TRANZISTOARE BIPOLARE

Generalităţi

Tranzistoarele bipolare conţin două joncţiuni pn, astfel că acest

dispozitiv semiconductor se prezintă ca un “sandwich” alcătuit dintr-un
singur strat de tip “n” cuprins între două straturi de tip “p”, fiind numit
tranzistor pnp. Cu o dopare complementară se obţine tranzistorul npn.
Regiunea semiconductorului care este comună celor două joncţiuni
este numită bază. Cele două regiuni vecine acesteia se numesc emitor şi
colector. Deşi aceste două regiuni au acelaşi tip de conductibilitate, ele au în
mod uzual proprietăţi fizice şi electrice diferite, având destul de diferită şi
mărimea lor. Joncţiunea cuprinsă între emitor şi bază este numită joncţiunea
emitorului, cealaltă fiind numită joncţiunea colectorului.
Tranzistorul bipolar funcţionează ca un ventil de comandă, pe baza
curgerii purtătorilor minoritari prin regiunea subţire a bazei. Când joncţiunea
emitorului este polarizată direct, golurile sunt injectate din emitor, unde
acestea sunt purtători majoritari, în regiunea bazei, unde sunt purtători
minoritari, exact ca la o diodă semiconductoare polarizată direct. Cei mai
mulţi dintre aceşti purtători injectaţi difuzează prin bază şi ajung la regiunea
de sarcină spaţială a colectorului. Numărul purtătorilor care dispar în bază
prin recombinare cu electronii majoritari este mic. Golurile sunt antrenate în
colector de câmpul electric existent în regiunea de sarcină spaţială a
colectorului. Întrucât, în funcţionare normală, joncţiunea colectorului este
polarizată invers, aici nu apare difuzie şi curentul de colector este
determinat de golurile “colectate”. Dispozitivul poate fi folosit ca ventil
controlat deoarece curentul de colector este comandat direct de tensiunea
bază-emitor, care asigură polarizarea directă a joncţiunii emitorului.
Tensiunea bază-emitor şi curentul de bază fiind foarte mici, se poate obţine
amplificare de putere.
Tranzistorul se numeşte bipolar deoarece în funcţionarea sa intervin
ambele tipuri de purtători de sarcină: minoritari şi majoritari.
Concentraţiile impurităţilor diferă foarte mult în cele trei regiuni.
Astfel, emitorul este puternic dopat cu impurităţi (goluri la tranzistorul pnp şi
cu electroni la tranzistorul npn), în bază concentraţia are o valoare mică, iar
în colector foarte mică.
În cele ce urmează se prezintă structura, polarizarea normală a
electrozilor, sensurile curenţilor şi simbolurile grafice ale celor două tipuri
de tranzistoare bipolare – pnp şi npn.
VCE
pnp pnp
E IE IC C

E p n p C

-
+ B IB
EE VEB VCB EC B
- K2 +
K1 K3
 Figura 4.1
VEC
npn
npn
E IE IC C
E n p n C

-
- B
EE VBE VBC EC IB
+ K2 B
K1 +
K3

Figura 4.2

PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

Pentru aceasta se foloseşte schema de conectare a unui tranzistor

pnp, din care se vede că tranzistorul reprezintă două diode
semiconductoare, care au o regiune comună - baza, însă joncţiunii
emitorului i se aplică tensiunea EE în sens direct (polarizarea directă), iar
joncţiunii emitorului i se aplică tensiunea E C de sens invers (polarizarea
inversă). De regulă

E C  E E (4.1)
După închiderea întrerupătoarelor K1, K2 şi K3, joncţiunea emitorului
este polarizată în sens direct şi prin ea trece curentul direct al emitorului I pE,
cauzat de deplasarea unui mare număr de goluri din emitor (de tip p) în bază
(de tip n). Deoarece concentraţia electronilor din bază este mult mai mică
decât cea a golurilor din emitor, numărul golurilor care sosesc din emitor în
bază depăşeşte de multe ori numărul electronilor care se deplasează în sens
invers şi care determină un curent de electroni I nBE foarte mic în raport cu IpE.
Curentul emitorului este:

IE = IpE + InBE (4.2)

Golurile, ajungând în bază, încep să se recombine cu electronii,

determinând un mic curent de recombinare I R. Însă recombinarea nu poate fi
un proces instantaneu şi de aceea aproape toate golurile reuşesc să treacă
prin regiunea foarte îngustă a bazei (sub 0,1 mm) şi să ajungă la colector,
unde intră sub acţiunea câmpului electric produs de sursa E C. Pentru goluri
acest câmp este accelerator şi de aceea ele sunt atrase din bază în colector,
formând un curent emitor-colector I pC al cărui traseu este: +E C, K3, K1, emitor,
bază, colector, -Ec.
Între aceşti curenţi este evidentă relaţia:

