥𝑛
+
+
+
+
𝑛𝑝0 + 𝑝𝑛0
+ 𝑥
𝑊𝑃 𝐿𝑛 −𝑥𝑝 𝑥𝑛 𝐿𝑝 𝑊𝑁

𝑉𝐷
𝑑𝑛𝑝 𝑥 𝑑𝑝𝑛 𝑥
≠0 ≠0
𝑑𝑥 𝑑𝑥
Tendremos corrientes por difusión de
huecos en la zona N y electrones en la
𝑑𝑛(𝑥) 𝑑𝑝(𝑥)
𝐽𝑛 𝑥 = 𝑞 𝐷𝑛 zona P 𝐽𝑝 𝑥 = −𝑞 𝐷𝑝
𝑑𝑥 𝑑𝑥
 CORRIENTES POR DIFUSION EN LA JUNTURA P-N
POLARIZADA DIRECTA

𝐽𝐷𝑛 𝑥 𝐽𝐷𝑝 𝑥

𝑊𝑃 𝐿𝑛 −𝑥𝑝 0 𝑥𝑛 𝐿𝑝 𝑊𝑁

𝑉𝐷

𝑥+𝑥𝑝
𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝 −𝑥𝑝 − 𝑛𝑝0
𝐽𝐷𝑛 𝑥 = 𝑒 𝐿𝑛 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑥 ≤ −𝑥𝑝
𝐿𝑛

−𝑥+𝑥𝑛
𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛 𝑥𝑛 − 𝑝𝑛0 𝐿𝑝 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑥 ≥ 𝑥𝑛
𝐽𝐷𝑝 𝑥 = 𝑒
𝐿𝑝
 CORRIENTE TOTAL EN LA JUNTURA POLARIZADA DIRECTA
𝐽

𝐽𝑇
𝐽𝜇𝑝 𝑥 𝐽𝜇𝑛 𝑥

𝐽𝑇
𝐽𝐷𝑛 𝑥 𝐽𝐷𝑝 𝑥

𝑊𝑃 𝐿𝑛 −𝑥𝑝 0 𝑥𝑛 𝐿𝑝 𝑊𝑁

𝑉𝐷
𝐽𝑇 = 𝑐𝑡𝑒.
𝐽𝑇 = 𝐽𝐷𝑛 𝑥 + 𝐽𝜇𝑝 𝑥 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑥 ≤ −𝑥𝑝

𝐽𝑇 = 𝐽𝐷𝑝 𝑥 + 𝐽𝜇𝑛 𝑥 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑥 ≥ 𝑥𝑛

𝐽𝑇 = 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁 = 𝐽𝜇𝑝 −𝑊𝑃

𝐽𝑇 = 𝐽𝐷𝑝 𝑥𝑛 + 𝐽𝐷𝑛 −𝑥𝑝

 ECUACION DE LA JUNTURA P-N

𝐽𝑇 = 𝐽𝐷𝑝 𝑥𝑛 + 𝐽𝐷𝑛 −𝑥𝑝

𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛 𝑥𝑛 − 𝑝𝑛0 −𝑥+𝑥𝑛 𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛 𝑥𝑛 − 𝑝𝑛0

𝐽𝐷𝑝 𝑥 = 𝑒 𝐿𝑝 𝐽𝐷𝑝 𝑥𝑛 =
𝐿𝑝 𝐿𝑝

𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛0 𝑉𝐷
𝑉𝐷 𝐽𝐷𝑝 𝑥𝑛 = 𝑒 𝑈𝑇 −1
𝑝𝑛 𝑥𝑛 = 𝑝𝑛0 𝑒 𝑈𝑇 𝐿𝑝

𝑥+𝑥𝑝
𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝 −𝑥𝑝 − 𝑛𝑝0 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝 −𝑥𝑝 − 𝑛𝑝0
𝐽𝐷𝑛 𝑥 = 𝑒 𝐿𝑛 𝐽𝐷𝑛 −𝑥𝑝 =
𝐿𝑛 𝐿𝑛

𝑉𝐷 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝0 𝑉𝐷
𝐽𝐷𝑛 −𝑥𝑝 = 𝑒 𝑈𝑇 −1
𝑛𝑝 −𝑥𝑝 = 𝑛𝑝0 𝑒 𝑈𝑇
𝐿𝑛

𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛0 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝0 𝑉𝐷

𝐽𝑇 = + 𝑒 𝑈𝑇 −1
𝐿𝑝 𝐿𝑛
 𝑉𝐷
𝐽𝑇 = 𝐽𝑠 𝑒 𝑈𝑇 −1
𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑛0 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝0
𝐽𝑠 = +
𝐿𝑝 𝐿𝑛
𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
𝑝𝑛0 = 𝑛𝑝0 =
𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝑞𝐷𝑝 𝑞𝐷𝑛
𝐽𝑠 = 𝑞𝑛𝑖2 +
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝐿𝑛 𝑁𝐴

P N A

𝐷𝑝 𝐷𝑛
𝐼𝑠 = 𝐽𝑠 × 𝐴 I𝑠 = 𝑞𝑛𝑖2 𝐴 +
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝐿𝑛 𝑁𝐴

𝑉𝐷
𝐼 =𝐽×𝐴
𝐼 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈𝑇 −1
 Ecuación de la Juntura P - N

I A

P (NA) N (ND)

_
+ VD

𝑉𝐷
Depende de la polarización 𝐼 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈𝑇 −1

𝐷𝑝 𝐷𝑛
Depende de la fabricación I𝑠 = 𝑞𝑛𝑖2 𝐴 +
𝐿𝑝 𝑁𝐷 𝐿𝑛 𝑁𝐴
 CARACTERISTICA V- I JUNTURA P-N

Is = 1,1 x 10-8

P N

V (Volt)
I (Amp)

I = Is [ exp (VD/UT) – 1]

I (Amp)

V (Volt)