Ministerul Educatiei,Culturii si Cercetarii al

Republicii Moldova
Universitatea Tehnica a Moldovei
Facultatea Calculatoare, Informatica si
Microelectronica
Departamentul Informatica si Ingineria sistemelor

Raport
Lucrarea de laborator nr.4
La Circuite si Dispozitive Electronice

Tema:Studierea tranzistoarelor bipolare.

A efectuat Leascenco Valeria

st.grupei CR-181

Averificat Tincovan Serghei

lect. univ.

2019
 Scopul lucrarii:Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului
bipolar în conexiunea cu bază comună (BC) şi cu emitorul comun (EC) şi
calcularea parametrilor ’’h’’ pentru semnale mici.
Mersul lucrarii:
1. Se face cunostinta vizual cu platforma lucrarii si cu aparatele de masurat.
2. Se asambleaza montajul schemei in conformitate cu schema de pe
platforma.Sursa de alimentatie electrica se conecteaza in utlimul rind numai cu
permisiunea lectorului.Manetele de reglaj ale potentiometrelor R1 si R2 se vor
instala in pozitie extrema din stinga.
3. Se masoara curentul de intrare al trazistorului in dependent de tensiunea
respective IE = f(UEB).

Fig.1 Schema electrica pentru trasarea experimental a caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar in conexiunea BC

Fig.2 Schema electrica pentru trasarea experimental a caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar in conexiunea EC

DIIS 0612.1 181.08

Mod Coala № docum. Semn. Data
Elaborat Leascenco V. Lit. Coala Coli
Tincovan S. Studierea circuitelor electrice
Verificat
nc liniare de current continuu si
N. Contr. Turcan A.
alternativ UTM, FCIM
Aprobat anVerifica
Ciorba D. CR-181
 Datele experimentale pentru ridicarea carcateristicilor de intrare ale tranzistorului
bipolar in conexiune BC
Tabelul1
UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280
IE , UCB=0 0 0 0,02 0,05 0,11 0,23 0,48 0,95 3,08 7,81 15,24
mA UCB=- 0 0,01 0,03 0,07 0,15 0,3 0,61 1,22 3,81 10,96 18,97
5V

4. Se masoara curentul in circuitul de iesire al tranzistorului in dependenta de

tesniunea respectiva IC=f(UCB) pentru doua valori ale curentului emitorului: 5
si 10 mA.
Datele experimentale pentru ridicarea carcateristicilor de iesire ale tranzistorului
bipolar in conexiune BC
Tabelul 2
UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14
IC, IE=5 mA 4,83 4,87 4,89 4,9 4,91 4,92 4,92 4,93
mA IE=10 mA 9,80 9,81 9,82 9,83 9,83 9,84 9,84 9,85

5. La schema cu emitor comun se masoara curentul IB=f(UBE)si IC=f(UCE) conform

cerintelor expuse in tabelele 3 si 4.

Datele experimentale pentru ridicarea carcateristicilor de intrare ale

tranzistorului bipolar in conexiune EC
Tabelul 3
UBE, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 240 280
IB, UCE=0 0 0 0,01 0,02 0,04 0,08 0,14 0,25 0,5 1,13 1,94
m 8
A UCE=- -1,7* - -0,4* 0,4* 2,5* 6,3* 13* 0,03 0,0 0,13 0,3
5V 10-3 1,1* 10-3 10-3 10-3 10-3 10-3 5
10-3

Coala
DIIS 0612.1 181.08
 Datele experimentale pentru ridicarea carcateristicilor de iesire ale
tranzistorului bipolar in conexiune EC
Tabelul 4
UCE, V 0 0,5 1 1,5 2 3 4 6 8 10 12
IC, IB=200 -0,1 10,9 11,18 11,72 12,23 13 13,5 13,7 15 15,7 19
m µA
A IB=300 - 15,6 16,3 16,8 17,1 18,3 19,7 21,1 23, 29 39,5
µA 0,02 8

∆UEB 200−160 ∆UBE 320−280

h11B= = = 18,60 (1) h11E = = = 22,85 (5)
∆IE 3,1−0,95 ∆IB 1,95−0,20

∆Ic 9,8−5 ∆Ic 16−15 (6)

h21B= = = 0,96 (2) h21E= = = 10
∆IE 5 ∆IB 100

∆UEB 200−160 ∆UBE 60

h12B= = =8 (3) h12E = = = 12 (7)
∆UCB 5 ∆UCE 5

∆I′C 9,8−9,7 ∆I′C 16−15,3 (8)

h22B= = = 0,016 (4) h22E= = = 0,006
∆UCB 6 ∆UCE 12−1,5

Concluzie:
In urma efectuarii acestei lucrari de laborator am studiat tranzistoarele
bipolare, care reprezinta dispozitive semiconductoare cu 2 jonctiuni
electron-gol (n-p), formate printr-o succesiune de 3 regiuni p-n-p sau n-p-
n.
Am determinat caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar in
conexiune cu baza comuna(BC) si cu emitor comun (EC), de unde am dedus
pec ale experimentala, in urma masurarilor ca caracteristicile la iesire ale
tranzistorului cu emitor comun sunt mai mari deict cele ale tranzistorului cu
baza comuna, ceea ce explica faptul ca este cel mai utilizabil sic el mai
efficient. Am trasat graficele caracteristicilor de intrare si de iesire ale
tranzistorului si pe baza lor am detreminat parametrii h.
Tranzistorul bipolar poate functiona in 4 regimuri: regimul activ direct ( E-
polarizat direct, C-polarizat invers) , regimul activ inversat( E- invers, C-
direct), regimul de saturatie (ambele jonctiuni polarizate direct) si regimul de
blocare( jonctiunile emitorului si colectorului sunt polarizate invers).
In concluzie pot spune ca cel mai bun regim de functionare a tranzistorului
ramine a fi cel active direct intrucit in acest regim cuerntul collector si
tensiunea de iesire pot fi controlate prin curentul bazei si tensiunea de intrare
.

Coala
DIIS 0612.1 181.08 4
ModCoala N.Document Semnat Data