IpE = IR + IpC (4.3)

 Dacă polarizarea joncţiunii emitorului este nulă (K 1 deschis) sau
inversă, tranzistorul este practic blocat (nu conduce). În realitate, dacă se
deschide K1 şi se inchid K2 şi K3, prin joncţiunea colectorului trece un curent
invers ICBO foarte mic, cauzat de deplasarea purtătorilor minoritari (de
golurile bazei şi de electronii colectorului), al cărui traseu este: +E c, K3, K2,
bază colector, -EC.
La tranzistoare se defineşte factorul de amplificare în curent emitor-
colector:
I pC
αF  (4.4)
IE
care arată ce fracţiune din curentul de emitor soseşte în colector. Acest
factor poate fi definit ca produsul între eficienţa emitorului γE şi factorul de
transfer βt, factori care sunt definiţi prin relaţiile:

I pE I pE
γE   (4.5)
IE I pE  I nBE

I pC I pC
βt   (4.6)
I pE I pC  I R

Adeseori, în cataloage factorul de amplificare αF se înlocuieşte cu βF –

factor de amplificare în curent bază-colector.

αF
βF  (4.7)
1  αF

Pentru tranzistoare uzuale αF = 0,95...0,995 şi deci βF = 20...200.

Mai rezultă încă relaţiile:

IC = IpC + ICBO (4.8)

IB = IE - IC (4.9)

rezultă:
IB = IE – αF ∙IE - ICBO (4.10)

sau
IB = (1-αF)∙IE - ICBO (4.11)

Dacă se ţine seama de relaţia existentă între βF şi αF (4.7) şi

considerăm αF  1, iar ICBO<<IC, în practică se foloseşte relaţia aproximativă:

IC  IE  β F  IB (4.12)
 Regiunea de sarcină Regiunea de sarcină
spaţială a joncţiunii spaţială a joncţiunii
emitorului colectorului

Emitor de Baza de Colector de

tip p tip n tip p
Curent
longitudinal
de goluri
Recombinare
în bază
Recombinare Ir
în emitor

Curent de purtători minoritari ai

joncţiunii BC invers polarizată
Golurile bazei
Electroni minoritari
Electroni injectaţi din colector (drift)
în emitor
Electroni care se recombină
Curent transversal cu o mică parte din golurile
de electroni injectate

Figura 4.3

CIRCUITE ECHIVALENTE PENTRU ANALIZA TB ÎN CURENT CONTINUU

În cele ce urmează, vom studia situaţiile în care variabilele la borne

sunt fie constante fie foarte lent variabile în timp, adică studiem situaţiile
statice sau la viteze mici. Presupunem că distribuţiile tensiunilor şi sarcinii
variază suficient de lent încât să se poată neglija componentele curenţilor
datorate variaţiei stocărilor de sarcină în exces. Aceste condiţii “la viteze
mici” sunt adesea satisfăcute şi pentru variaţii rapide, întrucât în multe
tranzistoare moderne componentele determinate de variaţia de sarcină pot fi
neglijate pentru timpi de variaţie ajungând până la zecimi de microsecundă.
Ne ocupăm de funcţionarea în regiunea activă, cu joncţiunea
colectorului polarizată invers şi joncţiunea emitorului polarizată direct (cu
tensiuni de cel puţin de câteva ori kT/q). În aceste condiţii, distribuţia de
purtători de sarcină în exces în regiunea bazei este aproximativ liniară.
Deoarece concentraţia în exces la marginea emitorului depinde
exponenţial de tensiunea emitor-bază V EB în conformitate cu relaţia lui
Boltzmann, înseamnă că pentru curentul de colector putem scrie:
  q  VEB  
I C  I1  exp   1 (4.13)
  k T  
unde
 D pB  p n0B
I1  q  A j  (4.14)
W

Aj – aria secţiunii transversale a bazei

DpB – coeficient de difuzie al purtărorilor minoritari în bază
pnOB – concentraţia de purtători minoritari în bază la echilibru
W – grosimea regiunii neutre a bazei.
Această relaţie curent-tensiune are aceeaşi formă cu ecuaţia pentru
diodă.

Deşi recombinarea în bază şi injectarea în emitorul puternic dopat

produc curenţi neglijabili în raport cu cel de colector, de aceştia trebuie să
se ţină seama pentru calculul curentului de bază. Acesta va avea o
componentă determinată de recombinare în bază şi una care alimentează
injectarea de purtători majoritari ai bazei în regiunea emitorului.
Curentul total de bază are exact aceeaşi dependenţă de tensiunea
emitor-bază ca şi curentul de colector, şi ca şi acesta, nu depinde de
tensiunea colector-bază. Este deci convenabil să se exprime curentul de
bază ca o fracţiune a curentului de colector:

  q  VEB  
I B  δ  I C  δ  I1  exp   1 (4.15)
  k T  

Coeficientul „δ” este numit “pierdere în bază” sau “defect în bază”

deoarece recombinarea în bază şi injecţia în emitor pot fi interpretate ca
defecte ale dispozitivului.
Curentul de emitor poate fi exprimat pe baza curenţilor de colector şi
bază, folosind teorema I – a lui Kirchhoff:

IE + IB + IC = 0 (4.16)

sau

  q  VEB  
I E  I B  I C  (1  δ)  I1  exp   1 (4.17)
  kT  

Curenţii de la terminalele tranzistorului depind de V EB în acelaşi mod.

Întrucât rapoartele curenţilor sunt independente de V EB şi I1, aceste rapoarte
sunt parametri utili ai tranzistoarelor.
Raportul dintre modulul curentului de colector şi modulul curentului
de emitor este numit câştig de curent în scurtcircuit, cu baza comună şi este
notat cu αF. El este:

IC 1
 αF  (4.18)
IE 1 δ

Evident, αF este foarte puţin mai mic decât 1, întrucât δ este foarte
mic.
 Raportul dintre modulele curentului de colector şi curentului de bază
este numit câştig de curent în scurtcircuit, cu emitorul comun, şi este notat
cu βF:

IC 1
 βF  (4.19)
IB δ

Acest câştig de curent este mare pentru că δ este foarte mic. El are în
mod uzual valori cuprinse în gama 10...103.
Relaţia directă între aceşti coeficienţi poate fi scrisă fie

βF
αF  (4.20)
1 βF
fie

αF
βF  (4.21)
1  αF

Relaţiile curent-tensiune pot fi modelate în diferite feluri cu ajutorul

componentelor de circuit. Relaţia între curentul de emitor şi tensiunea
emitor-bază are aceeaşi formă cu caracteristica curent-tensiune a unei diode
idealizate cu joncţiunea p-n. Din această cauză, comportarea tranzistorului la
bornele emitor-bază poate fi modelată cu o diodă idealizată cu joncţiune
având curentul de saturaţie (1 + δ)∙I1.

IE
E C

(1+δ)∙I1

Figura 4.4

Curentul de colector depinde de V EB în acelaşi mod, dar este

independent de tensiunea colector-bază. Dependenţa exponenţială a
curentului de colector de tensiunea emitor-bază şi independenţa sa de
tensiunea colector-bază pot fi modelate cu ajutorul unui generator de curent
dependent sau controlat. Acest model este o reprezentare completă.
Curentul de bază este modelat ca o consecinţă a teoremei lui Kirchhoff
pentru curenţi.

 qkVTEB 
I1   e  1
IE   I
E C
C

(1+δ)∙I1 kT
IB VEB 
q
B kT
VCB  
q
Figura 4.5
 Un generator dependent se deosebeşte de unul independent doar prin
faptul că valoarea sa nu este fixată arbitrar, ci este determinată de o anumită
variabilă din circuit. Astfel generatorul de curent controlat furnizează la
colector un curent care depinde în mod explicit de o tensiune din altă parte a
circuitului şi anume de tensiunea la bornele emitor-bază.
Circuitul echivalent reprezentat exprimă curentul de colector în funcţie
de tensiunea emitor-bază, alegere întâmplătoare. Se poate folosi
proporţionalitatea dintre curentul de colector şi cel de emitor, exprimată prin
αF pentru a alcătui circuitul echivalent.

IE αF  IE
E C

(1+δ)∙I1 IB kT
VEB 
q
B kT
VCB  
q
Figura 4.6

Se poate folosi proporţionalitatea dintre curentul de colector şi cel de

bază, exprimate prin βF pentru a construi circuitul echivalent, toate aceste
circuite fiind echivalente între ele şi corespunzând relaţiilor algebrice curent-
tensiune.

IB βF  IB
B C

kT
(1+δ)∙I1 VEB 
q
E kT
VCB  
q
Figura 4.7